金屬柵極制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露了一種金屬柵極的制作方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁；去除部分所述間隙壁和虛擬柵極結(jié)構(gòu)，形成溝槽；進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層以填充所述溝槽；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述介質(zhì)層上的金屬層，形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述制造方法可以形成較大的溝槽開口，避免了金屬層沉積填充不完全影響器件的功能和可靠性。
【專利說明】金屬柵極制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬柵極制作方法【背景技術(shù)】
[0002]隨著市場對半導(dǎo)體工藝要求的提升，器件尺寸越來越小。使用二氧化硅(Si02)層作為柵極介質(zhì)的工藝已經(jīng)達(dá)到其物理電氣特性的極限，在65nm工藝的晶體管中的二氧化硅層已經(jīng)縮小到5個(gè)氧原子的厚度。作為阻隔柵極和下層的絕緣體，二氧化硅層已經(jīng)不能再進(jìn)一步縮小了，否則產(chǎn)生的漏電流會(huì)讓晶體管無法正常工作。在新的工藝中，使用比二氧化硅更高介電常數(shù)的材質(zhì)來作為新的柵極介質(zhì)可以解決這一問題，但是新的材質(zhì)和原來的柵極的多晶硅并不兼容。經(jīng)過了多次的試驗(yàn)和篩選，目前采用金屬代替多晶硅作為柵極材料的辦法來解決問題，構(gòu)成了金屬柵極結(jié)構(gòu)。
[0003]在形成金屬柵的工藝中，目前包括前柵工藝(Gate-last)和后柵工藝(Gate-first)兩種方法，前柵工藝的特點(diǎn)是在對硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火工藝完成之后再形成金屬柵極；與此相對的后柵工藝的特點(diǎn)是在對硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的退火工藝完成之前便生成金屬柵極。
[0004]其中，后柵工藝的難點(diǎn)之一在于如何將金屬材料完美的填充到柵電極溝槽中。在后柵極工藝中，隨著金屬柵溝槽的深寬比增大，很難對金屬柵極進(jìn)行完美的填充。這是因?yàn)閷饘贃艠O的填充通常是由物理氣相沉積(PVD)來實(shí)現(xiàn)的，由于PVD工藝是通過轟擊靶材而濺射淀積到硅片上的，因此極易形成溝槽頂部的突懸，同時(shí)會(huì)出現(xiàn)底部厚、側(cè)壁薄的情況。這樣典型的形貌最終將導(dǎo)致開口過小而影響金屬的填充和沉積，很難形成無孔洞的縫隙填充，嚴(yán)重影響了器件的功能和可靠性。
[0005]詳細(xì)的，請參考圖1A至圖1E，其為現(xiàn)有的金屬柵極的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0006]參考圖1A所示，首先提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100上形成柵極介質(zhì)層、虛擬柵極結(jié)構(gòu)105、以及位于所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)105和柵極介質(zhì)層側(cè)壁的間隙壁104和介質(zhì)層103，并在虛擬柵極結(jié)構(gòu)105上形成硬掩膜層106。
[0007]參考圖1B所示，對所述硬掩膜層106進(jìn)行光刻和刻蝕，暴露出所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)105。
[0008]參考圖1C所示，進(jìn)行干法刻蝕，去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)105，形成溝槽。
[0009]參考圖1D所示，利用物理氣相沉積工藝，形成金屬層108。由于PVD工藝是通過轟擊靶材而濺射淀積到硅片上的，因此在利用物理氣相沉積工藝沉積金屬電極108時(shí)，極易形成溝槽頂部的突懸，同時(shí)會(huì)出現(xiàn)底部厚、側(cè)壁薄的情況，導(dǎo)致金屬電極中形成了孔洞(縫隙)109。
[0010]參考圖1E所示，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行平坦化，達(dá)到去除多余的金屬沉積物以及對柵極結(jié)構(gòu)高度的控制的目的，最終形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明提供一種金屬柵極的制作方法，該方法可以解決對金屬柵極進(jìn)行金屬填充時(shí)由于深寬比過大易形成溝槽頂部突懸，導(dǎo)致開口過小，最終形成填充不完全，影響器件的性能和可靠性的問題。
[0012]為解決以上問題，本發(fā)明提供一種金屬柵極的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁；去除部分所述間隙壁和虛擬柵極結(jié)構(gòu)，形成溝槽；進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層以填充所述溝槽；以及進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述介質(zhì)層上的金屬層，形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。
[0013]可選的，去除部分所述間隙壁之后，去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)之前，在所述介質(zhì)層上形成掩膜層。
[0014]可選的，采用濕法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
[0015]可選的，所述間隙壁的材質(zhì)為氮化硅。
[0016]可選的，所述濕法刻蝕工藝使用的刻蝕液體是磷酸，溫度為20°C?100°C，時(shí)間為5秒?50秒。
[0017]可選的，去除部分所述間隙壁之前，在所述介質(zhì)層上形成掩膜層。
[0018]可選的，采用濕法或干法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
[0019]可選的，去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除所述掩膜層。
