一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種有機電致發(fā)光器件，依次包括玻璃基底、復合散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面，所述氧化鋯占所述氧化鎂質(zhì)量的10~50％。另，本發(fā)明實施例還公開了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，通過在玻璃基底和陽極導電膜之間制備復合散射層，使陽極導電膜與玻璃基底之間的折射率逐漸降低，從而使得全反射的臨界角增大，全反射的幾率變小，提高了出光效率。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以ITO玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，由于界面之間存在的折射率差較大(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，兩者折射率之差較大，全反射的比率較多)，光從ITO到達玻璃會發(fā)生全反射，從而造成光從玻璃中出射到空氣中的出射率很低，幾乎只有18%左右是可以發(fā)射到外部，大部分的光都損失了，最終影響發(fā)光效率，導致這類發(fā)光器件的發(fā)光效率都偏低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在玻璃基底和陽極導電膜之間制備復合散射層，使陽極導電膜與玻璃基底之間的折射率逐漸降低，從而使得全反射的臨界角增大，全反射的幾率變小，提高了出光效率。
[0006]本發(fā)明實施例提供了 一種有機電致發(fā)光器件，依次包括玻璃基底、復合散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面，所述氧化鋯占所述氧化鎂質(zhì)量的10飛0%。
[0007]優(yōu)選地，所述氧化鎂的顆粒粒徑為2(T200nm。
[0008]優(yōu)選地，所述氧化錯的顆粒粒徑為5(T200nm。
[0009]優(yōu)選地，所述復合散射層的厚度為10(T300nm。
[0010]在玻璃基底和陽極導電膜之間制備復合散射層，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述復合材料中，所述二氧化鈦為銳鈦礦晶型，由四氯化鈦發(fā)生水解并經(jīng)煅燒得到。水解反應后經(jīng)高溫煅燒得到銳鈦礦晶型的二氧化鈦，這種晶型具有較強的散射效應。
[0012]由于陽極導電膜一般為ITO等氧化物膜，折射率一般在1.8?1.9之間，制備在玻璃(折射率為1.5左右)上。以ITO為例，光從ITO (折射率1.8)出射到玻璃的時候會產(chǎn)生極大的全反射效應，全反射臨界角較小，大部分的光會全反射回去。而氧化鎂MgO的折射率為
1.7?1.75，氧化鋯ZrO2的折射率為1.75?1.8。因此，復合散射層的設置，即玻璃基底和陽極導電膜之間MgO和ZrO2的加入，就使得折射率產(chǎn)生一個梯度的變化(逐漸降低)，從而使得光的出射路程的折射率逐層遞減變化，此過程中每次折射率變化較小，因此全反射的臨界角就得到了增大，從而導致全反射的幾率變小，大部分的光可以出射到空氣中。同時，包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面的二氧化鈦(TiO2),構(gòu)型規(guī)整均一，比表面積較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用。TiO2包覆在兩種顆粒表面，提高了 MgO與ZrO2的相間結(jié)合能力，使顆粒間的縫隙減少，連接更緊密，更好的提高了復合散射層的散射能力。
[0013]優(yōu)選地，玻璃基底為市售普通玻璃。
[0014]優(yōu)選地，陽極導電膜為銦錫氧化物(ITO)薄膜、摻鋅的氧化錫(IZO)薄膜或摻鋁的氧化鋅(AZO)薄膜；更優(yōu)選地，陽極導電膜為銦錫氧化物(ITO)薄膜。
[0015]優(yōu)選地，陽極導電膜的厚度為5(T300nm。更優(yōu)選地，陽極導電膜的厚度為120nm。
[0016]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(wo3)。
[0017]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為60nm。
[0018]優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1-二 [4_[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB);更優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N，N，- (1_萘基)州州，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)。
[0019]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0020]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0021]更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)。
[0022]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm ;更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為7nm。
[0023]優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0024]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為45nm。
[0025]優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)。
[0026]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm ;更優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0027]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0028]提供清潔的玻璃基底，采用電子束蒸鍍的方式在經(jīng)處理過的玻璃基底上制備復合散射層，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面，所述氧化鋯占所述氧化鎂質(zhì)量的10?50% ；[0029]在所述復合散射層上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜；
[0030]在所述陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0031]優(yōu)選地，玻璃基底為市售普通玻璃。
[0032]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水各超聲15min，去除玻璃基底表面的有機污染物。
[0033]采用電子束蒸鍍的方式在玻璃基底和陽極導電膜之間制備復合散射層，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面。
[0034]優(yōu)選地，所述氧化鎂的顆粒粒徑為2(T200nm。
[0035]優(yōu)選地，所述氧化錯的顆粒粒徑為5(T200nm。
[0036]優(yōu)選地，所述復合散射層的厚度為10(T300nm。
[0037]氧化鎂MgO的折射率為1.7~1.75，氧化鋯ZrO2的折射率為1.75~1.8。因此，復合散射層的設置，即玻璃基底和陽極導電膜之間MgO和ZrO2的加入，就使得折射率產(chǎn)生一個梯度的變化(逐漸降低)，從而使得光的出射路程的折射率逐層遞減變化，此過程中每次折射率變化較小，因此全反射的臨界角就得到了增大，從而導致全反射的幾率變小，大部分的光可以出射到空氣中。
