專利名稱：用于處理基板的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里公開的本發(fā)明涉及處理基板的設(shè)備和方法，并且更具體地涉及通過超臨界工藝處理基板的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件通過多種工藝制成，諸如光刻工藝，其中，光刻工藝在諸如硅片的在基板上形成電路圖案。在這樣的工藝期間，產(chǎn)生多種污染物，諸如微粒、有機(jī)污染物和金屬雜質(zhì)。這樣的污染物在基板上導(dǎo)致缺陷并且由此影響半導(dǎo)體器件性能和處理產(chǎn)出率。因此，在半導(dǎo)體器件制造工藝中包括清洗工藝以除去污染物。例如，清洗工藝包括化學(xué)工藝，其中使用化學(xué)制品將污染物從基板去除；洗選工藝，其中使用純水洗去化學(xué)制品；和干燥工藝，其中基板被干燥。在這樣的干燥工藝中，用諸如異丙醇(IPA)的有機(jī)溶劑替換純水，所述有機(jī)溶劑諸如具有比較低的表面張力，并且有機(jī)溶劑被蒸發(fā)。然而，雖然有機(jī)溶劑被用于干燥工藝，但在具有30nm或更小的線寬的精細(xì)電路圖案的半導(dǎo)體器件中，所述干燥工藝可導(dǎo)致圖案皺縮。由此，代替此種干燥工藝，增加了對超臨界干燥工藝的使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被提供用以通過使用超臨界流體來干燥基板的非圖案側(cè)以及基板的圖案側(cè)。另外，本發(fā)明被提供 以防止基板在超臨界工藝中傾斜。本發(fā)明的特征和方面不局限于上述的這些特征和方面，通過下面的描述和附圖，本發(fā)明的其它的特征和方面將被本領(lǐng)域技術(shù)人員清晰地理解。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括殼體，所述殼體提供用于執(zhí)行工藝的空間；支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在所述殼體中以支撐基板；供給口，所述供給口構(gòu)造成將處理液供給到所述殼體；遮蔽構(gòu)件，所述遮蔽構(gòu)件設(shè)置在所述供給口和所述支撐構(gòu)件之間以阻止所述處理液直接注入到所述基板；和排出口，所述排出口構(gòu)造成將所述處理液從殼體排出。在一些實(shí)施例中，所述供給口可包括設(shè)置在所述殼體的不同的表面處的第一供給口和第二供給口，并且所述遮蔽板可以設(shè)置在所述支撐構(gòu)件和所述第一供給口之間。在其它的實(shí)施例中，所述第一供給口可以設(shè)置在所述殼體的下表面處以將所述處理液注入到所述基板的底側(cè)的中央?yún)^(qū)域，并且所述第二供給口可以設(shè)置在所述殼體的上表面處以將所述處理液注入到所述基板的頂側(cè)的中央?yún)^(qū)域。還在其它的實(shí)施例中，所述設(shè)備可進(jìn)一步包括控制器，所述控制器執(zhí)行控制操作以通過所述第一供給口并且然后通過所述第二供給口供給處理液。還在其它的實(shí)施例中，所述設(shè)備可進(jìn)一步包括支撐件，所述支撐件從所述殼體的下表面延伸，其中所述遮蔽板可放置在所述支撐件上。還在其它的實(shí)施例中，所述遮蔽板可具有大于所述基板的半徑的半徑。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述工藝可以是超臨界工藝，并且所述處理液可以為超臨界流體形態(tài)。在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述殼體可包括上殼體和設(shè)置在所述上殼體下方的下殼體，其中所述設(shè)備可進(jìn)一步包括提升構(gòu)件，所述提升構(gòu)件構(gòu)造成提升所述上殼體和所述下殼體中的一個(gè)。在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述支撐構(gòu)件可從所述上殼體向下延伸，并且所述支撐構(gòu)件的下端可以水平地彎折以支撐所述基板的邊緣區(qū)域。在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述設(shè)備可進(jìn)一步包括水平定位構(gòu)件，所述水平定位構(gòu)件用以調(diào)節(jié)所述上殼體的水平位置。在一些實(shí)施例中，所述第一供給口可以設(shè)置在所述下殼體處，并且所述第二供給口可以設(shè)置在所述上殼體處。在其它的實(shí)施例中，所述殼體可具有開口的側(cè)面并且包括垂直地可移動的門以打開和閉合所述開口的側(cè)面。還在其它的實(shí)施例中，所述設(shè)備可進(jìn)一步包括按壓構(gòu)件，所述按壓構(gòu)件構(gòu)造成將壓力施加到所述門以閉合所述殼體。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，提供了用于處理基板的方法，所述方法包括將基板運(yùn)載到殼體中；將所述基板放置在支撐構(gòu)件上；將處理液供給到所述基板；阻止所述處理液直接注入到所述基板； 將所述處理液從所述殼體排出；并且將所述基板運(yùn)載出所述殼體。

在一些實(shí)施例中，對所述處理液的阻止可用設(shè)置在所述支撐構(gòu)件和供給所述處理液的供給口之間的遮蔽板執(zhí)行。在其它的實(shí)施例中，所述處理液供給口的供給可以以如下方式執(zhí)行通過設(shè)置在所述殼體的上表面處的第一供給口朝向所述基板的頂側(cè)注入所述處理液，且通過設(shè)置在所述殼體的下表面處的第二供給口朝向所述基板的底側(cè)注入所述處理液，并且可以使用設(shè)置在所述第二支撐口和所述支撐構(gòu)件之間的所述遮蔽板執(zhí)行對所述處理液的阻止，從而防止朝向所述基板的底側(cè)注入的所述處理液被直接注入到所述基板。還在其它的實(shí)施例中，在所述處理液的供給中，所述處理液可以通過所述第二供給口被注入，并且如果所述殼體的內(nèi)部壓力達(dá)到預(yù)定值，則所述處理液可以通過所述第一供給口開始被注入。在另外其它的實(shí)施例中，所述處理液可以是超臨界流體，并且所述超臨界流體可溶解余留在所述基板上的有機(jī)溶劑。在再其它的實(shí)施例中，所述殼體可包括上殼體和設(shè)置在所述上殼體下方的下殼體，所述基板可以在所述上殼體和所述下殼體彼此隔開的狀態(tài)下被放置在所述支撐構(gòu)件上，并且在所述基板被運(yùn)載到所述殼體中之后，所述上殼體和所述下殼體中的一個(gè)可以被提升或降低以閉合所述殼體。還在本發(fā)明的其它的實(shí)施例中，提供了用于處理基板的方法，所述方法包括將上面余留有有機(jī)溶劑的基板運(yùn)載到殼體中；通過朝基板的非圖案側(cè)供給超臨界流體同時(shí)阻止超臨界流體直接注入到所述基板，在所述殼體中形成超臨界氣氛；并且在形成超臨界氣氛后，將所述處理液注入到所述基板的圖案側(cè)以溶解余留在所述基板的電路圖案之間的有機(jī)溶劑并干燥所述基板。在一些實(shí)施例中，通過設(shè)置在朝所述基板的非圖案側(cè)注入超臨界流體的路徑上的遮蔽構(gòu)件可以阻止所述超臨界流體直接注入到所述基板。在其它的實(shí)施例中，所述超臨界流體可以是超臨界狀態(tài)的二氧化碳。附圖簡述附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被整合在說明書中并組成說明書的一部分。