專利名稱：一種用于吸取mems芯片的吸嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種用于吸取MEMS芯片的吸嘴
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是關(guān)于MEMS半導(dǎo)體芯片封裝中使用的抓取芯片的吸嘴的結(jié)構(gòu)改進(jìn)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體芯片在封裝過程中，在完成某個封裝步驟之后，需要將芯片抓取到另外一個工位進(jìn)行下一道工序的處理，現(xiàn)有的抓取芯片的設(shè)備是采用真空吸嘴吸取芯片的表面來實(shí)現(xiàn)對芯片的抓取。但是現(xiàn)有的吸嘴在吸取芯片過程中會有一定的壓力作用于芯片表面。在普通芯片中，吸嘴直接作用于芯片表面并不存在問題，但對于MEMS芯片則存在問題，如圖1所示，MEMS芯片由于內(nèi)部是一腔體，芯片表面是一層感應(yīng)膜，MEMS芯片靠感應(yīng)膜來感應(yīng)壓力，而在吸嘴吸取MEMS芯片的過程中容易出現(xiàn)吸嘴邊緣損壞芯片表面感應(yīng)膜的問題。而且現(xiàn)有的吸嘴通常末端是水平的，在吸嘴的中心開一個穿孔，吸取芯片時，直接將吸嘴末端的平面貼在芯片表面，僅靠穿孔的吸力作用于芯片表面，往往由于吸嘴的孔徑較小，吸片真空不足容易導(dǎo)致吸取后芯片掉落的情況。因此有必要對現(xiàn)有的吸嘴的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以克服現(xiàn)有技術(shù)的前述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴。為達(dá)成前述目的，本實(shí)用新型一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴，其中所述MEMS芯片設(shè)有硅層，所述硅層的表面形成一感應(yīng)膜區(qū)域，所述吸嘴包括吸嘴本體，在吸嘴本體內(nèi)形成有供吸取芯片的氣體通過的氣體通道，其特征在于:在吸嘴的末端自吸嘴表面圍繞所述氣體通道向內(nèi)凹陷形成一個與所述氣`體通道連通的避空槽，所述避空槽的面積大于所述感應(yīng)膜區(qū)域的面積。根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述MEMS芯片還設(shè)有玻璃層，所述玻璃層與所述硅層形成空腔。根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述吸嘴本體上端為圓柱體，下端為漸縮的錐臺形，錐臺的末端為矩形、圓形或三角形。根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述避空槽為矩形、圓形或三角形。根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述氣體通道包括位于吸嘴本體內(nèi)上端開口的四方通道和與四方通道下方連通的下端開口的圓柱通道，所述四方通道的直徑比圓柱通道的
直徑大。本實(shí)用新型的吸嘴末端的避空槽的面積比欲吸取的芯片的感應(yīng)膜的面積大，這樣當(dāng)吸嘴貼敷于芯片上吸取芯片時，吸嘴的邊緣會避開芯片表面感應(yīng)膜而作用于芯片四周的實(shí)體區(qū)域，從而避免吸嘴邊緣損壞芯片表面感應(yīng)膜的問題。由于在吸嘴末端挖去部分，形成有避空槽，這樣原本與芯片接觸的吸取芯片的部分只有圓柱空腔的開口那么大的面積，形成避空槽之后，吸嘴最下端的避空槽與芯片之間即形成避空槽面積的吸腔，這樣的吸嘴，吸取芯片時真空充足從而不會出現(xiàn)吸取后芯片掉落的情況。

圖1是MEMS芯片的部分結(jié)構(gòu)剖視示意圖。圖2是MEMS芯片的俯視示意圖。圖3是本實(shí)用新型的芯片吸嘴的仰視圖。圖4是沿圖3中X-X線方向的剖視圖。圖5是本實(shí)用新型的芯片吸嘴的俯視圖。圖6是本實(shí)用新型的芯片吸嘴吸取芯片時的示意圖。
具體實(shí)施方式此處所稱的“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本實(shí)用新型至少一個實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實(shí)施例中”并非均指同一個實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。在圖中的上、下、左、右、前、后等方位性的說明也只是結(jié)合附圖進(jìn)行的說明，而并非對本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容的具體限定。本實(shí)用新型是針對MEMS芯片的抓取設(shè)備的吸嘴進(jìn)行的改進(jìn)，下面僅結(jié)合附圖對吸嘴部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，關(guān)于抓取設(shè)備的其他部件本實(shí)用新型不再詳細(xì)說明。