[0038]所述復合材料按如下方法制備:將氧化鎂和氧化鋯進行摻雜混合后置于濃度為20^60mmol/L的四氯化鈦水溶液中，5(Tl00°C保溫2(T60min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在40(T60(rC下煅燒2(T40min。
[0039]將氧化鎂和氧化鋯摻雜后置于四氯化鈦(TiCl4)溶液中，四氯化鈦發(fā)生水解，然后Ti4+錨定在氧化鎂和氧化鋯的顆粒表面上，在高溫下煅燒，使其轉(zhuǎn)變?yōu)門iO2銳鈦礦晶型，這種結(jié)構(gòu)構(gòu)型規(guī)整均一，比表面積較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用。TiO2包覆在兩種顆粒表面，提高了 MgO與ZrO2的相間結(jié)合能力，使顆粒間的縫隙減少，連接更緊密，更好的提高了復合散射層的散射能力。
[0040]將制得的復合材料采用電子束蒸鍍的方式制備在玻璃基底上。
[0041]優(yōu)選地，所述電子束蒸鍍過程中的壓力為3X 10_3Pa~2X 10_4Pa。
[0042]優(yōu)選地，陽極導電膜為銦錫氧化物(ITO)薄膜、摻鋅的氧化錫(IZO)薄膜或摻鋁的氧化鋅(AZO)薄膜；更優(yōu)選地，陽極導電膜為銦錫氧化物(ITO)薄膜。
[0043]優(yōu)選地，陽極導`電膜的厚度為5(T300nm。更優(yōu)選地，陽極導電膜的厚度為120nm。
[0044]陽極導電膜采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法設置在散射層上。
[0045]優(yōu)選地，磁控濺射過程中，真空度為3 X 10_3Pa~2 X 10_4Pa，濺射功率為5(T300W。
[0046]在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極。
[0047]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(wo3)。
[0048]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為60nm。
[0049]優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1-二 [4_[N, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB);更優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N，N’ - (1-萘基)-N, N，- 二苯基-4，4，-聯(lián)苯二胺(NPB)0
[0050]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0051]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0052]更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)。
[0053]優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為5~40nm ;更優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為7nm。
[0054]優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0055]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為45nm。
[0056]優(yōu)選地，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?0(T500°C，真空度為3 X Kr3~2 Xl(T4Pa。
[0057]優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)。
[0058]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm ;更優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0059]優(yōu)選地，陰極的蒸鍍 為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為50(Tl000 °C，真空度為3X10^2 X IO^4Pa0
[0060]實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果:
[0061](I)本發(fā)明提供的具有復合散射層的有機電致發(fā)光器件，復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，該復合散射層中MgO和ZrO2能使得陽極導電膜與玻璃基底之間折射率產(chǎn)生一個逐漸降低的梯度變化，從而使光的出射路徑形成一個折射率遞減，因此全反射的臨界角就得到了增大，從而導致全反射的幾率變小，大部分的光可以出射到空氣中，提高了出光效率；
[0062](2)本發(fā)明提供的具有復合散射層的有機電致發(fā)光器件，復合散射層中二氧化鈦(TiO2)包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，銳鈦礦晶型的TiO2構(gòu)型規(guī)整均一，比表面積較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用，提高了 MgO與ZrO2的相間結(jié)合能力，使顆粒間的縫隙減少，連接更緊密，更好的提高了復合散射層的散射能力；
[0063](3)本發(fā)明提供的具有復合散射層的有機電致發(fā)光器件的制備方法，操作簡便，易于實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0064]圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0065]圖2是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。
【具體實施方式】
[0066]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0067]實施例1
[0068]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0069](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；
[0070](2)在玻璃基底上采用電子束蒸鍍的方式制備復合散射層；
[0071]在本實施例中，復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂MgO和氧化鋯ZrO2與二氧化鈦TiO2復合形成的復合材料，TiO2包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，MgO的顆粒粒徑為50nm，ZrO2的顆粒粒徑為70nm，ZrO2占MgO質(zhì)量的40%，復合散射層厚度為150nm ；
[0072]具體地，將MgO和ZrO2摻雜混合(ZrO2占MgO質(zhì)量的40%)后，置于濃度為40mmol/L的TiCl4水溶液中，70°C保溫30min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在450°C下煅燒30min，得到復合材料，再將該復合材料進行電子束蒸鍍制備在玻璃基底上，在電子束蒸鍍過程中，壓力為5X 10_4Pa ；
[0073](2)采用磁控濺射的方法在復合散射層上制備陽極導電膜；
