專利名稱：一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法。
背景技術(shù)：
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料除了具有較寬的禁帶寬度外，還具有高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率等優(yōu)點(diǎn)。因此，以SiC材料制備的電力電子器件具有更高的耐壓容量、電流密度和工作頻率，可在高頻、高溫環(huán)境中工作，可靠性高、適合苛刻的工作環(huán)境等。因此，基于SiC材料的新一代電力電子器件已成為電力電子技術(shù)最為重要的發(fā)展方向，在軍事和民事領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。在SiC的二極管中，肖特基結(jié)構(gòu)的顯著優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快，屬于多數(shù)載流子器件，沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，但在高電壓下肖特基勢(shì)壘退化、反向漏電流大，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高耐壓器件。 與肖特基結(jié)構(gòu)比較起來(lái)，PiN器件具有更高的耐壓，但是反向恢復(fù)時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，正向壓降相對(duì)較大。而結(jié)勢(shì)壘肖特基結(jié)構(gòu)(JBS)，是將肖特基和PiN結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起的一種器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘排除隧穿電流對(duì)最高阻斷電壓的限制，結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。JBS結(jié)構(gòu)相比于肖特基器件，反向模式下泄漏電流更低，阻斷電壓高。因此，在高速、高耐壓的SiC 二極管領(lǐng)域，JBS器件具有極大的優(yōu)勢(shì)。為了緩解表面終止的結(jié)邊緣處的電場(chǎng)集中，提高器件的實(shí)際擊穿電壓，需要對(duì)器件進(jìn)行結(jié)終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。其結(jié)構(gòu)主要包括場(chǎng)板(FP)、場(chǎng)限環(huán)(FLR)、結(jié)終端延伸(JTE)等結(jié)構(gòu)。其中，結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)(JTE)在SiC電力電子器件結(jié)構(gòu)中具有非常廣泛的應(yīng)用。在SiC的JBS器件的制備中，為了使肖特基金屬下的各P區(qū)之間的K區(qū)域充分耗盡，P區(qū)的濃度一般為IO18CnT3數(shù)量級(jí)，標(biāo)記為P+區(qū)；而P型JTE區(qū)存在一個(gè)優(yōu)值濃度，該優(yōu)值濃度與N—漂移層的濃度有關(guān)，一般為IO17cnT3數(shù)量級(jí)，標(biāo)記為P—區(qū)。通常，為了制備具有結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)的SiCJBS器件，需要在制備工藝中進(jìn)行兩次不同劑量的Al離子注入，分別形成具有不同濃度的P+區(qū)和P.區(qū)，其工藝難度和工藝成本相對(duì)較高。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法，以在提高器件的擊穿電壓的同時(shí)降低工藝難度和工藝成本。( 二 )技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，該SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括=N+-SiC襯底；形成于該N+-SiC襯底之上的同型『^(外延層；形成于該N--SiC外延層上的肖特基金屬接觸；形成于該肖特基金屬接觸之下N_區(qū)域中的P型區(qū)；形成于該肖特基金屬接觸邊緣處的一fP_型環(huán)，該P(yáng)_型環(huán)作為結(jié)終端延伸(JTE)區(qū)域；形成于該P(yáng).型環(huán)上的η個(gè)P+型環(huán)，η > 2 ;形成于該η個(gè)P+型環(huán)間的SiO2鈍化層；以及形成于該N+-SiC襯底背面的N型歐姆接觸。