磁芯、繞線架及變壓器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁芯、繞線架及變壓器。磁芯包括基座以及固設(shè)于基座上的中柱、第一邊柱和第二邊柱，基座上設(shè)有至少一個(gè)基座理線空間。本發(fā)明的繞線架包括中空筒體和連接在中空筒體上的第一葉片和第二葉片，第一葉片和/或第二葉片設(shè)有至少一個(gè)與磁芯上的至少一個(gè)基座理線空間相對(duì)應(yīng)的繞線架開口。本發(fā)明變壓器包括本發(fā)明的磁芯和繞線架。本發(fā)明的變壓器，由于內(nèi)層繞組引出線不會(huì)占用繞線架窗口寬度，因此，一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組之間的屏蔽效果好、耦合效果好，漏感少；同時(shí)也減小了同一批次中各個(gè)產(chǎn)品的分布電容的個(gè)體差異，從而使各個(gè)產(chǎn)品基本達(dá)到一致性的要求。
【專利說明】磁芯、繞線架及變壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于功率變換器的磁芯、繞線架及變壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]很多傳統(tǒng)的變壓器磁芯，中柱在基座平面上所處的位置都是位于基座平面的內(nèi)部。應(yīng)用了這一類型磁芯的變壓器，內(nèi)層繞組的引出線會(huì)干涉金屬箔屏蔽層和外層繞組的繞制，從而影響變壓器的屏蔽效果和耦合效果。下面將以PJ型磁芯為例進(jìn)行具體說明。
[0003]參照?qǐng)D1A和圖1B。圖1A是傳統(tǒng)PJ型磁芯的立體圖，圖1B是圖1A的俯視圖。傳統(tǒng)的PJ型磁芯10主要包括:一中柱11、一第一邊柱12、一第二邊柱13、一圓環(huán)形空間15和一基座14。其中，中柱11具有一中柱外壁111 ;第一邊柱12具有一第一邊柱內(nèi)壁121和一第一邊柱外壁122 ;第二邊柱13具有一第二邊柱內(nèi)壁131和一第二邊柱外壁132 ;圓環(huán)形空間15由第一邊柱內(nèi)壁121、第二邊柱內(nèi)壁131和中柱外壁111包圍構(gòu)成，圓環(huán)形空間15具有一第一磁芯開口 16和一第二磁芯開口 17,第一磁芯開口 16和第二磁芯開口 17分別設(shè)于該第一邊柱12和該第二邊柱13之間，該第一磁芯開口 16與該第二磁芯開口 17用于供變壓器線圈繞組兩端的引出線伸出；基座14設(shè)于該圓環(huán)形空間15的底部，并連接該第一邊柱12、該第二邊柱13和該中柱11。其中，第一邊柱內(nèi)壁121和第二邊柱內(nèi)壁131落在同一圓柱上，第一邊柱外壁122和第二邊柱外壁132落在同一圓柱上。也就是說第一邊柱內(nèi)壁121及第二邊柱內(nèi)壁131在基座14所在平面上的投影為一個(gè)圓上的兩段圓弧；同樣，第一邊柱外壁122及第二邊柱外壁132在基座14所在平面上的投影為一個(gè)圓上的兩段圓弧。第一磁芯開口 16在第一邊柱12和第二邊柱13之間的距離定義為第一磁芯開口寬度W1，第二磁芯開口 17在第一邊柱12和第二邊柱13之間的距離定義為第二磁芯開口寬度W2(見圖1B)。此形狀磁芯有以下優(yōu)點(diǎn):首先，其中柱11為圓柱形，相較于面積相等的正方體形中柱的磁芯，其繞線的平均匝長短，線圈繞組損耗低；其次，環(huán)形空間15為圓環(huán)形狀，更適合于擺放圓筒形線圈繞組，可以提高該空間的利用率；再者，其第一邊柱和第二邊柱為圓環(huán)型，相對(duì)于傳統(tǒng)EC型磁性，占用空間會(huì)更小。
[0004]參照?qǐng)D2A和圖2B。圖2A和圖2B分別為與圖1A和圖1B所示的PJ型磁芯結(jié)構(gòu)相匹配的繞線架結(jié)構(gòu)的立體圖和主視圖。該傳統(tǒng)的繞線架20主要包括:一第一葉片21、一第二葉片22以及一圓筒23，并且該圓筒23連接該第一葉片21和該第二葉片22。該第一葉片21與該第二葉片22平行，如圖2B所示，該第一葉片21與該第二葉片22之間的垂直距離定義為窗口寬度M。線圈繞組繞設(shè)于該圓筒23上，并且在窗口寬度M范圍之間。
[0005]參照?qǐng)D3A、圖3B和圖3C。圖3A表示的是應(yīng)用了圖1A、圖1B所示磁芯和圖2A、圖2B所示繞線架的變壓器結(jié)構(gòu)，該傳統(tǒng)變壓器包括一第一磁芯10a、一第二磁芯10b、一繞線架20以及線圈繞組30。第一磁芯IOa的中柱、第二磁芯IOb的中柱設(shè)置于繞線架的圓筒23內(nèi)。線圈繞組30包括一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組，它們繞制于繞線架20的窗口寬度M范圍之內(nèi)。圖3B為沿著圖3A的A-A線作的剖面圖。圖3C為圖3A所示的變壓器的電路原理圖。該變壓器的線圈繞組30包括一一次側(cè)繞組31、一二次側(cè)繞組32和一金屬箔屏蔽層33，其中該一次側(cè)繞組31具有一第一引出線31A和一第二引出線31B ;該二次側(cè)繞組32具有一第一引出線32A和一第二引出線32B ;該金屬箔屏蔽層33繞設(shè)于該一次側(cè)繞組31和該二次側(cè)繞組32之間。該變壓器應(yīng)用于各類開關(guān)電源結(jié)構(gòu)時(shí)，比如反激式變換器、正激式變換器等，一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間都會(huì)存在電壓跳變，因此會(huì)產(chǎn)生位移電流，該位移電流流入大地，就形成共模噪音。金屬箔屏蔽層33用于屏蔽一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的電場耦合，以期減小共模噪音。
[0006]在以上描述的傳統(tǒng)變壓器中，一次側(cè)繞組31的第一引出線31A和第二引出線31B沿著繞線架20的第二葉片22從第一磁芯開口 16 (見圖1B)引出。