附示了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說明書一起用以說明本發(fā)明的原理。在圖中圖1是二氧化碳的狀態(tài)圖；圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理設(shè)備的平面圖；圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖2中描繪的第一處理室的截面圖；圖4是圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖2中描繪的第二處理室的截面圖；圖5和6是圖示圖4 中描繪的第二處理室的修改示例的圖；圖7是圖示圖2中描繪的第二處理室的另一示例的透視圖；圖8是圖示在圖7中描繪的第二處理室的截面圖；圖9是圖示圖2中描繪的第二處理室的另一示例的截面圖；圖10是如圖4中描繪的此類第二處理室被堆疊的圖；圖11是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理方法的流程圖；圖12是用于說明基板處理方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；和圖13至圖16是用于說明基板處理方法的操作的圖。
具體實(shí)施例方式在下文中的描述中，使用術(shù)語和


本發(fā)明實(shí)施例，而不限制本發(fā)明。本發(fā)明中使用的而與本發(fā)明的構(gòu)思無關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)將不詳細(xì)說明。在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的基板處理設(shè)備100?；逄幚碓O(shè)備100可用來使用超臨界流體作為處理液執(zhí)行處理基板(S)的超臨界工藝。術(shù)語“基板”在這里用以表示用以制造產(chǎn)品的任何基板，所述產(chǎn)品諸如電路圖案被形成在薄膜上的半導(dǎo)體器件和平板顯示器(FPD)?；宓氖纠ňA，諸如硅片、玻璃基板和有機(jī)基板。術(shù)語“超臨界流體”是指如下的任何物質(zhì)由于該物質(zhì)的狀態(tài)(phase)處于大于其臨界溫度和壓力的超臨界狀態(tài)中，該物質(zhì)具有氣體和液體兩種特征。超臨界流體具有接近于液體的分子密度的分子密度和接近于氣體的粘性的粘性，并且由此具有突出的擴(kuò)散能力、滲透能力和溶解其它的物質(zhì)的能力。因此，超臨界流體在化學(xué)反應(yīng)中是有利的。另外，超臨界流體幾乎不具有表面張力，由此幾乎不對微觀結(jié)構(gòu)施加界面張力。超臨界工藝的執(zhí)行使用了超臨界流體的特性，并且超臨界工藝的示例包括超臨界干燥工藝和超臨界刻蝕工藝。在下文中，將基于超臨界干燥工藝解釋超臨界工藝。為解釋的簡潔起見，雖然以下解釋是基于超臨界干燥工藝而給出，但是基板處理設(shè)備100能被用于執(zhí)行其它超臨界工藝。可以執(zhí)行超臨界干燥工藝以在超臨界流體中溶解余留在基板(S)的電路圖案上的有機(jī)溶劑并且干燥基板(S)。在本情況中，可以獲得滿意的干燥效率，同時(shí)防止圖案皺縮?？膳c有機(jī)溶劑混合的物質(zhì)可被用作超臨界干燥工藝中的超臨界流體。例如，超臨界狀態(tài)的二氧化碳(SCC02)可用作超臨界流體。圖1是二氧化碳的狀態(tài)圖。由于二氧化碳具有31. TC的相對低的臨界溫度，和7. 38Mpa的臨界壓力，通過調(diào)節(jié)溫度與壓力，使二氧化碳超臨界并控制二氧化碳的狀態(tài)是容易的。另外，二氧化碳是便宜的。此外，二氧化碳無毒、無害、不易燃并且是惰性的，并且具有是水或其它有機(jī)溶劑的擴(kuò)散系數(shù)的約十至百倍的擴(kuò)散系數(shù)以迅速滲入并替換有機(jī)溶劑。此外，二氧化碳幾乎不具有表面張力。也就是說，二氧化碳的特性適于干燥具有精細(xì)圖案的基板(S)。另外，從各種化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)品獲得的二氧化碳能夠被再次使用，并且用于超臨界干燥工藝的二氧化碳能夠通過使二氧化碳蒸發(fā)而從有機(jī)溶劑分離以再利用二氧化碳。也就是說，二氧化碳是環(huán)保的。在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理設(shè)備100。實(shí)施例的基板處理設(shè)備100可用以執(zhí)行包括超臨界干燥工藝的清洗工藝。圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理設(shè)備100的平面圖。參考圖2，基板處理設(shè)備100包括索引模塊1000和處理模塊2000。索引模塊1000可從外部設(shè)備接收基板(S)并且將基板(S)傳送到處理模塊2000，并且處理模塊2000可執(zhí)行超臨界干燥工藝。索引模塊1000是設(shè)備前端模塊(EFEM)并且包括裝載場1100和傳送框架1200。

儲存基板的容器(C)被放置在裝載場1100上。前端開口片盒(FOUP)可用作容器(C)。容器(C)可以經(jīng)由高架傳送裝置(OHT)從外側(cè)區(qū)域運(yùn)載到裝載場1100或從裝載場1100運(yùn)載到外側(cè)區(qū)域。傳送框架1200在放置在裝載場1100上的容器(C)和處理模塊2000之間運(yùn)載基板。傳送框架1200包括索引機(jī)械手1210和索引軌道1220。索引機(jī)械手1210可在在索引軌道1220上移動的同時(shí)運(yùn)載基板。處理模塊2000是實(shí)際執(zhí)行工藝的模塊。處理模塊2000包括緩沖室2100、傳送室2200、第一處理室3000和第二處理室4000。基板在索引模塊1000和處理模塊2000之間傳送時(shí)被臨時(shí)儲存在緩沖室2100中。緩沖槽可以形成在緩沖室2100中以在其中放置基板。例如，索引機(jī)械手1210可從容器(C)拾取基板(S)并將基板(S)放置在緩沖槽中，傳送室2200的傳送機(jī)械手2210可從緩沖槽拾取基板并將基板傳送到第一處理室3000或第二處理室4000。多個(gè)緩沖槽可以形成在緩沖室2100中，使得多個(gè)基板(S)能夠被放置在緩沖室2100中?；?S)通過傳送室2200在緩沖室2100、第一處理室3000和第二處理室4000之間運(yùn)載。傳送室2200可包括傳送機(jī)械手2210和傳送軌道2220。傳送機(jī)械手2210可在在傳送軌道2220上移動的同時(shí)運(yùn)載基板。第一處理室3000和第二處理室4000可用以執(zhí)行清洗工藝。清洗工藝的步驟可以相繼地在第一處理室3000和第二處理室4000中執(zhí)行。例如，清洗工藝(cleaning process)的化學(xué)工藝、水洗工藝(rinsing process)和有機(jī)溶劑工藝可以在第一處理室3000中執(zhí)行，清洗工藝的超臨界干燥工藝可以在第二處理室4000中執(zhí)行。第一處理室3000和第二處理室4000被設(shè)置在傳送室2200的側(cè)方。例如，第一處理室3000和第二處理室4000可以設(shè)置在傳送室2200的相對側(cè)以面向彼此。處理模塊2000可包括多個(gè)第一處理室3000和多個(gè)第二處理室4000。