用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器（LCD）的陣列基板及其制造方法。用于液晶顯示器（LCD）的該陣列基板包括：基板，其包括：柵極、像素電極、和公共電極，形成于該基板上并連接到該柵極的柵襯墊，形成于該柵襯墊上的柵絕緣層，形成于該柵絕緣層上的第一保護(hù)層，形成于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層，形成于該第二保護(hù)層上并且通過(guò)將該柵襯墊暴露出來(lái)的第一接觸孔連接到該柵襯墊的第一金屬層，形成于該第一金屬層和該第二保護(hù)層上的第三保護(hù)層，和形成于該第三保護(hù)層上并且通過(guò)將該第一金屬層暴露出來(lái)的第二接觸孔連接到該第一金屬層的第二金屬層。
【專利說(shuō)明】用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器(IXD)，更具體地，涉及IXD的陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，一直在研發(fā)平面轉(zhuǎn)換型(IPS)IXD，在該IXD中，于上基板和下基板之一上交替布置多個(gè)電極，并且液晶定向于基板之間，由此顯示圖像。
[0003]通常，IPS LCD使用電場(chǎng)來(lái)調(diào)整具有介電各向異性的液晶的透光率，并由此顯示圖像。在此，將其中形成有濾色器陣列的濾色器基板和其中形成有薄膜晶體管(TFT)陣列的TFT基板結(jié)合在一起，使液晶夾于其間，由此形成IPS IXD。
[0004]TFT陣列基板包括TFT、像素電極和公共電極，它們形成于通過(guò)多條柵線和數(shù)據(jù)線的交叉而形成的多個(gè)液晶單元中的每一個(gè)內(nèi)。TFT響應(yīng)來(lái)自柵線的柵信號(hào)，將由相應(yīng)的數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換到像素電極上。像素電極接收來(lái)自TFT的數(shù)據(jù)信號(hào)，由此驅(qū)動(dòng)液晶，并且公共電極接收公共電壓，該公共電壓作為在驅(qū)動(dòng)液晶時(shí)作為數(shù)據(jù)電壓的擺動(dòng)基準(zhǔn)。在由像素電極的數(shù)據(jù)信號(hào)和公共電極的公共電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，液晶扭轉(zhuǎn)，因而調(diào)整透光率，由此實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)。
[0005]IPS IXD的TFT陣列基板包括TFT區(qū)、像素區(qū)、數(shù)據(jù)線區(qū)、柵襯墊區(qū)和數(shù)據(jù)襯墊區(qū)，并且可以進(jìn)一步包括多個(gè)使不同層電連接的接觸孔。然而，在現(xiàn)有技術(shù)的IPS IXD的陣列基板中，在通過(guò)接觸孔電連接不同層時(shí)會(huì)產(chǎn)生下層和中間層的損壞，特別是，這種故障在柵襯墊區(qū)出現(xiàn)的頻率很高。
[0006]以下將參照?qǐng)D1-圖6來(lái)描述會(huì)在現(xiàn)有技術(shù)的IXD的陣列基板的柵襯墊區(qū)中出現(xiàn)的故障。
[0007]圖1-圖5示出現(xiàn)有技術(shù)中制造LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)的方法的斷面圖。
[0008]首先，如圖1所示，在基板100上順序形成柵襯墊110、柵絕緣層120、第一鈍化層130和光丙烯酸層140。
[0009]接著，如圖2和圖3所不,在光丙烯酸層140上形成第一金屬層150,并在第一金屬層150上形成第二鈍化層160。
[0010]接著，如圖4所示，通過(guò)構(gòu)圖第二鈍化層160、第一鈍化層130和柵絕緣層120，形成用于暴露柵襯墊110的接觸孔180。
[0011]接著，如圖5所示，形成通過(guò)接觸孔180而連接到柵襯墊110的第二金屬層170。
[0012]然而，在制造LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)的現(xiàn)有技術(shù)工藝中，當(dāng)接觸孔很深或者堆疊的各層之間的臺(tái)階高度過(guò)高時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些故障。
[0013]參照?qǐng)D6A和6B具體描述這種故障。
[0014]圖6A是圖5的A部位的放大斷面圖，圖6B是圖5的B部位的放大斷面圖。
[0015]圖6A示出在通過(guò)構(gòu)圖第二鈍化層160、第一鈍化層130和柵絕緣層120而形成用于暴露柵襯墊Iio的接觸孔180，然后形成連接到柵襯墊110的第二金屬層170的工藝中，第二金屬層170斷連的斷面圖。如圖6A所示，當(dāng)柵襯墊110和第二金屬層170之間的臺(tái)階高度過(guò)高時(shí)，接觸孔180的深度變大，因而，不會(huì)一致地形成第二金屬層170，這導(dǎo)致第二金屬層170發(fā)生斷連。
