專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器件即使在電源已經(jīng)被終止時(shí)也能保留數(shù)據(jù)。隨著建立2D存儲(chǔ)器 件——以單層的形式在硅襯底上制造存儲(chǔ)器單元——的集成度達(dá)到極限，提出了 3D非易失性存儲(chǔ)器件，其中將存儲(chǔ)器單元垂直地層疊在硅襯底上。3D非易失性存儲(chǔ)器件包括層疊結(jié)構(gòu)，在每個(gè)層疊結(jié)構(gòu)中，將多層字線層疊以便層疊存儲(chǔ)器單元。在這種情況下，存在有在制造存儲(chǔ)器件的過程中層疊結(jié)構(gòu)傾斜或倒塌的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及一種適用于防止層疊結(jié)構(gòu)傾斜或倒塌的半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)本公開的一個(gè)方面的半導(dǎo)體器件包括每個(gè)被配置成包括溝道對(duì)的存儲(chǔ)塊，每個(gè)所述溝道包括形成在存儲(chǔ)塊的管道柵中的管道溝道，以及與管道溝道相耦接的漏側(cè)溝道和源側(cè)溝道；第一縫隙，所述第一縫隙位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)塊之間；以及第二縫隙，所述第二縫隙位于每個(gè)溝道對(duì)的源側(cè)溝道與漏側(cè)溝道之間。根據(jù)本公開的另一方面的半導(dǎo)體器件包括每個(gè)被配置成包括從襯底突出的溝道的存儲(chǔ)塊；至少一個(gè)第一縫隙，所述至少一個(gè)第一縫隙位于存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域中；至少一個(gè)第二縫隙，所述至少一個(gè)第二縫隙位于溝道之間；以及第三縫隙，所述第三縫隙位于彼此相鄰的存儲(chǔ)塊之間。根據(jù)本公開的一個(gè)方面的制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟實(shí)質(zhì)地在每個(gè)管道柵之上交替地形成第一材料層和第二材料層；形成溝道，每個(gè)溝道包括形成在管道柵中的管道溝道以及被形成為實(shí)質(zhì)地穿過第一材料層和第二材料層并與管道溝道相耦接的漏側(cè)溝道和源側(cè)溝道對(duì)；刻蝕第一材料層和第二材料層以形成位于彼此相鄰的存儲(chǔ)塊之間的第一縫隙；將第一絕緣層填充在第一縫隙中；刻蝕第一材料層和第二材料層以形成位于源側(cè)溝道和漏側(cè)溝道對(duì)之間的第二縫隙；將暴露于第二縫隙的第二材料層凹陷；以及將層間絕緣層或?qū)щ妼犹畛湓诘诙牧蠈拥陌枷輩^(qū)域中。根據(jù)本公開的另一方面的制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟實(shí)質(zhì)地在襯底之上交替地形成第一材料層和第二材料層；形成從襯底突出并被形成為實(shí)質(zhì)地穿過第一材料層和第二材料層的溝道；刻蝕第一材料層和第二材料層以形成位于每個(gè)存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域中的至少一個(gè)第一縫隙；將第一絕緣層填充在第一縫隙中；刻蝕第一材料層和第二材料層以形成位于溝道之間的至少一個(gè)第二縫隙；將暴露于第二縫隙的第二材料層凹陷；以及將層間絕緣層或?qū)щ妼犹畛湓诘诙牧蠈拥陌枷輩^(qū)域中。


圖I是根據(jù)本公開的第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖；圖2是根據(jù)本公開的第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖3是根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖4A至圖4F是說明制造根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖； 圖5是根據(jù)本公開的第二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖6A至6F是說明制造根據(jù)本公開的第二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖；圖7A至7C是根據(jù)本公開的第三至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖8是根據(jù)本公開的第六至第二十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖；圖9A至圖90是根據(jù)本公開的第六至第二十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖10是根據(jù)本公開的第二i^一至第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖；圖11是根據(jù)本公開的第二i^一至第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖12是根據(jù)本公開的第二i^一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖13A和圖13B是說明制造根據(jù)本公開的第二十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖；圖14A至14C是根據(jù)本公開的第二十二至第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖；圖15說明根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；以及圖16說明根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖來詳細(xì)地描述本公開的各種實(shí)施例。提供附圖以允許本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本公開的實(shí)施例的范圍。然而，應(yīng)當(dāng)指出本發(fā)明的主旨不局限于本文所列的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員及理解本發(fā)明的人可以通過增加、修改和去除本發(fā)明主旨內(nèi)的部件而容易地實(shí)現(xiàn)逆向發(fā)明以及本發(fā)明的主旨所包括的其它實(shí)施例，但是這些都要被解釋成包括在本發(fā)明的主旨中。另外，在整個(gè)附圖中，相同或相似的附圖標(biāo)記表示實(shí)現(xiàn)相似的功能和作用的部分。附圖并非按比例繪制，并且在某些情況下，為了清楚地說明實(shí)施例的特征，可能對(duì)比例做夸大處理。在本說明書中，使用了特定術(shù)語。使用這些術(shù)語是為了描述本發(fā)明，而不是用于限制意義或限定本發(fā)明的范圍。在本說明書中，“和/或”表示包括置于“和/或”前后的一個(gè)或更多個(gè)部件。另外，“連接/耦接”表示一個(gè)部件直接與另一個(gè)部件耦接或經(jīng)由另一個(gè)部件間接耦接。在本說明書中，只要不在句子中特意提及，則單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。另外，在說明書中使用的“包括/包含”表示存在或增加一個(gè)或更多個(gè)部件、步驟、操作以及元件。圖I是根據(jù)本公開的第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖。應(yīng)當(dāng)指出為了便于描述，在圖I中未示出層間絕緣層或?qū)щ妼?，并且為了簡單起見，在圖I中僅示出與兩個(gè)存儲(chǔ)串(string)相關(guān)的兩個(gè)存儲(chǔ)串STl和STO以及元件。結(jié)合第一至第五實(shí)施例來描述存儲(chǔ)串STl和STO被布置成U形的3D非易失性存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)以及制造所述3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法。