在本情況中，第一處理室3000和第二處理室4000可以沿著傳送室2200的側(cè)方成直線地布置或可以在傳送室2200的側(cè)方豎向堆疊。另外，第一處理室3000和第二處理室4000可以通過上述方式的組合來布置。第一處理室3000和第二處理室4000的布置不局限于上述的方式。也就是說，考慮到基板處理設(shè)備100的占地面積(footprint)或處理效率,第一處理室3000和第二處理室4000可通過不同方式布置。在下文中，將詳細(xì)地描述第一處理室3000。圖3是圖示了圖2中描繪的第一處理室3000的截面圖。第一處理室3000可用以執(zhí)行化學(xué)工藝、水洗工藝和有機(jī)溶劑工藝?？商娲兀谝惶幚硎?000可用以執(zhí)行此類工藝中的一些工藝?？梢酝ㄟ^將洗滌劑施加到基板(S)而執(zhí)行化學(xué)工藝以從基板(S)除去污染物，可以通過將水洗劑施加到基板(S)執(zhí)行水洗工藝而除去余留在基板(S)上的洗滌劑，并且有機(jī)溶劑工藝可以被執(zhí)行以用具有低的表面張力的有機(jī)溶劑替換余留在基板的電路圖案之間的水洗劑。參考圖3，第一處理室3000包括支撐構(gòu)件3100、噴嘴構(gòu)件3200和收集構(gòu)件3300。支撐構(gòu)件3100可支撐基板(S)并且旋轉(zhuǎn)基板(S)。支撐構(gòu)件310可包括支撐板3110、支撐銷3111、夾緊(`chucking pin)銷3112、旋轉(zhuǎn)軸3120和旋轉(zhuǎn)式致動器3130。支撐板3110具有類似基板地成形的頂部表面，并且支撐銷3111和夾緊銷3112被設(shè)置在支撐板3110的頂部表面上。支撐銷3111可支撐基板(S)并且夾緊銷3112可牢固地保持基板。旋轉(zhuǎn)軸3120被連接到支撐板3110的底部。旋轉(zhuǎn)軸3120接收來自旋轉(zhuǎn)式致動器3130的旋轉(zhuǎn)動力以旋轉(zhuǎn)支撐板3110。由此，放置在支撐板3110上的基板(S)能夠被旋轉(zhuǎn)。此時(shí)，夾緊銷3112防止基板(S)離開設(shè)定位置。噴嘴構(gòu)件3200將化學(xué)制品注入到基板(S)。噴嘴構(gòu)件3200包括噴嘴3210、噴嘴條(nozzle bar) 3220、噴嘴軸3230和噴嘴軸致動器3240。噴嘴3210用來將化學(xué)制品注入到放置在支撐板3110上的基板⑶?；瘜W(xué)制品可以是洗滌劑、水洗劑、或有機(jī)溶劑。洗滌劑的示例可過氧化氫(H2O2)溶液；通過混合過氧化氫溶液與氨(NH4OH)、鹽酸(HCl)或硫酸(H2SO4)制取的溶液；和氫氟酸(HC)溶液。水洗劑可以是純水。有機(jī)溶劑的示例可包括異丙醇、乙基乙二醇、1-丙醇、四氫呋喃、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、1- 丁醇、2- 丁醇、甲醇、乙醇、η-丙醇和二甲醚。這樣的有機(jī)溶劑可以溶液或氣體的形式使用。噴嘴3210設(shè)置在噴嘴條3220的端部的下面。噴嘴條3220聯(lián)接到噴嘴軸3230，并且噴嘴軸3230能夠提升或旋轉(zhuǎn)。噴嘴軸致動器3240可提升或旋轉(zhuǎn)噴嘴軸3230以調(diào)節(jié)噴嘴3210的位置。收集構(gòu)件3300收集供給的化學(xué)制品。如果化學(xué)制品通過噴嘴構(gòu)件3200被提供給基板(S)，則支撐構(gòu)件3100可旋轉(zhuǎn)基板(S)以將化學(xué)制品均勻地分配到基板(S)的整個(gè)區(qū)域。當(dāng)基板(S)被旋轉(zhuǎn)時(shí)，化學(xué)制品可從基板(S)分散。收集構(gòu)件3300收集從基板(S)散射出來的化學(xué)制品。收集構(gòu)件3300可包括收集貯存器(collecting vessel) 3310、收集管線3320、提升條3330和提升致動器3340。收集貯存器3310具有圍繞支撐板3110的環(huán)狀?？梢蕴峁┒鄠€(gè)收集貯存器3310。在本情況中，收集貯存器3310可具有當(dāng)從頂側(cè)看時(shí)圍繞支撐板3110并且與支撐板3110相繼隔開的環(huán)狀。收集貯存器3310距離支撐板3110越遠(yuǎn)，收集貯存器3310越高。收集槽口 3311形成在收集貯存器3310之間以接收從基板(S)散射的化學(xué)制品。收集管線3320形成在收集貯存器3310的底部。在收集貯存器3310中收集的化學(xué)制品通過收集管線3320被提供給化學(xué)制品再循環(huán)系統(tǒng)(未示出)。提升條(lift bar) 3330被連接到收集貯存器3310以從提升致動器3340接收動力并且在垂直地移動收集貯存器3310。如果提供多個(gè)收集貯存器3310，則提升條3330可以連接到最外面的收集貯存器3310。當(dāng)散射的化學(xué)制品通過其中一個(gè)收集槽口 3311被收集時(shí)，提升致動器3340可使用提升條3330提升或降低收集貯存器3310，以調(diào)節(jié)其中一個(gè)收集槽口 3311的位置。在下文中，將詳細(xì)地描述第二處理室4000。第二處理室4000可用以使用超臨界流體執(zhí)行超臨界干燥工藝。如上所述，第二處理室4000可用以執(zhí)行其它的處理以及超臨界干燥工藝。在下文中，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二處理室4000。圖4是圖2中描繪的第二處理室4000的截面圖。參考圖4，第二處理室4000可包括殼體4100、提升構(gòu)件4200、支撐構(gòu)件4300、加熱構(gòu)件4400、供給口 4500、遮蔽構(gòu)件4600和排出口 4700。殼體4100提供了能夠執(zhí)行超臨界干燥工藝的空間。殼體4100由對等于或高于臨界壓力的高壓耐用的材料形成。殼體4100可包括上殼體4110和設(shè)置在上殼體4110下方的下殼體4120。也就是說，殼體4100可具有上下結(jié)構(gòu)。上殼體4110可以是固定的，下殼體4120可以是豎向可移動的。如果下殼體4120遠(yuǎn)離上殼體4110向下移動，則第二處理室4000的內(nèi)側(cè)開啟，使得基板(S)能夠被運(yùn)載到第二處理室4000中或被運(yùn)載出第二處理室4000。由于在第一處理室3000中執(zhí)行的有機(jī)溶劑工藝而在上面余留有有機(jī)溶劑的基板(S)可被運(yùn)載到第二處理室4000中。如果下殼體4120相對上殼體4110向上移動，則第二處理室4000的內(nèi)側(cè)被關(guān)閉，然后在第二處理室4000中可執(zhí)行超臨界干燥工藝?？商娲?，殼體4100的下殼體4120可以是固定的，并且殼體4100的上殼體4110可以是豎向可移動的。提升構(gòu)件4200用來提升或降低下殼體4120。提升構(gòu)件4200可包括提升缸4210和提升桿(lift rod)4220。提升缸4210被聯(lián)接到下殼體4120以施加豎向驅(qū)動力，也就是說，施加提升/降低力至下殼體4120。在超臨界干燥工藝期間，雖然第二處理室4000的內(nèi)部壓力為等于或大于臨界壓力的高值，但提升缸4210產(chǎn)生足以將下殼體4120相對上殼體4110推動的驅(qū)動力，以牢固閉合第二處理室4000。提升桿4220的端部插入提升缸4210中，從所述端部以豎向方向向上延伸的提升桿4220的另一端聯(lián)接到上殼體4110。