生產(chǎn)透明soi片的方法
【專利摘要】提供一種能夠防止片損壞和剝落的生產(chǎn)透明SOI片的方法。所述用于生產(chǎn)透明SOI片方法包括以下步驟：將用作供體片的硅片的表面與透明的處理片的表面鍵合在一起以獲得鍵合片；在150至300℃的第一溫度對鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第一熱處理；通過從被熱處理后的鍵合片的硅片側(cè)向鍵合的表面和未鍵合的周圍表面之間的邊界照射可見光激光，同時在入射光和硅片的徑向方向之間保持60至90°的角度來切割鍵合片的未鍵合部分；對未鍵合的部分被切割后的鍵合片的硅片進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻以形成硅膜；以及在比第一溫度高的300至500℃的第二溫度對形成有硅膜的鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第二熱處理。
【專利說明】生產(chǎn)透明SOI片的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及生產(chǎn)透明SOI (Silicon-On-1nsulator,絕緣體上的娃)片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]SOI片已經(jīng)廣泛用于減小寄生電容和使器件高速化。在SOI片中，包括透明絕緣片的 SOQ (SiIicon-On-Quartz,石英上的娃)和 SOS (Silicon-On-Sapphire,藍(lán)寶石上的娃)片已經(jīng)作為處理片而受到關(guān)注。
[0003]SOQ片有望應(yīng)用于利用石英的高透明度的光電子器件或者利用石英的低介電損耗的高頻器件。SOS片有望應(yīng)用于牽涉到發(fā)熱的高頻器件，因為由藍(lán)寶石制成的處理片不僅具有高透明度和低介電損耗，而且還具有石英所不具備的高導(dǎo)熱性。
[0004]在處理片上形成硅膜的方法已經(jīng)被開發(fā)，并且包括:在r平面藍(lán)寶石上異質(zhì)外延生長硅層的方法；以及在玻璃上生長非單晶硅，然后通過激光退火等增強潔凈度以獲得CG(Continuous Grain,連續(xù)晶粒)娃的方法。然而,為了在處理片上形成高質(zhì)量的單晶娃膜，理想地，通過將體硅片鍵合到處理片并且將該硅片的一部分分離以轉(zhuǎn)移到處理片上的方法來形成硅膜。當(dāng)轉(zhuǎn)移的硅膜很薄時(例如，小于500nm)，則可以通過氫離子注入方法來分離并轉(zhuǎn)移硅膜(專利文獻(xiàn)I)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:W02009/116664A
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]然而，當(dāng)轉(zhuǎn)移的硅膜很厚時(例如，大于I μ m)，除了傳統(tǒng)的鍵合和背蝕刻方法以夕卜，沒有其他方法。為了較深地注入離子，需要增加離子注入期間的加速電壓。然而，以增加的加速電壓注入離子具有損壞硅膜表面的風(fēng)險。
[0010]鍵合和背蝕刻方法是在將鍵合的兩個片(供體片和處理片)鍵合在一起并進(jìn)行熱處理以增強鍵合強度之后，研磨或拋光供體片的背面以使供體片變薄，從而形成期望厚度的硅膜的方法。對于兩個片的鍵合，在距離片周緣幾毫米的區(qū)域內(nèi)片不能被鍵合(邊緣排斥)。這是因為作為片經(jīng)過所謂倒角處理的結(jié)果，片的邊緣是圓的。
