專利名稱：To220封裝引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種T0220封裝引線框架。
背景技術(shù)：
在采用T0220封裝引線框架封裝半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，需要使用導(dǎo)線將封裝在半導(dǎo)體器件內(nèi)部的芯片與T0220封裝引線框架的管腳電性連接，目前通常在T0220封裝引線框架的管腳的一端設(shè)置壓焊區(qū)，然后把導(dǎo)線的兩端分別焊接在芯片與壓焊區(qū)，使芯片與T0220封裝引線框架的管腳電性連接。目前在T0220封裝引線框架的管腳上設(shè)置的壓焊區(qū)，其可焊接面積較小，當(dāng)需要在壓焊區(qū)焊接多根較粗的鋁線條的時(shí)候，目前的壓焊區(qū)無(wú)法容置這些多根較粗的鋁線條，但是在封裝具有較大功率的芯片時(shí)，必須使用多根較粗的鋁線條才能承載較大電流，因此，目前T0220封裝引線框架的管腳上設(shè)置的壓焊區(qū)不能滿足封裝較大功率的芯片的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種能夠滿足焊接多根較粗鋁線條需求的T0220封裝引線框架。一種T0220封裝引線框架，包括多個(gè)獨(dú)立單元，每個(gè)獨(dú)立單元包括側(cè)管腳，所述側(cè)管腳設(shè)有壓焊區(qū)和引腳，所述壓焊區(qū)沿垂直于所述引腳方向的長(zhǎng)度為3.495^3.505毫米，所述壓焊區(qū)沿平行于所述引腳方向的長(zhǎng)度為1.495^1.505毫米。在其中一個(gè)實(shí)施例中， 所述壓焊區(qū)焊接有兩根直徑為500微米或3根直徑為380微米的鋁絲。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述壓焊區(qū)所在的平面與所述引腳的夾角為120°。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述壓焊區(qū)為矩形結(jié)構(gòu)，其垂直于所述引腳的兩條邊的長(zhǎng)度為3.5毫米，其平行于所述引腳的兩條邊的長(zhǎng)度為1.5毫米。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述T0220封裝引線框架還包括芯片放置區(qū)，用于放置待封裝的芯片。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述T0220封裝引線框架還包括散熱部，所述散熱部連接于所述芯片放置區(qū)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述T0220封裝引線框架還包括第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋，相鄰兩個(gè)所述獨(dú)立單元的散熱部通過(guò)所述第一連接筋連接，所述T0220封裝引線框架的各個(gè)引腳的中部通過(guò)所述第二連接筋連接，所述T0220封裝引線框架的各個(gè)弓I腳的底部通過(guò)所述第三連接筋連接。上述T0220封裝引線框架，壓焊區(qū)沿垂直或平行于所述引腳方向的長(zhǎng)度均得到了增加，因此壓焊區(qū)的面積增大了，能夠滿足焊接多根較粗鋁線條需求。

[0013]圖1為本實(shí)施方式的T0220封裝引線框架的正視圖；圖2為本實(shí)施方式的T0220封裝引線框架的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
為了解決目前T0220封裝引線框架的管腳的壓焊區(qū)無(wú)法容置多根較粗的鋁線條的問(wèn)題，本實(shí)施方式提供了一種T0220封裝引線框架。下面結(jié)合具體的實(shí)施例，對(duì)T0220封裝引線框架進(jìn)行具體的描述。請(qǐng)參考圖1，本實(shí)施方式提供的T0220封裝引線框架，包括多個(gè)獨(dú)立單元100，每個(gè)獨(dú)立單元100包括兩個(gè)側(cè)管腳110、芯片放置區(qū)120、散熱部130、第一連接筋140、第二連接筋150、第三連接筋160以及中管腳170。側(cè)管腳110設(shè)有壓焊區(qū)112和引腳114。在實(shí)際生產(chǎn)中，壓焊區(qū)112需要能夠焊接2根直徑為500微米或3根直徑為380微米的鋁絲。由于鋁絲本身占用一定空間以及鋁絲之間不能相互接觸，壓焊區(qū)112沿垂直于引腳114方向的長(zhǎng)度設(shè)置為3.495^3.505毫米，壓焊區(qū)112沿平行于引腳114方向的長(zhǎng)度設(shè)置為1.495^1.505毫米。