在此結(jié)構(gòu)中，如果提升缸4210產(chǎn)生驅(qū)動力，則提升缸4210和提升桿4220相對移動，由此聯(lián)接到提升缸4210的下殼體4120能夠提升或降低。另外，在下殼體4120被提升缸4210提升或降低的同時(shí)，提升桿4220引導(dǎo)下殼體4120并阻止上殼體4110和下殼體4120水平移動，由此上殼體4110和下殼體4120不偏離規(guī)則位置或路徑。支撐構(gòu)件4300在上殼體4110和下殼體4120之間的位置處支撐基板(S)。支撐構(gòu)件4300可在豎向方向上從上殼體4110的底部向下延伸，支撐構(gòu)件4300的下端可以在水平方向上彎折。由此，支撐構(gòu)件4300可支撐基板(S)的邊緣區(qū)域。由于支撐構(gòu)件4300僅與基板(S)的邊緣區(qū)域接觸并且支撐基板(S)，超臨界干燥工藝能夠在基板(S)的整個(gè)頂部表面上以及基板(S)的大部分底部表面上執(zhí)行?；?S)的頂部表面可以是圖案化的表面，基板(S)的底部表面可以是非圖案化的表面。另外，由于支撐構(gòu)件4300設(shè)置在固定的上殼體4110上，在下殼體4120被提升或降低時(shí)，支撐構(gòu)件4300能夠穩(wěn)定地支撐基板(S)。在上殼體4110上提供支撐構(gòu)件4300處，水平定位構(gòu)件4111可以被設(shè)置在上殼體4110上。水平定位構(gòu)件4111用來調(diào)節(jié)上殼體4110的水平位置。放置在上殼體4110的支撐構(gòu)件4300上的基板(S)的水平位置能夠通過調(diào)節(jié)上殼體4110的水平位置而被調(diào)節(jié)。如果基板(S)在超臨界干燥工藝期間傾斜，余留在基板(S)上的有機(jī)溶劑可流下，由此基板(S)的一部分可能不被干燥或可能被過分干燥。水平定位構(gòu)件4111能夠通過調(diào)節(jié)基板(S)的水平位置防止此情況出現(xiàn)。可替代地，如果上殼體4110被提升或降低并且下殼體4120被固定或者如果支撐構(gòu)件4300被設(shè)置在下殼體4120上，水平定位構(gòu)件4111可以設(shè)置在下殼體4120上。加熱構(gòu)件4400用來加熱第二處理室4000的內(nèi)側(cè)。加熱構(gòu)件4400可將供給到第二處理室4000中的超臨界流體加熱到臨界溫度或更高溫度，以維持超臨界流體在超臨界狀態(tài)下或?qū)⒊R界流體改變到超臨界狀態(tài)。加熱構(gòu)件4400可以嵌入在上殼體4110和下殼體4120中的至少一者的壁中。例如，構(gòu)造成從接收自外部電源的電力來產(chǎn)生熱量的加熱器可用作加熱構(gòu)件4400。供給口 4500將超臨界流體供給到第二處理室4000。供給口 4500可以連接到供應(yīng)管線4550。閥可以設(shè)置在供給口 4500處以控制從供應(yīng)管線4550供給的超臨界流體的流速。供給口 4500包括上供給口 4510和下供給口 4520。上供給口 4510被設(shè)置在上殼體4110處以將超臨界流體供給到放置在支撐構(gòu)件4300上的基板(S)的頂部表面。下供給口 4520被設(shè)置在下殼體4120處以將超臨界流體供給到放置在支撐構(gòu)件4300上的基板(S)的背面。供給口 4500 (上供給口 4510和下供給口 4520)可將超臨界流體供給到基板(S)的中央?yún)^(qū)域。例如，上供給口 4510可以位于在支撐構(gòu)件4300上支撐的基板(S)的上方并且與基板(S)的中心對準(zhǔn)。例如，下供給口 4520可以位于在支撐構(gòu)件4300上支撐的基板(S)的下方并且與基板(S)的中心對準(zhǔn)。然后，隨著通過供給口 4500供給的超臨界流體到達(dá)基板(S)的中央?yún)^(qū)域并且擴(kuò)展到基板(S)的邊緣區(qū)域，超臨界流體能夠被均勻分布到整個(gè)基板⑶。
超臨界流體可以通過下供給口 4520且然后通過上供給口 4510供給。在超臨界干燥工藝的早期，第二處理室4000的內(nèi)部壓力可以低于臨界壓力，由此供給到第二處理室4000中的超臨界流體可以被液化。因此，如果在超臨界干燥工藝的早期，超臨界流體通過上供給口 4510被供給，則超臨界流體可液化并且由于重力下落到基板(S)而損壞基板(S)。在超臨界流體通過下供給口 4520被供給到第二處理室4000中并且第二處理室4000的內(nèi)部壓力達(dá)到臨界壓力之后，超臨界流體可以通過上供給口 4510供給，從而防止超臨界流體液化和下落到基板(S)。遮蔽構(gòu)件4600防止通過供給口 4500供給的超臨界流體直接到達(dá)基板(S)。遮蔽構(gòu)件4600可包括遮蔽板4610和支撐件4620。遮蔽板4610被設(shè)置在其中一個(gè)供給口 4500和支撐在構(gòu)件4300上支撐的基板(S)之間。例如，遮蔽板4610可以設(shè)置在位于基板(S)下方的下供給口 4520和支撐構(gòu)件4300之間。在本情況中，遮蔽板4610可阻止通過下供給口 4520供給的超臨界流體直接到達(dá)基板⑶的底部。遮蔽板4610的半徑可類似于或大于基板(S)的半徑。然后，遮蔽板4610可完全地阻止超臨界流體直接地注入到基板(S)?？商娲?，遮蔽板4610的半徑可小于基板(S)的半徑。在此情況下，超臨界流體的速率可以最大地減小，同時(shí)阻止超臨界流體直接注入到基板(S)上，因而，所述超臨界流體可平穩(wěn)地到達(dá)基板(S)以有效進(jìn)行超流體干燥工藝。支撐件4620支撐遮蔽板4610 。遮蔽板4610可以放置在支撐件4620的一個(gè)端部上。支撐件4620可從殼體4100的底部表面在垂直于殼體4100的底部表面的方向上向上延伸。支撐件4620和遮蔽板4610可能不彼此聯(lián)接，而遮蔽板4610可只是置于支撐件4620上并且通過重力被保持在位置上。如果支撐件4620和遮蔽板4610使用諸如螺栓和螺母的部件相聯(lián)接，則能夠易于滲入到其它物質(zhì)內(nèi)的超臨界流體可滲入在所述部件之間而產(chǎn)生污染?？商娲?，支撐件4620和遮蔽板4610可以設(shè)置成一個(gè)整體。如果在超臨界干燥工藝的早期，通過下供給口 4520供給超臨界流體，由于殼體4100的內(nèi)部壓力低，超臨界流體可迅速地被注入。如果高速超臨界流體直接到達(dá)基板(S)，被超臨界流體直接注入的基板(S)的一部分可被彎折(傾斜現(xiàn)像)。此外，基板(S)由于超臨界流體的注入而可能抖動，由此余留在基板⑶上的有機(jī)溶劑可流向基板⑶的電路圖案而損及電路圖案。因此，遮蔽板4610被設(shè)置在下供給口 4520和支撐構(gòu)件4300之間以阻止超臨界流體被直接注入到基板(S)，并且由此阻止基板(S)受到超臨界流體施加的物理力的損傷。遮蔽板4610的位置不局限于在下供給口 4520和支撐構(gòu)件4300之間的位置。圖5和圖6圖示了圖4中所示的第二處理室4000的變形示例。參考圖5，遮蔽板4610可以設(shè)置在上供給口 4510和放置在支撐構(gòu)件4300上的基板⑶之間。參考圖6，遮蔽板4610a可以設(shè)置在上供給口 4510和支撐構(gòu)件4300之間，并且遮蔽板4610b可以設(shè)置在下供給口 4520和支撐構(gòu)件4300之間。在遮蔽板4610(4610a)設(shè)置在上供給口 4510和支撐構(gòu)件4300之間的情況中，支撐件4620可從上殼體4110的底部沿豎向方向向下延伸，支撐件4620的下端可以在水平方向上彎折。然后，遮蔽板4610可以通過重力支撐在支撐件4620上，而無需任何附加的聯(lián)接部件。