高導電性有機透明導電薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高導電性的有機透明導電薄膜的制備方法。采用有機小分子或聚合物半導體材料作為介質(zhì)層，制備介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構透明導電薄膜，不僅可以實現(xiàn)可見光區(qū)高透過率，并且可以實現(xiàn)小于10?Ω/□的超低面電阻。采用有機半導體材料作為介質(zhì)層，不僅可以大大拓展介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構中介質(zhì)材料的選擇，而且可以實現(xiàn)大量不同性質(zhì)的n型及p型有機透明導電薄膜。該類透明導電薄膜具有在薄膜太陽能電池及有機發(fā)光二極管等光電子器件領域應用的潛質(zhì)，并且基于有機半導體材料的透明導電薄膜更有利于實現(xiàn)高性能的柔性透明導電薄膜。
【專利說明】高導電性有機透明導電薄膜的制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及透明導電薄膜材料【技術領域】，具體涉及一種高導電性有機透明導電薄膜的制備方法。
技術背景
[0002]透明導電薄膜是一種重要的光電功能薄膜，被廣泛的應用于液晶顯示、有機發(fā)光二極管、觸摸屏、薄膜太陽能電池等領域中。目前報道的透明導電薄膜主要包括以Ιη203、SnO2和ZnO等為主體材料的摻雜體系的透明導電氧化物薄膜(Nature Mater.2005, 4，864 - 868; Sol.Energy Mater.Sol.Cells 2010, 94, 2328-2331; App1.Phys.Lett.2010，96，133506)，以聚噻吩衍生物聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)摻雜聚苯乙烯磺酸(PSS)為代表的導電聚合物薄膜(J.Mater.Chem.2005, 15，2077-2088; Adv.Funct.Mater.2004, 14，615-622)，以碳納米管和石墨烯為代表的碳基透明導電薄膜(Science 2004，305，1273-1276; ACS Nano 2010，4，5263-5268)，和以金屬納米線和金屬納米格柵為代表的金屬納米結構的透明導電薄膜(Nano Lett.2008, 8，689-692;Adv.Mater.2010, 22，3558-3563)。其中最常用的透明導電薄膜是銦錫氧化物(ITO)薄膜，該薄膜具有較高的可見光透過率和較低的電阻率，常被用在有機太陽能電池和有機發(fā)光二極管等光電器件中作為透明電極。隨著科技的進步，未來光電器件的發(fā)展趨勢是低成本、輕量化和柔性化，而傳統(tǒng)的ITO薄膜則不能滿足制備低成本柔性器件的要求。這主要是由于ITO薄膜較脆，在受力彎曲時面電阻會急劇增大，另外，由于銦元素稀有，使得ITO的制備成本逐年增加。因此，發(fā)展低成本且耐彎曲的透明導電薄膜將為未來光電器件的發(fā)展起到有益的促進作用。
[0003]介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構可以通過對金屬和介質(zhì)層厚度的調(diào)節(jié)同時實現(xiàn)高電導率和可見光區(qū)的高透過率，而該多層結構的高電導率則主要受金屬層厚度的影響，采用適當厚度的金屬層可以實現(xiàn)小于10 Ω/□的超低面電阻。這種結構早期被應用于增加透明導電氧化物薄膜的電導率，采用總厚度不超過100 nm的IT0/Ag/IT0結構的透明導電薄膜可以實現(xiàn)小于5 Ω/□的面電阻和可見光區(qū)大于85%的透過率(Opt.Commun.2009, 282，574-578)。目前報道的介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構都是采用無機半導體材料作為介質(zhì)層。
[0004]與無機半導體材料相比，有機半導體材料具有材料來源廣泛，重量輕、成本低、耐彎曲等優(yōu)點，是良好的低成本柔性材料。但是，有機半導體薄膜的載流子遷移率通常很低，一般在10_3-10_7 Cm2V-1S-1量級，而且載流子濃度也遠低于無機半導體薄膜，因此絕大多數(shù)有機半導體薄膜的導電性很差。目前報道的基于有機材料的透明導電薄膜在可見光透過率大于85%時，最佳的面電阻也只有約150 Ω / D(Adv.Funct.Mater.2011, 21，1076-1081)，這樣的性能遠遠不能達到光電器件對透明電極的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術中的基于有機材料的透明導電薄膜的性能不能達到光電器件要求的問題，本發(fā)明特別提供一種基于介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構的，采用有機半導體材料作為介質(zhì)層的，無銦且可柔性化的高導電性有機透明導電薄膜的制備方法。
[0006]本發(fā)明的高導電性的有機透明導電薄膜材料的制備方法的技術方案具體如下:
[0007]—種高導電性有機透明導電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0008]步驟1、在剛性或柔性平面基板上制備第一介質(zhì)層；
[0009]步驟i1、在所述的第一介質(zhì)層上制備金屬層；
[0010]步驟ii1、在所述的金屬層上制備第二介質(zhì)層；
[0011]所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料分別為:任意一種有機半導體材料，或任意多種有機半導體材料的混合物。
[0012]上述技術方案中，所述的有機半導體材料包括有機小分子半導體材料和聚合物半導體材料。
[0013]上述技術方案中，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層為兩種有機半導體材料的混合物時，兩種材料的質(zhì)量混合比例為1:99-1: 4。
[0014]上述技術方案中，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層為三種或三種以上有機半導體材料混合時，其中每種材料的質(zhì)量至少占混合物總質(zhì)量的1%。
[0015]上述技術方案中，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的厚度分別為10-300 nm。
[0016]上述技術方案中，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料分別為任意一種以下材料或混合物:聚乙烯基咔唑(PVK)、0XD-7、并五苯、酞菁銅(CuPc)、聚3己基噻吩(P3HT)和0XD-7的混合物、PEDOT和PSS的混合物、2T-NATA和F4-TCNQ的混合物、m-MTDATA和F4-TCNQ的混合物、P3HT:0XD-7:PVK的混合物或并五苯:0XD-7:m-MTDATA: F4-TCNQ的混合物等。
[0017]上述技術方案中，通過旋涂制備所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層時，旋涂速度分別為500-3000轉/分鐘，旋涂時間分別為1-2分鐘。
