專(zhuān)利名稱(chēng)：真空吸嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種配合吸氣裝置吸取物品的構(gòu)件，特別涉及ー種真空吸嘴。
背景技術(shù)：
目前現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴，如圖7所示，設(shè)有基板70及弾性體80，基板70設(shè)有呈軸向貫穿狀的吸氣孔71 ;弾性體80固設(shè)于基板70并設(shè)有呈軸向貫穿狀的通氣孔81。欲吸起晶片時(shí)，將吸氣裝置設(shè)于基板70的頂面，并將弾性體80抵在晶片的頂面，利用吸氣裝置將吸氣孔71及通氣孔81內(nèi)的空氣吸出而產(chǎn)生吸力，使得晶片能夠被吸起進(jìn)而運(yùn)送。其中，晶片被吸力吸引而朝基板70的方向位移，使得弾性體80被擠壓變形并貼覆于晶片。
然而，弾性體80的變形量不足，無(wú)法緊密地貼覆于晶片，導(dǎo)致外界的空氣會(huì)從晶片與弾性體80之間的微小縫隙進(jìn)入通氣孔81，吸力不足且吸氣效率不佳，晶片容易掉落，造成整個(gè)生產(chǎn)線(xiàn)停罷。另外，通氣孔81的直徑小，吸起氣流接觸于晶片的面積不大，不利于吸起晶片，也容易造成晶片掉落。因此，現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴實(shí)有改進(jìn)的必要。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴有關(guān)于弾性體無(wú)法緊密地貼覆于晶片，導(dǎo)致晶片容易掉落的不足與限制，本實(shí)用新型的目的在于提供ー種真空吸嘴，其弾性體增設(shè)第二層，該第ニ層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)ー步地貼覆晶片，阻隔外界空氣進(jìn)入，并使該第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度，増加吸起氣流接觸于晶片的面積，利于吸起晶片，十分實(shí)用。本實(shí)用新型所運(yùn)用的技術(shù)手段在于提供ー種真空吸嘴，包括有一基板，其設(shè)有ー呈軸向貫穿狀的吸氣孔；以及一弾性體，其固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一第一層及ー第二層，該第一層固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第一氣孔，該第一氣孔與該吸氣孔對(duì)齊并相通；該第二層固定結(jié)合于該第一層的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與該第一氣孔對(duì)齊并相通，其中，該第二氣孔的寬度大于該第一氣孔的寬度。所述的真空吸嘴，其中，該第一層的外徑大于該第二層的外徑，并在該第一層的底面異于該第二層之處形成有ー環(huán)面。所述的真空吸嘴，在該第一層的環(huán)形的底面以及在該第二層的環(huán)形的底面分別披覆形成ー環(huán)形的奈米鈦層。所述的真空吸嘴，其中，該第一氣孔的寬度大于該吸氣孔的寬度。本實(shí)用新型所提供的真空吸嘴，可以獲得的具體效益及功效改進(jìn)至少包括I.第二層的變形量提高貼覆效果由于本實(shí)用新型增設(shè)第二層，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，該第二層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)ー步貼覆晶片；更進(jìn)ー步地，使第二層的徑向厚度薄于第一層的徑向厚度，較薄的第二層更能被擠壓變形而貼覆于晶片。[0015]2.吸起氣流接觸于晶片的面積增加因?yàn)樵摰诙饪椎膶挾却笥诘谝粴饪椎膶挾?，所以本?shí)用新型的吸起氣流接觸于晶片的面積增加，因此能夠利于吸起晶片。3.避免吸入外界空氣而提高吸氣效率因?yàn)樵摰谝粚拥耐鈴酱笥诘诙拥耐鈴?，在第一層貼覆于晶片時(shí)，第一層能夠包圍已被擠壓的第二層，使得第二氣孔及第一氣孔內(nèi)空氣能夠充份地被吸走，并使外界的空氣不易穿過(guò)被擠壓的第一層及第二層而進(jìn)入第二氣孔及第一氣孔，因此能夠提高吸氣效率。4.奈米鈦層阻隔外界空氣本實(shí)用新型的第二實(shí)施例利用奈米鈦層進(jìn)一歩阻隔外界空氣進(jìn)入該第一氣孔及第ニ氣孔，進(jìn)ー步地提高吸氣效率。

圖I是本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例的立體外觀圖。
圖2是本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例的剖面圖。圖3是本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例的仰視圖。
圖4是本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例第二層的擠壓變形示意圖。圖5是本實(shí)用新型第一優(yōu)選實(shí)施例第一層與第二層的擠壓變形示意圖。圖6是本實(shí)用新型第二優(yōu)選實(shí)施例的剖面圖。圖7是現(xiàn)有技術(shù)真空吸嘴的剖面圖。附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明10基板11吸氣孔20弾性體21第一層211第一氣孔212環(huán)面22第二層221第二氣孔21A 第一層22A 第二層30A奈米鈦層C晶片70基板71吸氣孔80弾性體81通氣孔
具體實(shí)施方式