[0016]圖6B示出在通過(guò)構(gòu)圖第二鈍化層160、第一鈍化層130和柵絕緣層120而形成用于暴露柵襯墊Iio的接觸孔180，然后形成連接到柵襯墊110的第二金屬層170的工藝中，柵襯墊110和第二金屬層170之間有缺陷性接觸的斷面圖。如圖6B所示，在形成接觸孔180的蝕刻工藝中，多個(gè)待蝕刻層很厚，因而，當(dāng)作為待蝕刻的最底層的柵絕緣層120沒(méi)有被完全蝕刻而留下殘余層時(shí)，由于柵絕緣層120的該殘余層之故，柵襯墊110和第二金屬層170之間不會(huì)產(chǎn)生接觸。
[0017]現(xiàn)有技術(shù)中的IXD的陣列基板的上述局限性如下。
[0018]首先，當(dāng)柵襯墊和第二金屬層之間的臺(tái)階高度過(guò)高時(shí)，為電連接?xùn)乓r墊和第二金屬層而形成的接觸孔的深度變大，因而，不能在接觸孔的表面上一致地形成第二金屬層，這導(dǎo)致第二金屬層的斷連。
[0019]第二，在形成接觸孔180的蝕刻工藝中，在柵襯墊和第二金屬層之間堆疊了很多的層，或者堆疊的層過(guò)厚，因而，當(dāng)作為待蝕刻的最底層的柵絕緣層120未被完全蝕刻，因而留下了殘余層時(shí)，由于柵絕緣層120的該殘余層之故，柵襯墊110和第二金屬層170不會(huì)產(chǎn)生接觸。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明的實(shí)施例涉及液晶顯示器的陣列基板及其制造方法。相應(yīng)地，本發(fā)明的實(shí)施例旨在提供一種LCD的陣列基板及其制造方法，其基本上克服了因現(xiàn)有技術(shù)的局限性和劣勢(shì)而造成的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。
[0021]這些實(shí)施例的目的是提供一種IXD的陣列基板，其中解決了第二金屬層在接觸孔表面的斷連問(wèn)題，并且防止了第二金屬層和柵襯墊之間因柵絕緣層的殘余層而產(chǎn)生的缺陷性接觸。
[0022]本公開(kāi)內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，部分將在隨后的描述中加以闡述，部分在研讀下面內(nèi)容之后對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)顯而易見(jiàn)，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而獲得啟示。本發(fā)明的這些目的和其它的優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)連同附圖所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)或者獲得。
[0023]為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它的優(yōu)點(diǎn)，以及根據(jù)本發(fā)明的目的，一方面，本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器(LCD)的陣列基板，包括:包括有柵極、像素電極和公共電極的基板，形成于該基板上并連接到該柵極的柵襯墊，形成于該柵襯墊上的柵絕緣層，形成于該柵絕緣層上的第一保護(hù)層，形成于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層，形成于該第二保護(hù)層上并且通過(guò)將該柵襯墊暴露出來(lái)的第一接觸孔而連接到該柵襯墊的第一金屬層，形成于該第一金屬層和該第二保護(hù)層上的第三保護(hù)層，和形成于該第三保護(hù)層上、并且通過(guò)將該第一金屬層暴露出來(lái)的第二接觸孔而連接到該第一金屬層的第二金屬層。
[0024]另一方面，本發(fā)明提供了一種制造用于液晶顯示器(IXD)的陣列基板的方法，該方法包括:在基板上形成柵襯墊；在該柵襯墊上形成柵絕緣層；在該柵絕緣層上形成第一保護(hù)層；在該第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層，以暴露出形成于對(duì)應(yīng)于該柵襯墊的位置處的該第一保護(hù)層；構(gòu)圖該柵絕緣層和該第一保護(hù)層，以形成暴露出該柵襯墊的第一接觸孔；在該第一接觸孔和該第二保護(hù)層上形成第一金屬層；在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上形成第三保護(hù)層；在該第三保護(hù)層上形成暴露出第一金屬層的第二接觸孔；并且形成通過(guò)該第二接觸孔連接到該第一金屬層的第二金屬層。