[0018]上述技術方案中，所述金屬層材料為Ag、Au、Pt或者Cu等；所述金屬層的厚度為8_30nmo
[0019]上述技術方案中，所述金屬層的制備方法為電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、磁控濺射或離子濺射。
[0020]上述技術方案中，在步驟i中，所述剛性平面基板為玻璃、石英、金屬、無機晶體或半導體；所述柔性平面基板為塑料、紙或布。
[0021]本發(fā)明的高導電性的有機透明導電薄膜具有以下有益效果:
[0022]本發(fā)明的高導電性的有機透明導電薄膜，是利用介質(zhì)/金屬/介質(zhì)結構，采用有機半導體材料作為介質(zhì)層制備的透明導電薄膜，不僅可以大幅提高有機透明導電薄膜的電導率，而且可以拓展介質(zhì)/金屬/介質(zhì)結構透明導電薄膜的介質(zhì)材料的選擇，實現(xiàn)大量具有不同光電性質(zhì)的η型及P型有機透明導電薄膜。這種有機透明導電薄膜可以制備在多種剛性或柔性基板上作為光電器件的電極使用。
[0023]本發(fā)明的高導電性的有機透明導電薄膜，具有較高的可見光透過率以及較低的面電阻，具有在薄膜太陽能電池及有機發(fā)光二極管等光電器件領域應用的潛質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】[0024]圖1是基于有機材料的介質(zhì)/金屬/介質(zhì)多層結構透明導電薄膜的結構示意圖。
[0025]圖2是實施例1、2、3、4和對比例I的透過率譜圖。其中實施例1、2、3、4的結構分別為 PVK (35 nm) /Ag(12 nm)/PVK (35 nm)(曲線 I)、PVK (40 nm) /Ag(12 nm)/PVK (40nm)(曲線 2)、PVK (45 nm) /Ag(12 nm) /PVK (45 nm)(曲線 3)、PVK (55 nm) /Ag(12 nm) /PVK (55 nm)(曲線4)。對比例I為12 nm金屬Ag膜(曲線5)。
[0026]圖3是實施例5和對比例II的透過率譜圖。其中實施例5的結構為PVK(45 nm)/Au (8 nm) /PVK(45 nm)(曲線I),對比例II為8 nm金屬Au膜(曲線2)。
[0027]圖4是實施例41和對比例ΧΠ的電流-電壓特性曲線，具體的說是以實施例13為陽極制備的聚合物太陽能電池(實施例41)和以ITO為陽極制備的聚合物太陽能電池(對比例XD的電流-電壓特性曲線。其中實施例41的器件結構為PVK (35 nm)/Ag(15 nm)/PEDOT:PSS (35 nm)/P3HT:PCBM (質(zhì)量比為 1:1,100 nm)/LiF (I nm)/Al (100 nm)(曲線
1)，對比例ΧΠ的器件結構為IT0/PED0T:PSS (質(zhì)量比為1:6，35 nm)/P3HT:PCBM (質(zhì)量比為1:1,100 nm)/LiF (I nm)/Al (100 nm)(曲線 2)。
【具體實施方式】
[0028]本發(fā)明的發(fā)明思想為:提供一種高導電性的有機透明導電薄膜材料的制備方法，其所涉及的透明導電薄膜的結構如圖1所示:
[0029]平面基板100為玻璃、塑料、石英、半導體、無機晶體、金屬、紙、布等材料的剛性或柔性平面基板。
[0030]第一介質(zhì)層200的材料為一種有機半導體材料,或多種有機半導體材料的混合物，其中有機半導體材料包括有機小分子半導體材料和聚合物半導體材料?；旌衔餅閮煞N材料時，兩種材料的質(zhì)量混合比例為1:99-1:4 ;混合物為三種或三種以上材料時，其中每種材料的質(zhì)量至少占混合物總質(zhì)量的1%;厚度為10-300nm。
[0031]金屬層300材料為Ag、Au、Pt或Cu等金屬材料，厚度為8_30nm ；
[0032]上述金屬層300的制備方法為電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、磁控濺射或離子濺射等中的任意一種。
[0033]第二介質(zhì)層400的材料為一種有機半導體材料，或多種有機半導體材料的混合物，其中有機半導體材料包括有機小分子半導體材料和聚合物半導體材料，混合物為兩種材料時，兩種材料的質(zhì)量混合比例為1:99-1:4 ;混合物為三種或三種以上材料時，其中每種材料的質(zhì)量至少占混合物總質(zhì)量的1%;厚度為10-300nm。
[0034]上述的有機小分子半導體材料為CuPc、并五苯、OXD-7、m-MTDATA、F4-TCNQ、2T-NATA等有機小分子半導體材料時，基于有機小分子半導體材料的介質(zhì)層的制備方法為溶液旋涂加工或熱蒸發(fā)。
[0035]上述的聚合物半導體材料為PVK、P3HT或PED0T:PSS等聚合物半導體材料時，基于聚合物半導體材料的介質(zhì)層的制備方法為溶液旋涂加工；上述的溶液旋涂加工中，溶液濃度為10-30暈克/暈升。
[0036]本發(fā)明的高導電性有機透明導電薄膜的制備方法的步驟如下:
[0037]步驟I)、在剛性或柔性平面基板100上制備第一介質(zhì)層200 ；
[0038]步驟2)、在所述的第一介質(zhì)層200上制備金屬層300 ；[0039]步驟3)、在所述的金屬層300上制備第二介質(zhì)層400 ；
[0040]所述第一介質(zhì)層200和所述第二介質(zhì)層400的材料分別為任意一種有機半導體材料，或多種有機半導體材料的混合物；所述的有機半導體材料包括有機小分子半導體材料和聚合物半導體材料。
[0041]具體的說，本發(fā)明的高導電性有機透明導電薄膜的制備方法:
[0042]在平面基板100上依次制備第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400,形成厚度分別為10-300 nm的第一介質(zhì)層200,8-30 nm的金屬層300和10-300 nm的第二介質(zhì)層400，其中第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400可以采用相同或不同的材料制備；
[0043]上述的平面基板100為玻璃、塑料、石英、半導體、無機晶體、金屬、紙或布等剛性或柔性材料；
[0044]上述的第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400材料為氯苯溶解的PVK、氯苯溶解的0XD-7、PEDOT:PSS、氯苯溶解的P3HT:0XD_7或氯苯溶解的P3HT:0XD-7:PVK等材料的溶液，以及熱蒸發(fā)的 CuPc、并五苯、0XD-7、m-MTDATA: F4-TCNQ、2T-NATA: F4-TCNQ 或并五苯:0XD-7:m-MTDATA:F4-TCNQ等有機小分子半導體材料；
[0045]上述的金屬層300材料為Ag、Au、Pt或Cu等金屬材料，金屬層300的制備方法為
電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、磁控濺射或離子濺射等。
[0046]為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0047]以下是實施例1至41以及對比例I至XII的具體說明:
[0048]實施例1:
[0049]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在玻璃基板上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入電子束鍍膜機中抽真空，當真空度達1.2X IO-3帕斯卡時蒸發(fā)12 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK(35nm)/Ag(12 nm)/PVK (35 nm)的多層透明導電薄膜。