[0020]可選的，采用干法刻蝕工藝去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)。
[0021]可選的，所述干法刻蝕工藝的反應(yīng)氣體為氯氣，腔室壓力為30mT?IOOmT,時(shí)間為15秒?45秒。
[0022]可選的，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)之前，還去除部分所述介質(zhì)層。
[0023]可選的，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)之后，還去除部分所述介質(zhì)層。
[0024]可選的，采用濕法刻蝕工藝去除部分所述介質(zhì)層。
[0025]可選的，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為二氧化硅。
[0026]可選的，所述濕法刻蝕使用的刻蝕液是稀釋的氫氟酸，時(shí)間為5秒?15秒。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的制造方法進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除部分間隙壁，以使得形成的溝槽頂部的截面寬度大于溝槽底部的截面寬度的結(jié)構(gòu)，避免在后續(xù)的金屬層填充中造成溝槽頂部的突懸導(dǎo)致開口過小而影響金屬的填充和沉積。
[0027]另外，本發(fā)明在去除部分間隙壁之后，還可額外去除部分介質(zhì)層，如此可進(jìn)一步擴(kuò)大溝槽頂部的截面寬度，從而提高了器件的功能和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1A?IE為現(xiàn)有的金屬柵極的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明所提供的金屬柵極的制造方法的流程圖；
[0030]圖3A?3F為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的金屬柵極的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0031]圖4A?4F為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的金屬柵極的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]在【背景技術(shù)】中已經(jīng)提及，由于現(xiàn)有的金屬柵極的制造方法在去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)之后利用物理氣相沉積工藝形成金屬層時(shí)，由于溝槽深寬比大，極易形成溝槽頂部的突懸以及底部厚、側(cè)壁薄的情況，造成填充的金屬層中有孔洞(或縫隙)，嚴(yán)重影響了器件的功能和
可靠性。
[0033]為此，本發(fā)明提供一種金屬柵極的制造方法，在進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除部分間隙壁，如此形成的溝槽的頂部開口變大，解決了在后續(xù)的金屬層填充過程中造成溝槽頂部的突懸影響金屬填充效果的問題。
[0034]請參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬柵極的制造方法的流程圖，所述方法包括如下步驟:
[0035]步驟S21，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁；
[0036]步驟S22，去除部分所述間隙壁和虛擬柵極結(jié)構(gòu)，形成溝槽；
[0037]步驟S23，進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層以填充所述溝槽；
[0038]步驟S24，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述介質(zhì)層上的金屬層，形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。
[0039]下面將結(jié)合剖面示意圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0040]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0041]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0042]實(shí)施例一
[0043]參照圖3A，執(zhí)行步驟S21，提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300上形成有介質(zhì)層303，所述介質(zhì)層303中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)305，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)305和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁304。
[0044]其中，所述柵極介質(zhì)層包括隧穿氧化層301以及形成于所述隧穿氧化層301上的電荷存儲(chǔ)層302。所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)305的材料例如為多晶硅，可通過化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成，其是作為后續(xù)金屬電極的替代過渡，會(huì)在接下來的工藝中去除。所述間隙壁304材質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅或二者的結(jié)合。所述介質(zhì)層303例如為氮化硅或氧化硅或二者的結(jié)合，亦或是其它常見的材料，此處不予限定。
[0045]參照圖3B，去除部分所述間隙壁304，形成一開口 304’。該步驟可由濕法刻蝕工藝來實(shí)現(xiàn)，具體地說，將所述具有虛擬柵極結(jié)構(gòu)305的半導(dǎo)體襯底300浸入刻蝕液中，讓待刻蝕部位與刻蝕液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。本實(shí)施例中，所述間隙壁304為氮化硅，所述介質(zhì)層303為氧化硅，優(yōu)選使用磷酸溶液去除部分所述間隙壁304，所述磷酸溶液幾乎不刻蝕氧化硅。根據(jù)所需的反應(yīng)速度和刻蝕的深度，可將刻蝕溫度控制在20°C?100°C之間，將反應(yīng)時(shí)間控制在5?50秒之間。當(dāng)然，本發(fā)明并不限定去除間隙壁的刻蝕液種類和刻蝕工藝參數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)具體的間隙壁材質(zhì)選擇合適的刻蝕方式和刻蝕條件。