如圖I所示，根據(jù)本公開的第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括溝道CH，所述溝道CH包括形成在管道柵(pipe gate) PG中的管道溝道(pipe channel) P_CH，以 及通過管道溝道P_CH與漏側(cè)溝道D_CH耦接的源側(cè)溝道S_CH。沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源側(cè)溝道S_CH與一個(gè)源極線SL耦接。存儲(chǔ)串STO和STl中的沿第二方向Π-ΙΙ’與源側(cè)溝道S_CH相鄰的漏側(cè)溝道與一個(gè)位線BL耦接。3D非易失性存儲(chǔ)器件還包括源側(cè)字線S_WL和漏側(cè)字線D_WL，所述源側(cè)字線S_WL被層疊成多層并被形成為大體包圍源側(cè)溝道S_CH，所述漏側(cè)字線D_WL被層疊成多層并被形成為大體包圍漏側(cè)溝道D_CH。源側(cè)字線S_WL和漏側(cè)字線D_WL借助于位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH之間的縫隙而彼此分開。源極選擇線SSL位于源側(cè)字線S_WL之上，漏極選擇線DSL位于漏側(cè)字線D_WL之上。沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源側(cè)字線S_WL、源極選擇線SSL、漏側(cè)字線D_WL以及漏極選擇線DSL可以相耦接或可以通過縫隙彼此分開。圖I示出以下實(shí)例沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源側(cè)字線S_WL和源極選擇線SSL彼此耦接，而沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的漏側(cè)字線D_WL和漏極選擇線DSL通過縫隙彼此分開。另外，沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的漏側(cè)字線D_WL和漏極選擇線DSL可以彼此耦接，而沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源側(cè)字線S_WL和源極選擇線SSL可以通過縫隙彼此分開。在一些實(shí)施例中，如果位于彼此相鄰的漏側(cè)溝道D_CH或彼此相鄰的源側(cè)溝道S_CH之間的縫隙被形成為具有與選擇線SL相同的深度，則沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源側(cè)字線S_WL或漏側(cè)字線D_WL可以彼此耦接，而沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串STO和STl的源極選擇線SSL或漏極選擇線DSL可以彼此分開。圖2是根據(jù)本公開第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。圖2是圖I的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。在圖2中，附圖標(biāo)記“30”表示交替地層疊層間絕緣層和導(dǎo)電層的區(qū)域，附圖標(biāo)記“31”表示交替地沉積層間絕緣層和犧牲層的區(qū)域。此外，符號(hào)“ST”表示存儲(chǔ)串，符號(hào)“CT”表示與接觸焊盤耦接的接觸插塞。如圖2所示，根據(jù)本公開的第一至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括第一縫隙SI至第六縫隙S6中的至少兩個(gè)，并且可以使用第一縫隙SI至第六縫隙S6的各種組合。具體地，在本公開中，在將絕緣層填充到通過初次縫隙形成工藝形成的初次縫隙中之后，執(zhí)行二次縫隙形成工藝。因此，是否先形成第一縫隙SI至第六縫隙S6中的任何一個(gè)并再形成第一縫隙SI至第六縫隙S6的任何一個(gè)是可以以各種方式改變的。在形成縫隙的工藝中，可以形成一個(gè)縫隙，或者可以同時(shí)或基本同時(shí)形成兩個(gè)或更多個(gè)縫隙。第一縫隙SI位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間，并被配置成將彼此相鄰的存儲(chǔ)塊分開。這里，每個(gè)存儲(chǔ)塊MB包括單元區(qū)域，所述單元區(qū)域被配置成具有布置在其中的存儲(chǔ)串；減薄(slimming)區(qū)域，所述減薄區(qū)域被設(shè)置在單元區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)，并且被配置成具有布置在其中的接觸焊盤。因此，第一縫隙SI可以被形成為具有足夠的長度，使得第一縫隙SI位于彼此相鄰的存儲(chǔ)塊MB的單元區(qū)域的減薄區(qū)域之間。因此，位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB的邊界處的漏極選擇線DSL可以通過第一縫隙SI與其它的漏極選擇線DSL分開。由于在存儲(chǔ)器件中包括了第一縫隙SI，所以可以單獨(dú)地驅(qū)動(dòng)位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB的邊界處的漏極選擇線DSL。因而，對(duì)于每個(gè)存儲(chǔ)塊MB可以容易地驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器單元。
·
第二縫隙S2位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH對(duì)之間，并且被配置成將源側(cè)字線S_WL和漏側(cè)字線D_WL彼此分開。第二縫隙S2可以是大體沿第一方向1-1’平行延伸的多個(gè)線形縫隙。在一些實(shí)施例中，可以通過在減薄區(qū)域的周緣耦接多個(gè)線性縫隙來形成大體鋸齒形的第二縫隙S2，諸如圖4C所示的。第三縫隙S3可以位于彼此相鄰的漏側(cè)溝道D_CH或彼此相鄰的源側(cè)溝道S_CH之間。如果第三縫隙S3位于相鄰的漏側(cè)溝道D_CH之間，則沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串的漏側(cè)字線D_WL和漏極選擇線DSL彼此分開。如果第三縫隙S3位于相鄰的源側(cè)溝道S_CH之間，則沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串的源側(cè)字線S_WL和源極選擇線SSL彼此分開。第四縫隙S4位于相鄰的漏側(cè)溝道D_CH之間或相鄰的源側(cè)溝道S_CH之間，并且深度被形成到僅將選擇線DSL和SSL彼此分開的程度。因而，僅將沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串的選擇線DSL和SSL彼此分開，而相鄰的存儲(chǔ)串的字線D_WL和S_WL相耦接。第五縫隙S5可以位于減薄區(qū)域內(nèi)、在減薄區(qū)域的周緣、或在減薄區(qū)域內(nèi)及減薄區(qū)域的周緣。此外，可以以線形來形成第五縫隙S5，或者可以以具有突部的線形來形成第五縫隙S5。一般地，一個(gè)存儲(chǔ)塊MB包括上減薄區(qū)域和下減薄區(qū)域?？梢栽谏蠝p薄區(qū)域和下減薄區(qū)域中都形成第五縫隙S5，或可以在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的一個(gè)中形成第五縫隙S5?？梢栽诔醮慰p隙形成工藝中形成第五縫隙S5，或者可以在二次縫隙形成工藝中形成第五縫隙S5。例如，如果在初次縫隙形成工藝中形成第五縫隙S5，則在將犧牲層凹陷的過程中可以防止形成在減薄區(qū)域中的層間絕緣層倒塌。如果在二次縫隙形成工藝中形成第五縫隙S5，則可以在減薄區(qū)域內(nèi)形成接觸焊盤。如果以線形形成第五縫隙S5，則第五縫隙S5設(shè)置成不與選擇線(DSL或SSL)區(qū)域(見“SG邊緣”)重疊。第六縫隙S6位于第一縫隙SI與減薄區(qū)域之間。如果在二次縫隙形成工藝中形成第六縫隙S6，則可以在減薄區(qū)域的兩側(cè)的邊緣形成接觸焊盤，如圖2所示。圖3是根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。