在本情況中，遮蔽板4610可以被置于一路徑中，通過該路徑，超臨界流體從其中一個(gè)供給口 4500被供給到基板(S)，由此超臨界流體可能不被有效地供給到基板(S)。因此，遮蔽板4610的位置可通過考慮基板(S)受到超臨界流體的損傷程度，以及超臨界流體干燥基板(S)的有效程度來確定。具體地，在第二處理室4000提供多個(gè)供給口 4500的情況中，遮蔽板4610可以被置于下面的路徑中在超臨界干燥工藝的早期，超臨界流體從其中一個(gè)供給口 4500中通過該路徑被直接供給到基板(S)。排出口 4700將超臨界流體從第二處理室4000排出。排出口 4700可以連接到排出管線4750以排出超臨界流體。閥可以設(shè)置在排出口 4700處以控制要通過排出管線4750排出的超臨界流體的流速。超臨界流體可以排出到大氣或超臨界流體再循環(huán)系統(tǒng)(未示出)。排出口 4700可以形成在下殼體4120中。在超臨界干燥工藝的后期，隨著超臨界流體從第二處理室4000排出，第二處理室4000的內(nèi)部壓力可以減小至低于臨界壓力的值，由此填充在第二處理室4000的超臨界流體可以液化。液化的超臨界流體可由重力流向下殼體4120的排出口 4700并且然后通過排出口 4700流向外側(cè)。在下文中，將描述根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的第二處理室4000的另一個(gè)實(shí)施例。圖7是圖示圖2中所示的第二處理室4000的另一示例的透視圖，圖8是圖示圖7中的第二處理室4000的截面圖。參考圖7和8，第二處理室4000可包括殼體4100、門4130、按壓構(gòu)件4800、支撐構(gòu)件4300、加熱構(gòu)件4400、供給口 4500、遮蔽構(gòu)件4600和排出口 4700。與第二處理室4000的前一實(shí)施例不同，殼體4100具有單個(gè)結(jié)構(gòu)。開口可以形成在殼體4100的一側(cè)?；?S)可以通過開口運(yùn)載到殼體4100中或被運(yùn)載出殼體4100。殼體4100的形成有所述開口的側(cè)面可垂直于傳送室2200的側(cè)面，第二處理室4000沿所述側(cè)面設(shè)置。 門4130面向所述開口。門4130可以在水平方向上移動接近于或遠(yuǎn)離所述開口，以關(guān)閉或開啟殼體4100。支撐構(gòu)件4300可以設(shè)置在門4130上。門4130的設(shè)置有支撐構(gòu)件4300的表面可面向開口。隨著門4130移動，設(shè)置在門4130上的支撐構(gòu)件4300可以通過所述開口滑入或滑出殼體4100。支撐構(gòu)件4300的一側(cè)可固定到門4130的面向開口的表面，并且支撐構(gòu)件4300可從門4130的表面以板狀延伸。支撐構(gòu)件4300可支撐基板(S)的邊緣區(qū)域。例如，在板狀的支撐構(gòu)件430中可以形成具有與基板(S)的形狀類似或等同的形狀的凹處，并且孔可以形成在所述凹處中?；?S)可以放置在凹處上，并且基板(S)的頂面和背面可因在凹處中形成的孔而暴露。由此，整個(gè)基板(S)能夠在超臨界干燥工藝期間被干燥。在殼體4100的側(cè)面中形成的開口可具有與支撐構(gòu)件4300的側(cè)面形狀相同的形狀，或可稍大于殼體4100的側(cè)面。在超臨界干燥工藝期間，由于殼體4100的內(nèi)部被保持在等于或大于臨界壓力的高壓下，用門4130關(guān)閉殼體4100所需的力與開口的尺寸成比例。由此，開口的尺寸可調(diào)整到支撐構(gòu)件4300的側(cè)面區(qū)域以降低關(guān)閉殼體4100所需的力。按壓構(gòu)件4800使門4130移動以關(guān)閉或開啟殼體4100。按壓構(gòu)件4800可包括按壓缸4810和按壓桿4820。按壓缸4810可以設(shè)置在殼體4100的兩側(cè)處。按壓桿4820可以插入殼體4100的開口的兩側(cè)中，并且按壓桿4820的端部可以聯(lián)接到門4130。例如，按壓桿4820的端部可以經(jīng)過門4130插入，并且桿頂端4821可以在門4130的與殼體4100的開口相對的一側(cè)處設(shè)置在門4130的端部上。在此結(jié)構(gòu)中，按壓桿4820可以被按壓缸4810水平移動以使門4130水平移動。如果門4130移動遠(yuǎn)離開口并且支撐構(gòu)件4300暴露于殼體4100外側(cè)，則傳送機(jī)械手2210能夠?qū)⒒?S)放置在支撐構(gòu)件4300上。然后，門4130可以被移動以關(guān)閉開口并且將放置在支撐構(gòu)件4300上的基板(S)放置在殼體4100中。另外，在超臨界干燥工藝期間，按壓缸4810產(chǎn)生力而保持門4130與開口緊密接觸，抵擋殼體4100的趨于使門4130打開的內(nèi)部壓力。按壓缸4810產(chǎn)生的力通過按壓桿4820的桿頂端4821被施加到門4130，桿頂端4821設(shè)置在門4130的與開口相對的一側(cè)上，使得殼體4100能夠在超臨界干燥工藝期間保持關(guān)閉。由于加熱構(gòu)件4400、供給口 4500、遮蔽構(gòu)件4600和排出口 4700與先前實(shí)施例中的第二處理室4000的那些相同或類似，將不重復(fù)對它們的詳細(xì)說明。在下文中，將描述第二處理室4000的另一個(gè)實(shí)施例。圖9是圖示第二處理室4000的另一個(gè)實(shí)施例的截面圖。參考圖9，第二處理室4000可包括殼體4100、門4130、支撐構(gòu)件4300、加熱構(gòu)件4400、供給口 4500、遮蔽構(gòu)件4600和排出口 4700。 如先前實(shí)施例的殼體4100那樣，殼體4100具有單個(gè)結(jié)構(gòu)，該單個(gè)結(jié)構(gòu)在其一側(cè)處具有開口。門41 30被構(gòu)造成豎向移動以打開或關(guān)閉殼體4100的開口。門4130可包括門板4131和門驅(qū)動單元4132，且門驅(qū)動單元4132可使門4131豎向移動以打開或關(guān)閉開口。支撐構(gòu)件4300從殼體4100的下側(cè)在垂直于下側(cè)的方向上向上延伸，支撐構(gòu)件4300的上端或上端部分可以水平彎折?；?S)可以放置在支撐構(gòu)件4300上，超臨界流體可以被供給到放置在支撐構(gòu)件4300上的基板(S)的頂部和底部。已經(jīng)描述了第二處理室4000的實(shí)施例，多個(gè)這樣的第二處理室4000可以以堆疊方式設(shè)置在基板(S)處理設(shè)備100中。圖10圖示了諸如圖4中所示的第二處理室4000的第二處理室4000a、4000b和4000c的堆疊狀態(tài)。參考圖10，三個(gè)第二處理室4000a、4000b和4000c被豎向堆疊。第二處理室4000a、4000b和4000c的數(shù)量可以改變。最高的第二處理室4000a的下殼體4120和中間第二處理室4000b的上殼體4110可形成為一個(gè)整體，并且中間第二處理室4000b的下殼體4120和最低的第二處理室4000c的上殼體4110可形成為一個(gè)整體。在本情況中，除了最高的第二處理室4000a的上殼體4110和最低的第二處理室4000c的下殼體4120之外，在殼體4100中形成的供給口 4500和排氣口 4700可以通過殼體4100的側(cè)面分別連接到供應(yīng)管線4550和排出管線4750。供應(yīng)管線4550和排出管線4750可以由彈性且柔性材料形成。提升構(gòu)件4200的提升桿4220可以插入穿過第二處理室4000a、4000b和4000c，且提升桿4220的端部可以聯(lián)接到最高的第二處理室4000a。提升缸4210可提升或降低提升桿4220以從下側(cè)或上側(cè)相繼地打開或關(guān)閉第二處理室4000a、4000b和4000c。