[0074]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為5 X 10_4Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜為ITO膜，厚度為120nm。
[0075](3)在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0076]空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00 °C，真空度為5X 10_4Pa。陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00 °C，真空度為
5X KT4Pa。
[0077]其中，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(WO3),厚度為60nm;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為50nm;發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，發(fā)光層厚度為7nm ；電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為45nm;陰極為銀(Ag)，厚度為lOOnm。
[0078]圖1是本實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括，玻璃基底10,復合散射層20,陽極導電膜30,空穴注入層40,空穴傳輸層50，發(fā)光層60，電子傳輸層70和陰極80。其中，復合散射層的材質(zhì)為MgO和ZrO2與TiO2復合形成的復合材料，TiO2包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，MgO的顆粒粒徑為50nm，ZrO2的顆粒粒徑為70nm，Zr02占MgO質(zhì)量的40%，復合散射層厚度為150nm。該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃 /MgO: ZrO2:Ti02/IT0/W03/NPB/DCJTB/TPBI/Ag。
[0079]圖2是本實施例的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。其中，曲線I為本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖；曲線2為現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的亮度與電壓的關系圖。其中，現(xiàn)有發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0玻璃/WO3/NPB/DCJTB/TPBI/Ag。
[0080]從圖2中可以看到，在不同亮度下，本實施例有機電致發(fā)光器件的流明效率都比現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的要大，最大的流明效率為10.0lm/W，而現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的僅為7.41m/W，而且現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。這說明，本發(fā)明實施例通過在玻璃基底與陽極導電膜之間制備一層復合散射層，復合散射層中MgO和ZrO2使光的出射路徑形成一個折射率遞減，全反射的臨界角得到了增大，大部分的光可以出射到空氣中，提高了出光效率；復合散射層中包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面的二氧化鈦(TiO2),構(gòu)型規(guī)整均一，比表面積較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用，提高了MgO與ZrO2的相間結(jié)合能力，使顆粒間的縫隙減少，連接更緊密，更好的提高了復合散射層的散射能力。
[0081]實施例2
[0082]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0083](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；
[0084](2)在玻璃基底上采用電子束蒸鍍的方式制備復合散射層；
[0085]在本實施例中，復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂MgO和氧化鋯ZrO2與二氧化鈦TiO2復合形成的復合材料，TiO2包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，MgO的顆粒粒徑為20nm，ZrO2的顆粒粒徑為200nm，ZrO2占MgO質(zhì)量的10%，復合散射層厚度為IOOnm ；
[0086]具體地，將MgO和ZrO2摻雜混合(ZrO2占MgO質(zhì)量的10%)后，置于濃度為20mmol/L的TiCl4水溶液中，100°C保溫20min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在400°C下煅燒40min，得到復合材料，再將該復合材料進行電子束蒸鍍制備在玻璃基底上，在電子束蒸鍍過程中，壓力為3X 10_3Pa ；
[0087](2)采用磁控濺射的方法在復合散射層上制備陽極導電膜；
[0088]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為2X 10_3Pa，濺射功率為50W，陽極導電膜為AZO膜，厚度為300nm。
[0089](3)在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0090]空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00 °C，真空度為3X 10_3Pa。陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00 °C，真空度為3 X KT3Pa。
[0091]其中，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(MoO3)，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為60nm;發(fā)光層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁(Alq3),發(fā)光層厚度為35nm ；電子傳輸層的材料為1，2，4_三唑衍生物(TAZ)，厚度為65nm ;陰極為鉬(Pt),厚度為80nm。
[0092]本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/Mg0:Zr02:Ti02/AZ0/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/Pt。
[0093]實施例3
[0094]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0095](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；
[0096](2)在玻璃基底上采用電子束蒸鍍的方式制備復合散射層；
[0097]在本實施例中，復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂MgO和氧化鋯ZrO2與二氧化鈦TiO2復合形成的復合材料，TiO2包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，MgO的顆粒粒徑為200nm，ZrO2的顆粒粒徑為50nm，ZrO2占MgO質(zhì)量的50%，復合散射層厚度為300nm ；