[0011]圖6是示出在簡單的薄膜形成工藝中出現(xiàn)剝落(chipping)的示意圖。兩個片(供體片102和處理片101)鍵合(圖6 (A))，然后被熱處理。當(dāng)供體片102被研磨或拋光到幾微米的厚度時(圖6(B))，由于供體片的周緣的截面102a的角度α尖銳而頻繁出現(xiàn)稱為剝落的破損102b (圖6 (O)0為了防止這一點，如圖1中所示，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種預(yù)先機械刮掉周緣(圖1 (A))或者利用化學(xué)品等去除周緣(圖1 (B))的方法。然而，由于以下原因，在熱膨脹系數(shù)不同的片之間不能采用該方法。在供體片和處理片的熱膨脹系數(shù)顯著不同的SOQ片和SOS片的情況下，當(dāng)硅片鍵合到石英(玻璃)或藍(lán)寶石，然后被熱處理時，鍵合的片由于熱膨脹系數(shù)不同而損壞。因此在片鍵合階段難以進(jìn)行充分的熱處理。如果在只進(jìn)行不充分的熱處理的該階段機械或化學(xué)地去除片的周緣，則甚至不應(yīng)當(dāng)被去除的部分也由于鍵合強度不足而最終被去除。
[0012]本發(fā)明是鑒于上述情況做出的，并且提供一種生產(chǎn)透明SOA片的方法，從而防止片損壞和剝落。
[0013]用于解決問題的方案
[0014]為了解決上述問題，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)一種利用SOQ片和SOS片對可見光透明的方法。
[0015]本發(fā)明的一方面提供一種生產(chǎn)透明SOI片的方法，該方法包括以下步驟:將用作供體片的硅片的表面與透明的處理片的表面鍵合在一起以獲得鍵合片；在150至300°C的第一溫度對所述鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第一熱處理；通過從被熱處理后的鍵合片的硅片側(cè)向鍵合的表面和未鍵合的周圍表面之間的邊界照射可見光激光，同時在所述激光的入射光和所述娃片的徑向方向之間保持60至90°的角度來切割所述鍵合片的未鍵合部分；對所述未鍵合的部分被切割后的所述鍵合片的硅片進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻以形成硅膜；以及在比所述第一溫度高的300至500°C的第二溫度對形成有所述硅膜的所述鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第二熱處理。
[0016]發(fā)明效果
[0017]利用根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)透明SOI片的方法可以防止片損壞和剝落。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1是示出SOI片的薄膜形成工藝的示意圖。
[0019]圖2是示出用于生產(chǎn)透明SOI片的方法的步驟實例的示意圖。
[0020]圖3是鍵合片的俯視圖。
[0021]圖4是實例3中獲得的透明SOI片的周緣的放大照片。
[0022]圖5是比較例2中獲得的透明SOI片的周緣的放大照片。
[0023]圖6是示出在簡單的膜形成工藝中發(fā)生的剝落的示意圖。
【具體實施方式】
[0024]在本發(fā)明中使用的透明處理片優(yōu)選由石英、玻璃和藍(lán)寶石中的任一種材料制成。在下述鍵合步驟之前，優(yōu)選對該透明處理片進(jìn)行清洗，如RCA清洗。
[0025]在本發(fā)明中使用的供體片包括單晶娃片，如作為通過切克勞斯基(Cz ο chr a I sk i )方法生產(chǎn)的可商業(yè)上獲得的片的供體片?？梢愿鶕?jù)使用本發(fā)明的方法生產(chǎn)的透明SOI片的器件的設(shè)計值和作用、所產(chǎn)生的器件的顯示區(qū)域等，適當(dāng)選擇供體片的電學(xué)特征，如導(dǎo)電類型和相對電阻率、晶體取向和晶體尺寸。
[0026]可以根據(jù)稍后描述的硅膜的期望厚度適當(dāng)選擇硅片的厚度，并且硅片的厚度沒有具體限制。例如，具有550至650 μ m厚度的6英寸硅片和具有650至750 μ m厚度的8英寸片可容易獲得并且也容易處理。
[0027]優(yōu)選地，硅片的周緣部分被倒角，或者優(yōu)選地，硅片的直徑比透明處理片的直徑大。在此情況下，鍵合片具有從片周緣向內(nèi)幾毫米的未鍵合部分(邊緣排斥區(qū)域)。倒角方法可以包括C倒角和R倒角。[0028]下面參照圖2和圖3描述根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)透明SOI片的方法。然而，不應(yīng)當(dāng)理解為本發(fā)明局限于此。