[0050]實施例2:
[0051]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在玻璃基板上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為40 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入電子束鍍膜機中抽真空，當真空度達1.2X IO-3帕斯卡時蒸發(fā)12 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為40 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK(40nm)/Ag(12 nm)/PVK (40 nm)的多層透明導電薄膜。
[0052]實施例3:[0053]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在玻璃基板上，以1000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入電子束鍍膜機中抽真空，當真空度達1.2X IO-3帕斯卡時蒸發(fā)12 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以1000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK (45nm)/Ag(12 nm)/PVK (45 nm)的多層透明導電薄膜。
[0054]實施例4:
[0055]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在玻璃基板上，以500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為55 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入電子束鍍膜機中抽真空，當真空度達1.2X 10_3帕斯卡時蒸發(fā)12 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為55 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK (55nm)/Ag(12 nm)/PVK (55 nm)的多層透明導電薄膜。
[0056]對比例1:
[0057]將平面基板100清洗干凈并烘干后放入電子束鍍膜機中抽真空，當真空度達1.2X 10_3帕斯卡時蒸發(fā)12 nm厚度的金屬Ag ;該平面基板100為玻璃基板。
[0058]實施例5:
[0059]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的15毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在玻璃基板上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入熱蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)8 nm厚度的金屬Au作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的15毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK (45nm) /Au(8 nm)/PVK (45 nm)的多層透明導電薄膜。
[0060]對比例II:
[0061]將平面基板100清洗干凈并烘干后放入熱蒸發(fā)鍍膜機中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)8 nm厚度的金屬Au ;該平面基板100為玻璃基板。
[0062]實施例6:
[0063]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為石英基板。把溶解好的20毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在石英基板上，以800轉/分鐘的速度旋涂1.5分鐘，得到厚度為150 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的石英基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm厚度的金屬Cu作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的石英基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的30毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在金屬層300上，以500轉/分鐘的速度旋涂2分鐘，得到厚度為300 nm的第二介質(zhì)層，最終形成結構為PVK (150 nm) /Cu(15 nm)/PVK (300 nm)的多層透明導電薄膜。
[0064]實施例7:
[0065]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為石英基板。把溶解好的20毫克/毫升的P3HT:0XD-7 (質(zhì)量比為1:9)混合溶液均勻滴在石英基板上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為85 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的石英基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15nm厚度的金屬Cu作為金屬層300,之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的石英基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的20毫克/毫升的P3HT:0XD-7 (質(zhì)量比為1:9)混合溶液均勻滴在金屬層300上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為85 nm的第二介質(zhì)層 400，最終形成結構為 P3HT:0XD-7 (85 nm) /Cu(15 nm)/P3HT:0XD-7 (85 nm)的多層透明導電薄膜。
[0066]實施例8:
