有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子組件或器件，其包含柵極電極、源極電極和漏極電極，其中該組件或器件進(jìn)一步包括在源極電極與漏極電極之間提供的有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料，其中該OSC材料包含(a)由式(I)表示的聚合物，和(b)式(II)化合物?？赏ㄟ^選擇包含由式I表示的聚合物和(b)式II化合物的半導(dǎo)體材料來制造高質(zhì)量OFET。
【專利說明】有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0001]本發(fā)明提供包含柵極電極、源極電極和漏極電極的電子組件或器件，其中該組件或器件進(jìn)一步包含在源極與漏極電極之間提供的有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料，其中該OSC材料包含(a)由式I表示的聚合物和(b)式II化合物。高質(zhì)量OFET可通過選擇由通過式I表示的聚合物和(b)式II化合物組成的半導(dǎo)體材料制造。
[0002]近年來，已開發(fā)有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料以生產(chǎn)更多功能、更低成本的電子器件。此類材料可用于寬范圍器件或設(shè)備，包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)發(fā)光電二極管(OLED)、光探測(cè)器、有機(jī)光伏(OPV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件和邏輯電路，僅舉數(shù)例。有機(jī)半導(dǎo)體材料通常以薄層(例如小于I微米厚)的形式存在于電子器件中。
[0003]改進(jìn)的電荷遷移率為新電子器件的一個(gè)目的。另一個(gè)目的為改進(jìn)的OSC層的穩(wěn)定性、膜均一'丨生和完整性，以及電子器件的穩(wěn)定性、均一'丨生和完整性。
[0004]有可能改進(jìn)器件中的OSC層穩(wěn)定性和完整性的一個(gè)方式為在有機(jī)粘合劑中包含OSC組分，如W02005/055248A2中所公開。通常，由于在粘合劑中稀釋，預(yù)期電荷遷移率下降和半導(dǎo)體層中的分子順序受到破壞。然而，W02005/055248A2的公開內(nèi)容顯示，包含OSC材料和粘合劑的配制劑仍顯不出意外的聞?shì)d流子遷移率，其與在聞度有序的OSC化合物晶體層中所觀察到的遷移率相當(dāng)。此外，W02005/055248A2所公開的配制劑具有比常規(guī)OSC材料好的可加工性。
[0005]W02007/082584A1涉及一種類似于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)的電子器件，其具有短源極至漏極通道長度且含有包含有機(jī)半導(dǎo)體化合物和半導(dǎo)體粘合劑的有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0006]DPP聚合物及其合成的實(shí)例描述于例如US6451459B1、W005/049695、W02008/000664, W02010/049321, W02010/049323, W02010/108873, W02010/115767、W02010/136353,W02010/136352 和 W02011/144566 中。
[0007]EP2034537A2涉及包含半導(dǎo)體層的薄膜晶體管器件，該半導(dǎo)體層包含含有由
【權(quán)利要求】
1.一種包含柵極電極、源極電極和漏極電極的電子組件或器件，其中該組件或器件進(jìn)一步包含提供在該源極電極與漏極電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料，其中該OSC材料包含 (a)由下式表示的聚合物:
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電子組件或器件，其中該由式(I)表示的聚合物為下式的聚合物
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電子組件或器件，其中該由式(Ia)表示的聚合物為下式的聚合物


4.根據(jù)權(quán)利要求1的電子組件或器件，其中該由式(I)表示的聚合物為下式的聚合物

5.根據(jù)權(quán)利要求4的電子組件或器件，其中該由式(Ib)表示的聚合物為下式的聚合物
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的組件或器件，其中該式II化合物為下式的化合物
7.根據(jù)權(quán)利要求6的組件或器件，其中該式IIa的化合物為下式的化合物
8.根據(jù)權(quán)利要求5和7的組件或器件，其中該由式(Ib)表示的聚合物為式(Ib-1)的聚合物且該式IIa的化合物為式(IIa-1)的化合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的組件或器件，其中該式II化合物的含量基于該式I的聚合物與該式II化合物的量為5-95重量％。
10.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的器件的方法，其特征在于包含以下步驟:(i)將如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所定義的一種或多種式II化合物與式I的聚合物，任選與溶劑或溶劑混合物混合， (?)將含有該式II化合物和該式I的聚合物的混合物或該溶劑施用至基材；和任選蒸發(fā)該溶劑以形成固體OSC層。
11.一種有機(jī)層，尤其是半導(dǎo)體層，包含如權(quán)利要求1所定義的式I的聚合物和如權(quán)利要求I所定義的式II化合物。
12.—種配制劑，包含: (a)如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所定義的式I的聚合物， (b)如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所定義的式II化合物，和 (c)溶劑，或溶劑混合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的有機(jī)層在有機(jī)半導(dǎo)體器件中的用途。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的配制劑在制造有機(jī)層，尤其是半導(dǎo)體層中的用途。
15.—種設(shè)備,包含根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的組件或器件或根據(jù)權(quán)利要求11的有機(jī)層。
【文檔編號(hào)】H01L51/00GK103975453SQ201280059854
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月7日
【發(fā)明者】P·比雅爾, N·舍博塔萊瓦, T·魏茨, P·哈約茲 申請(qǐng)人:巴斯夫歐洲公司