專利名稱：發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及發(fā)光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該發(fā)光二極管包括依次形成于基板10上的η型氮化鎵層20、發(fā)光層30、P型氮化鎵層40以及氧化銦錫(ITO)層90，其中η型氮化鎵層20和ρ型氮化鎵層40被蝕刻掉一部分而暴露了部分η型氮化鎵層20，在該暴露的η型氮化鎵層20上形成有負(fù)電極82，在ρ型氮化鎵層40以及ITO層90上形成有正電極81，并在正電極81、ITO層90、η型氮化鎵層20以及負(fù)電極82上形成有保護層61。由于藍寶石(Sapphire)制作的基板10不導(dǎo)電，故電極必須設(shè)置在發(fā)光二極管的正面，即正電極81形成于ρ型氮化鎵層40的正面，負(fù)電極82形成于η型氮化鎵20的正面。這種結(jié)構(gòu)中，無論發(fā)光二極管如何放置，其電流方向都是垂直的。但是在制作負(fù)電極82時，必須將發(fā)光二極管由P型氮化鎵層40的表面蝕刻至η型氮化鎵層20，且蝕刻的溝槽必須足夠?qū)挘拍芡ㄟ^打線的方式在η型氮化鎵層20的表面形成負(fù)電極82。這樣，原本由發(fā)光層30所在的區(qū)域構(gòu)成的發(fā)光區(qū)域就被蝕刻掉了一部分，從而影響了發(fā)光效果；另一方面由于藍寶石制作的基板10的導(dǎo)熱性較差，因此LED發(fā)光時所產(chǎn)生的熱量難以及時散出，從而會降低LED的性能。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是如何減少發(fā)光元件的遮光面積，并提高電流散布效率，增加發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域。第一方面，本實用新型實施例提供了一種發(fā)光元件，包括:基板；第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述基板上；發(fā)光層，位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述發(fā)光層的正面；正電極，位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；以及負(fù)電極，至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面。結(jié)合第一方面，在第一種可能的實施方式中，所述負(fù)電極至少還部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。結(jié)合第一方面，在第二種可能的實施方式中，所述負(fù)電極至少還部分位于所述發(fā)光層的側(cè)面、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面以及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種可能的實施方式，在第三種可能的實施方式中，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的形成有所述負(fù)電極的側(cè)面為傾斜面。結(jié)合第一方面或第一方面的第一或第二種可能的實施方式，在第四種可能的實施方式中，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個側(cè)面、兩個側(cè)面、三個側(cè)面或者四個側(cè)面上。結(jié)合第一方面的第三種可能的實施方式，在第五種可能的實施方式中，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個側(cè)面、兩個側(cè)面、三個側(cè)面或者四個側(cè)面上。結(jié)合第一方面，在第六種可能的實施方式中，還包括保護層，所述保護層位于所述正電極與所述負(fù)電極之間，并從所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層延伸至所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。本實用新型實施例提供的發(fā)光元件，通過把負(fù)電極形成于發(fā)光元件的側(cè)面上，有效減少了傳統(tǒng)發(fā)光元件的遮光面積，并且提高了電流散布效率；同時由于形成于側(cè)面的負(fù)電極所需蝕刻掉的發(fā)光層較少，從而增加了發(fā)光區(qū)域，改善了發(fā)光元件的發(fā)光品質(zhì)；另一方面由于發(fā)光層散發(fā)的熱量離印刷電路板(PrintedCircuitBoard, PCB)較近，因此可以導(dǎo)熱效果更好。