首先需說明一下本實(shí)用新型所針對的MEMS芯片的結(jié)構(gòu)，在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，本實(shí)用新型主要針對 的是具有壓力傳感器的MEMS芯片，圖1所示的是本實(shí)用新型所針的MEMS芯片的部分結(jié)構(gòu)剖視圖，圖2所示的是本實(shí)用新型的MEMS芯片的俯視圖，請結(jié)合圖1和圖2所示，本實(shí)用新型所針對的MEMS芯片1，其包括一層玻璃層11、玻璃層11上有一層娃層12,在娃層12與玻璃層11內(nèi)形成一個空腔13,由于娃層內(nèi)部被挖成空腔,貝Ij娃層12的上表面剩余的部分即形成一層薄的硅層，該薄的硅層稱為MEMS芯片的感應(yīng)膜14，如圖2所示，感應(yīng)膜14的區(qū)域?yàn)樾酒琁的中心的一塊區(qū)域，在感應(yīng)膜14的四周為硅層12的實(shí)體區(qū)域。請參閱圖3并結(jié)合圖4所示，在本實(shí)用新型的一個實(shí)施例中，本實(shí)用新型的吸嘴2包括吸嘴本體21，其中吸嘴本體21的上端為在圓柱體形，下端為漸縮的錐臺形，錐臺形的末端表面為矩形平面。請參閱圖5并結(jié)合圖4所示，從吸嘴2的上方俯視，自吸嘴2的上端面向下，貫穿吸嘴本體21形成有氣體通道22，其中該氣體通道22包括在吸嘴本體的上端部分形成的直徑較大的四方通道221，其中該四方通道221的上端開口處形成有倒角222，在吸嘴本體21的內(nèi)部，四方通道221的下端形成的一個直徑比四方通道221小與四方通道221連通的圓柱通道223，其中在四方通道221與圓柱通道223的連接處也形成有倒角224，圓柱通道223的末端開口即吸嘴的下端開口。自吸嘴本體21的末端與芯片接觸的矩形表面中間部分圍繞圓柱通道223的末端開口向上凹陷(也可視為自吸嘴末端挖去一部分)，形成一個與所述氣體通道22連通的矩形避空槽23。請參閱圖5所示，吸嘴2末端的避空槽23的直徑比欲吸取的芯片I的感應(yīng)膜14的直徑大，如圖6所示，這樣當(dāng)吸嘴貼敷于芯片I上吸取芯片時，吸嘴2的邊緣會避開芯片I表面感應(yīng)膜14而作用于芯片I四周的實(shí)體區(qū)域，從而避免吸嘴2邊緣損壞芯片表面感應(yīng)膜14的問題。以上只是本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，在前述實(shí)施例中，吸嘴2的下端末端表面為矩形，在另一實(shí)施例中，吸嘴下端末端表面也可以是圓形、三角形或其他幾何形狀，所述避空槽的形狀也可以是圓形、三角形或其他幾個形狀，只要滿足避空槽的面積比芯片的感應(yīng)膜區(qū)域的面積大，即可實(shí)現(xiàn)在吸取時吸嘴的邊緣避開芯片表面的感應(yīng)膜區(qū)域，從而避免吸嘴邊緣損壞芯片表面感應(yīng)膜的問題。由于在吸嘴末端挖去部分，形成有避空槽，這樣原本與芯片接觸的吸取芯片的部分只有圓柱空腔的開口那么大的面積，形成避空槽之后，吸嘴最下端的避空槽與芯片之間即形成避空槽面積的吸腔，這樣的吸嘴，吸取芯片時真空充足從而不會出現(xiàn)吸取后芯片掉落的情況。以上的具體實(shí)施例只是本實(shí)用新型一個具體實(shí)施例的舉例，本實(shí)用新型并不能將所有具體實(shí)施例一一列舉，因此前述具體實(shí)施例并不是對本實(shí)用新型的具體限定，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做的任何改動均不脫離本實(shí)用新型的權(quán)利要求書的范圍。相應(yīng)地，本實(shí)用新型的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實(shí)施方式
。
權(quán)利要求1.種用于吸取MEMS芯片的吸嘴,其中所述MEMS芯片設(shè)有娃層,所述娃層上表面形成一感應(yīng)膜區(qū)域，所述吸嘴包括吸嘴本體，和在所述吸嘴本體內(nèi)形成有供吸取芯片的氣體通過的氣體通道，其特征在于:在吸嘴的末端自吸嘴表面圍繞所述氣體通道向內(nèi)凹陷形成一個與所述氣體通道連通的避空槽，所述避空槽的面積大于所述感應(yīng)膜區(qū)域的面積。
2.權(quán)利要求1所述的吸嘴，其特征在于:所述MEMS芯片還設(shè)有玻璃層，所述玻璃層與所述硅層形成空腔。
3.權(quán)利要求1所述的吸嘴，其特征在于:所述吸嘴本體上端為圓柱體，下端為漸縮的錐臺形，錐臺的末端為矩形、圓形或三角形。
4.權(quán)利要求1或3所述的吸嘴，其特征在于:所述避空槽為矩形、圓形或三角形。
5.權(quán)利要求1所述的吸嘴，其特征在于:所述氣體通道包括位于吸嘴本體內(nèi)上端開口的四方通道和與四方通道的下端開口連通的圓柱通道，所述四方通道的直徑比圓柱通道的直徑大。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴，其中所述MEMS芯片包括一感應(yīng)膜區(qū)域，所述吸嘴包括吸嘴本體，在吸嘴本體內(nèi)形成有供吸取芯片的氣體通過的氣體通道，在吸嘴的末端自吸嘴表面圍繞所述氣體通道向內(nèi)凹陷形成一個與所述氣體通道連通的避空槽，所述避空槽的面積大于所述感應(yīng)膜區(qū)域的面積。由于避空槽的面積比欲吸取的芯片的感應(yīng)膜的面積大，這樣當(dāng)吸嘴貼敷于芯片上吸取芯片時，吸嘴的邊緣會避開芯片表面感應(yīng)膜而作用于芯片四周的實(shí)體區(qū)域，從而避免吸嘴邊緣損壞芯片表面感應(yīng)膜的問題。形成避空槽之后，吸嘴最下端的避空槽與芯片之間即形成避空槽面積的吸腔，這樣的吸嘴，吸取芯片時真空充足從而不會出現(xiàn)吸取后芯片掉落的情況。
文檔編號H01L21/683GK202930369SQ20122061074
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者韓林森, 龔平, 王從亮 申請人:無錫華潤安盛科技有限公司