專利名稱：散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置，尤指一種可緊夾于一記憶體模組上以對(duì)該記憶體模組的晶片提供良好散熱效果的散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有用于記憶體模組的散熱夾(例如中國(guó)臺(tái)灣專利第M300870號(hào)所揭露多款不同形式的散熱夾)，用以?shī)A住一記憶體模組，并與該記憶體模組的多個(gè)晶片直接接觸，使得該些晶片可通過(guò)該些散熱夾達(dá)到散熱的目的。圖14顯示上述專利所揭露的其中一種具有轉(zhuǎn)折的散熱夾9用于夾住一記憶體模組8的情形。該記憶體模組8的正面及背面各具有多個(gè)晶片80。該散熱夾9包括一頂面91、兩內(nèi)傾面92及兩互相平行的垂直段93。由于該兩垂直段93之間的距離Dl與該記憶體模組8的厚度W相等，且該兩連接段94之間的最大距離D3大于該兩垂直段93之間的距離Dl (即該記憶體模組8的厚度W)，以及該兩內(nèi)傾面92的上段Hl之間的間距部分大于該記憶體模組8的厚度W、部分等于該記憶體模組8的厚度W。因此，該兩垂直段93、該兩連接段94及該兩內(nèi)傾面92的上段H1，對(duì)整個(gè)散熱夾9而言都無(wú)法提供夾的力量，這使得該散熱夾9只能依靠該兩內(nèi)傾面92的下段H2部分，也就是該兩內(nèi)傾面92之間的距離小于該記憶體模組的厚度W的部分，將該記憶體模組8夾住，至于該散熱夾9的其他部分則是完全無(wú)法對(duì)該記憶體模組8起到任何夾持的作用，這使得該散熱夾9沒(méi)有夾緊該記憶體模組8，從而導(dǎo)致其散熱不良。此外，從制造方面來(lái)說(shuō)，由于該散熱夾9經(jīng)過(guò)該兩連接段94先向外彎折再連接該兩內(nèi)傾面92而向內(nèi)彎折，因此，該散熱夾9的成型模具在設(shè)計(jì)及制造上顯然會(huì)較為困難，從而需要耗費(fèi)較多的模具成本，事實(shí)上，以目前技術(shù)而言，這種特殊形狀的散熱夾，很難透過(guò)自動(dòng)化沖壓作業(yè)來(lái)制造。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是在于提供一種散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置，尤指一種可緊夾于一記憶體模組上以對(duì)該記憶體模組的晶片提供良好散熱效果的散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置。為此，本實(shí)用新型提出一種散熱夾，其包括一頂板及相互面對(duì)的兩側(cè)板。每一側(cè)板包括一頂段、一內(nèi)傾段及一導(dǎo)腳；其中，該兩側(cè)板的頂段分別延伸自該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜；該兩側(cè)板的內(nèi)傾段分別延伸自該兩頂段的底緣，并續(xù)向內(nèi)傾斜，使得該兩內(nèi)傾段與該兩頂段的交界處各形成一折線；該兩側(cè)板的導(dǎo)腳分別延伸自該兩內(nèi)傾段的底緣并向外傾斜。較佳地，本實(shí)用新型的散熱夾的每一側(cè)板的頂段更界定有一排通風(fēng)孔，用以提升其整體散熱效果。、[0009]較佳地，本實(shí)用新型的散熱夾，其中該頂板的底面為一平面，且該頂板的頂面具有一道筆直的壓痕，該壓痕平行于該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣。本實(shí)用新型還提供一種記憶體裝置，其包括一記憶體模組及上述散熱夾。