[0046]參照圖3C，在所述介質(zhì)層303上形成掩膜層306。所述掩膜層306例如為光刻膠層，厚度優(yōu)選為IOOA?I 000A。所述掩膜層306可通過如下步驟形成:首先，在所述介質(zhì)層303、間隙壁304以及虛擬柵極結(jié)構(gòu)305表面形成光刻膠層；然后，圖案化所述光刻膠層，以暴露出所述開口 304’和虛擬柵極結(jié)構(gòu)305。
[0047]參照圖3D，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)305，暴露出所述柵極電介質(zhì)層(本實(shí)施例中暴露出電荷存儲(chǔ)層302)。可知，由于前述步驟已經(jīng)去除了部分厚度的間隙壁，即，形成了開口304’，那么，此處去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)305后，形成的溝槽305’(本實(shí)施例中定義溝槽305’包含開口 304’)頂部的截面寬度Wl大于溝槽305’底部的截面寬度W2，防止在后續(xù)的金屬層填充過程中溝槽頂部形成突懸。具體的，將半導(dǎo)體襯底置于反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行干法刻蝕，本實(shí)施例中所用到的刻蝕氣體為氯氣，可根據(jù)需要的刻蝕速度，反應(yīng)腔的內(nèi)的壓力控制在30mT?IOOmT,反應(yīng)時(shí)間為15秒?45秒，達(dá)到去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)305的目的。
[0048]作為優(yōu)選，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)305之前或之后，還可額外去除部分介質(zhì)層，如此可進(jìn)一步擴(kuò)大溝槽305’頂部的截面寬度?？梢岳斫獾氖牵瑑?yōu)選在去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)305之前去除部分介質(zhì)層，如此，可利用虛擬柵極結(jié)構(gòu)305做保護(hù)，避免柵極介質(zhì)層被刻蝕損傷。具體的，可采用濕法刻蝕工藝對所述介質(zhì)層303進(jìn)行部分刻蝕，由于之前間隙壁304被部分去除，在進(jìn)行此步驟時(shí)，部分的介質(zhì)層303的側(cè)壁被暴露出來，由于其不在間隙壁的保護(hù)之下而被去除。濕法刻蝕使用的刻蝕液是稀釋的氫氟酸，刻蝕工藝時(shí)間為5?15秒。當(dāng)然，本發(fā)明并不限定去除介質(zhì)層的刻蝕液種類和刻蝕工藝參數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)具體的介質(zhì)層材質(zhì)選擇合適的刻蝕方式和刻蝕條件。
[0049]繼續(xù)參考圖3D，在去除部分介質(zhì)層后，去除掩膜層306，本實(shí)施例中，可利用等離子灰化工藝，或者，利用化學(xué)溶劑如N-甲基吡咯烷酮去除所述掩膜層。
[0050]參照圖3E，執(zhí)行步驟S23，進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層308以填充所述溝槽305’，所述金屬層308可根據(jù)具體的器件要求來選擇，本實(shí)施例中金屬層308為金屬鋁。
[0051]參照圖3F，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，去除所述介質(zhì)層303上的金屬層，以在溝槽內(nèi)形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述化學(xué)機(jī)械研磨可去除多余的金屬沉積物，并可控制金屬柵極結(jié)構(gòu)到預(yù)定的高度。本實(shí)施例中，去除所述介質(zhì)層303上的金屬層之后繼續(xù)研磨，直至將開口304’中的金屬層也一并去除。
[0052]實(shí)施例二
[0053]參照圖4A，執(zhí)行步驟S21，提供半導(dǎo)體襯底400，在所述半導(dǎo)體襯底400上形成有介質(zhì)層403，所述介質(zhì)層403中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)405，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)405和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁404。[0054]其中，所述柵極介質(zhì)層包括隧穿氧化層401以及形成于所述隧穿氧化層401上的電荷存儲(chǔ)層402。所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)405的材料為多晶硅，可通過化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成，其是作為后續(xù)金屬電極的替代過渡，會(huì)在接下來的工藝中去除。所述間隙壁404材質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅或二者的結(jié)合。所述介質(zhì)層403例如為氮化硅或氧化硅
或二者的結(jié)合。
[0055]參照圖4B,在所述介質(zhì)層403上形成掩膜層406。所述掩膜層406例如為光刻膠層，厚度為丨00 A?1000A。
[0056]參照圖4C，去除部分所述間隙壁404，形成一開口 404’。本實(shí)施例中由于事先形成了掩膜層406，所述掩膜層406覆蓋介質(zhì)層403，因此無需擔(dān)心損傷介質(zhì)層403，因此既可以利用干法刻蝕工藝來去除部分所述間隙壁404，也可以利用濕法刻蝕工藝來實(shí)現(xiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)具體的間隙壁材質(zhì)選擇合適的刻蝕方式和刻蝕條件。
