專利名稱：一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于變壓器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器。
(ニ)背景技術(shù)目前，現(xiàn)有的多晶硅打壓用干式單相變流變壓器多為非包封的単相普通干式變壓器，其存在的主要問題是1、防潮、防塵能力差；2、變壓器外觀不美觀；3、變壓器輸出電壓檔位少，不能滿足多晶硅打壓使用的要求；4、輸入側(cè)可控硅導(dǎo)通時(shí)，對(duì)輸出電壓的波形影響較大。
(三)實(shí)用新型內(nèi)容
·[0003]本實(shí)用新型的目的在于設(shè)計(jì)一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，它可以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，是ー種結(jié)構(gòu)簡單、運(yùn)行可靠、性能高的多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。本實(shí)用新型的技術(shù)方案一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于I個(gè)抽頭的低壓繞組以及不少于I個(gè)抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每ー個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元由隔離開關(guān)、熔斷器和雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述不少于I個(gè)抽頭的低壓繞組的一端與I個(gè)低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個(gè)抽頭的低壓繞組以及帶2個(gè)抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每ー個(gè)低壓繞組輸入單元由I個(gè)隔離開關(guān)、I個(gè)熔斷器和I組雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述低壓繞組的一端與I個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其3個(gè)抽頭分別與其它3個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入?yún)g元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。所述低壓繞組和高壓繞組是采用環(huán)氧樹脂澆注形式的繞組。所述靜電屏蔽層采用銅箔或者鋁箔。所述靜電屏蔽層通過下夾件接地。本實(shí)用新型的調(diào)壓方式①低壓繞組設(shè)置η個(gè)抽頭共η+1檔，每ー檔通過ー組包括雙向可控硅、熔斷器和隔離開關(guān)的低壓繞組単元與電源連接，接受外部電源發(fā)出的電壓信號(hào)；②高壓繞組設(shè)置m個(gè)抽頭共m+1檔使高壓輸出電壓的檔位增加m-Ι倍粗調(diào)時(shí)，閉合一路隔離開關(guān)，并使本支路雙向可控硅導(dǎo)通，本檔低壓繞組接通電源，對(duì)應(yīng)的高壓繞組有m+1種電壓輸出；此時(shí)，低壓側(cè)η+1擋輸出，高壓側(cè)有(n+1)* (m+1)擋輸出；@細(xì)調(diào)時(shí)，在滿足步驟③的基礎(chǔ)上，通過控制低壓繞組輸入單元每ー支路的雙向可控硅的導(dǎo)通角，就可在粗調(diào)高壓側(cè)輸出電壓的基礎(chǔ)上，對(duì)每擋電壓進(jìn)行調(diào)整，擴(kuò)大了電壓的調(diào)整范圍。本實(shí)用新型的工作原理低壓繞組設(shè)置了 η個(gè)抽頭共η+1檔，每ー檔通過雙向可控硅控制，這樣可方便的通過調(diào)整低壓檔位來控制高壓的輸出電壓；高壓繞組設(shè)置了 m個(gè)抽頭共m+1檔，這樣通過調(diào)整低壓檔位使高壓輸出電壓的檔位變成(n+1) * (m+1)擋輸出，更容易滿足多晶硅打壓過程的エ藝要求；閉合隔離開關(guān)通過控制每一路雙向可控硅的通斷，可以很方便的控制高壓輸出電壓；通過控制低壓繞組輸入單元每ー支路的雙向可控硅的導(dǎo)通角，可在(n+1) * (m+1)種輸出電壓的基礎(chǔ)上對(duì)姆一種輸出電壓進(jìn)行細(xì)調(diào)。本實(shí)用新型的優(yōu)越性在于1、高、低壓繞組通過采用環(huán)氧樹脂澆注的形 式，使得防潮、防塵能力及抗突發(fā)短路增強(qiáng)；2、變壓器外觀美觀、緊湊；3、變壓器低壓繞組、高壓繞組均采用帶抽頭形式，通過調(diào)整低壓檔位使輸出電壓檔位増加一倍，可以滿足多晶硅打壓使用的要求；4、通過采用靜電屏蔽層，使高、低壓繞組互相隔離，形成兩個(gè)獨(dú)立系統(tǒng)，以消除靜電耦合作用，減緩了低壓側(cè)可控硅導(dǎo)通(換擋)時(shí)對(duì)高壓側(cè)輸出電壓的影響，增強(qiáng)了設(shè)備運(yùn)行的可靠性。