以下配合附圖及本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，進(jìn)ー步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段。本實(shí)用新型所提供的ー種真空吸嘴的優(yōu)選實(shí)施例，如圖I至圖3所示，包括有一基板10及一弾性體20等元件，其中如圖I至圖3所示，該基板10為ー塑膠制的圓盤(pán)體，該基板10設(shè)有ー呈軸向貫穿狀且為圓形的吸氣孔11，基板10為現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)件，在此不詳細(xì)描述。如圖I至圖3所示，該弾性體20為海綿制成并具有弾性，該弾性體20固設(shè)于該基板10的底面并設(shè)有一第一層21及一第二層22 ；該第一層21呈圓盤(pán)狀，該第一層21固設(shè)于該基板10的底面并設(shè)有ー呈圓形貫穿狀的第一氣孔211,該第一氣孔211與該吸氣孔11對(duì)齊并相通；優(yōu)選地，該第一氣孔211的直徑大于該吸氣孔11的直徑；[0039]該第二層22呈圓盤(pán)狀，該第二層22結(jié)合固定于該第一層21的底面，該第二層22可以一體連接于該第一層21，也可以粘貼于該第一層21，本實(shí)用新型對(duì)于第二層22連接于第一層21的方式不作特定的限制；該第二層22設(shè)有ー呈圓形貫穿狀的第二氣孔221 ;該第二氣孔221與該第一氣孔211對(duì)齊并相通，其中，該第二氣孔221的直徑大于該第一氣孔211的直徑。優(yōu)選地，該第一層21的外徑大于該第二層22的外徑,并于該第一層21的底面異于該第二層22之處形成ー環(huán)面212。如圖4所示，本實(shí)用新型在使用時(shí)，將圖中未示的吸氣裝置設(shè)于基板10的頂面，并將本實(shí)用新型的第二層22抵在晶片C的頂面，利用吸氣裝置將吸氣孔11、第一氣孔211及第二氣孔221內(nèi)的空氣吸出而產(chǎn)生吸力，使得晶片C能夠被吸起；其中，晶片C被吸力吸引而朝基板10的方向位移，使得弾性體20被擠壓變形。在 擠壓變形的過(guò)程中，第二層22產(chǎn)生變形并緊密貼覆于晶片C的頂面，并且，第一層21也被逐漸地?cái)D壓變形。如圖5所示，若是吸カ夠強(qiáng)，第一層21甚至能夠貼覆于晶片C的頂面并包圍已被擠壓的第二層22。由于本實(shí)用新型增設(shè)第二層22，因此第二層22產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)一歩貼覆晶片C，阻隔外界空氣進(jìn)入第二氣孔221 ；并且，本實(shí)用新型內(nèi)第二氣孔221的直徑大于第一氣孔211的直徑，所以本實(shí)用新型的吸起氣流接觸于晶片C的面積增加，因此能夠利于吸起晶片C ；更進(jìn)一歩地，由于第二氣孔221的直徑大于第一氣孔211的直徑且第ー層21的外徑大于第二層22的外徑，造成第二層22的徑向厚度薄于第一層21的徑向厚度，較薄的第ニ層22更能被擠壓變形而貼覆于晶片C ；其次，第一層21的外徑大于第二層22的外徑，在第一層21貼覆于晶片C時(shí)，第一層21能夠包圍已被擠壓的第二層22，使得第二氣孔221及第ー氣孔211內(nèi)空氣能夠充份地被吸走，并使外界的空氣不易穿過(guò)被擠壓的第一層21及第ニ層22而進(jìn)入第二氣孔221及第一氣孔211，因此能夠提高吸氣效率。本實(shí)用新型對(duì)于弾性體20、第一氣孔211及第ニ氣孔221的形狀不作特定的限制，只要第二氣孔221的寬度大于第一氣孔211的寬度即可。如圖6所示，本實(shí)用新型的第二優(yōu)選實(shí)施例實(shí)質(zhì)上與第一優(yōu)選實(shí)施例相同，其中，在該第一層21A的環(huán)形的底面以及在該第二層22A的環(huán)形的底面分別披覆形成ー環(huán)形的奈米鈦層30A。通過(guò)奈米鈦層30A進(jìn)ー步阻隔外界空氣進(jìn)入第一氣孔211及第ニ氣孔221，進(jìn)一步地提高吸氣效率。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型做任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以?xún)?yōu)選實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可以利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容作出些許改變或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種真空吸嘴，其特征在于，包含有 一基板，其設(shè)有一呈軸向貫穿狀的吸氣孔；以及 一彈性體，其固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一第一層及一第二層，該第一層固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第一氣孔，該第一氣孔與該吸氣孔對(duì)齊并相通；該第二層固定結(jié)合于該第一層的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與該第一氣孔對(duì)齊并相通，其中，該第二氣孔的寬度大于該第一氣孔的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的真空吸嘴，其特征在于，該第一層的外徑大于該第二層的外徑，并在該第一層的底面異于該第二層之處形成有一環(huán)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，在該第一層的環(huán)形的底面以及在該第二層的環(huán)形的底面分別披覆形成有一環(huán)形的奈米鈦層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的真空吸嘴，其特征在于，該第一氣孔的寬度大于該吸氣孔的寬度。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型關(guān)于一種真空吸嘴，包含有基板及彈性體，該基板設(shè)有呈軸向貫穿狀的吸氣孔；該彈性體固設(shè)于基板的底面并設(shè)有第一層及第二層，第一層固設(shè)于基板的底面并設(shè)有呈貫穿狀的第一氣孔，第一氣孔與該吸氣孔對(duì)齊并相通；該第二層固定結(jié)合于第一層的底面并設(shè)有呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與第一氣孔對(duì)齊并相通，其中，第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度；本實(shí)用新型在彈性體增設(shè)第二層，該第二層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)一步地貼覆晶片，阻隔外界空氣進(jìn)入，并使第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度，增加吸起氣流接觸于晶片的面積，利于吸起晶片，十分實(shí)用。
文檔編號(hào)H01L21/683GK202616218SQ20122022659
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月18日
發(fā)明者林盟彧 申請(qǐng)人:宏皓企業(yè)有限公司