該任一散熱夾的兩側(cè)板分別緊貼靠于位于該記憶體模組正面及背面的晶片上，且該任一散熱夾的頂板的相對(duì)側(cè)緣的距離與該記憶體模組 的厚度相等。較佳地，該散熱夾的折線的位置位于該記憶體模組的晶片的上緣到下緣之間。較佳地，該散熱夾的折線的位置位于該記憶體模組的晶片的上緣到下緣之間的距離的15% 40%之間的范圍內(nèi)。本實(shí)用新型還提供功能與上述散熱夾類似的另一種散熱夾，其包括一頂板及相互面對(duì)的兩側(cè)板。該頂板具有一頂面、一底面及兩相對(duì)側(cè)緣，該頂面具有一道筆直的壓痕，該壓痕平行于該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣，該底面為一平面。每一側(cè)板包括一內(nèi)傾段及一導(dǎo)腳；該兩側(cè)板的內(nèi)傾段分別延伸自該頂板的該兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜；該兩導(dǎo)腳分別延伸自該兩內(nèi)傾段的底緣并向外傾斜。較佳地，本實(shí)用新型的該另一種散熱夾的兩內(nèi)傾段分別界定一排通風(fēng)孔，用以提升其整體散熱效果。本實(shí)用新型更提供另一種記憶體裝置，其包括一記憶體模組及該另一種散熱夾，該另一種散熱夾夾住該記憶體模組，且其兩側(cè)板分別緊貼靠于位于該記憶體模組正面及背面的晶片上；其中，該散熱夾的頂板的相對(duì)側(cè)緣的距離與該記憶體模組的厚度相等。較佳地，該另一種記憶體裝置的散熱夾上的該兩內(nèi)傾段的各通風(fēng)孔的位置與該記憶體模組上的晶片相互錯(cuò)開(kāi)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的上述散熱夾具有較好的夾制效果，從而能夠緊夾住該記憶體模組以達(dá)到較佳的散熱效果。除此之外，本實(shí)用新型的上述散熱夾結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)易，可以自動(dòng)化沖壓作業(yè)來(lái)制造，以節(jié)省制造成本。

圖I為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的立體分解圖。圖2為該實(shí)施例的組合外觀圖。圖3為該較佳實(shí)施例的散熱夾的立體圖。圖4為該較佳實(shí)施例的散熱夾的剖面圖。圖5為該較佳實(shí)施例的剖面圖。圖6為本實(shí)用新型的散熱裝置的另一種散熱夾的立體圖。圖7為圖6的散熱夾的剖面圖。圖8為本實(shí)用新型的散熱夾的制造方法的流程圖。圖9為一平板的立體圖，該平板經(jīng)由該較佳實(shí)施例的沖孔作業(yè)而形成。圖10為一原型板的剖面圖，該原型板經(jīng)由該較佳實(shí)施例的第一彎折作業(yè)而形成。圖11為該較佳實(shí)施例的第二彎折作業(yè)示意圖。圖12為圖11的局部放大圖。圖13為本實(shí)用新型的散熱夾的另一種制造方法中的第一彎折作業(yè)所形成的另一原型板剖面圖。[0031]圖14為現(xiàn)有的散熱夾的剖面圖。主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明I記憶體裝置3記憶體模組30晶片301上緣302下緣5、6散熱夾51、61頂板510、610 壓痕53、63 側(cè)板531 頂段532 折線533、633 內(nèi)傾段535,635 導(dǎo)腳57、67 通風(fēng)孔50 間隙71平板711通風(fēng)孔72、73 原型板720、730 頂板722、732導(dǎo)腳75上模塊751脊部77下模塊8記憶體模組80晶片9散熱夾91頂面92內(nèi)傾面93垂直段94連接段