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的流程圖；圖3 (a)-圖3 Cd)分別是本實用新型一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的各工藝過程中發(fā)光元件的剖面圖；圖3 Ce)是與圖3 Cd)所對應(yīng)的立體圖；圖4是本實用新型另一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法中發(fā)光元件的剖面圖；圖5是圖4所示的發(fā)光元件與PCB板連接的示意圖；圖6 (a)-圖6 Ce)分別是本實用新型又一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的各工藝過程中發(fā)光元件的剖面圖；圖7 (a)-圖7 (b)分別是與圖6 Ce)所示的發(fā)光元件連接的PCB的結(jié)構(gòu)示意圖以及封裝后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實用新型一個實施例提供的具有傾斜負(fù)電極的發(fā)光元件的剖面圖；圖9是本實用新型另一個實施例提供的具有傾斜負(fù)電極的發(fā)光元件的剖面圖；圖10 (a)和圖10 (b)分別是本實用新型一個實施例提供的具有三面負(fù)電極的發(fā)光元件的立體圖和剖面圖；圖11是本實用新型一個實施例提供的具有雙面負(fù)電極的發(fā)光元件的立體圖；圖12是本實用新型另一個實施例提供的具有雙面負(fù)電極的發(fā)光元件的立體圖；圖13是本實用新型一個實施例提供的具有單面負(fù)電極的發(fā)光元件的立體圖；以及圖14 Ca)-圖14 (c)分別是本實用新型一個實施例提供的具有若干正電極的發(fā)光元件的立體圖、剖面圖和俯視圖；圖15是本實用新型另一個實施例提供的具有若干個正電極的發(fā)光元件的俯視圖；圖16是本實用新型一個實施例提供的封裝之后的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖；[0036]圖17 (a)-圖17 (b)分別是本實用新型一個實施例提供的高壓LED的剖面圖和俯視圖。附圖標(biāo)記說明:10:基板；20:n型氮化鎵層；30:發(fā)光層；40:p型氮化鎵層；50:第一溝槽；60:第二溝槽;61:保護層；70:反射層；80:電極層；81:正電極；82:負(fù)電極；90 =ITOjs ;91:PCB ；92:導(dǎo)熱絕緣層；93:凹槽。
具體實施方式
圖3 Cd)是本實用新型一個實施例提供的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖，該發(fā)光元件包括:基板10，依次形成于基板10上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40，還包括正電極81和負(fù)電極82，其中正電極81形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40的正面，負(fù)電極82至少部分形成于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20的側(cè)面。優(yōu)選地，本實施例中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20采用η型氮化鎵制作，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40采用ρ型氮化鎵層制作。本實施例中，將ρ型氮化鎵層40遠離發(fā)光層30的一面稱之為正面，將接觸發(fā)光層30的一面稱之為背面，將剩下的四個面稱之為側(cè)面。將η型氮化鎵層20接觸發(fā)光層30的一面稱之為正面，將接觸基板10的一面稱之為背面，將剩下的四個面稱之為側(cè)面。將發(fā)光層30接觸P型氮化鎵層40的一面稱之為正面，接觸η型氮化鎵層20的一面稱之為背面，將發(fā)光層30不與η型氮化鎵層20和ρ型氮化鎵層40接觸的四個面稱之為側(cè)面。本實施例中，優(yōu)選地，負(fù)電極82僅形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面，方向為垂直于η型氮化鎵層20所在的橫向平面；于其它實施例中，負(fù)電極82也可以根據(jù)實際需要形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面和正面(其結(jié)構(gòu)如圖4所示)；還可以形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面、發(fā)光層30的側(cè)面、ρ型氮化鎵層40的側(cè)面以及ρ型氮化鎵層40的正面(其結(jié)構(gòu)如圖6(e)所示)，只要有一部分位于η型氮化鎵層20的側(cè)面即可。而且，負(fù)電極82還可以傾斜形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面(其結(jié)構(gòu)如圖8所示)，這種情況下，η型氮化鎵層20形成有負(fù)電極82的側(cè)面也為相應(yīng)的傾斜面；還可以傾斜形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面和正面(其結(jié)構(gòu)如圖9所示)。當(dāng)負(fù)電極82傾斜形成時，這種結(jié)構(gòu)更有利于后續(xù)封裝工藝的進行。