[0025]再一方面，本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器(IXD)的陣列基板，包括:基板；位于該基板上的像素區(qū)，該像素區(qū)包括:晶體管，其包括:柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，位于該晶體管上的第一保護(hù)層，位于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層，像素電極，該像素電極通過(guò)將該漏極暴露出來(lái)的第一接觸孔而連接到該漏極，完全覆蓋該像素電極和該第二保護(hù)層的第三保護(hù)層，和位于該第三保護(hù)層上的公共電極；位于該基板上的柵襯墊區(qū)，該柵襯墊區(qū)包括:柵襯墊、該柵絕緣層、該第一保護(hù)層、該第二保護(hù)層、第一金屬層、該第三保護(hù)層和該第二金屬層，其中該第一金屬層布置在該第二保護(hù)層上，并且通過(guò)將該柵襯墊暴露出來(lái)的第二接觸孔而連接到該柵襯墊，其中該第一金屬層包括與該像素電極相同的材料，并且布置在與該像素電極相同的層，其中該第三保護(hù)層布置在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上，其中該第二金屬層布置在該第三保護(hù)層上，并且通過(guò)將該第一金屬層暴露出來(lái)的該第二接觸孔連接到該第一金屬層，其中該第二金屬層連接到該第一金屬層，并且該第二金屬層電連接到該柵襯墊，并且其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且布置在與該公共電極相同的層。
[0026]又一方面，本發(fā)明提供了一種形成用于液晶顯示器(IXD)的陣列基板的方法，包括:形成基板；在該基板上形成像素區(qū)，形成該像素區(qū)包括:形成晶體管，包括:形成柵極、形成源極、形成漏極、形成有源層和形成柵絕緣層，在該晶體管上形成第一保護(hù)層，在該第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層，形成像素電極，該像素電極通過(guò)將該漏極暴露出來(lái)的第一接觸孔連接到該漏極，形成完全覆蓋該像素電極和該第二保護(hù)層的第三保護(hù)層，并且在該第三保護(hù)層上形成公共電極；在該基板上形成柵襯墊區(qū)，形成該柵襯墊區(qū)包括:形成柵襯墊，在該柵襯墊上形成該柵絕緣層，在該柵絕緣層上形成該第一保護(hù)層，在該第一保護(hù)層上形成該第二保護(hù)層，在該第二保護(hù)層上形成第一金屬層，在該第一金屬層上形成該第三保護(hù)層，并且在該第三保護(hù)層上形成該第二金屬層，其中該第一金屬層布置在該第二保護(hù)層上，并且通過(guò)將該柵襯墊暴露出來(lái)的第二接觸孔連接到該柵襯墊，其中該第一金屬層包括與該像素電極相同的材料，并且與該像素電極同時(shí)形成，其中該第三保護(hù)層布置在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上，其中該第二金屬層布置在該第三保護(hù)層上，并且通過(guò)將該第一金屬層暴露出來(lái)的該第二接觸孔連接到該第一金屬層，其中該第二金屬層連接到該第一金屬層，并且該第二金屬層電連接到該柵襯墊，并且其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且與該公共電極同時(shí)形成。
[0027]應(yīng)理解的是，前面一般性的描述和后面具體的描述都是示例性和解釋性的，本發(fā)明旨在對(duì)要求保護(hù)的發(fā)明實(shí)施例提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說(shuō)明書(shū)而組成說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖圖示本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)文字一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理
[0029]圖1-圖5示出現(xiàn)有技術(shù)的制造LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)的方法的斷面圖。
[0030]圖6A是圖5的A部位的放大斷面圖。[0031]圖6B是圖5的B部位的放大斷面圖。
[0032]圖7示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的斷面圖。
[0033]圖8示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的斷面圖。
[0034]圖9-圖14示出制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)的方法的斷面圖。
[0035]貫穿附圖和具體描述，除非另有指出，否則相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、解釋和方便起見(jiàn)，這些元件的相對(duì)尺寸和標(biāo)示可能被擴(kuò)大。
