技術(shù)特征：
1.一種圖案的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述襯底上形成包括多個(gè)等間距、平行排列第一線(xiàn)的第一圖案，第一圖案的孔距為最終形成圖案孔距的四倍；在所述第一線(xiàn)延伸方向的兩相對(duì)側(cè)壁形成第二線(xiàn)，其中，第二線(xiàn)的線(xiàn)寬等于第一線(xiàn)的線(xiàn)寬，第二線(xiàn)的材料與第一線(xiàn)的材料不同；在所述第二線(xiàn)與第一線(xiàn)相對(duì)且遠(yuǎn)離第一線(xiàn)的側(cè)壁形成第三線(xiàn)，第三線(xiàn)的線(xiàn)寬與第一線(xiàn)的線(xiàn)寬相同；在所述第三線(xiàn)與第二線(xiàn)相對(duì)且遠(yuǎn)離第二線(xiàn)的側(cè)壁外延生長(zhǎng)形成第四線(xiàn)，第四線(xiàn)的線(xiàn)寬與第一線(xiàn)的線(xiàn)寬相同，第四線(xiàn)的材料與第三線(xiàn)的材料不同；去除所述第一線(xiàn)、第三線(xiàn)，最終形成的圖案包括第二線(xiàn)、第四線(xiàn)。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一線(xiàn)、第三線(xiàn)的材料為多晶硅，第二線(xiàn)、第四線(xiàn)的材料均為鍺硅；或者第一線(xiàn)的材料包括光刻膠、無(wú)定形碳、或含硅抗反射層，第二線(xiàn)的材料為介質(zhì)材料，第三線(xiàn)的材料為多晶硅，第四線(xiàn)的材料為鍺硅。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝痪€(xiàn)的材料為多晶硅、無(wú)定形碳、或含硅抗反射層，所述第一線(xiàn)的形成方法包括：沉積第一線(xiàn)材料，覆蓋半導(dǎo)體襯底；在所述第一線(xiàn)材料上形成圖形化的光刻膠層，定義第一線(xiàn)的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩模，刻蝕第一線(xiàn)材料，形成第一線(xiàn)；去除圖形化的光刻膠層。4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)诙€(xiàn)的材料為鍺硅，所述形成第二線(xiàn)的方法，包括：在第一線(xiàn)上形成硬掩模層；以所述硬掩模層為掩模，在第一線(xiàn)延伸方向的側(cè)壁外延生長(zhǎng)鍺硅，為第二線(xiàn)；在去除第一線(xiàn)時(shí)，也去除硬掩模層。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層的材料為氮化硅。6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第三線(xiàn)的方法，包括：沉積多晶硅層，覆蓋半導(dǎo)體襯底、第一線(xiàn)、第二線(xiàn)；回刻蝕多晶硅層，至半導(dǎo)體襯底表面停止，剩余第二線(xiàn)與第一線(xiàn)相對(duì)且遠(yuǎn)離第一線(xiàn)側(cè)壁的多晶硅層，為第三線(xiàn)。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉積多晶硅層的方法為原子層沉積法。8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述回刻蝕多晶硅層的方法為原子層刻蝕法。9.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除第一線(xiàn)、第三線(xiàn)的方法，包括：在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；以所述第二線(xiàn)、第四線(xiàn)和犧牲層為掩模，使用濕法腐蝕法去除第一線(xiàn)、第三線(xiàn)；去除所述犧牲層。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕法使用的腐蝕劑包括四甲基氫氧化氨溶劑或氫氧化銨溶劑。11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，形成犧牲層的方法，包括：在所述襯底上形成犧牲材料層，覆蓋所述第一線(xiàn)、第二線(xiàn)、第三線(xiàn)、第四線(xiàn)；進(jìn)行烘焙處理，使?fàn)奚牧蠈庸腆w化；去除第一線(xiàn)、第二線(xiàn)、第三線(xiàn)、第四線(xiàn)上的犧牲材料層，形成犧牲層。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括光刻膠、聚酰亞胺、底部抗反射層或含硅抗反射層。13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，去除所述犧牲層的方法，包括干法刻蝕或濕法刻蝕。14.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝痪€(xiàn)的材料為光刻膠，形成第一線(xiàn)的方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影處理，形成第一線(xiàn)。15.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述第二線(xiàn)的材料為介質(zhì)材料，形成第二線(xiàn)的方法，包括：沉積第二線(xiàn)材料，覆蓋第一線(xiàn)、半導(dǎo)體襯底；回刻第二線(xiàn)材料，至半導(dǎo)體襯底表面停止，剩余第一線(xiàn)沿延伸方向的兩相對(duì)側(cè)壁的第二線(xiàn)材料，為第二線(xiàn)。16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一圖案之前，在半導(dǎo)體襯底上形成刻蝕阻擋層。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為氧化硅。