[0029]第一實施例
[0030]圖2是示出生產(chǎn)透明SOI片的方法的實施例的示意圖。
[0031]如圖2 (A)中所示，提供透明處理片11和作為供體片的硅片12。接下來，如圖2(B)中所示，硅片12的表面12s和透明處理片11的表面Ils鍵合在一起以獲得鍵合片13。
[0032]任選地，可以使用在表面12s或所有表面上形成有氧化膜的硅片作為供體片。可以通過常用的熱氧化方法形成該氧化膜。典型地，通過在氧氣氛或水蒸氣氣氛中在常壓下的800至1100°C進(jìn)行熱處理獲得該氧化膜。該氧化膜的厚度優(yōu)選為50至500nm。當(dāng)該氧化膜太薄時，可能難以控制該氧化膜的厚度。當(dāng)該氧化膜太厚時，形成該氧化膜可能用時太長。
[0033]在表面12s和表面Ils的鍵合步驟之前，可以對硅片12的表面和透明處理片11的表面二者或之一進(jìn)行表面活化處理的步驟。該表面活化處理可有助于鍵合之后在鍵合片的鍵合表面之間立刻具有較高的鍵合強度。
[0034]優(yōu)選地，該表面活化處理是從包括臭氧水處理、UV臭氧處理、離子束處理和等離子體處理的組中選擇至少一個處理。
[0035]例如，在等離子體處理中，將經(jīng)過清洗如RCA清洗的硅片和/或透明處理片置于腔中。然后，在將減壓等離子體氣體引入該腔中之后，將該硅片和/或透明處理片暴露于大約IOOff的高頻等離子體大約5至10秒鐘，從而對表面進(jìn)行等離子體處理。當(dāng)在表面氧化的情況下對硅片進(jìn)行等離子體處理時，該等離子體氣體可以是氧氣。當(dāng)在沒有表面氧化的情況下對硅片進(jìn)行等離子體處理時，等離子體氣體可以是氫氣、氬氣、氮氣、這些氣體中的兩種以上的混合物或者氫氣和氦氣的混合物。當(dāng)對透明處理片進(jìn)行等離子體處理時，可以使用任何氣體。作為等離子體處理的結(jié)果，硅片和/或透明處理片的表面上的有機物被氧化并去除，并且由于OH基團的增加，表面還被活化。
[0036]例如，可以通過將片浸沒在溶解了大約10mg/L臭氧的純水中進(jìn)行臭氧水處理。
[0037]可以通過用UV光(紫外線)(例如，185nm波長)照射臭氧氣體或者由大氣產(chǎn)生的臭氧氣體進(jìn)行UV臭氧處理。
[0038]例如，可以通過在濺射中在高真空下用惰性氣體束如氬氣處理片表面以在表面上露出懸空鍵而增加鍵合力來進(jìn)行離子束處理。
[0039]在臭氧水處理、UV臭氧處理等中，硅片或透明處理片表面上的有機物被臭氧分解，使得表面OH基團增加，從而使表面活化。在離子束處理、等離子體處理等中，片表面上高反應(yīng)性未結(jié)合鍵(懸空鍵)露出，或者OH基團加入到未結(jié)合鍵，從而使表面活化。
[0040]可以通過檢查親水性(可濕性)的程度來確認(rèn)表面活化。具體來說，可以通過在片表面上滴水并且測量其接觸角來測量表面活化。
[0041]如圖2 (C)中所示，在150至300°C對鍵合片13進(jìn)行第一熱處理氏。例如，當(dāng)石英或玻璃被用作透明處理片11時，優(yōu)選在150至300°C進(jìn)行第一熱處理氏。當(dāng)藍(lán)寶石被用作透明處理片11時，優(yōu)選在150至250°C進(jìn)行第一熱處理氏。根據(jù)熱處理溫度和材料確定熱處理時間，并且優(yōu)選地從I至48小時的范圍內(nèi)選擇熱處理時間。通過以這種方式對鍵合片13進(jìn)行熱處理，可以增加硅片12和透明處理片11的鍵合強度。此外，這種溫度的熱處理使得由于由不同材料制成的片之間熱膨脹系數(shù)的不同而引起的熱應(yīng)力、破裂、起皮等風(fēng)險很小。在此階段的鍵合強度已經(jīng)足夠用于下面描述的研磨等，但是作為透明SOI片的強度仍不足。
[0042]優(yōu)選地，在氬氣、氮氣、氦氣或者這些氣體中的兩種以上的混合物存在的情況下進(jìn)行第一熱處理步驟。