上述方案中，所述P型區(qū)位于肖特基金屬接觸下及肖特基結(jié)邊緣處，是通過(guò)Al離子注入形成的，該P(yáng)型區(qū)的濃度沿外延層表面向外延層體內(nèi)方向不同，分別標(biāo)記為P+區(qū)和P-區(qū)。所述P+區(qū)和P—區(qū)是通過(guò)一次離子注入的工藝形成的。上述方案中，所述η個(gè)P+型環(huán)是通過(guò)刻蝕形成的，各P+型環(huán)間呈等間距或不等間距分布。所述P+型環(huán)寬的范圍為5至ΙΟμ ，環(huán)間距的范圍為3至8μπι。上述方案中，所述肖特基金屬接觸之下N—區(qū)域中的P型區(qū)間距的范圍為3至6 μ m，·P型區(qū)寬度的為2至5μπι。上述方案中，所述Si02_化層的厚度為O. 5至Ιμπι。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，該方法包括步驟10、在N+-SiC襯底上外延生長(zhǎng)N__SiC層；步驟20、在N__SiC外延層上制備P+和P_區(qū)，在P__JTE區(qū)制備P+環(huán)；步驟30、在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸；步驟40、通過(guò)熱氧化和PECVD的方法，在已完成P+和P_區(qū)的N__SiC外延層上淀積鈍化層SiO2 ;步驟50、在鈍化層SiO2上旋涂光刻膠后，通過(guò)光刻形成肖特基接觸圖案，腐蝕鈍化層SiO2開孔后，再采用電子束沉積生長(zhǎng)金屬Ni，金屬剝離后，完成器件的制備。上述方案中，所述步驟10包括在摻雜濃度為IO18至IO19CnT3水平的N+-SiC襯底正面利用CVD方法外延N_-SiC層，其摻雜劑量為6 X IO1W,厚度為25 μ m。上述方案中，所述步驟20包括步驟201、在N__SiC外延層上生長(zhǎng)Ti/Ni金屬層作為Al離子注入的阻擋層；步驟202、在40(TC溫度下，在SiC外延層上進(jìn)行Al離子注入，獲得從SiC外延層表面向體內(nèi)Al離子為高劑量和低劑量依次箱形分布的離子注入?yún)^(qū)；步驟203、利用刻蝕工藝，將JTE上部分區(qū)域的高劑量Al離子注入?yún)^(qū)部分去除；步驟204、在1500°C至1700°C溫度范圍內(nèi)，在惰性氣體氛圍中，進(jìn)行SiC的Al離子注入后的激活退火，獲得P+和P_區(qū)，以及在P_-JTE區(qū)的P+環(huán)。上述方案中，步驟202中所述Al離子注入的能量為30kev至550kev。所述注入的能量包括 30keV、70keV、100keV、136keV、150keV、215keV、307keV、412keV 和 550keV ；所述能量的注入劑量分別為 2 X IO1W2,2. 6 X IO1W2,3. 5 X IO1W2,6. SXlO1W2,5. 2 X IO1W2,7. 7X 1013cm_2、9X 1013cm_2、l. 02 X IO1W2 和1. 67 X IO1W20上述方案中，所述步驟30包括步驟301、在N+-SiC襯底上背面生長(zhǎng)Ni金屬；步驟302、在900°C至1000°C溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火，在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸。(三)有益效果本發(fā)明實(shí)施例提出的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管制作方法具有以下有益效果1、本發(fā)明由于采用改進(jìn)后的終端結(jié)構(gòu)，能夠降低器件表面的峰值電場(chǎng)，有利于提高器件的擊穿電壓；
2、本發(fā)明采用的一次Al離子注入結(jié)合刻蝕的方法，避免了多次Al離子注入，器件制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，在提高器件的擊穿電壓的同時(shí)降低了工藝難度和工藝成本。


圖1是現(xiàn)有通過(guò)一次Al離子注入制備的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的剖面圖；圖2是依照本發(fā)明實(shí)施例的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的剖面圖；圖3 (a)和圖3 (b)分別是利用仿真軟件對(duì)圖1所示結(jié)構(gòu)的器件和圖2所示結(jié)構(gòu)的器件在相同反偏壓下器件表面及體內(nèi)的電場(chǎng)分布的模擬結(jié)果；圖4是依照本發(fā)明實(shí)施例的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的反向1-V特性曲線模擬仿真圖；