[0057]參照圖4D，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)405，暴露出所述柵極電介質(zhì)層?？芍?，由于前述步驟已經(jīng)去除了部分厚度的間隙壁，即，形成了開口 404’，那么，此處去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)405后，形成的溝槽405’(包含開口 404’)頂部的截面寬度大于溝槽底部的截面寬度，解決了在后續(xù)的金屬層填充過程中造成溝槽頂部的突懸影響金屬填充效果的問題。
[0058]作為優(yōu)選，去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)405之前或之后，還可額外去除部分介質(zhì)層，如此可進(jìn)一步擴(kuò)大溝槽405’頂部的截面寬度?？梢岳斫獾氖?，優(yōu)選在去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)405之前去除部分介質(zhì)層，如圖4C所示，如此，可利用虛擬柵極結(jié)構(gòu)405做保護(hù)，避免柵極介質(zhì)層被刻蝕損傷。
[0059]繼續(xù)參考圖4D，在去除部分介質(zhì)層后，去除掩膜層406，本實(shí)施例中，可利用等離子灰化工藝，或者，利用化學(xué)溶劑如N-甲基吡咯烷酮去除所述掩膜層。
[0060]參照圖4E，進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層408以填充所述溝槽405’，所述金屬408可根據(jù)具體的器件要求來選擇，本實(shí)施例中金屬層408為金屬鋁。
[0061]參照圖4F，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，去除所述介質(zhì)層403上的金屬層，以在溝槽內(nèi)形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述化學(xué)機(jī)械研磨可去除多余的金屬沉積物，并可控制金屬柵極結(jié)構(gòu)到預(yù)定的高度。本實(shí)施例中，去除所述介質(zhì)層403上的金屬層之后繼續(xù)研磨，直至將開口404’中的金屬層也一并去除。
[0062]綜上所述，本發(fā)明所提供的制造方法由于在去進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除部分間隙壁結(jié)構(gòu)，如此形成的溝槽的頂部開口變大，避免了在后續(xù)的金屬層的填充中造成溝槽頂部的突懸導(dǎo)致開口過小而影響金屬的填充和沉積，從而提高了器件的功能和可靠性。
[0063]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬柵極的制作方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有柵極介質(zhì)層以及位于所述柵極介質(zhì)層上的虛擬柵極結(jié)構(gòu)，所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)和柵極介質(zhì)層側(cè)壁形成有間隙壁； 去除部分所述間隙壁和虛擬柵極結(jié)構(gòu)，形成溝槽； 進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層以填充所述溝槽；以及 進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述介質(zhì)層上的金屬層，形成金屬柵極結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:去除部分所述間隙壁之后，去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)之前，在所述介質(zhì)層上形成掩膜層。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:采用濕法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:所述間隙壁的材質(zhì)為氮化硅。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:所述濕法刻蝕工藝使用的刻蝕液體是磷酸，溫度為20°C?100°C，時(shí)間為5秒?50秒。
6.如權(quán)利要求1所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:去除部分所述間隙壁之前，在所述介質(zhì)層上形成掩膜層。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:采用濕法或干法刻蝕工藝去除部分所述間隙壁。
8.如權(quán)利要求2或6所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行物理氣相沉積工藝形成金屬層之前，去除所述掩膜層。
9.如權(quán)利要求1所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:采用干法刻蝕工藝去除所述虛擬柵極結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:所述干法刻蝕工藝的反應(yīng)氣體為氯氣，腔室壓力為30mT?IOOmT,時(shí)間為15秒?45秒。
11.如權(quán)利要求1所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)之前，還去除部分所述介質(zhì)層。
12.如權(quán)利要求1所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:去除虛擬柵極結(jié)構(gòu)之后，還去除部分所述介質(zhì)層。
13.如權(quán)利要求11或12所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:采用濕法刻蝕工藝去除部分所述介質(zhì)層。
14.如權(quán)利要求13所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:所述介質(zhì)層的材質(zhì)為二氧化硅。
15.如權(quán)利要求14所述的金屬柵極的制造方法，其特征在于:所述濕法刻蝕使用的刻蝕液是稀釋的氫氟酸，時(shí)間為5秒?15秒。
【文檔編號】H01L21/28GK103681273SQ201210328443
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月6日
【發(fā)明者】周鳴, 平延磊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司