專利名稱：X波段薄膜衰減器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種X波段薄膜衰減器，該衰減器適用于微波系統(tǒng)中信號傳輸功率的控制。
背景技術：
為了控制信號傳輸功率的大小，目前微波系統(tǒng)中通常要在系統(tǒng)中接入衰減器，傳統(tǒng)的衰減器元件是PIN ニ極管和GaAs MESFET管，由于這類器件的工作頻帶較窄而且尺寸較大，使用范圍受到限制。為了更好的増加衰減器的頻帶范圍和縮小器件的尺寸，研制新型的薄膜衰減器就顯得十分必要。
發(fā)明內容本實用新型所要解決的技術問題是提供ー種X波段薄膜衰減器，該X波段薄膜衰減器具有頻帶寬、匹配性好、尺寸小的優(yōu)點。本實用新型采用以下技術方案該X波段薄膜衰減器由介質基板、薄膜電阻Ra、薄膜電阻Rb、薄膜電阻Re、金屬層、接地孔構成，薄膜電阻Ra、薄膜電阻Rb并排相連，其底部與薄膜電阻Re相連，三個薄膜電阻連接成T型結構，三個薄膜電阻和介質基板的搭接面構成三個帶有金屬層，搭接尺寸可調節(jié)的微帶線寬度跳變區(qū)，介質基板背面和接地孔全部鍍有金屬層。三個薄膜電阻的阻值均為50歐姆/方，介質基板可以選用相對介電常數(shù)為9. 8、厚度為0. 6mm的氧化鋁。本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點，這種X波段薄膜衰減器適用的頻帶寬，在6GHz-18GHz頻帶范圍內衰減平坦度在0. 5dB以內，輸入、輸出端駐波比均小于0. 8，匹配良好，結構和制作簡單，易干與單片之間進行金絲鍵合。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型做進ー步說明。圖I為X波段薄膜衰減器的總體結構圖。圖2為X波段薄膜衰減器的等效電路圖。圖中標號I、介質基板 2、薄膜電阻Ra 3、薄膜電阻Rb 4、薄膜電阻Re5、金屬層6、接地孔7、電抗jXa 8、電抗jXb 9、電抗jXc10、微帶線寬度跳變區(qū) 11、輸入端ロ 12、輸出端ロ。
具體實施方式
例I如圖I所示，該X波段薄膜衰減器由介質基板I、薄膜電阻Ra2、薄膜電阻Rb3、薄膜電阻Rc4、金屬層5、接地孔6構成，薄膜電阻Ra2、薄膜電阻Rb3并排相連，其底部與薄膜電阻Rc4相連，三個薄膜電阻連接成T型結構，三個薄膜電阻和介質基板I的搭接面構成三個帶有金屬層5，搭接尺寸可調節(jié)的微帶線寬度跳變區(qū)10，介質基板I背面和接地孔6的全部都鍍有金屬層5。為了使衰減器工作在6GHz-18GHz的頻率范圍內，通過調節(jié)搭接區(qū)微帶線的尺寸來實現(xiàn)。薄膜電阻的阻值均為50歐姆/方，為了滿足耐功率要求，介質基板I的材料選用相對介電常數(shù)為9. 8、厚度為0. 6mm的氧化招。例2圖2所示的是該X波段薄膜衰減器的等效電路圖。其中的薄膜電阻Ra2、薄膜電阻Rb3、薄膜電阻Rc4和其與介質基板I的搭接處產生三個微帶線寬度跳變區(qū)10，微帶線的寬度跳變產生電抗jXa 7、電抗jXb8、電抗jXc9，三個附加電抗和三個薄膜電阻構成T型電路結構，薄膜電阻Ra2和電抗jXa 7串聯(lián)，薄膜電阻Rb3和電抗jXb 8串聯(lián)，薄膜電阻Rc4和電抗jXc 9串聯(lián)。信號從輸入端ロ 11輸入，從輸出端ロ 12輸出，產生一定分貝值的功率衰減，具備寬頻帶特性。
權利要求1.一種X波段薄膜衰減器，其特征是該X波段薄膜衰減器由介質基板(I)、薄膜電阻Ra (2)、薄膜電阻Rb (3)、薄膜電阻Re (4)、金屬層(5)、接地孔(6)構成，薄膜電阻Ra (2)、薄膜電阻Rb (3)并排相連，其底部與薄膜電阻Re (4)相連，三個薄膜電阻連接成T型結構，三個薄膜電阻和介質基板(I)的搭接面構成三個帶有金屬層(5)，搭接尺寸可調節(jié)的微帶線寬度跳變區(qū)(10 )，介質基板(I)背面和接地孔(6 )全部鍍有金屬層(5 )。
2.根據(jù)權利要求I所述X波段薄膜衰減器，其特征是薄膜電阻Ra(2)、薄膜電阻Rb(3)、薄膜電阻Re (4)阻值均為50歐姆/方。
3.根據(jù)權利要求I所述X波段薄膜衰減器，其特征是介質基板(I)選用相對介電常數(shù)為9. 8、厚度為O. 6mm的氧化招。
專利摘要本實用新型公開了一種X波段薄膜衰減器，其由介質基板、薄膜電阻Ra、薄膜電阻Rb、薄膜電阻Rc、金屬層、接地孔構成，薄膜電阻Ra、薄膜電阻Rb并排相連，其底部與薄膜電阻Rc相連，三個薄膜電阻連接成T型結構，三個薄膜電阻和介質基板的搭接面構成三個帶有金屬層，搭接尺寸可調節(jié)的微帶線寬度跳變區(qū)，介質基板背面和接地孔的全部鍍有金屬層。本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有以下優(yōu)點，這種X波段薄膜衰減器適用的頻帶寬，在6GHz-18GHz頻帶范圍內衰減平坦度在0.5dB以內，輸入、輸出端駐波比均小于0.8，匹配良好，結構和制作簡單，易于與單片之間進行金絲鍵合。
文檔編號H01P1/22GK202651325SQ20122035300
公開日2013年1月2日 申請日期2012年7月20日 優(yōu)先權日2012年7月20日
發(fā)明者王艷春, 惠鵬飛, 尚曉麗 申請人:齊齊哈爾大學