兩根引出線占用了繞線架的窗口寬度M，這會(huì)帶來以下幾個(gè)負(fù)面影響:其一，金屬箔屏蔽層33的最大寬度受到限制，金屬箔屏蔽層33需要避讓引出線，因此，其寬度不能盡可能地接近繞線架窗口寬度M，從而影響了一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的屏蔽效果；其二，第一引出線31A和第二引出線31B的存在會(huì)影響外層的二次側(cè)繞組32的排布，使二次側(cè)繞組32不能均勻地繞設(shè)于整個(gè)繞線架的窗口寬度M，這樣一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的耦合效果會(huì)變差，漏感會(huì)增加；其三，由于金屬箔屏蔽層33的寬度和外層的二次側(cè)繞組的寬度都小于繞線架的窗口寬度M,因此在繞制時(shí)，金屬箔屏蔽層或者二次側(cè)繞組在繞線架窗口寬度M方向上的位置有一定的隨意性，或者偏上，或者偏下，在批量生產(chǎn)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致同一批次的各個(gè)產(chǎn)品的一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的屏蔽效果或者說分布電容個(gè)體差異較大，一致性得不到保證，而該分布電容的一致性對(duì)于EMI濾波器等器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)是非常重要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為解決傳統(tǒng)技術(shù)的問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠避免一次側(cè)繞組的引出線影響金屬箔屏蔽層的寬度，并方便二次側(cè)繞組繞線的磁芯；
[0008]本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠避免一次側(cè)繞組的引出線影響金屬箔屏蔽層的寬度，并方便二次側(cè)繞組繞線的繞線架；
[0009]本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種能夠提高一次側(cè)繞組與二次側(cè)繞組之間的耦合效果，并減少漏感的變壓器。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0011]本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，包括一基座以及固設(shè)于所述基座上的一中柱、一第一邊柱和一第二邊柱。其中所述第一邊柱的第一邊柱內(nèi)壁、所述第二邊柱的第二邊柱內(nèi)壁以及所述中柱的中柱外壁包圍構(gòu)成一用于容置繞線架和/或繞組的環(huán)形空間。所述環(huán)形空間具有相對(duì)布置的一第一磁芯開口和一第二磁芯開口。所述第一磁芯開口在所述第一邊柱與所述第二邊柱之間的距離為第一磁芯開口寬度。所述第二磁芯開口在所述第一邊柱與所述第二邊柱之間的距離為第二磁芯開口寬度。其中，所述基座上設(shè)有至少一個(gè)基座理線空間，所述至少一個(gè)基座理線空間設(shè)置在所述第一磁芯開口或/和第二磁芯開口內(nèi)，并且在所述第一磁芯開口內(nèi)的所述基座理線空間在沿著所述第一磁芯開口的寬度方向的最大距離為第一基座理線空間寬度，所述第一基座理線空間寬度小于所述第一磁芯開口寬度。在所述第二磁芯開口內(nèi)的所述基座理線空間在沿著所述第二磁芯開口的寬度方向的最大距離為第二基座理線空間寬度，所述第二基座理線空間寬度小于所述第二磁芯開口寬度。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述基座理線空間是貫穿所述基座的基座開口。[0013]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述基座理線空間是沒有貫穿所述基座的基座開槽，且所述基座開槽與所述環(huán)形空間連通。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述磁芯包括一第一基座理線空間，該第一基座理線空間設(shè)置在所述第一磁芯開口內(nèi)。所述第一基座理線空間向所述中柱延伸的最大距離為第一基座理線空間深度，所述第一基座理線空間深度延伸至或者沒有延伸至所述中柱的中柱外壁。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述磁芯還包括一第二基座理線空間，該第二基座理線空間設(shè)置在所述第二磁芯開口內(nèi)。所述第二基座理線空間向所述中柱延伸的最大距離為第二基座理線空間深度，所述第二基座理線空間深度延伸至或者沒有延伸至所述中柱的中柱外壁。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述第一基座理線空間寬度與所述第二基座理線空間寬度相等或者不相等；所述第一基座理線空間深度與所述第二基座理線空間深度相等或者不相等。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，每個(gè)所述基座理線空間呈軸對(duì)稱形狀，兩個(gè)所述基座理線空間的兩條對(duì)稱軸線位于同一條直線上，并且該直線位于所述中柱的一縱截面上，該縱截面包括有所述中柱的中軸線。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述第一基座理線空間寬度是所述第一磁芯開口寬度的k倍，其中k為比例系數(shù)，且0〈k〈l，和/或所述第二基座理線空間寬度是所述第二磁芯開口寬度的k倍，其中k為比例系數(shù)，且0〈k〈l，優(yōu)選地，0〈k〈0.6。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述中柱位于所述基座的中央位置或者偏離所述基座的中央位置，優(yōu)選地，所述中柱呈圓柱形狀。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述第一磁芯開口與所述第二磁芯開口對(duì)稱布置或者非對(duì)稱布置。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述第一邊柱的第一邊柱內(nèi)壁、所述第二邊柱的第二邊柱內(nèi)壁均呈圓弧面形，所述環(huán)形空間呈圓環(huán)形。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一磁芯實(shí)施方式，所述第一邊柱的第一邊柱外壁和所述第二邊柱的第二邊柱外壁均呈圓弧面形。
[0023]本發(fā)明的一繞線架實(shí)施例，與本發(fā)明的一磁芯配合，包括一第一葉片、一第二葉片、一中空筒體，所述中空筒體連接所述第一葉片和所述第二葉片，其中，所述第一葉片和/或所述第二葉片設(shè)有至少一個(gè)繞線架開口，所述至少一個(gè)繞線架開口與所述磁芯上的至少一個(gè)基座理線空間相對(duì)應(yīng)。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一繞線架實(shí)施例，所述第一葉片和/或所述第二葉片設(shè)有至少一個(gè)突起部件，所述至少一個(gè)繞線架開口分別開設(shè)于所述至少一個(gè)突起部件上，并沿著所述第一葉片和/或所述第二葉片向所述中空筒體方向延伸。每個(gè)所述突起部件與所述第一葉片或所述第二葉片相連的一側(cè)具有限位平面，所述限位平面與所述磁芯基座的兩相對(duì)側(cè)面接觸配合。
