專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種陣列基板及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及包括所述陣列基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
[0002]AD-SDS 高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS,簡稱 ADS)，其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。[0003]目前，ADS技術(shù)通過電動力學(xué)優(yōu)化對液晶材料進(jìn)行改良，在正性型液晶上獲得了負(fù)性液晶90%左右的光效率，從而解決了由于負(fù)性液晶黏度大而導(dǎo)致的響應(yīng)時間慢的問題， 除此之外，ADS技術(shù)在透光率、對比度、亮度、可視角度、色差等方面也有顯著的提高。[0004]目前，ADS模式的顯示裝置中，用于遮擋柵線(gate line)漏光的黑矩陣(Black Matrix, BM)的最小寬度一般為32 μ m,以便在最大程度上減少柵線漏光(disinclination) 的同時確保較佳的單元像素的開口率(aperture ratio)。而開口率是影響顯示裝置屏幕的亮度與功耗的重要因素，開口率越高，光透過率也越高，在相同的背光源條件下，屏幕的亮度就會越高。而在液晶顯示器中，背光源的功耗占整個電源輸出的60%左右，所以，在工藝條件許可的情況下，應(yīng)盡可能采用高開口率的設(shè)計(jì)方案，使得在滿足顯示裝置亮度的前提下將背光源的功耗降為最低，從而降低整 個顯示系統(tǒng)的功耗。但在ADS模式的顯示裝置中， 若想提高單元像素的開口率就需減少黑矩陣的寬度，但黑矩陣寬度的減少會導(dǎo)致并加劇柵線的漏光。[0005]為了能在提高單元像素的開口率的同時減少柵線的漏光，出現(xiàn)了一種1-ADS(高透過率-高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的顯示裝置，其與ADS模式的顯示裝置的區(qū)別在于陣列基板中的像素電極(Vpixel)與公共電極(Vcom)的位置發(fā)生了翻轉(zhuǎn)，即在1-ADS模式的陣列基板中，像素電極作為第一電極(1st ΙΤ0,即為板狀電極)設(shè)置于基板上，公共電極作為第二電極(2nd ΙΤ0,即為狹縫電極)并位于像素電極的上方；而在ADS模式的陣列基板中，公共電極作為第一電極設(shè)置于基板上，像素電極作為第二電極并位于公共電極的上方。[0006]圖1 (a)為現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，[0007]圖1 (b)為圖1 (a)的A-A’截面示意圖。如圖1 (b)所示，所述1-ADS模式的陣列基板包括基板104，設(shè)置于基板上的柵線103及像素電極101，設(shè)置于柵線103上方并將柵線103完全覆蓋的公共電極102。這里，由于公共電極將柵線完全覆蓋，產(chǎn)生了公共電極遮罩效應(yīng)(Vcom shielding),使得柵線的漏光最小化，因此可以減小用于遮擋柵線漏光的黑矩陣的寬度，從而提高了單元像素的開口率。然而，正是由于公共電極將柵線完全覆蓋， 使得柵極電容(ratio of Cap gate)增大并導(dǎo)致柵線的線路負(fù)載(line load)增加,從而導(dǎo)致柵線產(chǎn)生延遲(delay)，并影響顯示裝置的充電率。實(shí)用新型內(nèi)容[0008]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種能在減少柵線的線路負(fù)載的同時提高單元像素的開口率的陣列基板及包含所述陣列基板的顯示裝置。[0009]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是[0010]一種陣列基板，包括基板、設(shè)置于基板上的柵線及像素電極、設(shè)置于柵線上方并將柵線覆蓋的公共電極，所述公共電極上設(shè)置有條形通孔，且該條形通孔至少有一部分位于柵線的正上方。[0011]進(jìn)一步地，所述條形通孔全部位于柵線的正上方。[0012]進(jìn)一步地，所述條形通孔的寬度大于零 且小于柵線的寬度。[0013]進(jìn)一步地，所述柵線的寬度小于條形通孔兩側(cè)的公共電極的寬度。[0014]進(jìn)一步地，所述像素電極與公共電極之間設(shè)置有絕緣層。[0015]本實(shí)用新型同時提供一種顯示裝置，包括陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。[0016]有益效果[0017]I)本實(shí)用新型所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板相比，在相同的柵線漏光范圍的情況下黑矩陣的寬度更小，現(xiàn)有ADS模式中柵線漏光范圍一般為10-15 μ m，但不限定于此，從而極大的提高了單元像素的開口率；[0018]2)本實(shí)用新型所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式陣列基板相比，減小了柵極電容及柵線的線路負(fù)載，因而降低了柵線的延遲，并減小了對顯示裝置的充電率的影響。


[0019]圖1 (a)為現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；[0020]圖1 (b)為圖1 (a)的A-A’截面示意圖；[0021]圖2為本實(shí)用新型所述陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖3為本實(shí)用新型所述陣列基板中公共電極102上設(shè)置的條形通孔的寬度分別與黑矩陣的最小寬度、柵線漏光范圍及柵極電容率的對應(yīng)關(guān)系示意圖；[0023]圖中101 —像素電極；102 —公共電極；103 —柵線；104 —基板；105_數(shù)據(jù)線。
具體實(shí)施方式