[0043]如圖2 (D)中所示，通過從熱處理后的鍵合片的硅片側(cè)向在鍵合步驟中鍵合的鍵合表面部分14和未鍵合表面部分15a之間的邊界16照射可見光激光L，同時將入射光與硅片的徑向方向之間的角度保持在60至90°來切割鍵合片的未鍵合部分15 (步驟d-1-1)。
[0044]圖3是鍵合片的俯視圖。在圖3中，從熱處理后的鍵合片的硅片側(cè)向鍵合表面部分14和未鍵合表面部分15a之間的邊界16施加可見光激光L,使得入射光和娃片的徑向方向之間的角度Θ，g卩，入射光和連接入射光與硅片的交點與硅片的中心C的線之間的角度Θ，為60至90°，以切割未鍵合部分15。即使在切割硅片的未鍵合部分15之后可見光激光L到達(dá)下面的透明處理片11的情況下，該方法也沒有對透明處理片11造成損壞等的風(fēng)險。
[0045]該可見光激光優(yōu)選為綠色激光，例如，SHG-YAG激光(λ =515nm)。
[0046]對于照射該可見光激光的角度，使得入射光和硅片的徑向方向之間的角度Θ為60至90°。這使得圖6 (B)中所示的硅片的周緣的截面102a的角度α為鈍角。因此，不太可能出現(xiàn)所謂的剝落破損。Θ優(yōu)選為90°，即，入射光優(yōu)選垂直于鍵合表面。該角度使透明處理片上形成的硅膜的直徑均勻而與到透明處理片的距離無關(guān)。
[0047]對切割后的鍵合片的硅片14進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻處理，以形成硅膜12Β (步驟d-1-1i)。切割上述未鍵合部分15之后的這種處理可以防止剝落。將硅片研磨、拋光或蝕亥IJ，直到硅膜達(dá)到期望的厚度，例如，大約20 μ m以下。
[0048]如圖2 (E)中所示，優(yōu)選在300至500°C對具有硅膜12B的鍵合片17進(jìn)行第二熱處理H2。例如，當(dāng)石英或玻璃被用作透明處理片11時，優(yōu)選在350至500°C進(jìn)行第二熱處理H2。當(dāng)藍(lán)寶石被用作透明處理片11時，優(yōu)選在300至500°C進(jìn)行第二熱處理H2。第二熱處理H2的第二溫度可被設(shè)置為高于第一熱處理H1的第一溫度。第二熱處理H2的第二溫度優(yōu)選為比第一熱處理H1的第一溫度高150至250°C。由于在該階段硅膜12B足夠薄，所以即使進(jìn)行第二熱處理H2,也不會有造成硅膜12B破裂等的風(fēng)險。
[0049]作為上述步驟的結(jié)果，可以獲得圖2 (F)中所示的透明SOI片18。
[0050]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，可以防止剝落。
[0051]第二實施例
[0052]圖2 (A)至(C)中的步驟與第一實施例中的相同。如第一實施例中，提供透明處理片11和作為供體片的硅片12 (圖2 (A))，硅片12的表面12s和透明處理片11的表面Ils鍵合在一起以獲得鍵合片13 (圖2 (B))，并且對鍵合片13進(jìn)行熱處理H1 (圖2 (C))。
[0053]如圖2 (D)中所示，在下述切割步驟之前對鍵合片13的硅片12進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻，使得硅片12優(yōu)選具有IOOym以上的厚度(步驟d-2-1)。即使在α為銳角的情況下，硅片的該厚度也能防止剝落。
[0054]通過從經(jīng)過研磨、拋光或蝕刻的鍵合片的硅片側(cè)向在鍵合步驟中鍵合的鍵合表面部分24與未鍵合的表面部分25a之間的邊界26照射可見光激光L，同時將入射光和硅片的徑向方向之間的角度保持在60至90°來切割鍵合片的未鍵合部分25 (步驟d-2-1i)。即使在切割硅片的未鍵合部分25之后可見光激光L到達(dá)下面的透明處理片11的情況下，該方法也沒有對透明處理片11造成損壞等的風(fēng)險。
[0055]在切割步驟之后對鍵合片的硅片24進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻處理，使得硅片24具有20 μ m以下的厚度，以形成硅膜22B (步驟d-2_iii)。切割上述未鍵合部分25之后的該處理可以防止剝落。