[0025]本發(fā)明的一繞線架實(shí)施例，所述至少一個(gè)突起部件中的一個(gè)或兩個(gè)設(shè)有多個(gè)腳位。
[0026]本發(fā)明的一變壓器實(shí)施例，包括:繞線架、第一磁芯、第二磁芯和線圈繞組。其中，所述繞線架是本發(fā)明所述的繞線架。所述第一磁芯和/或第二磁芯是本發(fā)明所述的磁芯。所述第一磁芯和第二磁芯的中柱分別容置于所述繞線架的中空筒體內(nèi)，所述第一磁芯和第二磁芯的基座分別與所述繞線架的第一葉片和第二葉片接觸配合。所述線圈繞組繞設(shè)于所述繞線架的中空筒體外，且位于所述繞線架第一葉片和第二葉片之間，所述線圈繞組兩端的引出線能穿過相應(yīng)的繞線架開口，再經(jīng)磁芯基座上的基座理線空間引出。
[0027]本發(fā)明的一變壓器實(shí)施例，所述線圈繞組包括至少一個(gè)一次側(cè)繞組和至少一個(gè)二次側(cè)繞組，所述一次側(cè)繞組和所述二次側(cè)繞組之間設(shè)有金屬箔屏蔽層。
[0028]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于:本發(fā)明的磁芯中，在基座上開設(shè)基座理線空間，內(nèi)層繞組兩端的引出線從該基座理線空間出線，這樣就可以避免內(nèi)層繞組引出線對(duì)金屬箔屏蔽層和外層繞組的干涉。同樣，本發(fā)明的繞線架中，在葉片上設(shè)有供內(nèi)層繞組引出線通過的繞線架開口，因此，使用本發(fā)明的繞線架可以避免內(nèi)層繞組引出線對(duì)金屬箔屏蔽層和外層繞組的干涉。由本發(fā)明的磁芯和繞線架組成的變壓器，由于內(nèi)層繞組引出線不會(huì)占用繞線架窗口寬度，因此，一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組之間的屏蔽效果好；同時(shí)也使得外層繞組的繞線得以均勻排布，這不但增強(qiáng)了一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組之間的耦合效果，減少了漏感，而且也減小了同一批次中各個(gè)產(chǎn)品的分布電容的個(gè)體差異，從而使各個(gè)產(chǎn)品基本達(dá)到一致性的要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1A是傳統(tǒng)PJ型磁芯的立體圖；
[0030]圖1B是圖1A所示的傳統(tǒng)PJ型磁芯的俯視圖；
[0031]圖2A是與圖1A所示的磁芯相匹配的傳統(tǒng)的繞線架的立體圖；
[0032]圖2B是圖2A所示的傳統(tǒng)繞線架的主視圖；
[0033]圖3A是應(yīng)用了圖1A所示的傳統(tǒng)磁芯和圖2A所示的傳統(tǒng)繞線架的傳統(tǒng)變壓器的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3B是沿著圖3A中的A-A線作的剖面圖；
[0035]圖3C是圖3A是所示的傳統(tǒng)變壓器的電路原理圖；
[0036]圖4A是本發(fā)明的磁芯第一實(shí)施例的立體圖；
[0037]圖4B是圖4A所示的本發(fā)明磁芯第一實(shí)施例的俯視圖；
[0038]圖5是本發(fā)明的磁芯第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6是本發(fā)明的磁芯第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖7是本發(fā)明的磁芯第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖8是本發(fā)明的磁芯第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖9A是本發(fā)明的磁芯第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖9B是圖9A所示的磁芯第六實(shí)施例仰視圖；
[0044]圖1OA是本發(fā)明的繞線架的立體圖；
[0045]圖1OB是本發(fā)明的繞線架的主視圖；
[0046]圖1lA是本發(fā)明的變壓器第一實(shí)施例的立體圖；
[0047]圖1lB是沿圖1lA中B-B線所作的剖視圖；
[0048]圖1lC表示一次側(cè)繞組和二次側(cè)線組的引出線穿過繞線架開口的結(jié)構(gòu)示意圖；[0049]圖12A是本發(fā)明的變壓器第二實(shí)施例的立體圖；
[0050]圖12B是沿圖12A中C-C線所作的剖視圖；
[0051]圖12C是圖12A是所示的變壓器第二實(shí)施例的電路原理圖；
[0052]圖13是本發(fā)明的變壓器第三實(shí)施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。[0053]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0054]10:傳統(tǒng)的PJ型磁芯10a、60a:第一磁芯
[0055]10b、60b:第二磁芯11、61:中柱
[0056]12、62:第一邊柱121、621:第一邊柱內(nèi)壁
[0057]122,622:第一邊柱外壁13、63:第二邊柱
[0058]131,631:第二邊柱內(nèi)壁132、632:第二邊柱外壁
[0059]14,64:基座15、65:圓環(huán)形空間
[0060]16、66:第一磁芯開口17、67:第二磁芯開口
[0061]20: 繞線架21、71:第一葉片
[0062]22,72:第二葉片23、73:圓筒
[0063]30:線圈繞組31:一次側(cè)繞組
[0064]32:二次側(cè)繞組3233:金屬箔屏蔽層
[0065]31A、32A:第一引出線31B、32B:第二引出線
[0066]641: 第一基座開口642: 第二基座開口
[0067]643: 第一基座開槽644: 第二基座開槽
[0068]111,611:中柱外壁
[0069]713: 第一繞線架開口714: 第二繞線架開口
[0070]723: 第三繞線架開口724: 第四繞線架開口
[0071]74:腳位75: 第一突起部
[0072]751: 第一限位平面76: 第二突起部
[0073]761: 第二限位平面77: 第三突起部
[0074]771: 第三限位平面78: 第四突起部
[0075]781: 第四限位平面
[0076]W1^ff3:第一磁芯開口寬度W2、W4:第二磁芯開口寬度
[0077]W5:第一基座開口寬度W6: 第二基座開口寬度
[0078]W7: 第一基座開槽寬度W8: 第二基座開槽寬度
[0079]Hl:第一基座開口深度H2: 第二基座開口深度
[0080]H3: 第一基座開槽深度H4: 第二基座開槽深度
【具體實(shí)施方式】