圖5是依照本發(fā)明實(shí)施例的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。針對(duì)采用兩次不同劑量的Al離子注入分別形成具有不同濃度的P+區(qū)和P—區(qū)時(shí)工藝難度和工藝成本相對(duì)較高的問(wèn)題，可利用一次Al離子注入同時(shí)形成P+和P—兩個(gè)區(qū)域，然后通過(guò)刻蝕的方法將JTE區(qū)域的P+區(qū)去除，從而形成具有P_的JTE區(qū)域，如圖1所示。本發(fā)明在圖1所示的通過(guò)一次Al離子注入制備的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，改進(jìn)其終端結(jié)構(gòu)，不僅在器件的制備中只需要一次Al離子注入，而且利用該終端結(jié)構(gòu)有利于進(jìn)一步提高器件的擊穿電壓。目前，這種結(jié)構(gòu)未見(jiàn)報(bào)道，在SiC 二極管中亦無(wú)應(yīng)用實(shí)例。如圖2所示，圖2是依照本發(fā)明實(shí)施例的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的剖面圖，該SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括=N+-SiC襯底；形成于該N+-SiC襯底之上的同型N_-SiC外延層；形成于該^(外延層上的肖特基金屬接觸；形成于該肖特基金屬接觸之下及肖特基結(jié)邊緣處N_區(qū)域中的P型區(qū)，且是通過(guò)Al離子注入形成的，該P(yáng)型區(qū)的濃度沿外延層表面向外延層體內(nèi)方向不同，分別標(biāo)記為P+區(qū)和P—區(qū)；形成于該肖特基金屬接觸邊緣處的一個(gè)
型環(huán)，該P(yáng).型環(huán)作為結(jié)終端延伸(JTE)區(qū)域；形成于該P(yáng)_型環(huán)上的η個(gè)P+型環(huán)，η彡2 ;形成于該η個(gè)P+型環(huán)間的SiO2鈍化層；以及形成于該N+-SiC襯底背面的N型歐姆接觸。其中，所述P+區(qū)和Ρ_區(qū)是通過(guò)一次離子注入的工藝形成的，所述η個(gè)P+型環(huán)是通過(guò)刻蝕形成的，各P+型環(huán)間呈等間距或不等間距分布；Ρ+型環(huán)寬的經(jīng)典值范圍為5至10 μ m，環(huán)間距經(jīng)典值范圍為3至8 μ m。所述肖特基金屬接觸之下N_區(qū)域中的P型區(qū)間距經(jīng)典值范圍為3至6 μ m，P型區(qū)寬度經(jīng)典值為2至5 μ m。所述SiO2鈍化層的厚度為O. 5至I μ m0該SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的特點(diǎn)是通過(guò)刻蝕使Γ的JTE區(qū)上部包含有P+環(huán)，這種結(jié)構(gòu)比起只具有P__JTE的器件，能夠進(jìn)一步降低肖特基結(jié)邊緣處表面峰值電場(chǎng)，從而有利于提高器件的擊穿電壓。為了便于比較，圖3(a)和圖3(b)分別給出了利用仿真軟件對(duì)圖1所示結(jié)構(gòu)的器件和圖2所示結(jié)構(gòu)的器件在相同反偏壓下器件表面及體內(nèi)的電場(chǎng)分布的模擬結(jié)果。
在模擬中，結(jié)合器件制備的實(shí)際情況，P—-JTE區(qū)域的濃度設(shè)置稍低于優(yōu)值濃度。其中，注入?yún)^(qū)總深度為O. 8um，其中P+區(qū)域深度為O. 2um。圖3 (a)和圖3(b)分別給出了在相同反偏壓下上述兩種器件中O. 21um和O. 8um處的電場(chǎng)分布。從圖3(a)和圖3(b)中可以看到，JTE上部各P+環(huán)的出現(xiàn)，使得器件中電場(chǎng)呈多個(gè)電場(chǎng)峰出現(xiàn)，從而有效降低了器件中的峰值電場(chǎng)強(qiáng)度。圖4給出了圖3(a)和圖3(b)所示兩種結(jié)構(gòu)器件的反向擊穿特性，從圖4中可以看到該結(jié)構(gòu)的應(yīng)用有效提高器件的擊穿電壓。基于圖2所示的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，圖5示出了依照本發(fā)明實(shí)施例的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟10、在N+-SiC襯底上外延生長(zhǎng)N__SiC層。