[0024]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型陣列基板以及包括所述陣列基板的顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。[0025]如圖2所示，本實(shí)施例中，所述陣列基板包括基板104、設(shè)置于基板104上的柵線 103及像素電極101、設(shè)置于柵線103上方并將柵線103覆蓋的公共電極102。優(yōu)選所述像素電極101與公共電極102之間設(shè)置有絕緣層。當(dāng)然，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線105、由柵線及數(shù)據(jù)線交叉定義的若干個像素單元(每個像素單元均包括薄膜晶體管)、公共電極線等，由于本實(shí)用新型所述陣列基板不涉及上述部件的改進(jìn)，因此不再贅述。[0026]其中，所述公共電極102上設(shè)置有條形通孔(寬度為dl)，所述條形通孔沿與柵線 103平行的方向貫穿公共電極102，且該條形通孔位于柵線103的正上方。優(yōu)選所述條形通孔的寬度大于零且小于柵線103的寬度。[0027]圖3為所述公共電極102上設(shè)置的條形通孔的寬度分別與用于遮擋柵線漏光的黑矩陣的最小寬度、柵線漏光范圍及柵極電容率的對應(yīng)關(guān)系示意圖，其中柵極電容率為本實(shí)用新型中陣列基板的柵極電容與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板的柵極電容之比?？梢?，隨著所述條形通孔寬度的增大，對應(yīng)的黑矩陣的最小寬度與柵線漏光范圍也逐漸增大，而柵極電容率則逐漸減小。[0028]如圖3所示，當(dāng)所述條形通孔的寬度dl=0時，公共電極102上沒有設(shè)置條形通孔， 此種結(jié)構(gòu)的陣列基板即現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式的陣列基板，其對應(yīng)的黑矩陣的最小寬度為 9 μ m、柵線漏光范圍為O、柵極電容率為620% ;可見，雖然現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式陣列基板的黑矩陣的最小寬度比現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板的黑矩陣的最小寬度相比大大減小了 (減小約23 μ m)，但是其柵線負(fù)載與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板的柵線負(fù)載(柵線負(fù)載= 柵極電容*柵極電阻)相比卻增加了 6. 2倍，從而造成柵線的線路負(fù)載過大，加劇了柵線和數(shù)據(jù)線的延遲，并嚴(yán)重影響所述顯示裝置的充電率；[0029]當(dāng)所述條形通孔的寬度dl=4 μ m時，對應(yīng)的黑矩陣的最小寬度為24. 5 μ m、柵線漏光范圍為6 μ m、柵極電容率為350% ;可見，條形通孔的寬度dl=4 μ m時對應(yīng)的黑矩陣的最小寬度及柵線漏光范圍分別與現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式陣列基板的黑矩陣的最小寬度及柵線漏光范圍相比有所增加，但其柵極電容率與現(xiàn)有技術(shù)中1-ADS模式陣列基板的柵極電容率相比減小了約43.5%，因而有效地減少了柵線的線路負(fù)載，降低了柵線和數(shù)據(jù)線的延遲，減小了對所述顯示裝置的充電率的影響；所述條形通孔的寬度dl=4 μ m時對應(yīng)的黑矩陣的最小寬度與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板的黑矩陣的最小寬度相比減小約7. 5 μ m，因而其開口率與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板的開口率相比增加了約3%，極大的降低了整個顯示系統(tǒng)的功耗。本實(shí)用新型所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式陣列基板相比，雖然增加了柵極電容率(約3. 5倍)從而造成柵線負(fù)載的增加，但也增加了開口率(約3%)并降低了整個顯示系統(tǒng)的功耗，且對于所增加的柵極電容率來說，開口率的增加對整個顯示系統(tǒng)來說·更為重要，故增加的柵極電容率相對來說對整個顯示系統(tǒng)的影響較小。[0030]本實(shí)用新型還提供一種包括上述陣列基板的1-ADS模式的顯示裝置。[0031]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括基板、設(shè)置于基板上的柵線及像素電極、設(shè)置于柵線上方并將柵線覆蓋的公共電極，其特征在于，所述公共電極上設(shè)置有條形通孔，且該條形通孔至少有一部分位于柵線的正上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條形通孔全部位于柵線的正上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條形通孔的寬度大于零且小于柵線的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線的寬度小于條形通孔兩側(cè)的公共電極的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極與公共電極之間設(shè)置有絕緣層。
6.一種顯示裝置，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1-5中任一所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種陣列基板，其包括基板、設(shè)置于基板上的柵線及像素電極、設(shè)置于柵線上方并將柵線覆蓋的公共電極，其中，所述公共電極上設(shè)置有條形通孔，且該條形通孔至少有一部分位于柵線的正上方。相應(yīng)地，提供一種包含上述陣列基板的顯示裝置。本實(shí)用新型所述陣列基板及顯示裝置能在減少柵線的線路負(fù)載的同時提高單元像素的開口率，并減小了對顯示裝置的充電率的影響。
文檔編號H01L27/02GK202839610SQ201220445578
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月3日
發(fā)明者崔賢植, 田正牧 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司