[0081]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些傳統(tǒng)慣用的結(jié)構(gòu)與組件在附圖中將以簡單示意的方式表示。
[0082]本發(fā)明磁芯的發(fā)明構(gòu)思在于，在傳統(tǒng)的磁芯基座上開設(shè)基座理線空間，讓內(nèi)層繞組兩端的引出線從該基座理線空間出線，這樣就可以避免內(nèi)層繞組引出線對(duì)金屬箔屏蔽層和外層繞組的干涉?；砭€空間可以是貫穿基座的基座開口，也可以是沒有貫穿基座的基座開槽。下面主要以PJ型磁芯為例具體說明。
[0083]磁芯實(shí)施例1
[0084]請(qǐng)參閱圖4A和圖4B。圖4A是本發(fā)明的磁芯第一實(shí)施例的立體圖；圖4B是圖4A的俯視圖。本發(fā)明的磁芯第一實(shí)施例，包括一中柱61、一第一邊柱62、一第二邊柱63、一基座64以及一圓環(huán)形空間65。中柱61、第一邊柱62和第二邊柱63均固定于基座64的同一表面上。
[0085]中柱61固定于基座64的中央位置,呈圓柱形狀,具有中柱外壁611。第一邊柱62和第二邊柱63相對(duì)于中柱61對(duì)稱布置。
[0086]第一邊柱62具有第一邊柱內(nèi)壁621和第一邊柱外壁622,并且第一邊柱內(nèi)壁621和第一邊柱外壁622均呈圓弧面形。
[0087]第二邊柱63具有第二邊柱內(nèi)壁631和第二邊柱外壁632，并且第二邊柱內(nèi)壁631和第二邊柱外壁632均呈圓弧面形。
[0088]第一邊柱外壁622和第二邊柱外壁632位于同一個(gè)圓柱上，即第一邊柱外壁622和第二邊柱外壁632在基座64表面的投影為一個(gè)圓上的兩段圓??；第一邊柱內(nèi)壁621和第二邊柱內(nèi)壁631位于同一個(gè)圓柱上，即第一邊柱內(nèi)壁621和第二邊柱內(nèi)壁631在基座64表面的投影為一個(gè)圓上的兩段圓弧。中柱61的中軸線與第一邊柱內(nèi)壁621、第二邊柱內(nèi)壁631所在的圓柱的中軸線，以及第一邊柱外壁622、第二邊柱外壁632所在的圓柱的中軸線在同一條線上。
[0089]圓環(huán)形空間65由第一邊柱內(nèi)壁621、第二邊柱內(nèi)壁631及中柱外壁611包圍構(gòu)成，該圓環(huán)形空間65用于容置繞線架。圓環(huán)形空間65具有相對(duì)布置的一第一磁芯開口 66和一第二磁芯開口 67。第一磁芯開口 66在第一邊柱62與第二邊柱63之間的距離為第一磁芯開口寬度W3,第二磁芯開口 67在第一邊柱62與第二邊柱63之間的距離為第二磁芯開口寬度W4。第一磁芯開口 66的第一磁芯開口寬度W3與第二磁芯開口 67的第二磁芯開口寬度W4相等。
[0090]基座64上設(shè)有第一基座開口 641和第二基座開口 642，第一基座開口 641設(shè)置在第一磁芯開口 66內(nèi)，并且第一基座開口 641在沿著第一磁芯開口 66的寬度方向的最大距離為第一基座開口寬度W5,第一基座開口寬度W5應(yīng)小于第一磁芯開口寬度W3,即W5=k*W3，0〈k〈l。為了盡量減小因增加基座開口而額外帶來的磁芯損耗，通常會(huì)取k小于0.9，此時(shí)，額外增加的磁芯損耗會(huì)小于20%。一種較佳的情況為k小于0.6，此時(shí)，該區(qū)域的磁通密度較低，額外增加的磁芯損耗會(huì)小于8%，幾乎可以忽略。第二基座開口 642設(shè)置在第二磁芯開口 67內(nèi)，并且第二基座開口 642在沿著第二磁芯開口 67的寬度方向的最大距離為第二基座開口寬度W6,第二基座開口寬度W6小于第二磁芯開口寬度W4。第二基座開口寬度W6與第二磁芯開口寬度W4之間的尺寸關(guān)系與第一基座開口寬度W5與第一磁芯開口寬度W3之間的尺寸關(guān)系基本相同。在該第一實(shí)施例中，第一基座開口寬度W5大于第二基座開口寬度W6。
[0091]第一磁芯開口 66內(nèi)的第一基座開口 641向中柱61方向延伸的最大距離為第一基座開口深度H1，第二磁芯開口 67內(nèi)的第二基座開口 642向中柱61方向延伸的最大距離為第二基座開口深度H2。在該第一實(shí)施例中，第一基座開口深度H1小于第二基座開口深度H2。第一基座開口 641和第二基座開口 642在深度方向均未延伸至中柱61的中柱外壁611。
[0092]第一基座開口 641呈弓形，即第一基座開口寬度胃5大于第一基座開口深度氏，第一基座開口 641具有對(duì)稱中軸線；第二基座開口 642呈半圓形，即第二基座開口寬度W6的一半等于第二基座開口深度H2，第二基座開口 642具有對(duì)稱中軸線。優(yōu)選地，第一基座開口 641的對(duì)稱中軸線與第二基座開口 642的對(duì)稱中軸線在同一條直線上，并且該直線位于中柱61的包含其中軸線的一縱截面上，從而使第一基座開口 641、第二基座開口 642相對(duì)于中柱61居中布置。當(dāng)然，根據(jù)繞組出線位置的實(shí)際情況，第一基座開口 641、第二基座開口 642相對(duì)于中柱61也可以錯(cuò)開布置。
[0093]在該第一實(shí)施例中，第一基座開口 641和第二基座開口 642的基座開口寬度和基座開口深度均不相等，因此，第一基座開口 641和第二基座開口 642為非對(duì)稱布置。第一基座開口 641和第二基座開口 642非對(duì)稱布置的情形包括多種，概括來說，只要第一基座開口641和第二基座開口 642的基座開口寬度不相等或者基座開口深度不相等，則第一基座開口 641和第二基座開口 642即構(gòu)成非對(duì)稱。
[0094]磁芯實(shí)施例2
[0095]如圖5所示，本發(fā)明的磁芯第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:第一基座開口 641和第二基座開口 642的形狀為拱形；第二基座開口 642在其深度方向延伸至中柱61的中柱外壁611 ;第一基座開口 641的第一基座開口寬度W5大于第二基座開口 642的第二基座開口寬度W6。
[0096]本發(fā)明的磁芯第二實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，這里不再贅述。
[0097]磁芯實(shí)施例3
[0098]如圖6所示，本發(fā)明的磁芯第三實(shí)施例與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:基座64上只開設(shè)一個(gè)基座開口:第一基座開口 641，并且第一基座開口 641在其深度方向延伸至中柱61的中柱外壁611。
[0099]本發(fā)明的磁芯第三實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例相同，這里不再贅述。
[0100]磁芯實(shí)施例4