如圖3所示，根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)第一縫隙SI，所述多個(gè)第一縫隙SI位于相鄰的存儲(chǔ)塊之間；多個(gè)第二縫隙S2，所述多個(gè)第二縫隙S2位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH對(duì)之間；多個(gè)第三縫隙S3，所述多個(gè)第三縫隙S3位于相鄰的漏側(cè)溝道D_CH之間；以及多個(gè)第六縫隙S6，所述多個(gè)第六縫隙S6位于第一縫隙SI與減薄區(qū)域之間。在這種結(jié)構(gòu)中，形成在相鄰的存儲(chǔ)塊的邊界處的漏極選擇線DSL可以通過第一縫隙SI彼此分開。沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串的漏側(cè)字線0_11^與漏極選擇線DSL可以借助于插入在它們之間的第三縫隙S3彼此分開?？梢酝ㄟ^第六縫隙S6在減薄區(qū)域的兩側(cè)的邊緣形成接觸焊盤。圖4A至圖4F是說明制造根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖。圖4A至圖4F示出沿著圖3的線A-A’截取的3D非易失性存儲(chǔ)器件的截面圖。如圖4A所示，在襯底60之上形成第一層間絕緣層61和用于管道柵的導(dǎo)電層?？?蝕用于管道柵的導(dǎo)電層以形成管道柵62。通過將絕緣層63填充在用于管道柵的導(dǎo)電層已被刻蝕的區(qū)域中而將相鄰的存儲(chǔ)塊MB的管道柵62彼此分開。在通過刻蝕管道柵62形成溝槽之后，將犧牲層(未示出)填充在溝槽中?？梢栽谄渲刑畛溆袪奚鼘拥墓艿罇?2上形成覆蓋層(未示出)。覆蓋層可以在隨后形成縫隙的工藝中用作刻蝕停止層。如果覆蓋層包括導(dǎo)電層，則與僅形成管道柵62的情況相比，可以改善流經(jīng)管道溝道的單元電流。在已經(jīng)填充有犧牲層的管道柵62之上交替地形成第一材料層64和第二材料層65。第一材料層64和第二材料層65的數(shù)目由要層疊的存儲(chǔ)器單元的數(shù)目來確定。第一材料層64用于形成字線或選擇線。第二材料層65用于將層疊的字線和層疊的選擇線彼此分開。第一材料層64和第二材料層65中的每個(gè)由具有高刻蝕選擇性的材料組成。例如，第一材料層64可以包括諸如多晶硅層的導(dǎo)電層，第二材料層65可以包括諸如氧化物層的絕緣層。第一材料層64可以包括諸如摻雜多晶娃層或摻雜非晶娃層的導(dǎo)電層,第二材料層65可以包括諸如未摻雜多晶娃層或未摻雜非晶娃層的犧牲層。第一材料層64可以包括諸如氮化物層的犧牲層，第二材料層65可以包括諸如氧化物層的絕緣層。在第一實(shí)施例中，假設(shè)第一材料層64包括犧牲層，第二材料層65包括層間絕緣層?？涛g第一材料層64和第二材料層65以形成與溝槽耦接的溝道孔對(duì)。將暴露在溝道孔對(duì)的底部的第一犧牲層去除。在溝槽和溝道孔對(duì)的內(nèi)部之上順序地形成電荷阻擋層、存儲(chǔ)層以及隧道絕緣層(下文中由66共同表示)。通過在隧道絕緣層上形成溝道層67，在每個(gè)溝槽中形成管道溝道P_CH并且在每個(gè)溝道孔對(duì)中形成源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH。管道溝道P_CH、源側(cè)溝道S_CH以及漏側(cè)溝道D_CH可以具有它們完全被填充在溝槽中的結(jié)構(gòu)，或中心區(qū)域開放的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中,將管道溝道P_CH、源側(cè)溝道5_01以及漏側(cè)溝道0_01說明為具有中心區(qū)域開放的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，將絕緣層68填充在開放的中心區(qū)域中。在將絕緣層68凹陷到特定的深度之后，可以將導(dǎo)電插塞69填充在凹陷的區(qū)域中。
接著，刻蝕第一材料層64和第二材料層65以形成位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間的多個(gè)第一縫隙SI。在形成第一縫隙SI時(shí)，可以形成位于相鄰的漏側(cè)溝道D_CH之間的多個(gè)第三縫隙S3。管道柵62存在于第三縫隙S3的底部，并且絕緣層63被填充在第一縫隙SI之下。在形成第三縫隙S3時(shí)，管道柵62可以起刻蝕停止層的作用，但是絕緣層63不起刻蝕停止層的作用。因而，第一縫隙SI可以被形成得比第三縫隙S3更深。如圖4B所示，絕緣層70被填充在多個(gè)第一縫隙SI和多個(gè)第三縫隙S3中。絕緣層70可以由氧化物層形成。如圖4C所示，刻蝕第一材料層64和第二材料層65以在每個(gè)對(duì)內(nèi)形成位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH之間的多個(gè)第二縫隙S2。盡管未示出，但是在形成多個(gè)第二縫隙S2時(shí)，也可以形成位于第一縫隙SI與減薄區(qū)域之間的多個(gè)第六縫隙S6。第二縫隙S2和第六縫隙S6可以被形成到完全暴露第一材料層64的深度。 在圖4C中，分別由附圖標(biāo)記“64A”和附圖標(biāo)記“65A”來標(biāo)記在形成第二縫隙S2和第六縫隙S6時(shí)刻蝕的第一材料層和第二材料層。如圖4D所示，通過將暴露于多個(gè)第二縫隙S2和多個(gè)第六縫隙S6的第一材料層64A凹陷來形成字線區(qū)域和選擇線區(qū)域。在絕緣層70和第二材料層65A保留填充在多個(gè)第一縫隙SI和多個(gè)第三縫隙S3的狀態(tài)下，僅第一材料層64A被選擇性地凹陷。在去除第一材料層64A時(shí)，填充在多個(gè)第一縫隙SI和第三縫隙S3中的絕緣層70起防止第二材料層65A倒塌的作用。如圖4E所示，通過將第一導(dǎo)電層填充在字線區(qū)域和選擇線區(qū)域中，來形成層疊成多層的字線WL和層疊成一層或更多個(gè)層的選擇線DSL和SSL。在形成第一導(dǎo)電層以填充字線區(qū)域和選擇線區(qū)域之后，可以將形成在第二縫隙S2和第六縫隙S6的底部和內(nèi)壁上的第一導(dǎo)電層去除，從而將字線WL以及選擇線DSL和SSL中的每個(gè)彼此分開。如果在未將絕緣層70填充在多個(gè)第一縫隙SI時(shí)形成第一導(dǎo)電層，則第一導(dǎo)電層可能保留在具有深的深度的第一縫隙SI中。在第一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層是在絕緣層70被填充在多個(gè)第一縫隙SI之后形成的。因而，可以防止第一導(dǎo)電層保留在第一縫隙SI中。盡管未示出，但被填充在減薄區(qū)域中的第一導(dǎo)電層形成用于將接觸插塞與字線WL耦接的接觸焊盤。如圖4F所示，通過在已經(jīng)形成字線WL以及選擇線DSL和SSL的所得結(jié)構(gòu)上形成第三層間絕緣層73來填充多個(gè)第二縫隙S2和多個(gè)第六縫隙S6。根據(jù)第一材料層64和第二材料層65的類型，形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后的工藝可以不同。如果第一材料層64由導(dǎo)電層形成并且第二材料層65由絕緣層形成，則可以將暴露于第二縫隙S2和第六縫隙S6的第一材料層64硅化。絕緣層73可以被填充在第二縫隙S2和第六縫隙S6中。如果第一材料層64由導(dǎo)電層形成并且第二材料層65由犧牲層形成，則可以將暴露于第二縫隙S2和第六縫隙S6的第二材料層65去除。絕緣層73可以被填充在已經(jīng)去除了第二材料層65的縫隙和區(qū)域中。圖5是根據(jù)本公開的第二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。
如圖5所示，根據(jù)本公開的第二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第一實(shí)施例相似的布局，但是取代了第一實(shí)施例的第三縫隙S3而包括第四縫隙S4。在這種結(jié)構(gòu)中，在沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串ST的漏側(cè)字線D_WL相耦接的狀態(tài)下，可以借助于插入在沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串ST的漏極選擇線DSL之間的第四縫隙S4而僅將沿第二方向11-11’彼此相鄰的存儲(chǔ)串ST的漏極選擇線DSL彼此分開。圖6A至6F是說明制造根據(jù)本公開的第二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖。圖6A至6F示出沿著圖5的線B-B’截取的3D非易失性存儲(chǔ)器件的截面圖。為了簡單起見，在對(duì)第二實(shí)施例的內(nèi)容的描述中不再贅述第一實(shí)施例的內(nèi)容。如圖6A所示，在襯底80之上形成第一層間絕緣層81、管道柵82以及第一材料層84和第二材料層85，其中，借助于插入在管道柵82之間的絕緣層83而使相鄰的存儲(chǔ)塊MB彼此分開，第一材料層84和第二材料層85被交替層疊在管道柵82之上。在第二實(shí)施例中，