【具體實(shí)施方式】
[0036]現(xiàn)在將具體描述本發(fā)明的實(shí)施例，其例子在附圖中示出。在下面的描述中，當(dāng)確定對(duì)相對(duì)于本文件而言是公知功能或者配置的具體描述會(huì)不必要地模糊本發(fā)明的主旨時(shí)，將省略該具體描述。所描述的工藝步驟和/或操作的過(guò)程是一個(gè)例子；然而，步驟和/或操作的順序不限于在此所述，除了必須以一定順序而進(jìn)行的步驟和/或操作之外，可以如本領(lǐng)域所已知的那樣做出改變。全文相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。在下面的解釋中所使用的各個(gè)元件的名稱僅僅是為了方便說(shuō)明書(shū)的撰寫(xiě)而選擇的，因而可以不同于實(shí)際產(chǎn)品中使用的那些名稱。
[0037]在對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中，當(dāng)一個(gè)結(jié)構(gòu)被描述為形成于另一結(jié)構(gòu)上/下時(shí)，應(yīng)該將該描述理解為包括這些結(jié)構(gòu)彼此接觸的情形，以及其間夾有第三結(jié)構(gòu)的情形。
[0038]以下參照附圖7和圖8具體描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板。
[0039]圖7示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的斷面圖。
[0040]如圖7所示，在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板中，作為多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的多個(gè)TFT可以布置為矩陣型，并且相應(yīng)地連接到這些TFT的多條柵線(未示出)和相應(yīng)地連接到這些TFT的多條數(shù)據(jù)線(未示出)可以形成為相互交叉?？梢栽跂啪€一端形成柵襯墊210，而可以在數(shù)據(jù)線的一端形成數(shù)據(jù)襯墊215。
[0041]柵襯墊210和數(shù)據(jù)襯墊215可以各自接觸用于直接接收外部信號(hào)的第二金屬層。
[0042]由柵線和數(shù)據(jù)線的交叉而限定出的像素區(qū)P可以包括基板200、TFT、第一保護(hù)層230、第二保護(hù)層240、像素電極251、第三保護(hù)層260和公共電極271。
[0043]TFT可以作為像素區(qū)P內(nèi)開(kāi)關(guān)元件而形成在基板200上，并且可以包括柵極211、源極212、漏極213、有源層214和柵絕緣層220。在一個(gè)例子中，基板200可以由玻璃或者透明塑料形成。
[0044]如圖7所示，一個(gè)實(shí)施例中的TFT可以具有其中柵極211形成于有源層214下的底柵結(jié)構(gòu)，或者可以具有其中柵極211形成于有源層214上的頂柵結(jié)構(gòu)。
[0045]第一保護(hù)層230可以形成于TFT上，用以保護(hù)TFT，并且可以形成作為鈍化層。第二保護(hù)層240可以形成于第一保護(hù)層230上，并且可以由例如光丙烯酸(PAC)形成。第一和第二保護(hù)層230、240可以由相同或者不同的材料形成。
[0046]像素電極251可以形成于第二保護(hù)層240上，并且可以通過(guò)可暴露出漏極213的接觸孔而連接到漏極213。在一個(gè)例子中，像素電極251可以由透明導(dǎo)體如氧化錫銦(ITO)形成。
[0047]第三保護(hù)層260可以形成于像素電極251和第二保護(hù)層240上，并且可以形成作為鈍化層。
[0048]公共電極271可以形成于第三保護(hù)層260上，并且可以由諸如ITO的透明導(dǎo)體形成。
[0049]接著，柵襯墊區(qū)GP可以包括基板200、柵襯墊210、柵絕緣層220、第一保護(hù)層230、第二保護(hù)層240、第一金屬層250、第三保護(hù)層260和第二金屬層270。
[0050]柵襯墊210可以形成于基板200上，并且可以通過(guò)與柵極211相同的工藝，由與柵極211相同的材料形成。柵絕緣層220、第一保護(hù)層230和第二保護(hù)層240可以形成于柵襯墊210上。在一個(gè)例子中，第一保護(hù)層230可以形成作為鈍化層，而第二保護(hù)層240可以由光丙烯酸形成。第二保護(hù)層240可以形成于第一保護(hù)層230上，以使對(duì)應(yīng)于柵襯墊210的一部分第二保護(hù)層240可以被貫通。
[0051]第一金屬層250可以形成于第二保護(hù)層240上，并且可以通過(guò)暴露出柵襯墊210的接觸孔連接到柵襯墊210。在一個(gè)例子中，第一金屬層250可以通過(guò)與像素電極251相同的工藝，由與像素電極251相同的材料形成。
