專利名稱：一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)電池的主要載體是硅片，硅片經(jīng)過(guò)表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷電極等工藝制備成太陽(yáng)能電池片。其中，沉積減反膜是太陽(yáng)能電池片制造過(guò)程中的一個(gè)重要工序。減反膜能夠減少硅片表面對(duì)光的反射，增加對(duì)光的吸收效率。所以，減反膜能夠增加太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。氮化硅減反膜以其化學(xué)性能穩(wěn)定性好、絕緣性好、硬度高、光學(xué)性能良好等優(yōu)點(diǎn)被 光伏應(yīng)用于太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域。氮化硅減反膜不但能夠減少硅片表面光的反射，還可以起到鈍化作用，降低硅片載流子復(fù)合中心，增加少子的壽命，進(jìn)一步增加太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。生產(chǎn)中還常用二氧化鈦減反膜以及二氧化硅減反膜。但是，二氧化鈦減反膜與硅片結(jié)合度不高，易剝落，且沒(méi)有鈍化作用；而二氧化硅減反膜的折射率較低，減反效果較差。對(duì)于氮化硅減反膜，其厚度以及均勻性是恒量其性能的兩個(gè)重要參數(shù)。但是，目前現(xiàn)有技術(shù)在進(jìn)行太陽(yáng)能電池生產(chǎn)時(shí)不能夠精確控制氮化硅減反膜的厚度且氮化硅減反膜的均勻性較差，從而影響太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，采用所述方法能夠精確控制氮化硅減反膜厚度且使得氮化硅減反膜的均勻性好，保證了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案—種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，該方法包括提供一待處理娃片；在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；其中，沉積減反膜時(shí)，當(dāng)硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，進(jìn)行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理。優(yōu)選的，上述方法中，在所述硅片受光面上依次沉積三層氮化硅減反膜，所述三層氮化硅減反膜的沉積過(guò)程為在所述硅片受光面上沉積第一層減反膜；抽真空后，在所述第一層減反膜上沉積第二層減反膜；抽真空后，在所述第二層減反膜上沉積第三層減反膜。優(yōu)選的，上述方法中，沉積第一層減反膜的過(guò)程為抽真空后，以3000sccm-4000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以600sccm-800sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；
經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積120s-180s，從而在所述硅片上形成第一層減反膜。優(yōu)選的，上述方法中，沉積第二層減反膜的過(guò)程為抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以500sccm-700sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積200s-400s，從而在所述第一層減反膜上形成
第二層減反膜。優(yōu)選的，上述方法中，沉積第三層減反膜的過(guò)程為抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以450sccm-600sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積450s-600s，從而在所述第二層減反膜上形成
第三層減反膜。優(yōu)選的，上述方法中，當(dāng)沉積完第一層氮化硅減反膜后對(duì)所述硅片進(jìn)行鈍化處理，然后再沉積第二層氮化硅減反膜。優(yōu)選的，上述方法中，所述鈍化處理為當(dāng)所述與硅片直接接觸的氮化硅減反膜沉積完成后對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理；以4000SCCm-4500SCCm的速度向抽真空后的反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，并對(duì)氨氣進(jìn)行高頻電離，使所述硅片鈍化。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池的制作方法包括提供一待處理硅片；在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；其中，沉積減反膜時(shí)，當(dāng)硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，進(jìn)行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理。本申請(qǐng)所述技術(shù)方案在太陽(yáng)能電池受光面形成多層減反膜，在沉積減反膜時(shí)，使得硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，從而使得制備的減反膜的均勻性較好；且在形成下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，避免上次沉積時(shí)反應(yīng)殘留的氣體對(duì)當(dāng)前要沉積的減反膜層的反應(yīng)氣體濃度造成影響，精確控制當(dāng)前沉積減反膜層所需反應(yīng)氣體的濃度，從而精確控制當(dāng)前要沉積的減反膜的厚度。因此，本申請(qǐng)所述技術(shù)方案能夠精確控制氮化硅減反膜厚度且使得氮化硅減反膜的均勻性好，保證了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為一種雙層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池的制作方法流程示意圖；圖2為本發(fā)明所提供的一種三層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池的制作方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。參考圖1，圖I為一種雙層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法的流程示意圖，一般采用管式PECVD裝置在硅片表面形成雙層減反膜結(jié)構(gòu)，包括