假設(shè)第一材料層84包括犧牲層，第二材料層85包括層間絕緣層。形成溝道層87，其中每個(gè)溝道層包括形成在管道柵82中的管道溝道以及通過管道溝道與漏側(cè)溝道相漏接的源側(cè)溝道。溝道層87被存儲(chǔ)層86包圍。絕緣層88被填充在溝道層87的中心區(qū)域中，并且可以在絕緣層88的凹陷區(qū)域中形成導(dǎo)電插塞89?？涛g第一材料層84和第二材料層85以形成多個(gè)第一縫隙SI，每個(gè)第一縫隙SI位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間。如圖6B所示，在絕緣層90被填充到多個(gè)第一縫隙SI中之后，通過將多個(gè)第一犧牲層84和多個(gè)第二層間絕緣層85刻蝕到特定的深度來形成多個(gè)第四縫隙S4，每個(gè)第四縫隙S4位于與其它的漏側(cè)溝道D_CH相鄰的漏極側(cè)溝道D_CH之間。第四縫隙S4被形成為深度與漏極選擇線DSL大體相同。在圖6B中，分別由附圖標(biāo)記“84A”和附圖標(biāo)記“85A”來表示在形成第四縫隙S4時(shí)被刻蝕的第一材料層和第二材料層。如圖6C所示，絕緣層91被填充在多個(gè)第四縫隙S4中。絕緣層91可以由氧化物層形成?？涛g第一材料層84A和第二材料層85A以形成多個(gè)第二縫隙S2，每個(gè)第二縫隙S2在每個(gè)對(duì)之內(nèi)位于源側(cè)溝道S_CH與漏側(cè)溝道D_CH之間。盡管未示出，但是在形成多個(gè)第二縫隙S2時(shí)，也形成每個(gè)位于第一縫隙SI與減薄區(qū)域之間的多個(gè)第六縫隙S6。第二縫隙S2和第六縫隙S6的深度可以被形成到第一材料層84A被完全暴露的程度。在圖6C中，分別由附圖標(biāo)記“84B”和附圖標(biāo)記“85B”來標(biāo)示在形成第二縫隙S2和第六縫隙S6時(shí)被刻蝕的第一材料層和第二材料層。如圖6D所示，通過將被暴露于多個(gè)第二縫隙S2和多個(gè)第六縫隙S6的第一材料層84B凹陷來形成字線區(qū)域和選擇線區(qū)域。僅選擇性地將第一材料層84B凹陷而第二材料層85B保留。被填充在多個(gè)第一縫隙SI和第四縫隙S4中的絕緣層90和91起防止第二材料層85B倒塌的作用。如圖6E所示，通過將第一導(dǎo)電層填充在字線區(qū)域和選擇線區(qū)域中來形成字線WL以及選擇線DSL和SSL。如圖6F所示，大體在已經(jīng)形成字線WL以及選擇線DSL和SSL之處的上方形成第三層間絕緣層94，由此填充多個(gè)第二縫隙S2和多個(gè)第六縫隙S6?？梢愿鶕?jù)第一材料層84和第二材料層85的類型來改變形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后的工藝。圖7A至圖7C是根據(jù)本公開的第三至第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。圖7A是根據(jù)本公開的第三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖7A所示，根據(jù)本公開的第三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第一實(shí)施例相似的布局，但是還包括在第一實(shí)施例的上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成的一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5。
在第三實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI、第三縫隙S3以及一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙
S2和第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。在去除第二犧牲層時(shí)，被填充到一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5中的絕緣層可以有效地防止形成在上減薄區(qū)域中的多個(gè)第二層間絕緣層倒塌。圖7B是根據(jù)本公開的第四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。參見圖7B，根據(jù)本公開的第四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第一實(shí)施例相似的布局，但是取代了在第一實(shí)施例中使用的第六縫隙S6，還包括在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成的一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5。在第四實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和第三縫隙S3之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。接著，在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2以及一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。可以通過一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成接觸焊盤。圖7C是根據(jù)本公開的第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖7C所示，根據(jù)本公開的第五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第一實(shí)施例相似的布局，但是還包括在第一實(shí)施例中的上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成的一個(gè)或更多個(gè)縫隙S5。在第五實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和第三縫隙S3之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2、一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5以及第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。通過第六縫隙S6在上減薄區(qū)域的兩側(cè)的邊緣上形成第一接觸焊盤，并且通過一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5在下減薄區(qū)域內(nèi)形成第二接觸焊盤。圖8是根據(jù)本公開的第六至第二十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖。應(yīng)當(dāng)指出為了便于描述，未在圖8中示出層間絕緣層，并且為了簡單起見，在圖8中僅示出與兩個(gè)存儲(chǔ)串相關(guān)的兩個(gè)存儲(chǔ)串STl和STO和元件。如圖8所示，根據(jù)本公開的第六至第十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與圖I所示的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的結(jié)構(gòu)，但是與圖I的3D非易失性存儲(chǔ)器件的區(qū)別在于沿著第二方向ΙΙ-ΙΓ延伸并且以鋸齒形(zigzag)形成的一個(gè)存儲(chǔ)串列與至少兩個(gè)位線BLO和BLI耦接。更具體地，包括在一個(gè)存儲(chǔ)串列中的存儲(chǔ)串STO和STl被大體布置成沿第一方向1-1’彼此交錯(cuò)的形式，并且與至少兩個(gè)位線BLO和BLl耦接。