[0056]如圖2 (E)中所不，以與第一實施例中相同的方式,優(yōu)選在300至500°C對具有娃膜22B的鍵合片27進(jìn)行第二熱處理H2。例如，當(dāng)石英或玻璃被用作透明處理片11時，優(yōu)選350至500°C進(jìn)行第二熱處理H2，而當(dāng)藍(lán)寶石被用作透明處理片11時，優(yōu)選在300至500°C進(jìn)行第二熱處理H2。第二熱處理H2的第二溫度可以被設(shè)置為高于第一熱處理H1的第一溫度。第二熱處理H2的第二溫度優(yōu)選為比第一熱處理H1的第一溫度高150至250°C。由于在該階段硅膜22B足夠薄，所以即使進(jìn)行第二熱處理H2,也不會有造成硅膜22B破裂等的風(fēng)險。
[0057]作為上述步驟的結(jié)果，可以獲得圖2 (F)中所示的透明SOI片28。
[0058]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，可以防止剝落。
[0059]注意，即使在硅片和透明處理片直徑不同的情況下，也能夠以與所述第一和第二實施例中相同的方式生產(chǎn)透明SOI片。
[0060]SM
[0061]下面基于實例和比較例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不局限于實例。
[0062]實例I
[0063]將直徑為150mm并且厚度為625 μ m的娃片和與該娃片相同尺寸的石英片鍵合在一起，并且在200°C熱處理24小時。之后，將所獲得的鍵合片中的硅片研磨或拋光到200 μ m的厚度。用綠色激光(SHG-YAG激光:λ =515nm)照射在鍵合步驟中鍵合的鍵合表面部分與未鍵合表面部分之間的邊界，以豎直切割未鍵合部分。然后，將硅片研磨或拋光到20 μ m的厚度，以獲得透明SOI片。
[0064]在所獲得的透明SOI片的周緣沒有觀察到破損。即使在500°C將該透明SOI片熱處理6小時之后，也沒有觀察到破損。
[0065]實例2
[0066]將直徑為150mm并且厚度為625 μ m的娃片和與該娃片相同尺寸的石英片鍵合在一起，并且在200°C熱處理24小時。之后，用綠色激光(SHG-YAG激光:λ =515nm)照射在鍵合步驟中鍵合的鍵合表面部分與未鍵合表面部分之間的邊界，以豎直切割未鍵合部分。將切割后的鍵合片中的硅片研磨或拋光到20 μ m的厚度，以獲得透明SOI片。
[0067]在所獲得的透明SOI片的周緣沒有觀察到破損。即使在500°C將該透明SOI片熱處理6小時之后，也沒有觀察到破損。
[0068]比較例
[0069]將直徑為150mm并且厚度為625 μ m的娃片和與該娃片相同尺寸的石英片鍵合在一起，并且在200°C熱處理24小時。之后，將所獲得的鍵合片中的硅片研磨或拋光到20 μ m的厚度，以獲得透明SOI片。
[0070]在所獲得的透明SOI片的周緣觀察到破損。
[0071]實例3[0072]以與實例I相同的方式形成透明SOI片，只是將藍(lán)寶石片用作透明處理片。
[0073]圖4示出所獲得的透明SOI片的周緣的放大照片。如圖4中所示，在硅膜“a”與藍(lán)寶石片“b”之間的邊界(周緣)沒有觀察到破損。即使在500°C將該透明SOI片熱處理6小時之后，也沒有觀察到破損。
[0074]比較例2
[0075]以與比較例I相同的方式形成透明SOI片，只是將藍(lán)寶石片用作透明處理片。
[0076]圖5示出所獲得的透明SOI片的周緣的放大照片。如圖5中所示，在硅膜a和藍(lán)寶石片b之間的邊界(周緣)觀察到破損。
[0077]實例4
[0078]對直徑為150mm并且厚度為625 μ m的娃片的表面和與該娃片相同尺寸的石英片的表面進(jìn)行等離子體處理，作為表面活化處理。將該硅片和該藍(lán)寶石片的等離子體處理后的表面鍵合在一起，并且在150°C熱處理24小時。之后，將所獲得的鍵合片中的硅片研磨或拋光到200 μ m的厚度。用綠色激光(SHG-YAG激光:λ =515nm)照射在鍵合步驟中鍵合的鍵合表面部分與未鍵合表面部分之間的邊界，以豎直切割未鍵合部分。然后，將硅片研磨或拋光到20 μ m的厚度，以獲得透明SOI片。