雖然已經(jīng)針對基板處理設(shè)備100使用超臨界流體處理基板(S)的情況說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的基板處理設(shè)備100不局限于執(zhí)行超臨界干燥工藝。例如，代替供給超臨界流體，基板處理設(shè)備100可用以通過將不同的處理液通過供給口 4500供給到第二處理室4000中來處理基板(S)。另外，基板處理設(shè)備100可進(jìn)一步包括用于控制基板處理設(shè)備100的元件的控制器。例如，控制器可控制加熱構(gòu)件4400以調(diào)節(jié)殼體4100的內(nèi)部溫度。在另一示例中，控制器可控制設(shè)置在噴嘴構(gòu)件3200、供應(yīng)管線4550和排出管線4750處的閥，以調(diào)節(jié)化學(xué)制品或超臨界流體的流速。在另一示例中，控制器可控制提升構(gòu)件4200或按壓構(gòu)件4800以打開或關(guān)閉殼體4100。在另一示例中，在控制器的控制下，超臨界流體可以通過上供給口 4510和下供給口 4520中的一者被供給，并且如果第二處理室4000的內(nèi)部壓力達(dá)到預(yù)定值，超臨界流體可以通過上供給口 4510和下供給口 4520中的另一者被供給?？刂破骺梢允怯布?、軟件或提供為硬件和軟件的組合的諸如計(jì)算機(jī)的裝置。例如，控制器可以是硬件，諸如ASIC(專用集成電路)、DSP (數(shù)字信號處理器)、DSH)(數(shù)字信號處理裝置)、PLD (可編程序邏輯設(shè)備)、FPGA (現(xiàn)場可編程門陣列)、處理器、微控制器、微處理器和具有相似控制功能的電氣裝置。例如，控制器可以是軟件，諸如用至少一種程序語言編寫的軟件代碼或應(yīng)用。軟件可以由以硬件形式提供的控制器執(zhí)行。可替代地，軟件可以從諸如服務(wù)器的外部設(shè)備傳輸?shù)揭杂布问教峁┑目刂破鳎⒖梢园惭b在控制器上。在下文中，將說明使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理設(shè)備100的基板處理方法。雖然在以下描述中使用基板處理設(shè)備100說明基板處理方法，但該基板處理方法可以使用與基板處理設(shè)備100類似的另一設(shè)備執(zhí)行。另外，本發(fā)明的基板處理方法可以通過可執(zhí)行碼或程序的形式存儲在計(jì)算機(jī)可讀的記錄介質(zhì)中。在下文中，將說明本發(fā)明的基板處理方法的實(shí)施例。該實(shí)施例總體上涉及清洗工藝。圖11是用于說明根據(jù)實(shí)施例的基板處理方法的流程圖。該實(shí)施例的基板(S)處理方法包括操作S110，其中基板(S)被運(yùn)載到第一處理室3000中；操作S120，其中執(zhí)行化學(xué)工藝；操作S130，其中執(zhí)行水洗工藝；操作S140，其中執(zhí)行有機(jī)溶劑工藝；操作S150，其中基板(S)被運(yùn)載到第二處理室4000 ;操作S160，其中執(zhí)行超臨界干燥工藝；和操作S 170，其中基板(S)被置于放置在裝載場1100的容器(C)中。以上列出的操作并不要求以列出的順序執(zhí)行。例如，后面列出的操作可在先列出的操作之前執(zhí)行。這在基板(S)處理方法的另一個(gè)實(shí)施例中是等同的?，F(xiàn)在將詳細(xì)描述所述操作?；?S)被運(yùn)載到第一處理室3000中(SllO)。首先，其中儲存有基板(S)的容器通過載運(yùn)裝置諸如OHT被放置在裝載場1100上。然后，索引機(jī)械手1210從容器拾取基板
(S)并且將基板(S)放置在緩沖槽中。傳送機(jī)械手2210從緩沖槽拾取基板(S)并且將基板(S)載運(yùn)到第一處理室3000中。在第一處理室3000中，基板(S)被放置在支撐板3110上。此后，執(zhí)行化學(xué)工藝(S120)。在基板(S)被放置在支撐板3110上后，噴嘴軸3230被噴嘴軸致動器3240移動并且旋轉(zhuǎn)以將噴嘴3210直接放置在基板(S)上方。洗滌劑通過噴嘴3210被注入到基板(S)的上部。隨著注入洗滌劑，污染物被從基板(S)去除。在這時(shí)候，旋轉(zhuǎn)式致動器3130使旋轉(zhuǎn)軸3120旋轉(zhuǎn)以旋轉(zhuǎn)基板(S)。雖然洗滌劑從基板(S)散射出，但因?yàn)榛?S)被旋轉(zhuǎn)，洗滌劑能夠被均一地供給到基板(S)。從基板(S)散射出的洗滌劑被收集在收集貯存器3310中，洗滌劑在收集貯存器3310中被排出到流體再循環(huán)系統(tǒng)(未示出)。在這時(shí)候，提升致動器3340提升或降低收集貯存器3310，使得散射出的洗滌劑能夠收集在其中一個(gè)收集貯存器3310中。在污染物被從基板(S)去除之后，執(zhí)行水洗工藝(S130)。在執(zhí)行化學(xué)工藝以從基板(S)除去污染物之后，洗滌劑留存在基板(S)上。注入洗滌劑的噴嘴3210被移動遠(yuǎn)離基板(S)的頂部，并且另一個(gè)噴嘴3210被移動到基板(S)的正上方的位置以將水洗劑注入到基板(S)的頂部。供給到基板(S)的水洗劑清洗余留在基板(S)上的洗滌劑。在水洗工藝期間，基板(S)可以被旋轉(zhuǎn)，并且可以收集化學(xué)制品。提升致動器3340調(diào)節(jié)收集貯存器3310的高度，以使水洗劑能夠被收集在其中一個(gè)收集貯存器3310中，該收集貯存器不同于用以收集洗滌劑的收集貯存器。在基板(S)被充分沖洗之后，執(zhí)行有機(jī)溶劑工藝(S140)。在水洗工藝之后，另一個(gè)噴嘴3210被移動至基板(S)的正上方的位置以將有機(jī)溶劑注入到基板(S)。余留在基板(S)上的水洗劑被有機(jī)溶劑替代。在有機(jī)溶劑工藝中，基板(S)可不旋轉(zhuǎn)或可以低速旋轉(zhuǎn)。這樣的原因在于，如果有機(jī)溶劑很快蒸發(fā)，則有機(jī)溶劑的表面張力可引起基板(S)的電路圖案之間的界面張力，從而造成電路圖案皺縮。在第一處理室3000中的有機(jī)溶劑工藝之后，基板(S)被運(yùn)載到第二處理室4000內(nèi)(S150)，并且在第二處理室4000中執(zhí)行超臨界干燥工藝。稍后在說明基板(S)處理方法的另一個(gè)實(shí)施例時(shí)，將更為詳細(xì)地描述操作S150和S160。在超臨界干燥工藝之后，基板⑶被運(yùn)載到放置在裝載場1100上的容器中(S170)。第二處理室4000被打開，并且傳送機(jī)械手2210拾取基板(S)。基板(S)可以通過傳送機(jī)械手2210被運(yùn)載到緩沖 室2100，并且索引機(jī)械手1210可將基板(S)從緩沖室2100運(yùn)載到容器(C)。在下文中，將說明本發(fā)明的基板處理方法的另一個(gè)實(shí)施例?；?S)處理方法的該另外的實(shí)施例涉及第二處理室4000中的超臨界干燥工藝。圖12是用于說明基板處理方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。