在本實(shí)施方式中，壓焊區(qū)112設(shè)計(jì)為矩形結(jié)構(gòu)，且壓焊區(qū)112垂直于引腳114的兩條邊的長(zhǎng)度為3.5毫米，壓焊區(qū)112平行于引腳114的兩條邊的長(zhǎng)度為1.5毫米。芯片放置區(qū)120用于放置待封裝的芯片。散熱部130連接于所述芯片放置區(qū)120，用于安裝散熱片。第一連接筋140用于連接相鄰兩個(gè)所述獨(dú)立單元100的散熱部130。第二連接筋150用于連接T0220封裝弓I線框架的各個(gè)弓丨腳114的中部。第三連接筋160用于連接T0220封裝引線框架的各個(gè)引腳的底部。通過(guò)第一連接筋140、第二連接筋150以及第三連接筋160把多個(gè)獨(dú)立單元100連接起來(lái)并構(gòu)成T0220封裝引線框架。請(qǐng)參考圖2，T0220封裝引線框架還包括連接件180。中管腳170通過(guò)連接件180與芯片放置區(qū)120相連。連接件180所在的平面與引腳114以及芯片放置區(qū)120的夾角均為 120。上述T0220封裝引線框架，其壓焊區(qū)112設(shè)計(jì)為3.5毫米*1.5毫米的矩形結(jié)構(gòu)，擴(kuò)大了兩條邊的尺寸，因此增大了壓焊區(qū)112的面積，能夠滿足焊接多根較粗鋁線條需求，解決了承載較大電流的問(wèn)題，從而能夠滿足封裝較大功率的芯片的要求。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種T0220封裝引線框架，包括多個(gè)獨(dú)立單元，每個(gè)獨(dú)立單元包括側(cè)管腳，所述側(cè)管腳設(shè)有壓焊區(qū)和引腳，其特征在于，所述壓焊區(qū)沿垂直于所述引腳方向的長(zhǎng)度為3.495^3.505毫米，所述壓焊區(qū)沿平行于所述引腳方向的長(zhǎng)度為1.495^1.505毫米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0220封裝引線框架，其特征在于，所述壓焊區(qū)焊接有兩根直徑為500微米或3根直徑為380微米的鋁絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的T0220封裝引線框架，其特征在于，所述壓焊區(qū)為矩形結(jié)構(gòu)，其垂直于所述引腳的兩條邊的長(zhǎng)度為3.5毫米，其平行于所述引腳的兩條邊的長(zhǎng)度為1.5暈米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的T0220封裝弓I線框架，其特征在于，所述T0220封裝弓I線框架還包括芯片放置區(qū)，用于放置待封裝的芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的T0220封裝弓I線框架，其特征在于，所述T0220封裝弓I線框架還包括中管腳和連接件，所述中管腳通過(guò)所述連接件與所述芯片放置區(qū)相連，所述連接件所在的平面與所述引腳以及芯片放置區(qū)的夾角均為120°。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的T0220封裝弓I線框架，其特征在于，所述T0220封裝弓I線框架還包括散熱部，所述散熱部連接于所述芯片放置區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的T0220封裝弓I線框架，其特征在于，所述T0220封裝弓I線框架還包括第一連接筋、第二連接筋和第三連接筋，相鄰兩個(gè)所述獨(dú)立單元的散熱部通過(guò)所述第一連接筋連接，所述T0220封裝引線框架的各個(gè)引腳的中部通過(guò)所述第二連接筋連接，所述T0220封裝引線框架的各個(gè)引腳的底部通過(guò)所述第三連接筋連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種TO220封裝引線框架，包括多個(gè)獨(dú)立單元，每個(gè)獨(dú)立單元包括側(cè)管腳，所述側(cè)管腳設(shè)有壓焊區(qū)和引腳，所述壓焊區(qū)沿垂直于所述引腳方向的長(zhǎng)度為3.495~3.505毫米，所述壓焊區(qū)沿平行于所述引腳方向的長(zhǎng)度為1.495~1.505毫米。上述TO220封裝引線框架，壓焊區(qū)沿垂直或平行于所述引腳方向的長(zhǎng)度均得到了增加，因此壓焊區(qū)的面積增大了，能夠滿足焊接多根較粗鋁線條需求。
文檔編號(hào)H01L23/495GK203038916SQ20122068839
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者呂勁鋒 申請(qǐng)人:深圳深愛(ài)半導(dǎo)體股份有限公司