[0079]在所獲得的透明SOI片的周緣沒有觀察到破損。即使在500°C將該透明SOI片熱處理6小時之后，也沒有觀察到破損。
[0080]附圖標(biāo)記說明
[0081]11:透明處理片；lls:表面；12:硅片；12s:表面;12B、22B:硅膜；13:鍵合片；14、24:鍵合表面部分;15、25:未鍵合部分；15a、25a:未鍵合表面部分;16、26:邊界;17、27:鍵合片；18、28:透明SOI片；101:處理片；102:供體片；102a:供體片周緣的截面；102b:破損；C:中心；Θ:角度；α:角度；氏，H2:熱處理；L:可見光激光；a:娃膜；b:藍(lán)寶石片
【權(quán)利要求】
1.一種生產(chǎn)透明SOI片的方法，該方法包括以下步驟: 將用作供體片的硅片的表面與透明的處理片的表面鍵合在一起以獲得鍵合片； 在150至300°C的第一溫度對所述鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第一熱處理； 通過從被熱處理后的鍵合片的硅片側(cè)向鍵合的表面和未鍵合的周圍表面之間的邊界照射可見光激光，同時在所述激光的入射光和所述硅片的徑向方向之間保持60至90°的角度來切割所述鍵合片的未鍵合部分； 對所述未鍵合的部分被切割后的所述鍵合片的硅片進(jìn)行研磨、拋光或蝕刻以形成硅膜；以及 在比所述第一溫度高的300至500°C的第二溫度對形成有所述硅膜的所述鍵合片進(jìn)行熱處理，作為第二熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中在所述鍵合步驟中，在鍵合之前所述硅片的周緣部分被倒角，或者在鍵合之前所述硅片的直徑比所述透明處理片的直徑大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中所述第二溫度比所述第一溫度高150至250°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法， 進(jìn)一步包括，在所述鍵合步驟之后并且在所述切割步驟之前，將所述鍵合片中的硅片研磨、拋光或蝕刻到具有100 μ m以上的厚度的步驟，并且 其中在所述切割步驟之后進(jìn)行的所述研磨、拋光或蝕刻步驟中形成的硅膜具有20 μ m以下的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中所述可見光激光為SHG-YAG激光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中所述透明處理片為石英、玻璃或藍(lán)寶石。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中: 當(dāng)所述透明處理片是石英或玻璃時，所述第一溫度為150至300°C，并且所述第二溫度為350至500°C ;并且 當(dāng)所述透明處理片是藍(lán)寶石時，所述第一溫度為150至250°C，并且所述第二溫度為300 至 500。。。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，進(jìn)一步包括，在所述鍵合步驟之前，對所述硅片的表面和所述透明處理片的表面之一或二者進(jìn)行表面活化處理的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中所述表面活化處理是從包括臭氧水處理、UV臭氧處理、離子束處理和等離子體處理的組中選擇的至少一種處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的生產(chǎn)透明SOI片的方法，其中用作所述供體片的硅片是其上具有氧化膜的硅片。
【文檔編號】H01L27/12GK103890907SQ201280050683
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月17日
【發(fā)明者】秋山昌次, 永田和壽 申請人:信越化學(xué)工業(yè)株式會社