[0067]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為石英基板。把PEDOT:PSS (質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在石英基板上，以500轉/分鐘的速度旋涂2分鐘，得到厚度為65 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的石英基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm厚度的金屬Cu作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的石英基板取出并放置在勻膠機托架上，把PEDOT:PSS(質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在金屬層300上，以500轉/分鐘的速度旋涂2分鐘，得到厚度為65 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PEDOT:PSS(65 nm)/Cu(15 nm)/PEDOT:PSS (65 nm)的多層透明導電薄膜。
[0068]實施例9:
[0069]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為石英基板。把溶解好的30毫克/毫升的PVK溶液均勻滴在石英基板上，以500轉/分鐘的速度旋涂2分鐘，得到厚度為300 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的石英基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm厚度的金屬Cu作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的石英基板取出并放置在勻膠機托架上，把PED0T:PSS (質(zhì)量比為1:10)溶液均勻滴在金屬層300上，以1000轉/分鐘的速度旋涂1.5分鐘，得到厚度為55 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK(300 nm)/Cu(15 nm)/PEDOT:PSS (55 nm)的多層透明導電薄膜。
[0070]對比例III:
[0071]將平面基板100清洗干凈并烘干后放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm厚度的金屬Cu ;該平面基板100為石英基板。
[0072]實施例10:
[0073]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為半導體硅基板。把溶解好的15毫克/毫升的P3HT:0XD-7 (質(zhì)量比為1:8)混合溶液均勻滴在半導體硅基板上，以2500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第一介質(zhì)層200，然后采用離子派射沉積技術在第一介質(zhì)層200上制備30 nm厚度的金屬Au作為金屬層300,之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的半導體硅基板放置在勻膠機托架上，把溶解好的15毫克/毫升的P3HT:0XD-7(質(zhì)量比為1:8)混合溶液均勻滴在金屬層300上，以2500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為P3HT:OXD_7(45 nm) /Au(30 nm)/P3HT: OXD-7 (45 nm)的多層透明導電薄膜。
[0074]實施例11:
[0075]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為半導體硅基板。把PEDOT:PSS (質(zhì)量比為1:4)溶液均勻滴在半導體硅基板上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為10 nm的第一介質(zhì)層200，然后采用離子濺射沉積技術在第一介質(zhì)層200上制備30 nm厚度的金屬Au作為金屬層300,之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的半導體硅基板放置在勻膠機托架上，把PEDOT =PSS (質(zhì)量比為1:4)溶液均勻滴在金屬層300上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為10 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 PEDOT =PSS (10 nm)/Au(30 nm)/ PEDOT:PSS (10 nm)的多層透明導電薄膜。
[0076]實施例12:
[0077]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為半導體硅基板。把把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在半導體硅基板上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第一介質(zhì)層200，然后采用離子濺射沉積技術在第一介質(zhì)層200上制備30 nm厚度的金屬Au作為金屬層300,之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的半導體硅基板放置在勻膠機托架上，把PEDOT =PSS (質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在金屬層300上，以2300轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK (35 nm)/Au(30 nm)/ PEDOT:PSS (35 nm)的多層透明導電薄膜。
[0078]對比例IV:
[0079]將平面基板100清洗干凈并烘干后采用離子濺射沉積技術制備30 nm厚度的金屬Au ;該平面基板100為半導體硅基板。
[0080]實施例13:
[0081]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為塑料基板。把溶解好的10毫克/毫升的聚合物PVK溶液均勻滴在塑料基板上，以3000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的塑料基板放入熱蒸發(fā)鍍膜機中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的塑料基板取出并放置在勻膠機托架上，把PED0T:PSS (質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在金屬層300上，以2300轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PVK (35 nm) /Ag(15 nm)/ PEDOT:PSS (35 nm)的多層柔性透明導電薄膜。
[0082]實施例14:
[0083]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為塑料基板。把溶解好的10毫克/毫升的P3HT:0XD-7 (質(zhì)量比為1:4)混合溶液均勻滴在塑料基板上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為25 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的塑料基板放入熱蒸發(fā)鍍膜機中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300,之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的塑料基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的P3HT:OXD-7(質(zhì)量比為1:4)混合溶液均勻滴在金屬層300上，以2000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為25 nm的第二介質(zhì)層 400，最終形成結構為 P3HT:OXD-7 (25 nm)/Ag(15 nm)/P3HT:OXD-7 (25 nm)的多層柔性透明導電薄膜。