另一個(gè)實(shí)施例的基板處理方法包括操作S210，其中基板(S)被傳送到第二處理室4000中；操作S220，其中殼體4100被關(guān)閉；操作S230，其中超臨界流體被供給到下供給口 4520 ;操作S240，其中超臨界流體被阻止直接注入到基板(S);操作S250，其中超臨界流體被供給到上供給口 4510 ;操作S260，其中排出超臨界流體；操作S270，其中殼體4100被打開；和操作S280，其中基板(S)被運(yùn)載出第二處理室4000。現(xiàn)在將詳細(xì)地說明操作。圖13至16是用于說明圖12的基板處理方法的圖。基板(S)被運(yùn)載到第二處理室4000中(S210)。傳送機(jī)械手2210將基板(S)放置在第二處理室4000的支撐構(gòu)件4300上。在有機(jī)溶劑留存在基板(S)上的狀態(tài)下，傳送機(jī)械手2210可從第一處理室3000拾取基板(S)，并且可將基板(S)放置在支撐構(gòu)件4300上。參考圖13，在第二處理室4000具有上下結(jié)構(gòu)(上殼體4110和下殼體4120)的情況中，在上殼體4110和下殼體4120分開且打開的狀態(tài)下，傳送機(jī)械手2210將基板(S)放置在支撐構(gòu)件4300。
在第二處理室4000具有帶水平可滑動門4130的滑動結(jié)構(gòu)的情況中，在門4130移動遠(yuǎn)離開口的狀態(tài)下，傳送機(jī)械手2210將基板(S)放置在支撐構(gòu)件4300上。在放置基板
(S)之后，門4130可以移動到殼體4100以將基板⑶放置在第二處理室4000中。在第二處理室4000具有門板4131由門驅(qū)動單元4132移動的結(jié)構(gòu)的情況中，傳送機(jī)械手2210可移動到殼體4100中以將基板(S)放置在支撐構(gòu)件4300上。在基板(S)被運(yùn)載在殼體4100中之后，殼體4100關(guān)閉(S220)。參考圖14，在第二處理室4000具有上下結(jié)構(gòu)的情況中，提升構(gòu)件4200相對上殼體4110提升下殼體4120以關(guān)閉殼體4100 (也就是說，關(guān)閉第二處理室4000)。在第二處理室4000具有滑動結(jié)構(gòu)的情況中，按壓構(gòu)件4800使門4130相對開口水平移動以關(guān)閉殼體4100。在其它情況中，門驅(qū)動單元4132移動門板4131以關(guān)閉開口。在第二處理室4000關(guān)閉之后，超臨界流體被供給到下供給口 4520 (S230)。當(dāng)超臨界流體開始被供給時(shí)，殼體4100的內(nèi)部壓力可以低于臨界壓力，由此超臨界流體可液化。如果超臨界流體被供給到在基板(S)的頂部上方的位置，則超臨界流體可液化并在重力的作用下下落至基板(S )的頂部而損壞基板(S)。因此，超臨界流體可首先通過下供給口 4520被供給，然后通過上供給口 4510被供給。此時(shí)，殼體4100的內(nèi)部可通過支撐構(gòu)件4300加熱。超臨界流體被阻止直接注入到基板(S) (S240)。再次參考圖14，設(shè)置在下供給口4520和支撐構(gòu)件4300之間的遮蔽板4610可阻止通過下供給口 4520供給的超臨界流體被直接注入到基板(S)。由此，超臨界流體的物理力不會施加到基板(S)，從而防止基板(S)的傾斜。通過下供給口 4520在豎直方向上注入的超臨界流體可碰撞遮蔽板4610并且水平流動到基板(S)。參考圖15，超臨界流體被供給到上供給口 4510 (S250)。如果超臨界流體通過上供給口 4510被連續(xù)供給，則殼體4100的內(nèi)部壓力變得等于或大于臨界壓力，如果殼體4100的內(nèi)部由加熱構(gòu)件4400加熱，則殼體4100的內(nèi)部溫度變成等于或大于臨界溫度。由此，殼體4100的內(nèi)部可處于超臨界狀態(tài)。當(dāng)殼體4100的內(nèi)部進(jìn)入超臨界狀態(tài)時(shí)，超臨界流體可以通過上供給口 4510被供給。也就是說，在控制器的控制下，當(dāng)殼體4100的內(nèi)部壓力變成等于或大于臨界壓力時(shí)，超臨界流體可以通過上供給口 4510被供給。在這時(shí)候，通過上供給口 4510供給的超臨界流體可不被遮蔽板4610阻擋。原因在于，由于殼體4100的內(nèi)部壓力大于臨界壓力，使得通過上供給口 4510供給的超臨界流體的速度在殼體4100中被極大地減小。由此，當(dāng)超臨界流體到達(dá)基板(S)時(shí)，超臨界流體的速度太低，而不會引起基板(S)的傾斜。由于通過上供給口 4510供給的超臨界流體不被遮蔽板4610阻擋，則基板⑶的頂側(cè)可被超臨界流體有效干燥。由于基板(S)的頂側(cè)通常是圖案表面，沒有遮蔽板4610可以設(shè)置在上供給口 4510和支撐構(gòu)件4300之間，從而將超臨界流體有效供給到基板(S)的頂側(cè)以去除余留在基板(S)的頂側(cè)的電路圖案之間的有機(jī)溶劑?？商娲兀鶕?jù)工藝條件，遮蔽板4610可以設(shè)置在上供給口 4510和支撐構(gòu)件4300之間以阻止超臨界流體直接注入至IJ基板⑶的頂側(cè)。如果基板(S)由于余留在基板(S)上的有機(jī)溶劑被溶解在超臨界流體中而得以充分干燥，超臨界流體被排出(S260)。超臨界流體從第二處理室4000通過排氣口 4700排出。超臨界流體的供給和排出可以通過用控制器調(diào)節(jié)在供應(yīng)管線4550和排出管線4750中的超臨界流體的流速來控制。超臨界流體可以排出到大氣或超臨界流體再循環(huán)系統(tǒng)(未示出)。在超臨界流體排出后，如果第二處理室4000的內(nèi)部壓力被充分降低至例如大氣壓力，則殼體4100打開(S270)。參考圖16，提升構(gòu)件4200將下殼體4120降低以打開殼體4100。在第二處理室4000具有帶水平可滑動門4130的滑動結(jié)構(gòu)的情況中，按壓構(gòu)件4800使門4130移動遠(yuǎn)離殼體4100的開口以打開殼體4100。在第二處理室4000具有通過門驅(qū)動單元4132移動門板4131的結(jié)構(gòu)的情況中，門驅(qū)動單元4132移動門板4131以打開殼體4100?；?S)被運(yùn)載出第二處理室4000 (S280)。在殼體4100打開后，傳送機(jī)械手2210將基板(S)運(yùn)載出第二處理室4000。根據(jù)本發(fā)明，通過將超臨界流體注入到基板(S)的頂側(cè)和后側(cè)，能夠干燥整個(gè)基板⑶。另外，根據(jù)本發(fā)明，遮蔽板阻止超臨界流體直接注入到基板(S)，從而基板(S)可不傾斜。本發(fā)明的效果不局限于上述效果，通過描述和附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清晰地理解本發(fā)明的其它效果。給出了上述實(shí)施例以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易理解本發(fā)明，而不意圖限制本發(fā)明。