具體實(shí)施方式
為了對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
圖I及圖2為本實(shí)用新型的記憶體裝置的一較佳實(shí)施例示意圖。該記憶體裝置I包括一記憶體模組3及一散熱夾5。該記憶體模組3可為一雙列直插式記憶體模組(Dualin Line Memory Module,DIMM),其用于插置在一電腦主機(jī)板上的一記憶體插槽4上。該記憶體模組3的正面及背面各具有多個(gè)晶片30。該散熱夾5由具有彈性的導(dǎo)熱金屬片彎折成形，且包括一頂板51及兩側(cè)板53。該兩側(cè)板53分別自該頂板51的兩相對(duì)側(cè)緣向下延伸且相互面對(duì)。如圖2所示，該散熱夾5夾于該記憶體模組3上，通過(guò)該兩側(cè)板53分別緊貼該記憶體模組3上的晶片30，使得該些晶片30所產(chǎn)生的熱能夠傳送到該散熱夾5進(jìn)行散熱。參閱圖3及圖4顯示該散熱夾5的一個(gè)較佳例子。其中，該頂板51的底面為一平面，該頂板51的頂面具有一道筆直的壓痕510，該壓痕510大致平行于該頂板51的兩相對(duì)側(cè)緣，并位于該頂板51靠近中央的位置。此外，每一側(cè)板53包括一頂段531、一內(nèi)傾段533及一導(dǎo)腳535。該兩頂段531分別延伸自該頂板51的兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜。該兩內(nèi)傾段533分別延伸自該兩頂段531的底緣，并續(xù)向內(nèi)傾斜，使得每一內(nèi)傾段533與其相連的頂段531交界處形成有一折線532。該兩導(dǎo)腳535分別延伸自該兩內(nèi)傾段533的底緣并向外傾斜。另一方面，該兩側(cè)板53的頂段531更界定有多個(gè)通風(fēng)孔57。較佳地，在該散熱夾5組裝于該記憶體模組3后，該兩側(cè)板53的頂段531上的通風(fēng)孔57的位置會(huì)該記憶體模組3的晶片30相錯(cuò)開(kāi)，借以避免該些通風(fēng)孔57被該記憶體模組3的晶片30遮擋，如此，該散熱夾5就可以對(duì)該記憶體模組3提供更佳的散熱效果。參閱圖5，該兩頂段531分別與該頂板51相接處的距離D5大致與該記憶體模組3的厚度T相等。該兩頂段531底緣之間的距離D6略小于該記憶體模組3的厚度T。該兩內(nèi)傾段533底緣之間距離D7小于該兩頂段531底緣之間的距離D6，亦即小于該兩頂段531之間的距離D5及該記憶體模組3的厚度T。當(dāng)使用者在組裝時(shí)，只需將該散熱夾5中間的間隙50對(duì)準(zhǔn)該記憶體模組3，然后下壓該散熱夾5使其朝該記憶體模組3移動(dòng)。此時(shí)，通過(guò)該兩側(cè)板53的兩導(dǎo)腳535的導(dǎo)引，即可輕易地導(dǎo)引該記憶體模組3滑入該兩側(cè)板53之間的間隙50，如圖2所示。值得注意的是，該散熱夾5與該記憶體模組3組裝完成后，該散熱夾5的兩側(cè)板53會(huì)被該記憶體模組3向外撐開(kāi)，使得該兩頂段531從原本向內(nèi)略縮的狀態(tài)變成幾乎相互平行的狀態(tài)，且該兩內(nèi)傾段533亦從原本向內(nèi)傾斜的狀態(tài)變成幾乎沒(méi)有傾斜的狀態(tài)。由于該散熱夾5本身為具有彈性的導(dǎo)熱金屬片所制成，因此，當(dāng)該散熱夾5在被該記憶體模組3撐開(kāi)的同時(shí)，該兩頂段531及該兩內(nèi)傾段533都會(huì)蓄積向內(nèi)夾的彈力。而該散熱夾5便是通過(guò)該彈力緊夾住該記憶體模組3，使得該兩側(cè)板53能緊貼于該記憶體模組3上的該些晶片30。