[0052]第三保護(hù)層260可以形成于第一金屬層250和第二保護(hù)層240上，并且可以形成作為鈍化層。
[0053]第二金屬層270可以形成于第三保護(hù)層260上，并且可以通過(guò)暴露出第一金屬層250的接觸孔連接到第一金屬層250。此外，第二金屬層270可以連接到第一金屬層250，第一金屬層250可以連接到柵襯墊210，并且第二金屬層270可以電連接到柵襯墊210。在一個(gè)例子中，第二金屬層270可以通過(guò)與公共電極271相同的工藝，由與公共電極271相同的材料形成。
[0054]在一個(gè)例子中，通過(guò)在第一接觸孔280的內(nèi)部區(qū)域形成第一金屬層250，可以將第一金屬層250用作在柵襯墊210和第二金屬層270之間的連線。當(dāng)因?yàn)闆](méi)有在柵襯墊210上形成第一金屬層250而將使接觸孔形成于柵襯墊210的表面時(shí)，柵襯墊210會(huì)因過(guò)蝕刻而受損。
[0055]此外，第一金屬層250可以額外地形成在柵襯墊210和第二金屬層270之間，因而，可以降低柵襯墊210和第二金屬層270之間的臺(tái)階高度，解決如圖6B所示的現(xiàn)有技術(shù)中第二金屬層270的斷連問(wèn)題。
[0056]此外，數(shù)據(jù)襯墊區(qū)DP可以包括基板200、柵絕緣層220、數(shù)據(jù)襯墊215、第一保護(hù)層230、第二保護(hù)層240、第三保護(hù)層260和第二金屬層270。
[0057]數(shù)據(jù)襯墊215可以形成于柵絕緣層220上，并且可以通過(guò)與源極212和漏極213相同的工藝，由與源極212和漏極213相同的材料形成。第一至第三保護(hù)層230、240和260可以形成于數(shù)據(jù)襯墊215上。在一個(gè)例子中，第一和第三保護(hù)層230和260可以形成作為鈍化層，而第二保護(hù)層240可以由光丙烯酸形成。第二保護(hù)層可以240形成于第一保護(hù)層230上，以使對(duì)應(yīng)于柵襯墊210的一部分第二保護(hù)層240可以被貫通。
[0058]第二金屬層270可以形成于第三保護(hù)層260上，并且通過(guò)可暴露出數(shù)據(jù)襯墊215的接觸孔連接到數(shù)據(jù)襯墊215。在一個(gè)例子中，第二金屬層270可以通過(guò)與公共電極271相同的工藝，由與公共電極271相同的材料形成。
[0059]圖8示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的斷面圖。
[0060]在圖8中，像素電極251和公共電極271可以以不同于圖7所示的堆疊順序形成于像素區(qū)P內(nèi)。也即，根據(jù)圖8的例子，公共電極271可以形成于第二保護(hù)層上，而像素電極251可以形成于第三保護(hù)層260上。以這種方式，像素電極251可以形成在比公共電極271位置更高的位置，并且可以通過(guò)接觸孔連接到漏極213.[0061]除了這種配置不同之外，圖8的例子與圖7的例子相同，因而，不再提供對(duì)柵襯墊區(qū)GP和數(shù)據(jù)襯墊區(qū)DP的各自描述。
[0062]以下參照?qǐng)D9-圖14具體描述根據(jù)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)。此夕卜，在下面的描述中，用于說(shuō)明下述像素電極和公共電極的附圖參照?qǐng)D7和圖8。
[0063]圖9-圖14示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于LCD的陣列基板的柵襯墊區(qū)的制造方法的斷面圖。
[0064]首先，如圖9所示，可以在基板200上形成柵襯墊210，然后可以在柵襯墊210上順序形成柵絕緣層220、第一保護(hù)層230和第二保護(hù)層240。在一個(gè)例子中，第一保護(hù)層230可以形成作為鈍化層，并且第二保護(hù)層240可以由光丙烯酸形成。作為一個(gè)例子，可以將第二保護(hù)層240形成于第一保護(hù)層230上，使得可暴露出形成于與柵襯墊210對(duì)應(yīng)的位置處的第一保護(hù)層。
[0065]接著，如圖10所示，可以通過(guò)構(gòu)圖柵絕緣層220和第一保護(hù)層230而形成暴露出柵襯墊210的第一接觸孔280。例如，可以在第二保護(hù)層240上涂敷光刻膠，并且可以通過(guò)曝光和顯影工藝形成光刻膠圖案。接著，可以以該光刻膠圖案蝕刻?hào)沤^緣層220和第一保護(hù)層230而形成暴露出柵襯墊210的第一接觸孔280。
[0066]接著，如圖11所示，可以在第一接觸孔280和第二保護(hù)層240上形成第一金屬層250。第一金屬層250可以形成于非接觸孔區(qū)域的第二保護(hù)層240上以及第一接觸孔280的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)?？尚纬捎诘诙Ｗo(hù)層240上的非第一接觸孔280區(qū)域的第一金屬層250以及可形成于第一接觸孔的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的第一金屬層250可以通過(guò)同一工藝，由相同的材料形成。