圖I為本實(shí)用新型所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的高壓側(cè)外形圖。圖3是本實(shí)用新型所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的側(cè)面外形圖。其中，I為隔離開關(guān)；2為熔斷器；3為雙向可控硅開關(guān)；4為低壓繞組，5為靜電屏蔽層；6為鐵芯；7為高壓繞組；8為高壓繞組抽頭；a為變流變壓器輸入端子；x為變流變壓器輸入端子；al為低壓繞組端子；a2、a3、a4為低壓繞組抽頭；A、X為變流變壓器輸出端子；Al、Xl為高壓繞組抽頭輸出端子。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器(見圖I、圖2)是由鐵芯6、4個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層5、帶抽頭a2、抽頭a3及抽頭a4的3個(gè)抽頭的低壓繞組4以及帶2個(gè)抽頭8的高壓繞組7構(gòu)成；其中，所述每ー個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元由I個(gè)隔離開關(guān)1、1個(gè)熔斷器2和I組雙向可控硅開關(guān)3相互串聯(lián)組成；所述低壓繞組4的一端端子al與I個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)3 —端連接；低壓繞組抽頭a2、低壓繞組抽頭a3、低壓繞組抽頭a4分別與其它3個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸入端子X，且低壓繞組輸入?yún)g元中的隔離開關(guān)I的輸入端連接變流變壓器輸入端子a以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組7的輸出端子A和輸出端子X輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層5繞在低壓繞組4外層，且一端接地。所述低壓繞組4和高壓繞組7 (見圖I、圖3)是采用環(huán)氧樹脂澆注形式的繞組。所述靜電屏蔽層5 (見圖I、圖3)采用銅箔。[0019] 所述靜電屏蔽層5 (見圖I、圖3)通過下夾件接地 。
權(quán)利要求1.一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于I個(gè)抽頭的低壓繞組以及不少于I個(gè)抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每ー個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元由隔離開關(guān)、熔斷器和雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述不少于I個(gè)抽頭的低壓繞組的一端與I個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入?yún)g元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個(gè)抽頭的低壓繞組以及帶2個(gè)抽頭的高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每ー個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元由I個(gè)隔離開關(guān)、I個(gè)熔斷器和I組雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述低壓繞組的一端與I個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其3個(gè)抽頭分別與其它3個(gè)低壓繞組輸入?yún)g元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入?yún)g元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述低壓繞組和高壓繞組是采用環(huán)氧樹脂澆注形式的繞組。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述靜電屏蔽層采用銅箔或者鋁箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述靜電屏蔽層通過下夾件接地。
專利摘要一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，由鐵芯、不少于2個(gè)的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、低壓繞組以及高壓繞組構(gòu)成；其中，所述每一個(gè)低壓繞組輸入單元由隔離開關(guān)、熔斷器和雙向可控硅開關(guān)相互串聯(lián)組成；所述不少于1個(gè)抽頭的低壓繞組的一端與1個(gè)低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關(guān)一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關(guān)的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號(hào)；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號(hào)；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。是一種結(jié)構(gòu)簡單、運(yùn)行可靠、性能高的多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。
文檔編號(hào)H01F27/40GK202633005SQ201220236709
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月23日
發(fā)明者趙忠云, 劉培欣, 劉利艷, 韓輝, 周芳, 余曉斌, 李濤, 劉政 申請(qǐng)人:天津天能變壓器有限公司