如此，該記憶體模組3上的每一晶片30就能通過(guò)緊貼靠于其上的該散熱夾5，快速地排解其運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱。·此外，當(dāng)該散熱夾5與該記憶體模組3組裝完成后，該折線532的位置介于該晶片30的上緣301與下緣302之間，以使得該散熱夾5的夾制效果較為理想。更進(jìn)一步言之，該折線532的位置較佳大致位于該晶片30的上半部，更確切地說(shuō)，位于從上緣到下緣的距離的15%至40%之間的范圍內(nèi)，例如，若該晶片30的上緣到下緣的距離為10mm，則該折線532的位置范圍的上界線A位于距該上緣301約I. 5mm處，該折線532的位置范圍的下界線B位于距該上緣301約4mm處。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的散熱夾5通過(guò)其兩頂段531及兩內(nèi)傾段533末端之間的距離D5、D6皆小于該記憶體模組3的厚度T的特性，將該記憶體模組3緊夾于其中。換言之，該散熱夾5的兩側(cè)板533的頂段531及內(nèi)傾段533，皆可對(duì)該記憶體模組3產(chǎn)生良子的夾制作用，從而達(dá)到較佳的夾制效果，如此，本實(shí)用新型的散熱夾5即能夠緊夾住該記憶體模組3以提供較佳的散熱效果。除此之外，本實(shí)用新型的散熱夾5的該兩內(nèi)傾段533分別從該兩頂段531 “直接”向內(nèi)傾斜，此種結(jié)構(gòu)使得本實(shí)用新型的散熱夾5的成型模具在制造上是較為簡(jiǎn)易且不需耗費(fèi)太多的開(kāi)模成本。圖6顯示本實(shí)用新型的記憶體裝置的另一種散熱夾6的立體圖。該散熱夾6用以取代上述的記憶體裝置中的散熱夾5。該散熱夾6包括一頂板61及兩側(cè)板63。參閱圖6及圖7,該散熱夾6的每一側(cè)板63僅包含一內(nèi)傾段633及一導(dǎo)腳635。該兩內(nèi)傾段633分別直接延伸自該頂板61的兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜。該兩導(dǎo)腳635分別延伸自該兩內(nèi)傾段633的底緣并向外傾斜。另一方面，該兩側(cè)板63的兩內(nèi)傾段633分別界定有多個(gè)通風(fēng)孔67。值得注意的是，在該散熱夾6結(jié)合到該記憶體模組3后，該散熱夾6的通風(fēng)孔67的位置會(huì)與該記憶體模組3的晶片30互相錯(cuò)開(kāi)，以提供更佳的散熱效果。此外，該頂板61的頂面形成有一壓痕610，該壓痕610大致平行于該頂板61的兩相對(duì)側(cè)緣，并位于該頂板61靠近中央的位置。圖8顯示本實(shí)用新型的散熱夾的制造方法的流程圖。該制造方法較佳通過(guò)連續(xù)沖壓模具以連續(xù)沖壓的方式執(zhí)行，但并不以此為限。該制造方法包括依序執(zhí)行的一裁切作業(yè)SI、一沖孔作業(yè)S2、一第一彎折作業(yè)S3、一第二彎折作業(yè)S4及一整形作業(yè)S5。如圖9所示，該裁切作業(yè)SI用以從一卷金屬料帶上裁切出具有預(yù)定輪廓的一平板71，該平板71的輪廓大致為矩形。該沖孔作業(yè)S2，用以在該平板71的預(yù)定位置形成多個(gè)通風(fēng)孔711。該第一彎折作業(yè)S3用以將該平板彎折成一原型板72，如圖10所示。該原型板72包括一頂板720及兩側(cè)板721。每一側(cè)板721包括一內(nèi)傾段723及一導(dǎo)腳722。該頂板720用于對(duì)應(yīng)形成上述散熱夾6中的頂板61。該兩側(cè)板721的內(nèi)傾段723分別延伸自該頂板720的兩相對(duì)側(cè)緣，該兩側(cè)板721的導(dǎo)腳722分別延伸自該兩內(nèi)傾段723。