[0101]如圖7所示，本發(fā)明的磁芯第四實(shí)施例與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:第一磁芯開口 66的第一磁芯開口寬度W3小于第二磁芯開口 67的第二磁芯開口寬度W4。第一基座開口 641呈拱形，第二基座開口 642呈半圓形。進(jìn)一步地，第一基座開口641、第二基座開口 642在各自的深度方向均延伸至中柱61的中柱外壁611，并且第一基座開口 641的第一基座開口深度H1大于第二基座開口 642的第二基座開口深度H2。
[0102]本發(fā)明的磁芯第四實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例相同，這里不再贅述。
[0103]磁芯實(shí)施例5
[0104]如圖8所示，本發(fā)明的磁芯第五實(shí)施例與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:中柱61的中軸線與第一邊柱內(nèi)壁621、第二邊柱內(nèi)壁631所在的圓柱的中軸線相互平行，并錯(cuò)開一距離L ;第一基座開口 641、第二基座開口 642均呈拱形。第一基座開口641、第二基座開口 642在各自的深度方向均延伸至中柱61的中柱外壁611，并且第一基座開口 641的第一基座開口深度H1小于第二基座開口 642的第二基座開口深度H2。
[0105]本發(fā)明的磁芯第五實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例相同，這里不再贅述。
[0106]上述磁芯第四實(shí)施例和第五實(shí)施例均是標(biāo)準(zhǔn)的PJ型磁芯的變形，本發(fā)明的磁芯不僅僅適用于PJ型磁芯，也適用于其變形結(jié)構(gòu)，甚至適用于其它類型的磁芯結(jié)構(gòu)，如EC型磁芯等。
[0107]磁芯實(shí)施例6
[0108]如圖9A和圖9B所示，本發(fā)明的磁芯第六實(shí)施例與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:基座64上的基座理線空間不是貫通基座64的基座開口，而是基座開槽。具體來說，在基座64上且在第一磁芯開口 66內(nèi)開有第一基座開槽643,第一基座開槽643與圓環(huán)形空間65連通,第一基座開槽643在沿著第一磁芯開口 66的寬度方向的最大距離為第一基座開槽寬度W7,第一基座開槽寬度W7應(yīng)小于第一磁芯開口寬度W3,即W7=k*W3，0〈k〈l。為了盡量減小因增加基座開槽而額外帶來的磁芯損耗，通常會(huì)取k小于0.9，此時(shí)，額外增加的磁芯損耗會(huì)小于20%。一種較佳的情況為k小于0.6，此時(shí)，該區(qū)域的磁通密度較低，額外增加的磁芯損耗會(huì)小于8%,幾乎可以忽略。第一基座開槽643向中柱61延伸的最大距離為第一基座開槽深度H3。在基座64上且在第二磁芯開口 67內(nèi)開有第二基座開槽644，第二基座開槽644與圓環(huán)形空間65連通，第二基座開槽644在沿著第二磁芯開口 67的寬度方向的最大距離為第二基座開槽寬度W8,第二基座開槽寬度W8小于第二磁芯開口寬度W4。第二基座開槽寬度W8與第二磁芯開口寬度W4之間的尺寸關(guān)系與第一基座開槽寬度W7與第一磁芯開口寬度胃3之間的尺寸關(guān)系基本相同。第二基座開槽644向中柱61延伸的最大距離為第二基座開槽深度H4。在該磁芯第六實(shí)施例中，第一基座開槽寬度W7與第二基座開槽寬度W8相等，第一基座開槽深度H3與第二基座開槽深度H4相等，即第一基座開槽643與第二基座開槽644對(duì)稱布置，當(dāng)然不以此為限，二者寬度也可以不相等，二者深度也可以不相等。在該磁芯第六實(shí)施例中，第一基座開槽643、第二基座開槽644各自沿深度方向延伸至中柱61的中柱外壁611。
[0109]該磁芯第六實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例相同，這里不再贅述。
[0110]以上僅是舉例說明本發(fā)明磁芯實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，還可以形成其他的變形方式，例如在基座上可以開設(shè)一個(gè)基座開槽和一個(gè)基座開口 ；基座上只開設(shè)一個(gè)基座開槽，等等。上述各個(gè)磁芯實(shí)施例中的不同結(jié)構(gòu)可以自由組合，例如各基座開槽或基座開口的不同寬度、不同深度等特征自由組合而形成不同的【具體實(shí)施方式】。
[0111]繞線架實(shí)施例1
[0112]如圖1OA和圖1OB所示，本發(fā)明的繞線架第一實(shí)施例70，包括一第一葉片71、一第二葉片72和一圓筒73，在其它實(shí)施例中，圓筒73也可以由截面呈多邊形的筒體替換，而非必然是截面呈圓形的圓筒。圓筒73連接該第一葉片71和該第二葉片72，線圈繞組繞設(shè)于該圓筒73上。繞線架第一葉片71具有一第一繞線架開口 713、一第二繞線架開口 714 ;繞線架第二葉片72具有一第三繞線架開口 723、一第四繞線架開口 724。當(dāng)兩個(gè)磁芯與繞線架裝配后，第一繞線架開口 713、第二繞線架開口 714、第三繞線架開口 723和第四繞線架開口724分別與兩個(gè)磁芯的兩個(gè)基座上理線空間(基座開口或基座開槽)相對(duì)應(yīng)，以使繞設(shè)于圓筒73的線圈繞組兩端的引出線能穿過相應(yīng)的繞線架開口，再經(jīng)磁芯基座上的基座理線空間引出，從而消除了內(nèi)層線圈繞組兩端的引出線對(duì)金屬箔屏蔽層及外層線圈繞組的影響。
[0113]該繞線架第一實(shí)施例中，也可以只在第一葉片71或只在第二葉片72中的一個(gè)葉上對(duì)稱開設(shè)兩個(gè)繞線架開口，或者只在第一葉片71或只在第二葉片72中的一個(gè)葉片上只開設(shè)一個(gè)繞線架開口。[0114]繞線架實(shí)施例2
[0115]本發(fā)明的繞線架第二實(shí)施例與本發(fā)明的繞線架第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處僅在于:
[0116]第一葉片71連接有第一突起部75和第二突起部76，第一繞線架開口 713和第二繞線架開口 714分別開設(shè)于第一突起部75和第二突起部76，并沿著第一葉片71向圓筒73方向延伸。第一突起部75在連接于第一葉片71的一側(cè)，即朝向第一葉片71的一側(cè)具有第一限位平面751 ;第二突起部76在連接于第一葉片71的一側(cè)，即朝向第一葉片71的一側(cè)具有第二限位平面761。第一限位平面751和第二限位平面761能夠分別與相配合的磁芯基座兩相對(duì)側(cè)面接觸配合，用于限制組裝后磁芯的位置。