圖8示出存儲(chǔ)串STO與位線BLO耦接并且存儲(chǔ)串STl與位線BLl耦接的實(shí)例。圖9A至圖91是根據(jù)本公開的第六至第十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。圖9A是根據(jù)本公開的第六實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9A所示，根據(jù)本公開的第六實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括一個(gè)存儲(chǔ)串列，所述一個(gè)存儲(chǔ)串列沿第二方向11-11’以鋸齒形(①)延伸；多個(gè)第一縫隙Si，每個(gè)第一縫隙SI位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)模塊MB之間；多個(gè)第二縫隙S2，每個(gè)第二縫隙S2位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH之間；多個(gè)第四縫隙S4，每個(gè)第四縫隙S4位于與其它的漏側(cè)溝道D_CH相鄰的漏極側(cè)溝道D_CH之間；以及多個(gè)第六縫隙S6，每個(gè)第六縫隙S6位 于第一縫隙SI與上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域之間。在第六實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在形成第四縫隙S4之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。圖9B是根據(jù)本公開的第七實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9B所示，根據(jù)本公開的第七實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第六實(shí)施例相似的布局，但是還包括在第六實(shí)施例的上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成的一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5。可以在與大體以鋸齒形布置的第二縫隙S2的凹部相鄰的位置形成一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5。上減薄區(qū)域和下減薄區(qū)域可以包括位于不同位置的多個(gè)第五縫隙S5。在第七實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在形成第四縫隙S4之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。圖9C是根據(jù)本公開的第八實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9C所示，根據(jù)本公開的第八實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第七實(shí)施例相似的布局，但是取代了第四縫隙S4而是包括第三縫隙S3。在第八實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI、第三縫隙S3以及第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。圖9D是根據(jù)本公開的第九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9D所示，根據(jù)本公開的第九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)第一縫隙SI，每個(gè)第一縫隙SI位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)模塊MB之間；多個(gè)第二縫隙S2，所述多個(gè)第二縫隙S2位于源側(cè)溝道S_CH和漏側(cè)溝道D_CH之間；一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5，所述一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5形成在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)；以及第六縫隙S6，每個(gè)第六縫隙S6位于第一縫隙SI與上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域之間。第五縫隙S5可以位于減薄區(qū)域的邊緣并且大體以線形形成。在第九實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和一個(gè)或更多個(gè)第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。圖9E是根據(jù)本公開的第十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9E所示，根據(jù)本公開的第十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的布局，但是與第九實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5的形狀。第五縫隙S5可以大體被形成為具有一個(gè)或更多個(gè)突部的線。突部可以向接觸焊盤突出，并且接觸插塞可以位于突部之間。具體地，接觸插塞可以位于突部之間的凹部內(nèi)。形成在上減薄區(qū)域內(nèi)的第五縫隙S5與形成在下減薄區(qū)域內(nèi)的第五縫隙S5可以具有相同的形狀或不同的形狀。在第十實(shí)施例中，可以用與第九實(shí)施例相同的順序來形成縫隙。圖9F是根據(jù)本公開的第十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。
·
如圖9F所示，根據(jù)本公開的第十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的布局，但是與第九實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5A和S5B的形狀。更具體地，第五縫隙S5A和S5B可以大體沿著第一方向1_1’平行延伸，并且每個(gè)可以形成為線?？梢栽诔醮慰p隙形成工藝中形成第五縫隙S5A，并且可以在二次縫隙形成工藝中形成其余的第五縫隙S5B。接觸焊盤被形成到在二次縫隙形成工藝中所形成的第五縫隙S5B的兩側(cè)。在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的至少一個(gè)之內(nèi)形成接觸焊盤。在第^^一實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和第五縫隙S5A之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2、其余的第五縫隙S5B以及第六縫隙S6之后，可以實(shí)質(zhì)地將第二犧牲層凹陷。圖9G是根據(jù)本公開的第十二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9G所示，根據(jù)本公開的第十二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的布局，但是與第i^一實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5的形狀。第五縫隙S5A中的每個(gè)大體形成具有突部的線，并且其余的第五縫隙S5B中的每個(gè)大體形成線。位于減薄區(qū)域的邊緣的第五縫隙S5A中的每個(gè)具有向接觸焊盤突出的突部，并且由區(qū)域31分開的第五縫隙S5A可以大體具有對(duì)稱形狀。S卩，由區(qū)域31分開的相鄰的第五縫隙S5A中的每個(gè)可以具有沿大體相反的方向突出的突部。位于減薄區(qū)域的中心部分處的第五縫隙S5B可以大體形成線。在第十二實(shí)施例中，可以用與第—^一實(shí)施例相同的順序來形成縫隙。