該兩側(cè)板721用于對(duì)應(yīng)形成上述散熱夾6的兩側(cè)板63。該第二彎折作業(yè)S4用以將該原型板72彎折成一雛形散熱夾。具體而言，如圖11所示，該第二彎折作業(yè)S4通過(guò)一上模塊75及一下模塊77緊夾住該原型板72的頂板720的中間，并通過(guò)兩側(cè)模塊(圖中未示)向下沖沖壓該兩側(cè)板721，以使該兩側(cè)板721往下彎折，而形成該雛形散熱夾。該雛形散熱夾的結(jié)構(gòu)大致與該散熱夾6相同，如圖6及圖7所示。該整形作業(yè)S5用以將該雛形散熱夾的兩側(cè)板往內(nèi)推，使該兩側(cè)板的內(nèi)傾段向內(nèi)傾斜，從而形成該散熱夾6。在該第二彎折作業(yè)S4的過(guò)程中，為了避免該原型板72在彎折的過(guò)程中位移，而造成所形成的雛形散熱夾的兩側(cè)板長(zhǎng)度不均的情形。故，如圖12所示，該上模塊75的底部形成有一脊部751，用以與該下模塊77共同牢固地夾壓住該原型板72，使其不易位移。值得注意的是，由于該上模塊75的脊部751的緊壓，而使得該雛形散熱夾的頂板61形成大致平行于該頂板61兩相對(duì)側(cè)緣的一壓痕610 (亦即上述散熱夾5、6上的壓痕)，且該壓痕610位于該頂板61靠近中央的位置，如圖6所示。本實(shí)用新型還提供了另一種散熱夾的制造方法，用以制造上述的另一種散熱夾5。該制造方法與上述的制造方法大致相同，均包括一裁切作業(yè)、一沖孔作業(yè)、一第一彎折作業(yè)、一第二彎折作業(yè)及一整形作業(yè)。其中，不同之處在于本實(shí)施例中的第一彎折作業(yè)用以將該平板彎折成一原型板73,如圖13所不,該原型板73包括一頂板730及兩側(cè)板733,每一側(cè)板733包括一頂段73la、一內(nèi)傾段731b及一導(dǎo)腳732，該兩側(cè)板733的內(nèi)傾段731b略向下彎折，使得該兩內(nèi)傾段731b與該兩頂段731a的交界處各形成一折線734。該兩側(cè)板733的導(dǎo)腳732略向上彎折。該頂板730用于對(duì)應(yīng)形成上述散熱夾5中的頂板51。該兩側(cè)板733用于對(duì)應(yīng)形成上述散熱夾5的兩側(cè)板53。接著，執(zhí)行該第二彎折作業(yè)，用以將該原型板73彎折成一雛形散熱夾，該雛形散熱夾包括該頂板730及相互面對(duì)的該兩側(cè)板733。然后，再執(zhí)行該整形作業(yè)，用以將該雛形散熱夾的兩側(cè)板往內(nèi)推，使得該雛形散熱夾的兩側(cè)板733的頂段731a向內(nèi)傾斜，從而形成上述的散熱夾5。以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的具體實(shí)施方式
，并非用以限定本實(shí)用新型的范圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作出的等同變化與修改，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。權(quán)利要求1.一種散熱夾，其特征在于，該散熱夾包括 一頂板； 相互面對(duì)的兩側(cè)板，每一所述側(cè)板包括一頂段、一內(nèi)傾段及一導(dǎo)腳； 其中，所述兩側(cè)板的頂段分別延伸自該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜；所述兩側(cè)板的內(nèi)傾段分別延伸自所述兩頂段的底緣，并續(xù)向內(nèi)傾斜，所述兩內(nèi)傾段與所述兩頂段的交界處各形成一折線；所述兩側(cè)板的導(dǎo)腳分別延伸自所述兩內(nèi)傾段的底緣并向外傾斜。