[0117]第二葉片72連接有第三突起部77和第四突起部78，第三繞線架開口 723、第四繞線架開口 724分別開設(shè)于第三突起部77和第四突起部78，并沿著第二葉片72向圓筒73方向延伸。第三突起部77連接于第二葉片72的一側(cè)，即朝向第二葉片72的一側(cè)具有第三限位平面771 ;第四突起部78連接于第二葉片72的一側(cè)，即朝向第二葉片72的一側(cè)具有第四限位平面781。第三限位平面771和第四限位平面781能夠分別與相配合的磁芯基座的兩相對(duì)側(cè)面接觸配合，用于限制組裝后磁芯的位置。
[0118]第三突起部77設(shè)有多個(gè)腳位74。當(dāng)然腳位也可以設(shè)置到其它的突起部上。
[0119]本發(fā)明的繞線架第二實(shí)施例的其它部分的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的繞線架第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，這里不再贅述。
[0120]變壓器實(shí)施例1
[0121]如圖11A、圖1IB和圖1lC所示，圖1lA是本發(fā)明的變壓器第一實(shí)施例的立體圖；圖1lB是沿圖1lA中B-B線所作的剖視圖；圖1lC表示一次側(cè)繞組和二次側(cè)線組的引出線穿過繞線架開口的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的變壓器第一實(shí)施例，包括一第一磁芯10、一第二磁芯60、一繞線架70以及線圈繞組30。
[0122]第一磁芯10是傳統(tǒng)的PJ型磁芯,具有一中柱11、一第一邊柱12、一第二邊柱13和一基座14,中柱11固定于基座14中央位置，第一邊柱12和第二邊柱13固定于基座14上，并相對(duì)于中柱11對(duì)稱布置。
[0123]磁芯60是本發(fā)明磁芯第一實(shí)施例所示的磁芯，這里不再贅述。
[0124]繞線架70是本發(fā)明的繞線架，這里不再贅述。
[0125]第一磁芯10和第二磁芯60的中柱分別容置于繞線架70的圓筒73內(nèi)，第一磁芯10的基座14和第二磁芯60的基座64 (見圖4A)分別與繞線架70的第一葉片71和第二葉片72接觸配合。
[0126]第一葉片71上的第一突起部75和第二突起部76分別由第一磁芯10的第一磁芯開口 16 (見圖1A)和第二磁芯開口 17向外延伸，并且第一葉片71的第一限位平面751和第二限位平面761分別與第一磁芯10的基座14側(cè)面接觸，用于固定第一磁芯10。
[0127]第二葉片72上的第三突起部77和第四突起部78分別由第二磁芯60的第一磁芯開口 66和第二磁芯開口 67向外延伸，并且第二葉片72的第三限位平面771和第四限位平面781分別與第二磁芯60的基座64側(cè)面接觸，用于固定第二磁芯60。
[0128]線圈繞組30繞設(shè)于繞線架70的圓筒73外。線圈繞組30包括——次側(cè)繞組31、一二次側(cè)繞組32和一金屬箔屏蔽層33。一次側(cè)繞組31具有一第一引出線31A和一第二引出線31B。二次側(cè)繞組32具有一第一引出線32A和一第二引出線32B。該金屬箔屏蔽層33繞設(shè)于該一次側(cè)繞組31和該二次側(cè)繞組32之間。一次側(cè)繞組31的第一引出線31A和第二引出線31B穿過繞線架70的第三繞線架開口 723、第二磁芯60的基座64上的第一基座開口 641后電連接于腳位74。二次側(cè)繞組32的第一引出線32A和第二引出線32B由繞線架70的第四繞線架開口 724、第二磁芯60的基座64上的第二基座開口 642穿過而引出。
[0129]該變壓器第一實(shí)施例中，在內(nèi)層的一次側(cè)繞組31的第一引出線31A和第二引出線31B由線繞架、磁芯上的開口引出，沒有占用線繞架窗口寬度M，故金屬箔屏蔽層33的寬度能夠盡可能地接近繞線架窗口寬度M。因此，一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的電場屏蔽效果得到改善。同時(shí)，由于一次側(cè)繞組31的引出線不會(huì)占用窗口寬度M，因此就不會(huì)干涉到外層的二次側(cè)繞組32的排布，二次側(cè)繞組32可以在窗口寬度M范圍內(nèi)均勻排布，一次側(cè)繞組31和二次側(cè)繞組32之間的耦合效果也可以得到改善，漏感減小。再者，線圈繞組和金屬箔屏蔽層33在窗口寬度M范圍內(nèi)的位置也能得到更好的控制，不會(huì)出現(xiàn)偏上或者偏下的情況，因此，在批量生產(chǎn)中，該變壓器第一實(shí)施例中一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組之間的分布電容的一致性可以控制得更好，這對(duì)EMI濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì)起著重要的作用。
[0130]考慮到一次側(cè)繞組和二次側(cè)繞組在繞線直徑和出線位置上都會(huì)存在差異，磁芯的基座理線空間寬度和深度都可以按照具體情況進(jìn)行具體設(shè)計(jì)，兩側(cè)的基座理線空間可以對(duì)稱(兩個(gè)基座理線空間的深度相同、寬度相同)，也可以不對(duì)稱(兩個(gè)基座理線空間的深度、寬度至少有一個(gè)不相同)。在一具體實(shí)施例中，繞圈繞組的繞線直徑較小，則基座理線空間寬度可以較小，基座理線空間寬度為磁芯開口寬度的30%。在另一具體實(shí)施例中，繞圈繞組的繞線直徑較大，或者為多股線并繞，為了便于繞組引出線順利引出，需要一個(gè)較大的基座理線空間寬度，比如基座理線空間寬度為磁芯開口寬度的60%。
[0131]基座理線空間深度可以按照具體情況進(jìn)行具體設(shè)計(jì)。在一具體實(shí)施例中，要求最里層繞組的引出線能夠從基座理線空間引出來，基座理線空間深度為到達(dá)中柱外壁。在另一具體實(shí)施例中，要求中間層繞組的出線能夠從基座理線空間引出來，基座理線空間深度可以不到達(dá)中柱外壁，只需要到達(dá)該繞組所在位置即可。上述設(shè)計(jì)磁芯的兩個(gè)基座理線空間尺寸的原則是:在保證內(nèi)層繞組的引出線能夠順暢引出的情況下，盡量減小基座理線空間的尺寸，以減小在磁芯上開設(shè)基座理線空間對(duì)磁芯損耗帶來的負(fù)面影響。
[0132]與磁芯基座理線空間尺寸(開口或開槽的寬度和深度)相對(duì)應(yīng)，對(duì)應(yīng)一次側(cè)繞組的繞線架開口尺寸(開口寬度和開口深度)，如第一繞線架開口 713、第三繞線架開口 723的尺寸和對(duì)應(yīng)二次側(cè)繞組的繞線架開口尺寸，如第二繞線架開口 714、第四繞線架開口 724的尺寸可以根據(jù)具體情況進(jìn)行設(shè)計(jì)，第一葉片和第二葉片上的繞線架開口相互對(duì)應(yīng)或者不對(duì)應(yīng)，以及每個(gè)葉片上的繞線架開口均可以對(duì)稱或者不對(duì)稱。同樣，設(shè)計(jì)繞線架開口尺寸的原則是:在保證內(nèi)層繞組的引出線能夠順暢引出的情況下，盡量減小繞線架開口的尺寸，以減小繞線架開口對(duì)繞線架機(jī)構(gòu)強(qiáng)度的影響。