[0084]實施例15:
[0085]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為塑料基板。把PEDOT:PSS (質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在塑料基板上，以2300轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第一介質(zhì)層，然后將涂有第一介質(zhì)層200的塑料基板放入熱蒸發(fā)鍍膜機中抽真空，當真空度達4.0X 10-4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的塑料基板取出并放置在勻膠機托架上，把PEDOT:PSS(質(zhì)量比為1:6)溶液均勻滴在金屬層300上，以1000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為45 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為PEDOT:PSS(35 nm)/Ag(15 nm)/PEDOT:PSS (45 nm)的多層柔性透明導電薄膜。
[0086]對比例V:
[0087]將平面基板100清洗干凈并烘干后放入熱蒸發(fā)鍍膜機中抽真空，當真空度達
4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Ag ;該平面基板100為塑料基板。
[0088]實施例16:
[0089]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備30 nm厚的CuPc作為第一介質(zhì)層
200.30nm厚的Au作為金屬層300和30 nm厚的CuPc作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為CuPc (30 nm) /Au(30 nm)/ CuPc (30 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為玻璃基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均米用熱蒸發(fā)的方法制備。
[0090]實施例17:
[0091]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備75 nm厚的并五苯作為第一介質(zhì)層
200.30nm厚的Au作為金屬層300和95 nm厚的并五苯作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為并五苯(75 nm)/Au (30 nm)/并五苯(95 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為玻璃基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均米用熱蒸發(fā)的方法制備。
[0092]實施例18:
[0093]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為玻璃基板。把溶解好的20毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在玻璃基板上，以800轉/分鐘的速度旋涂1.5分鐘，得到厚度為150 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的玻璃基板放入熱蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)30 nm厚的Au作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的玻璃基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的20毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在金屬層300上，以800轉/分鐘的速度旋涂1分鐘，得到厚度為150 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為0XD-7 (150nm) /Au(30 nm)/ 0XD-7 (150 nm)的多層透明導電薄膜。
[0094]對比例VI:
[0095]將平面基板100清洗干凈并烘干后放置于熱蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達
4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)30 nm厚的Au膜；該平面基板100為玻璃基板。
[0096]實施例19:[0097]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備25 nm厚的并五苯作為第一介質(zhì)層200、8 nm厚的Ag作為金屬層300和25 nm厚的并五苯作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為并五苯(25 nm)/Ag(8 nm)/并五苯(25 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為金屬鋁基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用電子束蒸發(fā)方法制備。
[0098]實施例2O:
[0099]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備50 nm厚的CuPc作為第一介質(zhì)層200、8 nm厚的Ag作為金屬層300和50 nm厚的CuPc作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為CuPc (50 nm)/Ag(8 nm)/ CuPc (50 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為金屬鋁基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用電子束蒸發(fā)方法制備。
[0100]實施例21:
[0101]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為金屬鋁基板。把溶解好的15毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在金屬鋁基板上，以1000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為75 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的金屬鋁基板放入電子束蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達1.2X10—3帕斯卡時蒸發(fā)8 nm Ag作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的金屬鋁基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的15毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在金屬層300上，以1000轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為75 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為0XD-7(75 nm) /Ag(8 nm)/ 0XD-7 (75 nm)的多層透明導電薄膜。
[0102]對比例νπ:
[0103]將平面基板100清洗干凈并烘干后放置于電子束蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達
1.2Χ 10_3帕斯卡時蒸發(fā)8 nm Ag ;該平面基板100為金屬招基板。
[0104]實施例22:
[0105]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為藍寶石晶體基板。把溶解好的10毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在藍寶石晶體基板上，以1500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的藍寶石晶體基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15nm厚度的金屬Cu作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的藍寶石晶體基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的有機0XD-7溶液均勻滴在金屬層300上，以1500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為35 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為0XD-7 (35 nm)/Cu(15 nm)/ 0XD-7 (35 nm)的多層透明導電薄膜。
[0106]實施例23:
[0107]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備100 nm CuPc作為第一介質(zhì)層200、15 nm Cu作為金屬層300和100 nm CuPc作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為CuPc(100nm) /Cu(15 nm)/ CuPc (100 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0108]實施例24:[0109]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備85 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、15 nm Cu作為金屬層300和55 nm并五苯作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為并五苯(85nm)/Cu (15 nm)/并五苯(55 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0110]實施例25:
[0111]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備60 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、15nm Cu作為金屬層300和45 nm的CuPc作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為并五苯(60nm)/ Cu (15 nm)/ CuPc (45 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0112]實施例26:
[0113]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備300 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、15 nm Cu作為金屬層300和25 nm的0XD-7作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為并五苯(300 nm) /Cu (15 nm)/ 0XD-7 (25 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0114]實施例27:
[0115]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備75 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15 nm Cu作為金屬層300和75 nm的m-MTDATA:F4_TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 m-MTDATA:F4-TCNQ (75 nm) /Cu (15 nm)/ m-MTDATA:F4-TCNQ (75nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為10%，其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0116]實施例28:
[0117]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備150 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15 nm Cu作為金屬層300和150 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 2T-NATA:F4-TCNQ (150 nm) /Cu (15 nm)/ 2T-NATA:F4-TCNQ (150nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為1%，其中該平面基板100為藍寶石晶體基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用磁控濺射方法制備。
[0118]實施例29:
[0119]將平面基板100清洗干凈并烘干后置于勻膠機托架上；該平面基板100為藍寶石晶體基板。把溶解好的10毫克/毫升的P3HT:0XD-7:PVK (P3HT的質(zhì)量占總質(zhì)量的1%，0XD-7的質(zhì)量占總質(zhì)量的5%)混合溶液均勻滴在藍寶石基板上，以1500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為30 nm的第一介質(zhì)層200，然后將涂有第一介質(zhì)層200的藍寶石晶體基板放入磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm Cu作為金屬層300，之后將帶有第一介質(zhì)層200和金屬層300的藍寶石晶體基板取出并放置在勻膠機托架上，把溶解好的10毫克/毫升的P3HT:0XD-7:PVK (P3HT的質(zhì)量占總質(zhì)量的1%，0XD-7的質(zhì)量占總質(zhì)量的5%)混合溶液均勻滴在金屬層300上，以1500轉/分鐘的速度旋涂I分鐘，得到厚度為30 nm的第二介質(zhì)層400，最終形成結構為P3HT:OXD-7:PVK (30nm)/Cu(15 nm)/P3HT:OXD-7:PVK (30 nm)的多層透明導電薄膜。
[0120]對比例VD1:
[0121]將平面基板100清洗干凈并烘干后放置于磁控濺射鍍膜機中抽真空，在真空度為I帕斯卡時濺射15 nm Cu ;該平面基板100為藍寶石晶體基板。
[0122]實施例30:
[0123]在平面基板100上依次制備150 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、10 nm Ag作為金屬層300和35 nm的CuPc作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為并五苯(150 nm)/Ag(10nm)/ CuPc (35 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為紙基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用離子濺射方法制備。
[0124]實施例31:
[0125]在平面基板100上依次制備25 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、10 nm Ag作為金屬層300和70 nm的0XD-7作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為并五苯(25 nm) /Ag (10nm)/ 0XD-7C70 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為紙基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用離子濺射方法制備。
[0126]實施例32:
[0127]在平面基板100上依次制備55 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、10nm Ag作為金屬層300和55 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 m-MTDATA:F4-TCNQ (55 nm) /Ag (10 nm)/ m-MTDATA:F4-TCNQ (55 nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為2%，其中該平面基板100為紙基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用離子濺射方法制備。
[0128]實施例33:
[0129]在平面基板100上依次制備75 nm的2T-NATA:F4_TCNQ作為第一介質(zhì)層200、10nm Ag作為金屬層300和75 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為2T-NATA:F4-TCNQ (75 nm) /Ag (10 nm)/ 2T-NATA:F4_TCNQ (75 nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為2%，其中該平面基板100為紙基板；第一介質(zhì)層200和第二介質(zhì)層400采用熱蒸發(fā)方法制備，金屬層300采用離子濺射方法制備。
[0130]對比例IX:
[0131]在平面基板100上采用離子濺射制備10 nm厚度的金屬Ag ;該平面基板100為紙基板。
[0132]實施例34:
[0133]在平面基板100上依次制備10 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、15 nm Au作為金屬層300和300 nm的0XD-7作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為并五苯(10 nm)/Au (15nm)/ 0XD-7 (300 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為尼龍布基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0134]實施例35:
[0135]在平面基板100上依次制備35 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15nm Au作為金屬層300和35 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 m-MTDATA:F4-TCNQ (35 nm) /Au (15 nm)/ m-MTDATA:F4-TCNQ (35 nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為1%，其中該平面基板100為尼龍布基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0136]實施例36:
[0137]在平面基板100上依次制備120 nm并五苯作為第一介質(zhì)層200、15 nm Au作為金屬層300和100 nm的CuPc作為第二介質(zhì)層400,最終形成結構為并五苯(120 nm) / Au(15 nm)/ CuPc (100 nm)的多層透明導電薄膜。其中該平面基板100為尼龍布基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0138]實施例37:
[0139]在平面基板100上依次制備55 nm的2T-NATA:F4_TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15nm Au作為金屬層300和55 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為2T-NATA:F4-TCNQ (55 nm) /Au (15 nm)/ 2T-NATA:F4-TCNQ (55 nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為5%，其中該平面基板100為尼龍布基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0140]對比例X:
[0141]將平面基板100放置于熱蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達4.0 X10—4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Au ;該平面基板100為尼龍布基板。