圖9H是根據(jù)本公開的第十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9H所示，根據(jù)本公開的第十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的布局，但與第^ 實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5A和S5B的形狀。第五縫隙S5A中的一些被形成為大體以沿著第二方向11-11’平行延伸的交替的線形，并且其余的第五縫隙S5B具有大體沿著第一方向1-1’延伸的線形。第五縫隙S5A和S5B中的每個(gè)可以位于接觸焊盤之間。在第十三實(shí)施例中，可以用與第十一實(shí)施例中相同的順序來形成縫隙。圖91是根據(jù)本公開的第十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖91所示，根據(jù)本公開的第十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件相似的布局，但是與第十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的區(qū)別在于第五縫隙S5的形狀。第五縫隙S5中每個(gè)具有以下形式其中大體沿著第一方向1-1’延伸的第一線圖案和大體沿著第二方向II-II’平行延伸的第二線圖案大體上彼此相交叉，并且其余的第五縫隙S5B中的每個(gè)具有大體沿著第一方向I-Γ延伸的線形。在上減薄區(qū)域內(nèi)形成的第五縫隙S5A和在下減薄區(qū)域內(nèi)形成的第五縫隙S5A可以具有不同的形狀。根據(jù)S5A是否與大體以鋸齒形布置的第二縫隙S2的凹部和突部相鄰，第五縫隙S5A可以具有不同的形狀。例如，在上減薄區(qū)域內(nèi)形成的第五縫隙S5A具有如下形式沿著第一方向1-1’延伸的線圖案因?yàn)槠渑c第二縫隙S2的凹部和突部相鄰而突出。在下減薄區(qū)域內(nèi)形成的第五縫隙S5A具有如下形式沿著第一方向1-1’延伸的線圖案因?yàn)槠洳慌c第二縫隙S2的凹部和突部相鄰而不突出。在第十四實(shí)施例中，可以用與第十一實(shí)施例相同的順序來形成縫隙。其余的第五縫隙S5B具有大體沿著第一方向1-1’延伸的線形。圖9J是根據(jù)本公開的第十五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9J所示，根據(jù)本公開的第十五實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十三實(shí)施例相似的布局，但是與第十三實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5A和S5B的數(shù)目。例如，大體沿著第二方向11-11’延伸的第五縫隙S5A被布置成每組包括四個(gè)縫隙S5A的組，并且第五縫隙S5A總共形成六組，每個(gè)減薄區(qū)域形成三組。此外，大體沿著第一方向1-1’延伸的每個(gè)第五縫隙S5B可以形成在所有的組之間或者可以形成在一些組之間。如果如第十五實(shí)施例那樣所有的第五縫隙S5B被形成在彼此相鄰的組之間，則可以經(jīng)由第五縫隙S5B而將層疊在減薄區(qū)域中的第一材料層充分地凹陷。這里，由于使用掩埋在第五縫隙S5A中的絕緣層作為支持，可以形成具有足夠尺寸的接觸焊盤，這是因?yàn)榭梢詫p薄區(qū)域的第一材料層完全去除。此外，由于一般在減薄區(qū)域中形成接觸焊盤，所以可以在第五縫隙S5A之間形成接觸插塞CT。供作參考，第十五實(shí)施例示出第一縫隙SI大體上具有線形，所述線形大體具有一致的寬度。然而，如在以上描述的實(shí)施例中，第一縫隙SI可以被形成為在減薄區(qū)域中具有相對(duì)寬的寬度，但是在單元區(qū)域中還具有相對(duì)窄的寬度。可以用與第十一實(shí)施例中相同的順序來形成第十五實(shí)施例中的縫隙。圖9K是根據(jù)本公開的第十六實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9K所示，根據(jù)本公開的第十六實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十五實(shí)施例相似的布局，但是與第十五實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5B的數(shù)目?？梢栽谟傻谖蹇p隙S5A產(chǎn)生的相鄰的組中的一些之間形成大體沿著第一方向1-1’延伸的第五縫隙S5B?？梢栽诙慰p隙形成工藝中形成第五縫隙S5B，并且第五縫隙S5B可以被用于去除第一材料層。根據(jù)第十六實(shí)施例，第一材料層可以保留在未形成第五縫隙S5B的區(qū)域中(即，見附圖標(biāo)記“31”)。可以用與第十一實(shí)施例中相同的順序來形成第十六實(shí)施例中的縫隙。圖9L是根據(jù)本公開的第十七實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9L所示，根據(jù)本公開的第十七實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十六實(shí)施例相似的布局，但是與第十六實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5A的長度。例如，大體沿著第二方向Π-ΙΙ’延伸的第五縫隙S5A中的一些可以具有比其它的其余縫隙S5A相對(duì)更長的長度。在這個(gè)實(shí)施例中，第一材料層可以大體保留在形成有具有更長長度的第五縫隙S5A的區(qū)域中(即，見附圖標(biāo)記“31”)?？梢杂门c第十一實(shí)施例中相同的順序來形成第十七實(shí)施例中的縫隙。圖9M是根據(jù)本公開的第十八實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9M所示，根據(jù)本公開的第十八實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十五實(shí)施例相似的布局，但與第十五實(shí)施例的區(qū)別在于形成第五縫隙S5A的位置。例如，第五縫隙S5A中的一些大體沿著第二方向11-11’延伸，并且可以形成為與相鄰的存儲(chǔ)塊的邊界大體上相交叉。在這個(gè)實(shí)施例中，第五縫隙S5A可以在相鄰的存儲(chǔ)塊的邊界處與第一縫隙SI大體上相交叉。
此外，根據(jù)第十八實(shí)施例，可以在第五縫隙S5A之間形成接觸插塞CT。具體地，不僅可以在減薄區(qū)域的邊緣處形成接觸插塞，也可以在減薄區(qū)域內(nèi)形成接觸插塞?？梢杂门c第十一實(shí)施例中相同的順序來形成第十八實(shí)施例中的縫隙。圖9N是根據(jù)本公開的第十九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖9N所示，根據(jù)本公開的第十九實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件具有與第十八實(shí)施例相似的布局，但與第十八實(shí)施例的區(qū)別在于形成接觸插塞的位置。根據(jù)第十九實(shí)施例，可以大體在減薄區(qū)域的邊緣處形成接觸插塞CT?？梢杂门c第十一實(shí)施例中相同的順序來形成第十九實(shí)施例中的縫隙。圖90是根據(jù)本公開的第二十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖90所示，根據(jù)本公開的第二十實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件與第十八實(shí)施例具有相似的布局，但與第十八實(shí)施例的區(qū)別在于第五縫隙S5A中的一些所產(chǎn)生的形狀。根據(jù)第二十實(shí)施例，第五縫隙S5A中的一些大體具有以下形狀第一線圖案大體沿著第一方向1-1’延伸，并且第二線圖案大體沿著第二方向11-11’平行延伸以大體上彼此相交叉。此外，其余的第五縫隙S5A大體上被形成為大體沿著第二方向11-11’延伸的線形，并且被形成為與相鄰的存儲(chǔ)塊的邊界大體上相交叉。這里，可以在初次縫隙形成工藝中形成具有第一線圖案和第二線圖案彼此相交叉的形式的第五縫隙S5A。因此，第一材料層可以保留在第一線圖案附近(即，見圖90的附圖標(biāo)記“31”)?？梢杂门c第^^一實(shí)施例中相同的順序來形成在第二十實(shí)施例中的縫隙。圖10是根據(jù)本公開的第二i^一至第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的立體圖。