[0133]優(yōu)選地，該變壓器第一實(shí)施例中，一次側(cè)繞組31在內(nèi)層，二次側(cè)繞組32在外層，因此，相比于二次側(cè)繞組32，一次側(cè)繞組31的出線位置更靠近磁芯中柱，也就是說，第二磁芯60的第一基座開口 641的第一基座開口深度H1相對(duì)較深，而第二基座開口 642的第二基座開口深度H2相對(duì)較淺，第二基座開口 642向中柱方向延伸至相應(yīng)于金屬箔屏蔽層33所對(duì)應(yīng)的位置即可。另外，一次側(cè)繞組31的繞線直徑比二次側(cè)繞組32的繞線直徑小，所以第二磁芯60的第一基座開口 641的第一基座開口寬度W5 (見圖4B)小于第二基座開口 642的第二基座開口寬度W6。這種不對(duì)稱結(jié)構(gòu)可以有利于減小磁芯的損耗。相應(yīng)地，繞線架70的第三繞線架開口 723向圓筒73方向延伸的深度大于第四繞線架開口 724向圓筒73方向延伸的深度，第三繞線架開口 723的寬度小于第四繞線架開口 724的寬度，當(dāng)然繞線架開口的尺寸不以此為限，只要能使線圈繞組的引線穿過即可?？紤]到加工方便性，也可以使第三繞線架開口 723和第四繞線架開口 724的深度、寬度相同。
[0134]該變壓器第一實(shí)施例中，由于在二次側(cè)繞組32外面不再繞設(shè)繞組，不存在干擾外層繞組排線及外層金屬箔屏蔽層設(shè)置的問題，因此，二次側(cè)繞組的兩個(gè)引出線也可以如傳統(tǒng)變壓器中的出線方式相同(見圖3B)。此時(shí)，第二磁芯60的基座64上可以不必設(shè)置第二基座開口 642，而只設(shè)置供一次側(cè)繞組出線的第一基座開口 641 ;同樣，繞線架70的第二葉片72也可以不必設(shè)置第四繞線架開口 724，而只設(shè)置供一次側(cè)繞組出線的第三繞線架開口723 ;進(jìn)一步地，繞線架70的第一葉片71也可以不必設(shè)置第一繞線架開口 713和第二繞線架開口 714。
[0135]變壓器實(shí)施例2
[0136]如圖12A、圖12B和圖12C所示，圖12A是本發(fā)明的變壓器第二實(shí)施例的立體圖；圖12B是沿圖12A中C-C線所作的剖視圖；圖12C是圖12A是所示的變壓器第二實(shí)施例的電路原理圖。本發(fā)明的變壓器第二實(shí)施例，包括第一磁芯60a、第二磁芯60b、一繞線架70以及線圈繞組30。其與變壓器第一實(shí)施例基本相同，不同之處僅在于:
[0137]第一磁芯60a、第二磁芯60b均為本發(fā)明磁芯第一實(shí)施例所不的磁芯。
[0138]線圈繞組30結(jié)構(gòu)為較復(fù)雜的三明治結(jié)構(gòu)，包括——次側(cè)繞組35、一二次側(cè)繞組
32、一金屬箔屏蔽層33和一第二金屬箔屏蔽層34。一次側(cè)繞組35具有第一引出線35A、一第二引出線35B和中間抽頭引出線35C，第一引出線35A與抽頭引出線35C之間的繞組構(gòu)成第一一次側(cè)繞組部分351，抽頭引出線35C與第二引出線35B之間的繞組構(gòu)成第二一次側(cè)繞組部分352。二次側(cè)繞組32具有一第一引出線32A和一第二引出線32B。在繞線架70的圓筒73外面由內(nèi)向外依次繞設(shè)第一一次側(cè)繞組部分351、金屬箔屏蔽層33、二次側(cè)繞組32、第二金屬箔屏蔽層34和第二一次側(cè)繞組部分352。第一一次側(cè)繞組部分351、二次側(cè)繞組32、第二一次側(cè)繞組部分352構(gòu)成三明治結(jié)構(gòu)。第一一次側(cè)繞組部分351的第一引出線35A及抽頭引出線35C的置于內(nèi)層部分穿過繞線架70的第三繞線架開口 723、第二磁芯60b的基座上的第一基座開口 641后電連接于腳位74，避免干涉二次側(cè)繞組32和第二一次側(cè)繞組部分352繞線的排布，并避免影響金屬箔屏蔽層33和第二金屬箔屏蔽層34，使金屬箔屏蔽層33和第二金屬箔屏蔽層34盡量布滿繞線架的整個(gè)窗口寬度；第二一次側(cè)繞組部分352的第二引出線35B及抽頭引出線35C的置于外層部分直接電連接于腳位74。二次側(cè)繞組32的第一引出線32A由繞線架70的第四繞線架開口 724、第二磁芯60b的基座64上的第二基座開口 642穿過而引出；二次側(cè)繞組32的第二引出線32B先經(jīng)繞線架70的第二繞線架開口 714和第一磁芯60a的基座64上的第二基座開口 642穿過，以避讓開第二金屬箔屏蔽層34，然后再由繞線架70的第四繞線架開口 724、第二磁芯60b的基座64上的第二基座開口 642穿過而引出。這樣，所有的出線都不會(huì)占用繞線架窗口寬度M，金屬箔屏蔽層
33、第二金屬箔屏蔽層34的寬度可以用到最大，二次側(cè)繞組32和第二一次側(cè)繞組部分352也都可以在整個(gè)繞線架窗口寬度M范圍內(nèi)均勻分布，屏蔽性能和耦合性能都得到大幅度改口 O
[0139]該變壓器第二實(shí)施例中的一次側(cè)繞組包含兩部分，將二次側(cè)繞組夾在中間，且在二次側(cè)繞組與每一部分一次側(cè)繞組之間設(shè)置金屬箔屏蔽層。實(shí)際使用中變壓器還可以包括多種變形方式，如一次側(cè)繞組包含3部分、4部分等，或者二次側(cè)繞組也多含多個(gè)部分，這時(shí)在相鄰的一次側(cè)繞組部分和二次側(cè)繞組部分之間可分別設(shè)置金屬箔屏蔽層，以在各部分繞組之間起到良好的屏蔽效果。
[0140]該變壓器第二實(shí)施例其它部分的結(jié)構(gòu)與變壓器第一實(shí)施例基本相同，這里不再贅述。
[0141]變壓器實(shí)施例3
[0142]如圖13所示，本發(fā)明的變壓器第三實(shí)施例與變壓器第二實(shí)施例基本相同，不同之處僅在于:第一磁芯60a和第二磁芯60b上供引出線通過的不是貫通基座的第一基座開口641和第二基座開口 642，而是第一基座開槽643和第二基座開槽644。即該變壓器第三實(shí)施例中使用的是本發(fā)明第六實(shí)施例的磁芯結(jié)構(gòu)。由基座開槽結(jié)構(gòu)代替了基座開口結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步減小了變壓器的磁芯損耗。
[0143]本發(fā)明的變壓器第三實(shí)施例其它部分的結(jié)構(gòu)與變壓器第二實(shí)施例基本相同，這里不再贅述。
[0144]本發(fā)明的變壓器不限于上述實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，實(shí)際制造中，本發(fā)明變壓器可以任意選擇本發(fā)明任一實(shí)施例的繞線架配合本發(fā)明任一實(shí)施例的磁芯或者傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的磁芯自由組合而成。