[0098]具體地，將MgO和ZrO2摻雜混合(ZrO2占MgO質(zhì)量的50%)后，置于濃度為60mmol/L的TiCl4水溶液中，50°C保溫60min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在600°C下煅燒20min，得到復合材料，再將該復合材料進行電子束蒸鍍制備在玻璃基底上，在電子束蒸鍍過程中，壓力為2X 10_4Pa ；
[0099](2)采用磁控濺射的方法在復合散射層上制備陽極導電膜；
[0100]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為3 X 10?,濺射功率為300W，陽極導電膜為IZO膜，厚度為50nm。
[0101](3)在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0102]空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00 °C，真空度為2 X UT4Peu陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00 °C，真空度為
2X KT4Pa。
[0103]其中，空穴注入層的材質(zhì)為五氧化二釩(V2O5),厚度為45nm;空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，厚度為55nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為9，10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)，發(fā)光層厚度為5nm ；電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，厚度為60nm ;陰極為鋁(Al)，厚度為lOOnm。
[0104]本實施例提供`的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/Mg0:Zr02:Ti02/IZ0/V205/TAPC/ADN/Bphen/Al。
[0105]實施例4
[0106]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0107](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；
[0108](2)在玻璃基底上采用電子束蒸鍍的方式制備復合散射層；
[0109]在本實施例中，復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂MgO和氧化鋯ZrO2與二氧化鈦TiO2復合形成的復合材料，TiO2包覆在MgO和ZrO2的顆粒表面，MgO的顆粒粒徑為150nm，ZrO2的顆粒粒徑為lOOnm，ZrO2占MgO質(zhì)量的20%，復合散射層厚度為IOOnm ；
[0110]具體地，將MgO和ZrO2摻雜混合(ZrO2占MgO質(zhì)量的20%)后，置于濃度為30mmol/L的TiCl4水溶液中，60°C保溫30min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在500°C下煅燒30min，得到復合材料，再將該復合材料進行電子束蒸鍍制備在玻璃基底上，在電子束蒸鍍過程中，壓力為4X 10_4Pa ；
[0111](2)采用磁控濺射的方法在復合散射層上制備陽極導電膜；
[0112]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為8X 10_4Pa，濺射功率為200W，陽極導電膜為AZO膜，厚度為150nm。
[0113](3)在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0114]空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹? O O °C，真空度為6 X IO _4P a。陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹? O O °C，真空度為6X KT4Pa。
[0115]其中，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(WO3)，厚度為80nm;空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為60nm;發(fā)光層的材質(zhì)為4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi )，發(fā)光層厚度為45nm ；電子傳輸層的材料為1，2，4-三唑衍生物(TAZ)，厚度為35nm ;陰極為金(Au)，厚度為250nm。
[0116]本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/MgO:ZrO2:Ti02/AZ0/W03/TCTA/BCzVBi/TAZ/Au。
[0117]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件,其特征在于,依次包括玻璃基底、復合散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面，所述氧化鋯占所述氧化鎂質(zhì)量的10-50%。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化鎂的顆粒粒徑為20~200nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化鋯的顆粒粒徑為50~200nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述復合散射層的厚度為100~300nm。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述復合材料中，所述二氧化鈦為銳鈦礦晶型，由四氯化鈦發(fā)生水解并經(jīng)煅燒得到。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底，采用電子束蒸鍍的方式在經(jīng)處理過的玻璃基底上制備復合散射層，所述復合散射層的材質(zhì)為氧化鎂和氧化鋯與二氧化鈦復合形成的復合材料，所述二氧化鈦包覆在所述氧化鎂和所述氧化鋯的顆粒表面，所述氧化鋯占所述氧化鎂質(zhì)量的10~50% ； 在所述復合散射層上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜； 在所述陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
7.如權利要求6所述的有機電`致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化鎂的顆粒粒徑為20~200nm。
8.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述氧化鋯的顆粒粒徑為5(T200nm。
9.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述復合散射層的厚度為100~300nm。
10.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述復合材料按如下方法制備:將氧化鎂和氧化鋯進行摻雜混合后置于濃度為2(T60mmOl/L的四氯化鈦水溶液中，5(T10(TC保溫2(T60min后，取出用蒸餾水和無水乙醇依次沖洗，烘干，然后在40(T600°C下煅燒 20~40min。
【文檔編號】H01L51/56GK103824963SQ201210468078
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年11月19日 優(yōu)先權日:2012年11月19日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司