2.如權(quán)利要求I所述的散熱夾，其特征在于，每一所述側(cè)板的頂段更界定有一排通風(fēng)孔。
3.如權(quán)利要求I所述的散熱夾，其特征在于，該頂板的底面為一平面，且該頂板的頂面具有一道筆直的壓痕，該壓痕平行于該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣。
4.一種散熱夾，其特征在于，該散熱夾包括 一頂板，具有一頂面、一底面及兩相對(duì)側(cè)緣，該頂面具有一道筆直的壓痕，該壓痕平行于該頂板的兩相對(duì)側(cè)緣，該底面為一平面； 相互面對(duì)的兩側(cè)板，每一所述側(cè)板包括一內(nèi)傾段及一導(dǎo)腳；所述兩側(cè)板的內(nèi)傾段分別延伸自該頂板的所述兩相對(duì)側(cè)緣并向內(nèi)傾斜；所述兩導(dǎo)腳分別延伸自所述兩內(nèi)傾段的底緣并向外傾斜。
5.如權(quán)利要求4所述的散熱夾，其特征在于，所述兩內(nèi)傾段分別界定有一排通風(fēng)孔。
6.一種記憶體裝置，其特征在于，該記憶體裝置包括 一記憶體模組，其正面及背面各具有多個(gè)晶片； 如權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述的散熱夾，其夾住該記憶體模組，且該散熱夾的兩側(cè)板分別緊貼靠于位于該記憶體模組正面及背面的晶片上； 其中，該散熱夾的頂板的相對(duì)側(cè)緣的距離與該記憶體模組的厚度相等。
7.如權(quán)利要求6所述的記憶體裝置，其特征在于，該折線的位置位于該記憶體模組的晶片的上緣到下緣之間。
8.如權(quán)利要求6所述的記憶體裝置，其特征在于，該折線的位置位于該記憶體模組的晶片的上緣到下緣之間的距離的15% 40%之間的范圍內(nèi)。
9.一種記憶體裝置，其特征在于，該記憶體裝置包括 一記憶體模組，其正面及背面各具有多個(gè)晶片； 如權(quán)利要求4至5任一項(xiàng)所述的散熱夾，其夾住該記憶體模組，且該散熱夾的兩側(cè)板分別緊貼靠于位于該記憶體模組正面及背面的晶片上； 其中，該散熱夾的頂板的相對(duì)側(cè)緣的距離與該記憶體模組的厚度相等。
10.如權(quán)利要求9所述的記憶體裝置，其特征在于，所述兩內(nèi)傾段的各所述通風(fēng)孔的位置與該記憶體模組上的晶片相互錯(cuò)開(kāi)。
專利摘要本實(shí)用新型揭露一種用以?shī)A于一記憶體模組的散熱夾及使用該散熱夾的記憶體裝置。該散熱夾由一具彈性的金屬導(dǎo)熱片彎折而成，且包括一頂板及相互面對(duì)的兩側(cè)板。每一側(cè)板包括一頂段、一內(nèi)傾段及一導(dǎo)腳。兩側(cè)板的頂段分別延伸自頂板的兩相對(duì)側(cè)緣，且向內(nèi)傾斜。兩內(nèi)傾段分別延伸自兩頂段的底緣，且續(xù)向內(nèi)傾斜，使得兩內(nèi)傾段與兩頂段的交界處各形成一折線。兩導(dǎo)腳分別延伸自兩內(nèi)傾段的底緣，并向外傾斜。該記憶體裝置包括一記憶體模組及上述的散熱夾，記憶體模組的正面及背面各具有多個(gè)晶片，散熱夾夾住記憶體模組，且散熱夾的兩側(cè)板分別緊貼靠于位于記憶體模組正面及背面的晶片上；其中，散熱夾的頂板的相對(duì)側(cè)緣的距離與記憶體模組的厚度相等。
文檔編號(hào)H01L23/367GK202487560SQ20122002035
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
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