[0067]在一個(gè)例子中，可以將可形成于第二保護(hù)層240上的非第一接觸孔區(qū)域的第一金屬層250用作電極，而將可形成于第一接觸孔280的內(nèi)部區(qū)域的第一金屬層250用作柵襯墊210和另一金屬層之間的連線。
[0068]換句話說(shuō)，可以將可形成于第二保護(hù)層240上的非第一接觸孔區(qū)域的第一金屬層250用作像素電極或者公共電極?？尚纬捎诘谝唤佑|孔280的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的第一金屬層250可以形成在柵襯墊210上,并且可以用作額外形成于柵襯墊210和在第一金屬層250上的另一金屬層之間的連線。
[0069]接著，如圖12所示，可以在第一金屬層250和第二保護(hù)層240上形成第三保護(hù)層260。在一個(gè)例子中，第三保護(hù)層260可以形成作為鈍化層。
[0070]接著，如圖13所示，可以通過(guò)構(gòu)圖第三保護(hù)層260而形成暴露出形成于第一接觸孔280內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的第一金屬層250的第二接觸孔290。例如，可以在第三保護(hù)層260上涂敷光刻膠，并且可以通過(guò)曝光和顯影工藝形成光刻膠圖案。接著，可以以該光刻膠圖案蝕刻第三保護(hù)層260而形成暴露出形成于第一接觸孔280內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的第一金屬層250的第二接觸孔290。
[0071 ] 接著，如圖14所示，可以在第二接觸孔290和第三保護(hù)層260上形成第二金屬層270?？梢詫⒌诙饘賹?70用作像素電極或者公共電極。[0072]作為一個(gè)例子，當(dāng)將形成于第二保護(hù)層240上的非第一接觸孔區(qū)域的第一金屬層250用作像素電極時(shí)，可以將第二金屬層270用作公共電極。當(dāng)將形成于第二保護(hù)層240上的非第一接觸孔區(qū)域的第一金屬層250用作公共電極時(shí)，可以將第二金屬層270用作像素電極。
[0073]以這種方式，如圖11-圖14所示，通過(guò)在第一接觸孔280的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)也形成第一金屬層250,可以將該第一金屬層250柵襯墊210和第二金屬層270之間的連線。當(dāng)因?yàn)榈谝唤饘賹?50沒(méi)有形成在柵襯墊210上而要使接觸孔形成于柵襯墊210的表面時(shí)，柵襯墊210可因過(guò)蝕刻而受損。
[0074]此外，根據(jù)這些實(shí)施例，當(dāng)接觸孔較深時(shí)，可以通過(guò)實(shí)施兩次打孔工藝而形成該接觸孔，因而，可以除去沒(méi)能通過(guò)一次工藝而被蝕刻掉而留下的下部殘余層。
[0075]此外，可以在柵襯墊210和第二金屬層270之間額外地形成第一金屬層250，因而，可以降低柵襯墊210和第二金屬層270之間的臺(tái)階高度，而解決圖6B所示的現(xiàn)有技術(shù)中的第二金屬層270的斷連問(wèn)題。
[0076]在本說(shuō)明書(shū)中，僅僅描述了用于LCD的陣列基板的制造方法中形成第二電極層的工藝，但是實(shí)施例的技術(shù)構(gòu)思和范圍并不限于此?？梢詫?shí)施形成公共電極的工藝，并且之后可以進(jìn)一步實(shí)施制造集成有觸摸屏的顯示設(shè)備的工藝。
[0077]根據(jù)實(shí)施例，在用于LCD的陣列基板及其制造方法中，可以在柵襯墊和第二金屬層之間額外地形成第一金屬層，因而，可以降低柵襯墊和第二金屬層之間的臺(tái)階高度，而解決如圖6B現(xiàn)有技術(shù)所示的第二金屬層的斷連。
[0078]此外，根據(jù)實(shí)施例，在用于IXD的陣列基板及其制造方法中，當(dāng)接觸孔較深時(shí)，可以通過(guò)實(shí)施兩次打孔工藝而形成該接觸孔，因而，可以除去未能通過(guò)一次工藝被蝕刻掉而留下的下部殘余層。
[0079]此外，根據(jù)實(shí)施例，在用于IXD的陣列基板及其制造方法中，甚至可以在第一接觸孔的內(nèi)部區(qū)域形成第一金屬層，因而可以將其用作柵襯墊和第二金屬層之間的連線。
[0080]對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然，在本發(fā)明的實(shí)施例中可以進(jìn)行各種修改和變化，而不脫離本發(fā)明的精神或者范圍。因而，本發(fā)明意在覆蓋這些修改和變化，只要它們落在所附的權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