應(yīng)當(dāng)指出為了便于描述，未在圖10中示出層間絕緣層。如圖10所示，根據(jù)本公開的第二i^一至第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件可以具有實(shí)質(zhì)地在包括源極線SL的襯底(未示出)之上順序地層疊下選擇線LSL、多個(gè)字線WL以及上選擇線USL的結(jié)構(gòu)。多個(gè)位線BLO和BLl還可以大體上被包括在上選擇線USL之上。在圖10中，可以沿著實(shí)質(zhì)地從襯底突出的多個(gè)溝道CH中的每個(gè)來層疊多個(gè)存儲(chǔ)器單元，因而形成從襯底垂直布置的存儲(chǔ)串。此外，可以大體以鋸齒形來形成大體上沿著第二方向11-11’延伸的一個(gè)溝道行，并且所述一個(gè)溝道行可以與至少兩個(gè)位線BLO和BLl耦接。圖11是根據(jù)本公開的第二i^一至第二四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。圖11是圖10的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖11所示，根據(jù)本公開的第二i^一至第二四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件可以包括大體沿著第二方向11-11’延伸并大體形成為鋸齒形(②)的一個(gè)溝道行，并且包括第一縫隙SI至第七縫隙S7中的至少兩個(gè)縫隙。具體地，可以用各種方式來組合第一縫隙SI至第七縫隙S7，可以根據(jù)各種順序來形成縫隙，并且可以大體同時(shí)地形成縫隙中的一些。第一縫隙SI可以與減薄區(qū)域相鄰地設(shè)置。第一縫隙SI可以位于減薄區(qū)域內(nèi)，可以位于減薄區(qū)域的周緣，或可以位于減薄區(qū)域的內(nèi)部和周緣。第一縫隙Si可以包括一個(gè)或更多個(gè)線性縫隙?？梢栽跍p薄區(qū)域的上減薄區(qū)域和下減薄區(qū)域中都形成線性縫隙，或者可以在上減薄區(qū)域或下減薄區(qū)域中的一個(gè)中形成線性縫隙。此外，可以在初次縫隙形成工藝或二次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI。例如，如果在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙Si，則可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層、形成其它的縫隙、然后實(shí)質(zhì)地將犧牲層凹陷，在將犧牲層凹陷時(shí)可以防止減薄區(qū)域的層間絕緣層倒塌。另一個(gè)例子，如果在二次縫隙形成工藝中形成第一縫隙Si并且大體地去除犧牲層，則可以在減薄區(qū)域內(nèi)實(shí)質(zhì)地形成接觸焊盤。第二縫隙S2、第四縫隙S4以及第七縫隙S7可以位于溝道之間。可以在不同的工藝中形成第二縫隙S2和第四縫隙S4。可以在初次縫隙形成工藝中形成第四縫隙S4，在將犧牲層凹陷時(shí)第四縫隙S4可以起防止其余的層間絕緣層倒塌的作用?？梢栽诙慰p隙形成工藝中形成第二縫隙S2，并且第二縫隙S2可以用于實(shí)質(zhì)地去除犧牲層。第七縫隙S7可以位于溝道之間，并且可以被形成為與選擇線SL的深度實(shí)質(zhì)相同。可以在初次縫隙形成工藝中或二次縫隙形成工藝中形成第七縫隙S7。如果3D非易失性存儲(chǔ)器件包括第二縫隙S2、第四縫隙S4以及第七縫隙S7中的至少兩個(gè)，則可以在不同的位置形成縫隙。第三縫隙S3和第六縫隙S6可以位于相鄰的存儲(chǔ)塊之間?？梢栽诓煌奈恢眯纬傻谌p隙S3和第六縫隙S6?？梢栽诔醮慰p隙形成工藝中形成第三縫隙S3，并且在將犧牲層凹陷時(shí)第三縫隙S3可以用于實(shí)質(zhì)地防止其余的層間絕緣層倒塌。可以在二次縫隙形成工藝中形成第六縫隙S6，并且第六縫隙S6可以用于實(shí)質(zhì)地去除犧牲層。如果3D非易失性存儲(chǔ)器件包括第三縫隙S3和第六縫隙S6，則在大體不同的位置處形成第三縫隙S3和第六縫隙S6。第五縫隙S5可以大體位于第三縫隙S3與減薄區(qū)域之間。例如，如果在初次縫隙形成工藝中形成第三縫隙S3然后填充絕緣層，則可以在二次縫隙形成工藝中形成第五縫隙S5，并且可以通過去除在減薄區(qū)域的兩側(cè)的犧牲層而在減薄區(qū)域的兩側(cè)形成接觸焊盤。第五縫隙S5可以與第三縫隙S3部分地重疊。圖12是根據(jù)本公開的第二i^一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖12所示，根據(jù)本公開的第二i^一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括大體位于減薄區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)第一縫隙SI、大體位于溝道之間的至少一個(gè)第二縫隙S2、以及大體位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間的第六縫隙S6。圖13A和圖13B是說明制造根據(jù)本公開的第二十一實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的方法的截面圖。圖13A和圖3B示出沿著圖12的線C-C’截取的3D非易失性存儲(chǔ)器件的截面圖。為了簡單起見，在對(duì)第二十一實(shí)施例的內(nèi)容的描述中不再贅述之前的實(shí)施例的內(nèi)容。如圖13A所示，在襯底(未示出)之上交替地形成第一材料層101和第二材料層102，所述襯底包括借助于插入在源極線SL之間的絕緣層107而彼此分開的源極線SL。形成最下層的至少一個(gè)第一材料層101可以用于形成下選擇線LSL(即，見圖13B)，形成最上層的至少一個(gè)第一材料層101可以用于形成上選擇線USL(即，見圖13B)，其余的第一材料層101可以用于形成字線WL。用于下選擇線LSL和上選擇線USL的第一材料層101中的每個(gè)一般可以比用于字線WL的第一材料層101中的每個(gè)更厚。在第二十一實(shí)施例中，可以假設(shè)第一材料層實(shí)質(zhì)上由犧牲層形成，并且第二材料層102實(shí)質(zhì)上由層間絕緣層形成?？梢钥涛g第一材料層101和第二材料層102以形成多個(gè)溝槽。 可以大體在多個(gè)溝槽的內(nèi)部形成存儲(chǔ)層103?？梢酝ㄟ^大體在存儲(chǔ)層103上形成溝道層104來形成從襯底突出的溝道CH?？梢酝ㄟ^刻蝕第一材料層101和第二材料層102來形成位于減薄區(qū)域中的至少一個(gè)第一縫隙SI。接著，可以實(shí)質(zhì)地在至少一個(gè)第一縫隙SI中填充絕緣層。未示出第一縫隙SI的位置。接著，可以刻蝕第一材料層101和第二材料層102以形成實(shí)質(zhì)地位于溝道CH之間的至少一個(gè)第二縫隙S2。此時(shí)，可以形成位于相鄰的存儲(chǔ)塊之間的多個(gè)第六縫隙S6。如圖13B所示，可以通過將暴露于多個(gè)第六縫隙S6和至少一個(gè)第二縫隙S2的第一材料層101凹陷來形成下選擇線區(qū)域、多個(gè)字線區(qū)域以及上選擇線區(qū)域?？梢酝ㄟ^將導(dǎo)電層實(shí)質(zhì)地填充在下選擇線區(qū)域、多個(gè)字線區(qū)域以及上選擇線區(qū)域中而形成下選擇線LSL、多個(gè)字線WL以及上選擇線USL。在形成下選擇線LSL、多個(gè)字線WL以及上選擇線USL之后可以在下選擇線LSL、多個(gè)字線WL以及上選擇線USL上形成絕緣層108，由此實(shí)質(zhì)地填充多個(gè)第六縫隙S6和至少一個(gè)第二縫隙S2。供作參考，根據(jù)第一材料層101和第二材料層102的類型，形成第二縫隙S2和第六縫隙S6之后的工藝可以不同。圖14A是根據(jù)本公開的第二十二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖14A所示，根據(jù)本公開的第二十二實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件可以包括大體位于減薄區(qū)域的周緣的至少一個(gè)第一縫隙SI、大體位于存儲(chǔ)塊MB之間的多個(gè)第六縫隙