由此，實(shí)施例及其元件能夠以其它方式或公知技術(shù)使用，并且在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，能夠在形式和細(xì)節(jié)上作出各種修改和改變。另外，本發(fā)明的范圍由以下權(quán)利要求限定，并且在該范圍內(nèi)的所有差異將被認(rèn)為包括在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括殼體，所述殼體提供用于執(zhí)行工藝的空間；支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在所述殼體中以支撐基板；供給口，所述供給口構(gòu)造成將處理液供給到所述殼體；遮蔽構(gòu)件，所述遮蔽構(gòu)件設(shè)置在所述供給口和所述支撐構(gòu)件之間以阻止所述處理液直接注入到所述基板；和排出口，所述排出口構(gòu)造成將所述處理液從所述殼體排出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述供給口包括第一供給口和第二供給口，所述第一供給口和所述第二供給口設(shè)置在所述殼體的不同表面，并且所述遮蔽板被設(shè)置在所述支撐構(gòu)件和所述第一供給口之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述第一供給口被設(shè)置在所述殼體的下表面處以將所述處理液注入到所述基板的后側(cè)的中央?yún)^(qū)域，并且所述第二供給口被設(shè)置在所述殼體的上表面處以將所述處理液注入到所述基板的頂側(cè)的中央?yún)^(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括控制器，所述控制器執(zhí)行控制操作以通過所述第一供給口且然后通過所述第二供給口供給所述處理液。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括從所述殼體的下表面延伸的支撐件；其中所述遮蔽板被放置在所述支撐件上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述遮蔽板具有大于所述基板的半徑的半徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述工藝是超臨界工藝，并且所述處理液處于超臨界流體狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述殼體包括上殼體和設(shè)置在所述上殼體下方的下殼體，其中所述設(shè)備進(jìn)一步包括提升構(gòu)件，所述提升構(gòu)件構(gòu)造成提升所述上殼體和所述下殼體中的一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述支撐構(gòu)件從所述上殼體向下延伸，并且所述支撐構(gòu)件的下端水平彎折以支撐所述基板的邊緣區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括水平定位構(gòu)件，所述水平定位構(gòu)件用以調(diào)整所述上殼體的水平位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述第一供給口被設(shè)置在所述下殼體處，并且所述第二供給口被設(shè)置在所述上殼體處。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述殼體具有開口側(cè)并且包括可豎向移動的門，所述門用于打開和關(guān)閉所述開口側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括按壓構(gòu)件，所述按壓構(gòu)件構(gòu)造成將壓力施加到所述門以關(guān)閉所述殼體。
14.一種用于處理基板的方法，所述方法包括將基板運(yùn)載到殼體中；將所述基板放置在支撐構(gòu)件上；將處理液供給到所述基板；阻止所述處理液直接注入到所述基板；將所述處理液從所述殼體排出；并且將所述基板運(yùn)載出所述殼體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中使用設(shè)置在所述支撐構(gòu)件和供給口之間的遮蔽板執(zhí)行對所述處理液的阻止，所述處理液通過所述供給口被供給。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述處理液的供給以如下方式執(zhí)行通過設(shè)置在所述殼體的上表面處的第一供給口向所述基板的頂側(cè)注入所述處理液，并且通過設(shè)置在所述殼體的下表面處的第二供給口向所述基板的底側(cè)注入所述處理液，以及使用設(shè)置在所述第二支撐口和所述支撐構(gòu)件之間的所述遮蔽板執(zhí)行對所述處理液的阻止，從而阻止向所述基板的底側(cè)注入的所述處理液被直接注入到所述基板。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述處理液的供給中，所述處理液通過所述第二供給口被注入，并且如果所述殼體的內(nèi)部壓力達(dá)到預(yù)定值，所述處理液開始通過所述第一供給口被注入。
18.根據(jù)權(quán)利要求14到17中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述處理液是超臨界流體，并且所述超臨界流體溶解余留在所述基板上的有機(jī)溶劑。
19.根據(jù)權(quán)利要求14到17中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述殼體包括上殼體和設(shè)置在所述上殼體下方的下殼體，所述基板在所述上殼體和所述下殼體彼此隔開的狀態(tài)下被放置在所述支撐構(gòu)件上，并且在所述基板被運(yùn)載到所述殼體中之后，所述上殼體和所述下殼體中的一者被提升或降低以關(guān)閉所述殼體。
20.一種用于處理基板的方法，所述方法包括將上面余留有有機(jī)溶劑的基板傳送到殼體中；通過向所述基板的非圖案側(cè)供給超臨界流體同時(shí)阻止所述超臨界流體被直接注入到所述基板，在所述殼體中形成超臨界氣氛；并且在形成所述超臨界氣氛之后，將所述處理液注入到所述基板的圖案側(cè)，以溶解余留在所述基板的電路圖案之間的有機(jī)溶劑并干燥所述基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中通過設(shè)置在一路徑上的遮蔽構(gòu)件阻止所述超臨界流體被直接注入到所述基板，所述超臨界流體沿所述路徑向所述基板的所述非圖案側(cè)被注入。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的方法，其中所述超臨界流體是超臨界狀態(tài)的二氧化碳。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于處理基板的設(shè)備和方法。具體地，提供了用于通過超臨界工藝處理基板的設(shè)備和方法。所述設(shè)備包括殼體，所述殼體提供用于執(zhí)行工藝的空間；支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在殼體中以支撐基板；供給口，所述供給口構(gòu)造成將處理液供給到殼體；遮蔽構(gòu)件，所述遮蔽構(gòu)件設(shè)置在供給口和支撐構(gòu)件之間以阻止處理液被直接注入到基板；和排出口，所述排出口構(gòu)造成從殼體排出處理液。
文檔編號H01L21/02GK103035551SQ20121026968
公開日2013年4月10日 申請日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者金鵬, 權(quán)五珍, 張成豪, 樸周緝 申請人:細(xì)美事有限公司