[0081]上面已經(jīng)描述了多個(gè)例子。盡管如此，但是可以理解的是，可以作出各種修改。例如，如果所述技術(shù)以不同的順序?qū)嵤?或如果所述系統(tǒng)、構(gòu)架、設(shè)備或者電路中的組件以不同的方式組合在一起和/或被其它組件或者它們的等同物所代替或者增補(bǔ)，那么可以獲得合適的效果。因而，其它實(shí)施落在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器的陣列基板，包括: 基板，包括:柵極；像素電極；和公共電極； 形成于該基板上，并連接到該柵極的柵襯墊； 形成于該柵襯墊上的柵絕緣層； 形成于該柵絕緣層上的第一保護(hù)層； 形成于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層； 形成于該第二保護(hù)層上的第一金屬層，通過(guò)暴露出該柵襯墊的第一接觸孔，連接到該柵襯墊； 形成于該第一金屬層和該第二保護(hù)層上的第三保護(hù)層；和 形成于該第三保護(hù)層上的第二金屬層，通過(guò)暴露出該第一金屬層的第二接觸孔，連接到該第一金屬層。
2.如權(quán)利要求 1所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第一金屬層形成于與該像素電極相同的平面內(nèi)；以及 該第二金屬層形成于與該公共電極相同的平面內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第一金屬層形成于與該公共電極相同的平面內(nèi)；以及 該第二金屬層形成于與該像素電極相同的平面內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第一金屬層由與該像素電極相同的材料形成；以及 該第二金屬層由與該公共電極相同的材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第一金屬層由與該公共電極相同的材料形成；以及 該第二金屬層由與該像素電極相同的材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的陣列基板，其中該第二接觸孔形成于該第一接觸孔區(qū)域內(nèi)。
7.—種制造液晶顯示器的陣列基板的方法，該方法包括: 在基板上形成柵襯墊； 在該柵襯墊上形成柵絕緣層； 在該柵絕緣層上形成第一保護(hù)層； 在該第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層，以暴露出在對(duì)應(yīng)于該柵襯墊的位置處形成的第一保護(hù)層； 構(gòu)圖該柵絕緣層和該第一保護(hù)層，以形成暴露出該柵襯墊的第一接觸孔； 在該第一接觸孔和該第二保護(hù)層上形成第一金屬層； 在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上形成第三保護(hù)層； 在該第三保護(hù)層上形成第二接觸孔，該第二接觸孔暴露出第一金屬層；以及 形成第二金屬層，其通過(guò)該第二接觸孔連接到該第一金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第二接觸孔形成于該第一接觸孔區(qū)域內(nèi)。
9.一種液晶顯示器的陣列基板，包括: 基板；位于該基板上的像素區(qū)，該像素區(qū)包括: 晶體管，包括: 柵極； 源極； 漏極； 有源層；和 柵絕緣層； 位于該晶體管上的第一保護(hù)層； 位于該第一保護(hù)層上的第二保護(hù)層； 像素電極，該像素電極通過(guò)暴露出該漏極的第一接觸孔連接到該漏極； 完全覆蓋該像素電極和該第二保護(hù)層的第三保護(hù)層；和 位于該第三保護(hù)層上的公共電極； 位于該基板上的柵襯墊區(qū)，該柵襯墊區(qū)包括: 柵襯墊； 該柵絕緣層； 該第一保護(hù)層； 該第二保護(hù)層； 第一金屬層; 該第三保護(hù)層；和 該第二金屬層， 其中該第一金屬層布置在該第二保護(hù)層上，并且通過(guò)暴露出該柵襯墊的第二接觸孔而連接到該柵襯墊， 其中該第一金屬層包括與該像素電極相同的材料，并且布置在與該像素電極相同的層， 其中該第三保護(hù)層布置在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上， 其中該第二金屬層布置在該第三保護(hù)層上，并且通過(guò)暴露出該第一金屬層的該第二接觸孔而連接到該第一金屬層， 其中該第二金屬層連接到該第一金屬層，并且該第二金屬層電連接到該柵襯墊，以及 其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且布置在與該公共電極相同的層。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，還包括:位于該基板上的數(shù)據(jù)襯墊區(qū)，該數(shù)據(jù)襯墊區(qū)包括: 該柵絕緣層； 布置在該柵絕緣層上的數(shù)據(jù)襯墊，并且包括與該源極和該漏極相同的材料，與該源極和該漏極處于同一層； 該第一保護(hù)層； 該第二保護(hù)層； 該第三保護(hù)層；和 該第二金屬層。
