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發(fā)光二極管模組及其制造方法

文檔序號:7244807閱讀:198來源:國知局
發(fā)光二極管模組及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管模組,包括基板、設于基板內(nèi)的發(fā)光芯片及固定于基板上并包覆所述發(fā)光芯片的透鏡,所述透鏡具有自基板外凸的弧形頂面及與基板貼設的底面,經(jīng)過所述頂面與底面的交線上的一點的切面與經(jīng)過該點并垂直基板的直線之間形成一接觸角,所述接觸角的角度小于等于60度。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明中,因透鏡直接形成在基板上,從而省去了透鏡與基板的粘膠,進而避免了粘膠因和透鏡的折射率不同而使發(fā)光芯片發(fā)出的光被粘膠反射回光學透鏡內(nèi)的情況,從而提高了光的提取效率。本發(fā)明還包括所述發(fā)光二極管的制造方法。
【專利說明】發(fā)光二極管模組及其制造方法
【技術(shù)領域】 [0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件,尤其涉及一種發(fā)光二極管模組及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的發(fā)光二極管(LED)的制造過程中,通常都是在固晶和焊線步驟之后在基板上蓋上光學透鏡來封裝發(fā)光芯片,然后在透鏡內(nèi)填充粘膠并烘烤光學透鏡來使光學透鏡粘結(jié)在基板上。然而,將光學透鏡粘結(jié)在基板上來封裝發(fā)光芯片的這種方法所形成的LED的光損耗是很嚴重的。因為粘膠和透鏡的折射率通常都不一樣,光在粘膠和光學透鏡的界面會發(fā)生反射而使部分光線不能穿過粘膠與光學透鏡向外出射;同時,又由于光學透鏡的折射率和空氣的折射率差別很大,在光學透鏡和空氣的界面也會使一部分光反射回光學透鏡,如此,發(fā)光芯片所發(fā)出的光就有很大一部分損失在器件內(nèi)部,使LED的光提取效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此,有必要提供一種高出光效率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
[0004]—種發(fā)光二極管模組,包括基板、設于基板內(nèi)的發(fā)光芯片及形成于基板上并包覆所述發(fā)光芯片的透鏡,所述透鏡具有自基板外凸的弧形頂面及與基板貼設的底面,經(jīng)過所述頂面與底面的交線上的一點的切面與經(jīng)過該點并垂直基板的直線之間形成一接觸角,所述接觸角的角度小于等于60度。
[0005]一種發(fā)光二極管模組的制造方法,包括如下步驟:
提供基板,并在所述基板的一側(cè)表面形成擋圈;
提供發(fā)光芯片,并將所述發(fā)光芯片設于基板上并收容于所述擋圈內(nèi);
提供膠體,將膠體注入所述擋圈內(nèi)并包裹所述發(fā)光芯片;
烘干所述圍膠圈內(nèi)的膠體,從而使其形成位于基板上的透鏡,所述透鏡具有自基板外凸的弧形頂面及與基板貼設的底面,經(jīng)過所述頂面與底面的交線上的一點的切面與經(jīng)過該點并垂直基板的直線之間形成一接觸角,所述接觸角的角度小于等于60度。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明中,因透鏡直接形成在基板上,從而省去了透鏡與基板的粘膠,進而避免了粘膠因和透鏡的折射率不同而使發(fā)光芯片發(fā)出的光被粘膠反射回光學透鏡內(nèi)的情況,從而提聞了光的提取效率。
[0007]下面參照附圖,結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0009]圖2為圖1所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的去除封裝體及透鏡后的立體圖。
[0010]主要元件符號說明
發(fā)光二極管模組 11 '
基板~[--
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管模組,包括基板、設于基板內(nèi)的發(fā)光芯片及形成于基板上并包覆所述發(fā)光芯片的透鏡,其特征在于:所述透鏡具有自基板外凸的弧形頂面及與基板貼設的底面,經(jīng)過所述頂面與底面的交線上的一點的切面與經(jīng)過該點并垂直基板的直線之間形成一接觸角,所述接觸角的角度小于等于60度。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:所述透鏡為半球體。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:所述基板上自頂面向下凹陷形成有三間隔的收容孔,所述芯片分別收容在相應的收容孔內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:同一水平面上,所述三收容孔的圓心的連線形成一正三角形。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:所述每一收容孔呈圓管狀,其內(nèi)徑自基板的頂面朝向底面逐漸遞減。
6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:還包括位于所述透鏡內(nèi)、固定于收容孔中并包括所述發(fā)光芯片的三封裝體。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管模組,其特征在于:每一封裝體包括位于收容孔內(nèi)的填充部及自填充部延伸并位于基板上的凸設部。
8.一種發(fā)光二極管模組的制造方法,包括如下步驟: 提供基板,并在所述基板的一側(cè)表面形成擋圈; 提供發(fā)光芯片,并將所述發(fā)光芯片設于基板上并收容于所述擋圈內(nèi); 提供膠體,將膠體注入所述擋圈內(nèi)并包裹所述發(fā)光芯片; 烘干所述圍膠圈內(nèi)的膠體,從而使其形成位于基板上的透鏡,所述透鏡具有自基板外凸的弧形頂面及與基板貼設的底面,經(jīng)過所述頂面與底面的交線上的一點的切面與經(jīng)過該點并垂直基板的直線之間形成一接觸角,所述接觸角的角度小于等于60度。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管模組的制造方法,其特征在于:所述基板上進一步設有位于擋圈內(nèi)的圍圈,所述膠體注入圍圈并烘干后形成有位于所述透鏡內(nèi)且包覆發(fā)光芯片的封裝體。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管模組的制造方法,其特征在于:所述膠體為由摻雜有熒光粉的硅膠材料或純硅膠材料構(gòu)成。
【文檔編號】H01L33/58GK103633229SQ201210311830
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】張忠民, 張簡千琳, 胡雪鳳 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
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