此外，本實施例的負(fù)電極82可以形成于η型氮化鎵層20的四個側(cè)面上(其結(jié)構(gòu)如圖3 (e)所示);也可以根據(jù)實際需要形成于η型氮化鎵層20的三個側(cè)面上(其結(jié)構(gòu)如圖10(a)和圖10 (b)所示)；還可以形成于η型氮化鎵層20的兩個側(cè)面上，相對的兩個側(cè)面(其結(jié)構(gòu)如圖11所示)或者相鄰的兩個側(cè)面(其結(jié)構(gòu)如圖12所示)皆可；還可以只形成于η型氮化鎵層20的一個側(cè)面上(其結(jié)構(gòu)如圖13所示)。上述方案中，形成于η型氮化鎵層20的四個側(cè)面上的負(fù)電極82所構(gòu)成的發(fā)光元件的電流散布效率最好。進一步地，本實施例提供的發(fā)光元件還可以包括保護層61，保護層61形成于正電極81和負(fù)電極82之間并從ρ型氮化鎵層40延伸至η型氮化鎵層20 (其結(jié)構(gòu)如圖6 Ce)所示)。此外，為了提高電流散布效率，以及對于發(fā)光元件太大的情況，僅靠側(cè)面的負(fù)電極82導(dǎo)電可能會導(dǎo)致電流不會流到發(fā)光元件的中間部分，從而降低中間部分的發(fā)光效率，因此可以將保護層61做成田字格狀或多個條狀，以將正電極81分隔成若干個方形(其結(jié)構(gòu)如圖14 (a)-圖14 (c)所示)或三角形(其結(jié)構(gòu)如圖15所示)或其它形狀的電極，將若干個正電極81與負(fù)電極82連接在一起。或者將負(fù)電極82做成螺旋狀等能夠離發(fā)光元件中間部分的正電極81較近的形狀和長度。圖2是本實用新型一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的流程圖，并結(jié)合圖3(a)-圖3 (d)所示,該方法包括:步驟S10、在基板10上依次形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40。本實施例中，基板10具體為藍寶石基板。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20的材料可以為η型氮化鎵，也可以為η型磷化鋁銦鎵(AlGalnP)，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20的材料可以為ρ型氮化鎵，也可以為P型磷化鋁銦鎵，優(yōu)選地，本申請各實施例中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40分別采用η型氮化鎵和ρ型氮化鎵制作。步驟S20、在步驟SlO得到的如圖3 (a)所示的發(fā)光元件上形成至少一個第一溝槽50,該第一溝槽50從ρ型氮化鎵層40延伸至η型氮化鎵層20。本步驟中第一溝槽50的數(shù)量、寬度與形狀均無特殊限定。第一溝槽50可以形成于發(fā)光元件的四個側(cè)面上，呈圈狀；第一溝槽50還可以形成于發(fā)光元件的兩個側(cè)面、三個側(cè)面或一個側(cè)面上。步驟S30、在步驟S20得到的如圖3 (b)所示的發(fā)光元件上依次形成反射層70和電極層80。具體地，在ρ型氮化鎵40的正面以及第一溝槽50的底面和周面形成反射層70 ；該反射層70的材料可以為導(dǎo)電性能較好的金屬或半導(dǎo)體，在形成反射層70時，為了增加表面的接觸面積可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的階梯覆蓋(Step Coverage)工藝；電極層80的材料為金或其它導(dǎo)電金屬，電極層80需完全覆蓋反射層70，如圖3 (c)所示；本步驟可以采用鍍膜工藝來實現(xiàn)。步驟S40、去除掉部分反射層70和電極層80，使得電極層80分離成位于P型氮化鎵層40正面的正電極81和位于η型氮化鎵層20側(cè)面的負(fù)電極82。本步驟可以采用蝕刻或者剝離的工藝來實現(xiàn)。正電極81的大小根據(jù)封裝方式的不同而不同。若采用覆晶技術(shù)封裝時正電極81的面積越大越好(如圖10 (a)、圖10 (b)所示)，若采用傳統(tǒng)的打線封裝方式則正電極81的面積需要盡量小(如圖3 (e)所示)，只要能夠打上連接線即可，以減少遮光面積。此外，負(fù)電極82可以全部位于η型氮化鎵層20的側(cè)面，也可以部分位于η型氮化鎵層20的側(cè)面，例如:負(fù)電極位于η型氮化鎵層20的側(cè)面、發(fā)光層30的側(cè)面、ρ型氮化鎵層40的側(cè)面以及ρ型氮化鎵層40的正面。此外，為了保護因蝕刻溝槽而暴露的發(fā)光層，于步驟S20之前或步驟S40之后，還包括步驟:步驟S20’，在上一步驟得到的發(fā)光元件上形成至少一個第二溝槽60，第二溝槽60從P型氮化鎵層40延伸至η型氮化鎵層20，在第二溝槽60中形成保護層61。該保護層61的材料必須絕緣且導(dǎo)電性差，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定且不易與其它材料起化學(xué)反應(yīng)，優(yōu)選地，本步驟中保護層61的材料為二氧化硅(Si02)。優(yōu)選地，為了節(jié)省成本，可以根據(jù)實際需要將若干個發(fā)光元件封裝到一塊PCB板91上，其結(jié)構(gòu)如圖16所示，這種封裝方式比傳統(tǒng)打線方式更為簡單，具有單面負(fù)電極的發(fā)光元件、具有雙面負(fù)電極的發(fā)光元件均可以采用這種方式來封裝。此外還可以串聯(lián)幾個發(fā)光元件制成高壓LED (HVLED)。