步驟Sll :提供一待處理硅片。將所述待處理硅片向放置在反應(yīng)室內(nèi)后，向反應(yīng)室內(nèi)通入氮?dú)猓耘懦O(shè)備內(nèi)雜質(zhì)氣體；同時(shí)，通過(guò)通入氮?dú)鈱?duì)設(shè)備進(jìn)行安全檢查。步驟S12 :在所述硅片的受光面沉積第一層減反膜。以3000sccm-4000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣；同時(shí)，以600sccm-800sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體。對(duì)反應(yīng)室內(nèi)的氨氣與硅烷氣體進(jìn)行持續(xù)的高頻電離使其等離子化，沉積120s-180s，從而在所述硅片的受光面上形成第一層減反膜。步驟S13 :在所述第一層減反膜上形成第二層減反膜。改變硅烷的流量，以450sccm-600sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體，沉積450S-600S，在所述第一層減反膜上形成第二層減反膜。之后，停止氨氣與硅烷供給以及高頻電離，進(jìn)行抽真空處理，去除反應(yīng)室內(nèi)的硅烷以及氨氣后，通入氮?dú)馐狗磻?yīng)室內(nèi)壓強(qiáng)恢復(fù)至常壓冷卻后取出硅片。上述方法制備的具有雙層氮化硅減反膜的太陽(yáng)能電池相比于單層減反膜的太陽(yáng)能電池具有更好的減反效果。但是上述方法沉積減反膜時(shí)通入工藝氣體后直接進(jìn)行減反膜沉積，且其采用連續(xù)沉積的方式，在沉積完第一層減反膜后，改變硅烷的流量直接沉積第二層減反膜，不能夠精確控制減反膜厚度且其均勻性較差。為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，采用該方法能夠精確控制太陽(yáng)能電池各層減反膜的厚度且各層減反膜的均勻性較好。所述方法包括提供一待處理娃片；在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；其中，沉積減反膜時(shí)，當(dāng)硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，進(jìn)行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理。上述技術(shù)方案在太陽(yáng)能電池受光面形成多層減反膜(至少兩層氮化硅減反膜)，在沉積減反膜時(shí)，使得硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，從而使得制備的減反膜的均勻性較好；且在形成下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，避免上次沉積時(shí)反應(yīng)殘留的氣體對(duì)當(dāng)前要沉積的減反膜層的反應(yīng)氣體濃度造成影響，精確控制當(dāng)前沉積減反膜層所需反應(yīng)氣體的濃度，從而精確控制當(dāng)前要沉積的減反膜的厚度。因此，本申請(qǐng)所述技術(shù)方案能夠精確控制各層氮化硅減反膜厚度且使得各層氮化硅減反膜的均勻性好，保證了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。以上是本申請(qǐng)的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍?；谏鲜鏊枷耄旧暾?qǐng)實(shí)施例提供了一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，參考圖2，所述方法在硅片上形成三層氮化硅減反膜，所述氮化硅減反膜的厚度可以精確控制，且均勻性較好。該方法包括步驟S21 :提供一待處理硅片。所述硅片為經(jīng)過(guò)制絨、PN結(jié)擴(kuò)散、邊緣刻蝕以及去磷硅玻璃等工藝處理的單晶硅或多晶硅片。 步驟S22 :在所述硅片的受光面上沉積第一層減反膜。對(duì)裝置系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)后，將所述硅片放置到反應(yīng)室內(nèi)，抽真空，開(kāi)始沉積第一層減反膜，具體包括以3000sccm-4000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以600sccm-800sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；經(jīng)過(guò)608_908預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積120s-180s，從而在所述硅片的受光面上形成第一層減反膜。步驟S23 :在所述第一層減反膜上沉積第二層減反膜。當(dāng)沉積完第一層減反膜后對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，抽除上次沉積過(guò)程中反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)殘留氣體，然后開(kāi)始沉積第二層減反膜。具體包括抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以500sccm-700sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積200s-400s，從而在所述第一層減反膜上形成
第二層減反膜。步驟S24 :在所述第二層減反膜上沉積第三層減反膜。當(dāng)沉積完第二層減反膜后對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，抽除上次沉積過(guò)程中反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)殘留氣體，然后開(kāi)始沉積第三層減反膜。具體包括抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以450sccm-600sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體；經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積450s-600s，從而在所述第二層減反膜上形成第三層減反膜。上述三次沉積過(guò)程完成之后，對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理抽搐其中的工藝氣體硅烷以及氨氣，然后通入氮?dú)饣謴?fù)常壓，當(dāng)硅片冷卻后打開(kāi)反應(yīng)室，取出所述硅片完成整個(gè)減反膜的沉積工序。通過(guò)上述描述可知，本申請(qǐng)所述技術(shù)方案在太陽(yáng)能電池受光面形成3層減反膜，相比于單層或是雙層減反膜，減反效果更好，對(duì)太陽(yáng)光的利用率更高，太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率高；在沉積減反膜時(shí)，本申請(qǐng)所述技術(shù)方案使得硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，從而使得制備的減反膜的均勻性較好；且在形成下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，避免上次沉積時(shí)反應(yīng)殘留的氣體對(duì)當(dāng)前要沉積的減反膜層的反應(yīng)氣體濃度造成影響，精確控制當(dāng)前沉積減反膜層所需反應(yīng)氣體的濃度，從而精確控制當(dāng)前要沉積的減反膜的厚度。因此，本申請(qǐng)所述技術(shù)方案能夠精確控制太陽(yáng)能電池的減反膜厚度且使得減反膜的均勻性好，使得所述太陽(yáng)能電池具有光電轉(zhuǎn)換效率。為了提高太陽(yáng)能表面鈍化效果，當(dāng)沉積完第一層減反膜(即直接與硅片接觸的減反膜)后，對(duì)所述硅片進(jìn)行鈍化處理，然后再沉積第二層減反膜。