專利名稱：一種高性能半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高性能半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高性能半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
[0002]隨著社會的進(jìn)步，科技的發(fā)展，半導(dǎo)體集成電路芯片因其體積小，處理能力強(qiáng)而得到越來越廣泛的使用。而在半導(dǎo)體器件中，特別是具有多個半導(dǎo)體電子元件的半導(dǎo)體器件中，需要采用接合線使電路基板或者管腳與芯片電連接。[0003]在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，為了滿足高性能半導(dǎo)體電子元件的導(dǎo)電要求，一般采用導(dǎo)電性能良好的金線作為接合線，但眾所周知，金線價格昂貴，大大增加了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。因此，有人采用銅線或者鋁線替代金線作為連接線，這可大大降低成本，但是銅線的導(dǎo)電性能和可靠性等常常無法滿足高性能半導(dǎo)體器件的要求，影響半導(dǎo)體器件的整體性倉泛。[0004]因此，為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種既能節(jié)約生產(chǎn)成本，同時能滿足高性能芯片的導(dǎo)電要求的高性能半導(dǎo)體器件顯得尤為重要。發(fā)明內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種既能不影響高性能芯片的性能，同時又能有效降低生產(chǎn)成本的高性能半導(dǎo)體器件。[0006]本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)[0007]提供了一種高性能半導(dǎo)體器件，包括電路基板和管腳，還包括分別設(shè)置于對應(yīng)的電路基板上的MOS芯片和IC芯片，所述MOS芯片通過銅線分別與管腳和電路基板電連接， 所述IC芯片通過金線分別與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。[0008]其中，還包括有引線框架，所述管腳和電路基板設(shè)置于引線框架的焊接區(qū)上。[0009]其中，所述引線框架的焊接區(qū)對應(yīng)的外部設(shè)置有散熱片。[0010]其中，所述銅線和金線表面均包覆有包覆層。[0011]本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型提供了一種高性能半導(dǎo)體器件，包括有電路基板和管腳，還包括分別設(shè)置于對應(yīng)的電路基板上的MOS芯片和IC芯片，所述MOS芯片通過銅線與管腳和電路基板電連接，所述IC芯片通過金線與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。由于IC芯片的導(dǎo)電要求較高，所以采用了金線作為導(dǎo)電介質(zhì)，而MOS芯片的導(dǎo)電要求相對較低，因此采用銅線即可滿足要求。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在同一半導(dǎo)體器件中同時采用金線和銅線作為導(dǎo)電介質(zhì)，可在較低的生產(chǎn)成本下滿足高性能半導(dǎo)體芯片的，獲得低成本，高性能的半導(dǎo)體器件。


[0012]利用附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對本實(shí)用新型的任何限制，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。[0013]圖I為本實(shí)用新型一種高性能半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。[0014]圖2為本實(shí)用新型一種高性能半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。[0015]在圖I和圖2中包括有[0016]I——電路基板、2——管腳、3——MOS芯片、4——IC芯片、5——銅線、6——金線、 7——引線框架、8——散熱片。
具體實(shí)施方式
[0017]結(jié)合以下實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。[0018]本實(shí)用新型一種高性能半導(dǎo)體器件的具體實(shí)施方式
，如圖I至圖2所示，包括有電路基板I和管腳2，還包括分別設(shè)置于對應(yīng)的電路基板I上的MOS芯片3和IC芯片4，所述 MOS芯片3通過銅線5分別與管腳2和電路基板I電連接，所述IC芯片4通過金線6分別與MOS芯片3、管腳2和電路基板I電連接。由于IC芯片4的導(dǎo)電要求較高，所以采用了金線6作為連接線，而MOS芯片3的導(dǎo)電要求相對較低，因此，采用銅線5即可滿足要求。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在同一半導(dǎo)體器件中同時采用金線6和銅線5作為連接線，可在較低的生產(chǎn)成本下，滿足高性能半導(dǎo)體芯片的要求，從而獲得低成本，高性能的半導(dǎo)體器件。[0019]本實(shí)施例中，還包括有引線框架7，所述管腳2和電路基板I設(shè)置于引線框架7的焊接區(qū)上。使各個芯片能夠更好的定位以及固定，便于進(jìn)行封裝。[0020]本實(shí)施例中，所述引線框架7的焊接區(qū)對應(yīng)的外部設(shè)置有散熱片8。由于在半導(dǎo)體電子元件工作時會產(chǎn)生大量的熱量，如不及時散熱會嚴(yán)重影響半導(dǎo)體元件的性能甚至燒壞元件。通過設(shè)置散熱片8能有效將半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量向外傳導(dǎo)，達(dá)到散熱的目的，使得高性能半導(dǎo)體元件能正常工作，不影響性能。[0021]本實(shí)施例中，所述銅線5和金線6表面均包覆有包覆層。通過設(shè)置包覆層能有效提高銅線5以及金線6的耐高溫特性，耐遷移特性等，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，同時也減少了連接線之間可能產(chǎn)生的寄存性電容，提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量。[0022]最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種高性能半導(dǎo)體器件，包括電路基板(1)和管腳(2)，其特征在于還包括分別設(shè)置于對應(yīng)的電路基板(1)上的MOS芯片(3 )和IC芯片(4)，所述MOS芯片(3 )通過銅線(5 ) 分別與管腳(2)和電路基板(1)電連接，所述IC芯片(4)通過金線(6)分別與MOS芯片(3)、 管腳(2)和電路基板(1)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高性能半導(dǎo)體器件，其特征在于還包括引線框架(7)，所述管腳(2 )和電路基板(1)設(shè)置于引線框架(7 )的焊接區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的一種高性能半導(dǎo)體器件，其特征在于所述引線框架(7)的焊接區(qū)對應(yīng)的外部設(shè)置有散熱片(8)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種高性能半導(dǎo)體器件，其特征在于所述銅線(5)和金線(6) 表面均包覆有包覆層。專利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高性能半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)包括有電路基板和管腳，還包括分別設(shè)置于對應(yīng)的電路基板上的MOS芯片和IC芯片，所述MOS芯片通過銅線與管腳和電路基板電連接，所述IC芯片通過金線與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。由于IC芯片的導(dǎo)電要求較高，所以采用了金線作為導(dǎo)電介質(zhì)，而MOS芯片的導(dǎo)電要求相對較低，因此采用銅線即可滿足要求。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在同一半導(dǎo)體器件中同時采用金線和銅線作為導(dǎo)電介質(zhì)，可在較低的生產(chǎn)成本下滿足高性能半導(dǎo)體芯片的，獲得低成本，高性能的半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L23/532GK202816933SQ20122046875
公開日2013年3月20日 申請日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月14日
發(fā)明者羅艷玲 申請人:杰群電子科技(東莞)有限公司