在摻雜濃度為IO18至IO19CnT3水平的N+-SiC襯底正面利用CVD方法外延N__SiC層，其摻雜水平為6 X 1015cnT3，厚度為25 μ m。步驟20、在^(外延層上制備P+和P—區(qū)，在P__JTE區(qū)制備P+環(huán)。該步驟具體 如下步驟201、在N--SiC外延層上生長(zhǎng)Ti/Ni金屬層作為Al離子注入的阻擋層；步驟202、在400°C溫度下，利用能量為30kev至550kev的Al離子，在SiC外延層上進(jìn)行離子注入，獲得從SiC外延層表面向體內(nèi)Al離子為高劑量和低劑量依次箱形分布的離子注入?yún)^(qū)；A1離子注入的能量為30kev至550kev ;所述注入的能量包括30keV、70keV、lOOkeV、136keV、150keV、215keV、307keV、412keV 和 550keV ;所述能量的注入劑量分別為 2X1014cm_2、2. 6X1014cm_2、3. 5X IO1W2,6. 5X IO1W2,5. 2X IO1W2,7. 7X1013cnT2、9 X 1013cnT2、1. 02 X IO14CnT2 和1. 67 X IO14CnT2 ；步驟203、利用刻蝕工藝，將JTE上部分區(qū)域的高劑量Al離子注入?yún)^(qū)部分去除；步驟204、在1500°C至1700°C溫度范圍內(nèi)，在惰性氣體氛圍(例如，氬氣)中，進(jìn)行Si2C的Al離子注入后的激活退火，獲得P+和P_區(qū)，以及在P__JTE區(qū)的P+環(huán)。步驟30、在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸。該步驟具體如下步驟301、在N+-SiC襯底上背面生長(zhǎng)Ni金屬；步驟302、在900°C至1000°C溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火，在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸。步驟40、通過(guò)熱氧化和PECVD的方法，在已完成P+和P_區(qū)的N__SiC外延層上淀積鈍化層Si02。步驟50、在鈍化層SiO2上旋涂光刻膠后，通過(guò)光刻形成肖特基接觸圖案，腐蝕鈍化層SiO2開孔后，再采用電子束沉積生長(zhǎng)金屬Ni，金屬剝離后，完成器件的制備。最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上具體實(shí)施方式
僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，該SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括 N+-SiC 襯底； 形成于該N+-SiC襯底之上的同型N_-SiC外延層； 形成于該『^(外延層上的肖特基金屬接觸； 形成于該肖特基金屬接觸之下N—區(qū)域中的P型區(qū)； 形成于該肖特基金屬接觸邊緣處的一個(gè)P_型環(huán)，該P(yáng)_型環(huán)作為結(jié)終端延伸(JTE)區(qū)域； 形成于該p_型環(huán)上的η個(gè)P+型環(huán)，η彡2 ; 形成于該η個(gè)P+型環(huán)間的SiO2鈍化層；以及 形成于該N+-SiC襯底背面的N型歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述P型區(qū)位于肖特基金屬接觸下及肖特基結(jié)邊緣處，是通過(guò)Al離子注入形成的，該P(yáng)型區(qū)的濃度沿外延層表面向外延層體內(nèi)方向不同，分別標(biāo)記為P+區(qū)和Ρ_區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述P+區(qū)和Ρ_區(qū)是通過(guò)一次離子注入的工藝形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述η個(gè)P+型環(huán)是通過(guò)刻蝕形成的，各P+型環(huán)間呈等間距或不等間距分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述P+型環(huán)寬的范圍為5至10 μ m,環(huán)間距的范圍為3至8 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基金屬接觸之下N_區(qū)域中的P型區(qū)間距的范圍為3至6 μ m，P型區(qū)寬度的為2至5 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，其特征在于，所述SiO2鈍化層的厚度為O. 5至I μ m。