[0145]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟知此技藝的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種修改與變形，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以本申請(qǐng)權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁芯，包括一基座以及固設(shè)于所述基座上的一中柱、一第一邊柱和一第二邊柱，其中所述第一邊柱的第一邊柱內(nèi)壁、所述第二邊柱的第二邊柱內(nèi)壁以及所述中柱的中柱外壁包圍構(gòu)成一用于容置繞線架和/或繞組的環(huán)形空間，所述環(huán)形空間具有相對(duì)布置的一第一磁芯開口和一第二磁芯開口，所述第一磁芯開口在所述第一邊柱與所述第二邊柱之間的距離為第一磁芯開口寬度，所述第二磁芯開口在所述第一邊柱與所述第二邊柱之間的距離為第二磁芯開口寬度；其特征在于，所述基座上設(shè)有至少一個(gè)基座理線空間，所述至少一個(gè)基座理線空間設(shè)置在所述第一磁芯開口或/和第二磁芯開口內(nèi)，并且在所述第一磁芯開口內(nèi)的所述基座理線空間在沿著所述第一磁芯開口的寬度方向的最大距離為第一基座理線空間寬度，所述第一基座理線空間寬度小于所述第一磁芯開口寬度，在所述第二磁芯開口內(nèi)的所述基座理線空間在沿著所述第二磁芯開口的寬度方向的最大距離為第二基座理線空間寬度，所述第二基座理線空間寬度小于所述第二磁芯開口寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的磁芯，其特征在于，所述基座理線空間是貫穿所述基座的基座開口。
3.如權(quán)利要求1所述的磁芯，其特征在于，所述基座理線空間是沒有貫穿所述基座的基座開槽，且所述基座開槽與所述環(huán)形空間連通。
4.如權(quán)利要求1所述的磁芯，其特征在于，所述磁芯包括一第一基座理線空間，該第一基座理線空間設(shè)置在所述第一磁芯開口內(nèi)，所述第一基座理線空間向所述中柱延伸的最大距離為第一基座理線空間深度，所述第一基座理線空間深度延伸至或者沒有延伸至所述中柱的中柱外壁。
5.如權(quán)利要求4所述的磁芯，其特征在于，所述磁芯還包括一第二基座理線空間，該第二基座理線空間設(shè)置在所述第二磁芯開口內(nèi)，所述第二基座理線空間向所述中柱延伸的最大距離為第二基座理線空間深度，所述第二基座理線空間深度延伸至或者沒有延伸至所述中柱的中柱外壁。
6.如權(quán)利要求5所述的磁芯，其特征在于，所述第一基座理線空間寬度與所述第二基座理線空間寬度相等或者不相等。
7.如權(quán)利要求6所述的磁芯，其特征在于，所述第一基座理線空間深度與所述第二基座理線空間深度相等或者不相等。
8.如權(quán)利要求5所述的磁芯，其特征在于，每個(gè)所述基座理線空間呈軸對(duì)稱形狀，兩個(gè)所述基座理線空間的兩條對(duì)稱軸線位于同一條直線上，并且該直線位于所述中柱的一縱截面上，該縱截面包括有所述中柱的中軸線。
9.如權(quán)利要求1所述的磁芯，其特征在于，所述第一基座理線空間寬度是所述第一磁芯開口寬度的k倍，其中k為比例系數(shù)，且0〈k〈l，和/或所述第二基座理線空間寬度是所述第二磁芯開口寬度的k倍，其中k為比例系數(shù)，且0〈k〈l。
10.如權(quán)利要求9所述的磁芯，其特征在于，所述比例系數(shù)k的取得范圍為:0〈k〈0.6。
11.如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的磁芯，其特征在于，所述中柱位于所述基座的中央位置或者偏離所述基座的中央位置。
12.如權(quán)利要求11所述的磁芯，其特征在于，所述第一磁芯開口與所述第二磁芯開口對(duì)稱布置或者非對(duì)稱布置。
13.如權(quán)利要求11所述的磁芯，其特征在于，所述中柱呈圓柱形狀。
14.如權(quán)利要求11所述的磁芯，其特征在于，所述第一邊柱的第一邊柱內(nèi)壁、所述第二邊柱的第二邊柱內(nèi)壁均呈圓弧面形，所述環(huán)形空間呈圓環(huán)形。
15.如權(quán)利要求11所述的磁芯，其特征在于，所述第一邊柱的第一邊柱外壁和所述第二邊柱的第二邊柱外壁均呈圓弧面形。
16.一種繞線架，與權(quán)利要求1-15中任一項(xiàng)所述的磁芯配合，包括一第一葉片、一第二葉片、一中空筒體，所述中空筒體連接所述第一葉片和所述第二葉片，其特征在于，所述第一葉片和/或所述第二葉片設(shè)有至少一個(gè)繞線架開口，所述至少一個(gè)繞線架開口與所述磁芯上的至少一個(gè)基座理線空間相對(duì)應(yīng)。
17.如權(quán)利要求16所述的繞線架，其特征在于，所述第一葉片和/或所述第二葉片設(shè)有至少一個(gè)突起部件，所述至少一個(gè)繞線架開口分別開設(shè)于所述至少一個(gè)突起部件上，并沿著所述第一葉片和/或所述第二葉片向所述中空筒體方向延伸，每個(gè)所述突起部件與所述第一葉片或所述第二葉片相連的一側(cè)具有限位平面，所述限位平面與所述磁芯基座的兩相對(duì)側(cè)面接觸配合。
18.如權(quán)利要求17所述的繞線架，其特征在于，所述至少一個(gè)突起部件中的一個(gè)或兩個(gè)設(shè)有多個(gè)腳位。
19.一種變壓 器，包括:繞線架、第一磁芯、第二磁芯和線圈繞組，其特征在于，所述繞線架是如權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)所述的繞線架；所述第一磁芯和/或第二磁芯是如權(quán)利要求1-15中任一項(xiàng)所述的磁芯，所述第一磁芯和第二磁芯的中柱分別容置于所述繞線架的中空筒體內(nèi)，所述第一磁芯和第二磁芯的基座分別與所述繞線架的第一葉片和第二葉片接觸配合；所述線圈繞組繞設(shè)于所述繞線架的中空筒體外，且位于所述繞線架第一葉片和第二葉片之間，所述線圈繞組兩端的引出線能穿過相應(yīng)的繞線架開口，再經(jīng)磁芯基座上的基座理線空間引出。
20.如權(quán)利要求19所述的變壓器，其特征在于，所述線圈繞組包括至少一個(gè)一次側(cè)繞組和至少一個(gè)二次側(cè)繞組，所述一次側(cè)繞組和所述二次側(cè)繞組之間設(shè)有金屬箔屏蔽層。
【文檔編號(hào)】H01F27/30GK103839659SQ201210475294
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月21日
【發(fā)明者】周錦平, 劉騰, 周敏, 代明輝, 謝毅聰 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司