[0142]實施例38:
[0143]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備35 nm的m-MTDATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15 nm Pt作為金屬層300和35 nm的m-MTDATA:F4_TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 m-MTDATA:F4-TCNQ (35 nm) /Pt (15 nm)/ m-MTDATA:F4-TCNQ (35nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為2% ;該平面基板100為玻璃基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0144]實施例39:
[0145]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備35 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15 nm Pt作為金屬層300和35 nm的2T-NATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為 2T-NATA:F4-TCNQ (35 nm) /Pt (15 nm)/ 2T-NATA:F4-TCNQ (35 nm)的多層透明導電薄膜。其中F4-TCNQ的混合比例為10% ;該平面基板100為玻璃基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0146]實施例40:
[0147]將平面基板100清洗干凈并烘干后依次制備30 nm的0XD-7:并五苯:m_MTDATA:F4-TCNQ作為第一介質(zhì)層200、15 nm Pt作為金屬層300和30 nm的0XD-7:并五苯:m-MTDATA:F4-TCNQ作為第二介質(zhì)層400，最終形成結構為0XD-7:并五苯:m_MTDATA:F4-TCNQ (30 nm) /Pt (15 nm)/ 0XD-7:并五苯:m_MTDATA:F4_TCNQ (30 nm)的多層透明導電薄膜。其中0XD-7和并五的質(zhì)量均占混合物總質(zhì)量的1%，:F4-TCNQ的質(zhì)量占混合物總質(zhì)量的2% ;該平面基板100為玻璃基板；第一介質(zhì)層200、金屬層300和第二介質(zhì)層400均采用熱蒸發(fā)方法制備。
[0148]對比例XI:
[0149]將平面基板100清洗干凈并烘干后放置于熱蒸發(fā)設備中抽真空，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時蒸發(fā)15 nm厚度的金屬Pt ;該平面基板100為玻璃基板。
[0150]實施例41:
[0151]以實施例13為陽極制備結構為PVK (35 nm)/Ag(15 nm)/ PEDOT:PSS (質(zhì)量比為1:6,35 nm)/P3HT:PCBM (質(zhì)量比為 1:1,100 nm)/LiF (I nm)/Al (100 nm)的聚合物太陽能電池。其中P3HT和PCBM共混物采用氯苯溶解，并利用其溶液旋涂成膜，然后利用熱臺對涂有P3HT:PCBM薄膜的基板進行160度10分鐘的退火處理，最后將上述基板放入熱蒸發(fā)設備中，當真空度達4.0X 10_4帕斯卡時，依次蒸發(fā)LiF和Al作為陰極。
[0152]對比例ΧΠ:
[0153]以ITO 為陽極制備結構為 IT0/PED0T:PSS (質(zhì)量比為 1:6，35 nm)/P3HT:PCBM(質(zhì)量比為 1:1,100 nm)/LiF (I nm)/Al (100 nm)的聚合物太陽能電池。PEDOT:PSS,P3HT:PCBM、LiF和Al層的制備過程與實施例41相同。
[0154]表I
[0155]
【權利要求】
1.一種高導電性有機透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、在剛性或柔性平面基板上制備第一介質(zhì)層； 步驟i1、在所述的第一介質(zhì)層上制備金屬層； 步驟ii1、在所述的金屬層上制備第二介質(zhì)層； 所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料分別為:任意一種有機半導體材料，或任意多種有機半導體材料的混合物。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的有機半導體材料包括有機小分子半導體材料和聚合物半導體材料。
3.根據(jù)權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層為兩種有機半導體材料的混合物時，兩種材料的質(zhì)量混合比例為1:99-1: 4。
4.根據(jù)權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層為三種或三種以上有機半導體材料混合時，其中每種材料的質(zhì)量至少占混合物總質(zhì)量的1%。
5.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的厚度分別為10-300 nm。
6.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料分別為任意一種以下材料或混合物:聚乙烯基咔唑(PVK)、OXD-7、并五苯、酞菁銅(CuPc )、聚3己基噻吩(P3HT)和OXD-7的混合物、PEDOT和PSS的混合物、2T-NATA和F4-TCNQ的混合物、m-MTDATA和F4-TCNQ的混合物、P3HT:OXD-7:PVK的混合物或并五苯:0XD-7:m-MTDATA:F4-TCNQ 的混合物等。
7.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，通過旋涂制備所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層時，旋涂速度分別為500-3000轉/分鐘，旋涂時間分別為1-2分鐘。
8.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層材料為Ag、Au、Pt或者Cu等；所述金屬層的厚度為8-30nm。
9.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的制備方法為電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、磁控濺射或離子濺射。
10.根據(jù)權利要求1-4任意一項所述的制備方法，其特征在于，在步驟i中，所述剛性平面基板為玻璃、石英、金屬、無機晶體或半導體；所述柔性平面基板為塑料、紙或布。
【文檔編號】H01L51/48GK103794728SQ201210424415
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月30日 優(yōu)先權日:2012年10月30日
【發(fā)明者】劉星元, 郭曉陽 申請人:中國科學院長春光學精密機械與物理研究所