11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其中該第二保護(hù)層形成于該第一保護(hù)層上，以使對(duì)應(yīng)于該柵襯墊的一部分該第二保護(hù)層被貫通。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第二金屬層布置在該第三保護(hù)層上；以及 該第二金屬層通過(guò)暴露出該數(shù)據(jù)襯墊的第三接觸孔而連接到該數(shù)據(jù)襯墊。
13.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且與該公共電極處于同一層。
14.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器的陣列基板，其中: 該第一金屬層布置在該第一接觸孔的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；以及 該第一金屬層包括位于該柵襯墊和該第二金屬層之間的連線。
15.一種形成用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括: 形成基板； 在該基板上形成像素區(qū)，形成該像素區(qū)包括: 形成晶體管，包括: 形成柵極； 形成源極； 形成漏 極； 形成有源層；和 形成柵絕緣層； 在該晶體管上形成第一保護(hù)層； 在該第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層； 形成像素電極，該像素電極通過(guò)暴露出該漏極的第一接觸孔連接到該漏極； 形成完全覆蓋該像素電極和該第二保護(hù)層的第三保護(hù)層；以及 在該第三保護(hù)層上形成公共電極； 在該基板上形成柵襯墊區(qū)，形成該柵襯墊區(qū)包括: 形成柵襯墊； 在該柵襯墊上形成該柵絕緣層； 在該柵絕緣層上形成該第一保護(hù)層； 在該第一保護(hù)層上形成該第二保護(hù)層； 在該第二保護(hù)層上形成第一金屬層； 在該第一金屬層上形成該第三保護(hù)層；以及 在該第三保護(hù)層上形成該第二金屬層， 其中該第一金屬層布置在該第二保護(hù)層上，并且通過(guò)暴露出該柵襯墊的第二接觸孔而連接到該柵襯墊， 其中該第一金屬層包括與該像素電極相同的材料，并且與該像素電極同時(shí)形成， 其中該第三保護(hù)層布置在該第一金屬層和該第二保護(hù)層上， 其中該第二金屬層布置在該第三保護(hù)層上，并且通過(guò)暴露出該第一金屬層的該第二接觸孔而連接到該第一金屬層， 其中該第二金屬層連接到該第一金屬層，并且該第二金屬層電連接到該柵襯墊，以及其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且與該公共電極同時(shí)形成。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括:在該基板上形成數(shù)據(jù)襯墊區(qū)，形成該數(shù)據(jù)襯墊區(qū)包括: 形成該柵絕緣層； 在該柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)襯墊，該數(shù)據(jù)襯墊包括與該源極和該漏極同時(shí)形成的相同的材料； 在該數(shù)據(jù)襯墊上形成該第一保護(hù)層； 在該第一保護(hù)層上形成該第二保護(hù)層； 在該第二保護(hù)層上形成該第三保護(hù)層；以及 在該第三保護(hù)層上形成該第二金屬層。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中將該第二保護(hù)層形成于該第一保護(hù)層上，以使對(duì)應(yīng)于該柵襯墊的一部分該第二保護(hù)層被貫通。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中: 將該第二金屬層形成于該第三保護(hù)層上；以及 將該第二金屬層通過(guò)暴露出 該數(shù)據(jù)襯墊的第三接觸孔而連接到該數(shù)據(jù)襯墊。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第二金屬層包括與該公共電極相同的材料，并且與該公共電極同時(shí)形成。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中: 將該第一金屬層形成于第一接觸孔的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；以及 該第一金屬層形成該柵襯墊和該第二金屬層之間的連線。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103454819SQ201210562533
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月31日
【發(fā)明者】禹允煥, 李宣姃 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司