這種情況下，第一溝槽50需要蝕刻至基板10，利用基板10的不導(dǎo)電性將各個負(fù)電極82隔開。但是電極層82仍鍍至η型氮化鎵層20，即負(fù)電極82仍然形成于η型氮化鎵層20的側(cè)面。并作第一溝槽50中沒有電極層80的部分鍍上保護層61，然后將各個正電極81以及負(fù)電極82分別串聯(lián)即可(其結(jié)構(gòu)如圖17 Ca)-圖17 (b)所示)。此外還可以于本實施例的發(fā)光元件上覆蓋上熒光粉以制成白光LED。下面以具體的實施例來對發(fā)光元件制作方法進行說明。圖3 (a)-圖3 Cd)為本實用新型另一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的各工藝過程中發(fā)光元件的剖面圖，本方法形成的發(fā)光元件，正電極81位于ρ型氮化鎵層40的正面，負(fù)電極82位于η型氮化鎵層20的側(cè)面；該方法包括以下步驟:步驟SlOl、在基板10上依次形成η型氮化鎵層20、發(fā)光層30和ρ型氮化鎵層40。本步驟中的基板10具體為藍寶石基板；該步驟得到的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)如圖3 (a)所
/Jn ο步驟S102、在步驟SlOl得到的發(fā)光元件上沿著該發(fā)光元件的外側(cè)形成第一溝槽50。結(jié)合圖3 (b)所示，第一溝槽50也從ρ型氮化鎵層40向下延伸至η型氮化鎵層
20;第一溝槽50位于發(fā)光元件的四個側(cè)面上，呈圈狀。步驟S103、在步驟S102得到的發(fā)光元件上依次形成反射層70和電極層80。結(jié)合圖3 (C)所示，本步驟中的反射層70和電極層80位于ρ型氮化鎵層40的正面以及第一溝槽50的底面和周面上，且電極層80完全覆蓋反射層70。步驟S104、去除掉部分反射層70和電極層80，以將電極層80分離為正電極81和負(fù)電極82。結(jié)合圖3 (d)以及圖3 (e)所示，具體地，將第一溝槽50中的反射層70和電極層80蝕刻或剝離掉。進一步地，由于本實施例采用打線封裝工藝，因此將P型氮化鎵層40正面的大部分反射層70和電極層80都去除掉，僅留下位于ρ型氮化鎵層40正面中央較小面積的一部分電極層80作為正電極81即可。圖4為本實用新型另一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法中的發(fā)光元件的剖面圖，本方法形成的發(fā)光元件，正電極81位于ρ型氮化鎵40的正面，負(fù)電極82位于η型氮化鎵層20的側(cè)面；該方法包括以下步驟:步驟S201-S203、與步驟S101-S103相同；可參考圖3 (a)-圖3 (C)所示。步驟S204、去除掉部分反射層70和電極層80，以將電極層80分離為正電極81和負(fù)電極82。結(jié)合圖4所示，本步驟與步驟S104的區(qū)別在于:保留第一溝槽50底部的部分電極層，使得位于η型氮化鎵層20正面和側(cè)面的電極層80構(gòu)成負(fù)電極82 ;此外，本實施例的發(fā)光元件采用覆晶技術(shù)來封裝，因此形成于P型氮化鎵層40的正面的正電極81的面積可以
盡量大。在后續(xù)采用覆晶技術(shù)的封裝工藝中，如圖5所示，將步驟S204得到的發(fā)光元件倒置，按照圖5所示箭頭方向?qū)⒄姌O81焊接或粘接或燒結(jié)在印刷電路板(PCB)91上的凹槽93內(nèi)，將負(fù)電極82焊接或粘接在PCB 91的上表面上即可。本實施例中的PCB 91具體為雙層金屬印刷電路板(MCPCB)，兩層金屬之間具有導(dǎo)熱絕緣層92。這種情況下，可以將PCB91的兩層金屬分別作為正極和負(fù)極。圖6 (a)-圖6 Ce)分別是本實用新型又一個實施例提供的發(fā)光元件制作方法的各工藝過程中發(fā)光元件的剖面圖；采用該方法制作的發(fā)光元件，負(fù)電極82形成于ρ型氮化鎵層40的正面和側(cè)面、發(fā)光層30的側(cè)面以及η型氮化鎵層20的側(cè)面。該方法包括:步驟S301、與步驟SlOl相同；可參考圖3 Ca)所示。步驟S302、在上一步驟得到的發(fā)光元件上形成第二溝槽60，并在第二溝槽60中形成保護層61。結(jié)合圖6 (a)所示，本實施例中，第二溝槽60從ρ型氮化鎵層40向下延伸至η型氮化鎵層20，第二溝槽60位于發(fā)光元件的四個側(cè)面上并呈圈狀；保護層61的材料優(yōu)選為SiO2，用于對發(fā)光層30進行隔離，避免發(fā)光層30在后續(xù)制作工藝中受到污染。步驟S303、在步驟S202得到的發(fā)光元件上形成第一溝槽50。結(jié)合圖6 (b)所示，第一溝槽50位于第二溝槽60的外側(cè)，第一溝槽50可以與第二溝槽60深度相同也可以比第二溝槽60深(圖6 (b)中示出了第一溝槽50比第二溝槽60深的情況)；第一溝槽50也從ρ型氮化鎵層40向下延伸至η型氮化鎵層20 ;第一溝槽50可以與第二溝槽60相鄰形成，也可以與第二溝槽50相隔一定的距離形成，無論第一溝槽50與第二溝槽60是否相鄰，對所形成的負(fù)電極82的功能都沒有影響；本實施例中，第一溝槽50也呈圈狀。步驟S304、在上一步驟得到的發(fā)光元件上依次形成反射層70和電極層80。