所述鈍化處理為沉積完第一層減反膜后對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理；以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，并對(duì)氨氣進(jìn)行高頻電離，使所述硅片鈍化。由于直接沉積在娃片表面的氮化娃減反膜具 有一定的鈍化效果，減反膜中的娃原子能夠與娃片表面的娃懸掛鍵結(jié)合，減少娃片表面的復(fù)合中心，從而增加少子的壽命，提供太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效果。故一般在沉積完氮化硅減反膜后不會(huì)在進(jìn)行相應(yīng)的鈍化處理。硅片因晶格在表面處突然終止，在表面的最外層的娃原子將有一個(gè)未配對(duì)的電子，即有一個(gè)未飽和的鍵，稱為懸掛鍵。所述懸掛鍵能夠復(fù)合電子，減少電子的壽命，降低太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率但是，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，氮化硅減反膜并不能十分有效的對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化，從而使得太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率較低。因此，當(dāng)沉積完第一層減反膜后，對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，并以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，并對(duì)氨氣進(jìn)行高頻電離，此時(shí)將會(huì)產(chǎn)生大量的氫離子，氫離子很容易與具有懸掛鍵結(jié)合形成很穩(wěn)定的硅氫鍵，從而大大減少了硅片表面懸掛鍵，即減少了載流子的復(fù)合中心，有效提高了電子的存在壽命，從而提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，其特征在于，包括 提供一待處理娃片； 在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜； 其中，沉積減反膜時(shí)，當(dāng)硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，進(jìn)行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述硅片受光面上依次沉積三層氮化硅減反膜，所述三層氮化硅減反膜的沉積過(guò)程為 在所述硅片受光面上沉積第一層減反膜； 抽真空后，在所述第一層減反膜上沉積第二層減反膜； 抽真空后，在所述第二層減反膜上沉積第三層減反膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，沉積第一層減反膜的過(guò)程為 抽真空后，以3000sccm-4000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以600sccm-800sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體； 經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻； 對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積120s-180s，從而在所述硅片上形成第一層減反膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，沉積第二層減反膜的過(guò)程為 抽真空后，以4000sccm-4500sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以500sccm-700sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體； 經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻； 對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積200s-400s，從而在所述第一層減反膜上形成第二層減反膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，沉積第三層減反膜的過(guò)程為 抽真空后，以6500sccm-7000sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣，同時(shí)，以450sccm-600sccm的速度向反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入硅烷氣體； 經(jīng)過(guò)60s-90s預(yù)混合，使反應(yīng)室內(nèi)氨氣與硅烷混合均勻； 對(duì)反應(yīng)室內(nèi)氣體進(jìn)行高頻電離，沉積450s-600s，從而在所述第二層減反膜上形成第三層減反膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，當(dāng)沉積完第一層氮化硅減反膜后對(duì)所述硅片進(jìn)行鈍化處理，然后再沉積第二層氮化硅減反膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述鈍化處理為 當(dāng)所述與硅片直接接觸的氮化硅減反膜沉積完成后對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理； 以4000sccm-4500sccm的速度向抽真空后的反應(yīng)室內(nèi)持續(xù)通入氨氣,并對(duì)氨氣進(jìn)行高頻電離，使所述硅片鈍化。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種多層氮化硅減反膜太陽(yáng)能電池制作方法，包括提供一待處理硅片；在所述硅片受光面上依次沉積至少兩層氮化硅減反膜；其中，沉積減反膜時(shí)，當(dāng)硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，進(jìn)行減反膜沉積；在沉積下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理。本發(fā)明所述技術(shù)方案在沉積減反膜時(shí)，使得硅烷與氨氣混合均勻后再對(duì)氣體等離子化，從而使得制備的減反膜的均勻性較好；且在形成下一層減反膜之前對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行抽真空處理，避免上次沉積時(shí)反應(yīng)殘留的氣體對(duì)當(dāng)前要沉積的減反膜層的反應(yīng)氣體濃度造成影響，精確控制當(dāng)前沉積減反膜層所需反應(yīng)氣體的濃度，從而精確控制當(dāng)前要沉積的減反膜的厚度。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102800760SQ20121031276
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月29日
發(fā)明者范志東, 王靜, 張東升, 趙學(xué)玲, 吝占勝, 李倩, 田世雄 申請(qǐng)人:英利能源(中國(guó))有限公司