8.一種制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于，該方法包括 步驟10、在N+-SiC襯底上外延生長(zhǎng)N--SiC層； 步驟20、在N--SiC外延層上制備P+和Γ區(qū)，在P^JTE區(qū)制備P+環(huán)； 步驟30、在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸； 步驟40、通過(guò)熱氧化和PECVD的方法，在已完成P+和P_區(qū)的N_-SiC外延層上淀積鈍化層 SiO2 ； 步驟50、在鈍化層SiO2上旋涂光刻膠后，通過(guò)光刻形成肖特基接觸圖案，腐蝕鈍化層SiO2開孔后，再米用電子束沉積生長(zhǎng)金屬Ni,金屬剝尚后，完成器件的制備。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于，所述步驟10包括 在摻雜濃度為IO18至IO19CnT3水平的N+-SiC襯底正面利用CVD方法外延N__SiC層，其摻雜劑量為6 X IO1W,厚度為25 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于，所述步驟20包括 步驟201、在N_-SiC外延層上生長(zhǎng)Ti/Ni金屬層作為Al離子注入的阻擋層； 步驟202、在40(TC溫度下，在SiC外延層上進(jìn)行Al離子注入，獲得從SiC外延層表面向體內(nèi)Al離子為高劑量和低劑量依次箱形分布的離子注入?yún)^(qū)； 步驟203、利用刻蝕工藝，將JTE上部分區(qū)域的高劑量Al離子注入?yún)^(qū)部分去除； 步驟204、在1500°C至1700°C溫度范圍內(nèi)，在惰性氣體氛圍中，進(jìn)行SiC的Al離子注入后的激活退火，獲得P+和P_區(qū)，以及在P__JTE區(qū)的P+環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于，步驟202中所述Al離子注入的能量為30kev至550kev。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于， 所述注入的能量包括 30keV、70keV、100keV、136keV、150keV、215keV、307keV、412keV和 550keV ； 所述能量的注入劑量分別為 2X IO1W2,2. 6X IO1W2,3. 5X IO1W2,6. 5X1014cnT2、5.2 X IO1W2,7. 7X 1013cm_2、9X 1013cm_2、l. 02 X IO1W2 和1. 67 X IO1W20
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的方法，其特征在于，所述步驟30包括 步驟301、在N+-SiC襯底上背面生長(zhǎng)Ni金屬； 步驟302、在900°C至1000°C溫度范圍內(nèi)，在真空環(huán)境或惰性氣體氛圍中進(jìn)行快速熱退火，在N+-SiC襯底上背面形成N+-SiC的歐姆接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制作方法，該SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括N+-SiC襯底；形成于該N+-SiC襯底之上的同型N--SiC外延層；形成于該N--SiC外延層上的肖特基金屬接觸；形成于該肖特基金屬接觸之下N-區(qū)域中的P型區(qū)；形成于該肖特基金屬接觸邊緣處的一個(gè)P-型環(huán)，該P(yáng)-型環(huán)作為結(jié)終端延伸區(qū)域；形成于該P(yáng)-型環(huán)上的n個(gè)P+型環(huán)，n≥2；形成于該n個(gè)P+型環(huán)間的SiO2鈍化層；以及形成于該N+-SiC襯底背面的N型歐姆接觸。本發(fā)明提出的SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管，能夠降低器件表面的峰值電場(chǎng)，有利于提高器件的擊穿電壓，且通過(guò)一次Al離子注入結(jié)合刻蝕的方法，避免了多次Al離子注入，器件制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H01L29/872GK103000698SQ20121048346
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者白云, 劉可安, 申華軍, 湯益丹, 王弋宇, 韓林超, 劉新宇, 李誠(chéng)瞻, 史晶晶 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所, 株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司