具體地，結(jié)合圖6 (C)所示，該反射層70和電極層80形成于ρ型氮化鎵層40的正面、保護層61的正面以及第一溝槽50的底面和周面。步驟S305、去除部分反射層70和電極層80，以將電極層80分離成正電極81和負(fù)電極82。具體地，結(jié)合圖6 Cd)所示，將保護層61正面對應(yīng)的反射層70和電極層80蝕刻或剝離掉。步驟S306、沿第一溝槽50所在的圈將上一步驟得到的發(fā)光元件切開，以形成位于P型氮化鎵層40的正面的正電極81和位于P型氮化鎵層40的正面和側(cè)面、發(fā)光層30的側(cè)面和η型氮化鎵層20的側(cè)面的負(fù)電極82，其結(jié)構(gòu)如圖6 Ce)所示。圖7 (a)示出了另一 PCB 91的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7 (b)示出了圖6 (e)的發(fā)光元件與PCB 91封裝后的結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型實施例提供的發(fā)光元件及其制作方法，通過把負(fù)電極形成于發(fā)光元件的側(cè)面上，有效減少了傳統(tǒng)發(fā)光元件的遮光面積，并且提高了電流散布效率；同時由于形成于側(cè)面的負(fù)電極所需蝕刻掉的發(fā)光層較少，從而增加了發(fā)光區(qū)域，改善了發(fā)光元件的發(fā)光品質(zhì)；另一方面由于發(fā)光層散發(fā)的熱量離PCB板較近，因此導(dǎo)熱效果可以更好；進一步地由于采用本實用新型提供的方法制作的發(fā)光元件可以采用覆晶技術(shù)通過粘接或焊接的方式連接到PCB板上，因此降低了導(dǎo)線連接成本。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括: 基板； 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述基板上； 發(fā)光層，位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面； 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述發(fā)光層的正面； 正電極，位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；以及 負(fù)電極，至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述負(fù)電極至少還部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述負(fù)電極至少還部分位于所述發(fā)光層的側(cè)面、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面以及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的形成有所述負(fù)電極的側(cè)面為傾斜面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個側(cè)面、兩個側(cè)面、三個側(cè)面或者四個側(cè)面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個側(cè)面、兩個側(cè)面、三個側(cè)面或者四個側(cè)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，還包括保護層，所述保護層位于所述正電極與所述負(fù)電極之間，并從所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層延伸至所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
專利摘要本實用新型涉及發(fā)光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件包括基板；第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述基板上；發(fā)光層，位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述發(fā)光層的正面；正電極，位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；以及負(fù)電極，至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面。本實用新型實施例提供的發(fā)光二極管，通過把負(fù)電極形成于發(fā)光元件的側(cè)面上，有效減少了傳統(tǒng)發(fā)光元件的遮光面積，并且提高了電流散布效率；同時由于形成于側(cè)面的負(fù)電極所需蝕刻掉的發(fā)光層較少，從而增加了發(fā)光區(qū)域，改善了發(fā)光元件的發(fā)光品質(zhì)。
文檔編號H01L33/36GK203038965SQ201220569380
公開日2013年7月3日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月2日
發(fā)明者吳裕朝, 劉艷, 吳冠偉, 王瑞慶, 陳浩明 申請人:劉艷