S6、以及位于溝道CH之間的至少一個(gè)第二縫隙S2。具體地，第一縫隙SI大體可以具有”形狀，使得第一縫隙SI可以位于減薄區(qū)域的周緣。在第二十二實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。接著，在二次縫隙形成工藝中形成第六縫隙S6和第二縫隙S2之后，可以實(shí)質(zhì)地將犧牲層凹陷。在這種情況下，由填充在至少一個(gè)第一縫隙SI中的絕緣層大體包圍的層間絕緣層可以不被凹陷，并且可以經(jīng)由第六縫隙S6在減薄區(qū)域的兩側(cè)實(shí)質(zhì)地形成接觸焊盤。圖14B是根據(jù)本公開的第二十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖14B所示，根據(jù)本公開的第二十三實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件可以包括大體位于減薄區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)第一縫隙SI、大體位于溝道CH之間的至少一個(gè)第二縫隙S2和至少一個(gè)第四縫隙S4、大體位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間的多個(gè)第三縫隙S3、以及大體位于第三縫隙S3與減薄區(qū)域之間的第五縫隙S5。在第二十三實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI、第三縫隙S3以及第四縫隙S4之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。接著，在二次縫隙形成工藝中形成第二縫隙S2和第五縫隙S5之后，可以實(shí)質(zhì)地將犧牲層凹陷。在這種情況下，在去除犧牲層時(shí)，被填充在第一縫隙SI、第三縫隙S3以及第四縫隙S4中的絕緣層可以有效地防止其余的層間絕緣層倒塌。圖14C是根據(jù)本公開的第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件的布局圖。如圖14C所示，根據(jù)本公開的第二十四實(shí)施例的3D非易失性存儲(chǔ)器件包括大體位 于減薄區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)第一縫隙SI，大體位于相鄰的存儲(chǔ)塊MB之間的多個(gè)第三縫隙S3 以及大體位于溝道CH之間的至少一個(gè)第二縫隙S2。在第二十四實(shí)施例中，在初次縫隙形成工藝中形成第三縫隙S3之后，可以實(shí)質(zhì)地填充絕緣層。接著，在二次縫隙形成工藝中形成第一縫隙SI和第二縫隙S2之后，可以實(shí)質(zhì)地將犧牲層凹陷。在這種情況下，可以經(jīng)由第一縫隙SI在減薄區(qū)域內(nèi)形成接觸焊盤。圖15示出根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的實(shí)例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。如圖15所示，根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)100可以包括非易失性存儲(chǔ)器件120和存儲(chǔ)控制器110。非易失性存儲(chǔ)器件120可以被配置成包括根據(jù)本公開的第一至第二十四實(shí)施例的縫隙。在一些實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)器件120可以是包括多個(gè)快閃存儲(chǔ)芯片的多芯片封裝。存儲(chǔ)控制器110控制非易失性存儲(chǔ)器件120，并且可以包括SRAM 111、中央處理器(CPU) 112、主機(jī)接口(I/F)113、ECC電路114以及存儲(chǔ)器接口(I/F)115。SRAM111可以用作CPU 112的操作存儲(chǔ)器。CPU 112可以執(zhí)行用于存儲(chǔ)控制器110的數(shù)據(jù)交換的整體控制操作。主機(jī)I/F 113可以配備有與存儲(chǔ)系統(tǒng)100相耦接的主機(jī)的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。此外，ECC電路114可以檢測并校正從非易失性存儲(chǔ)器件120讀取的數(shù)據(jù)中所包括的錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器I/F115可以執(zhí)行與非易失性存儲(chǔ)器件120的接口。存儲(chǔ)控制器110還可以包括用于儲(chǔ)存碼數(shù)據(jù)的RCM，所述碼數(shù)據(jù)用于與主機(jī)接口。構(gòu)造如上的存儲(chǔ)系統(tǒng)100可以是組合了非易失性存儲(chǔ)器件120和控制器110的存儲(chǔ)卡或固態(tài)硬盤(SSD)。例如，如果存儲(chǔ)系統(tǒng)100是SSD，則存儲(chǔ)控制器110可以通過諸如USB、MMC, PCI-E、SATA、PATA, SCSI、ESDI以及IDE等各種接口協(xié)議中的一個(gè)與外部(例如主機(jī))通信。圖16示出根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。如圖16所示，根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)200可以包括與系統(tǒng)總線260電耦接的CPU 220、RAM 230、用戶接口 240、調(diào)制解調(diào)器250以及存儲(chǔ)系統(tǒng)210。如果計(jì)算系統(tǒng)200是移動(dòng)設(shè)備，則計(jì)算系統(tǒng)200還可以包括用于將操作電壓供應(yīng)給計(jì)算系統(tǒng)200的電池。計(jì)算系統(tǒng)200還可以包括應(yīng)用芯片組、攝像圖像處理器(CIS)、移動(dòng)DRAM等。存儲(chǔ)系統(tǒng)210可以包括諸如以上參照?qǐng)D15所描述的非易失性存儲(chǔ)器件212和存儲(chǔ)控制器211。
此外，在本說明書中，已經(jīng)描述了根據(jù)形成在單元區(qū)域中的存儲(chǔ)串的布置而來的縫隙的形狀以及形成縫隙的順序，然而，為了便于描述，它們僅是實(shí)施例而已，本公開并不局限于這些實(shí)施例。具體地，在本說明書中形成在減薄區(qū)域中的縫隙的形狀并不局限于上述實(shí)施例中所描述的那些，本公開可以包括對(duì)形狀進(jìn)行組合的縫隙，或者具有參照形狀而修改的各種形狀的縫隙。此外，根據(jù)本公開的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括在本說明書中提出的各種形狀的縫隙，無論存儲(chǔ)串的布置如何。例如，在以垂直形式來布置存儲(chǔ)串時(shí)，可 以在減薄區(qū)域中包括結(jié)合第六至第二十實(shí)施例提出的各種形狀的第五縫隙。如上所述，根據(jù)本公開，可以防止半導(dǎo)體器件中所包括的層疊結(jié)構(gòu)傾斜或倒塌。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括 存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊每個(gè)都被配置成包括溝道，每個(gè)所述溝道包括形成在所述存儲(chǔ)塊的管道柵中的管道溝道，以及與所述管道溝道耦接的漏側(cè)溝道和源側(cè)溝道對(duì)； 第一縫隙，所述第一縫隙位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)塊之間；以及 第二縫隙，所述第二縫隙位于每個(gè)溝道對(duì)的源側(cè)溝道與漏側(cè)溝道之間。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第三縫隙，所述第三縫隙位于與其它的漏側(cè)溝道相鄰的漏極側(cè)溝道之間， 其中，彼此相鄰的溝道共享源側(cè)字線，所述與其它的漏側(cè)溝道相鄰的漏側(cè)溝道的漏側(cè)字線和漏極選擇線與具有漏側(cè)字線和漏極選擇線的所述其它的漏側(cè)溝道借助于插入在它們之間的所述第三縫隙而分開。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第三縫隙，所述第三縫隙位于與其它的源側(cè)溝道相鄰的源側(cè)溝道之間， 其中，彼此相鄰的漏側(cè)溝道共享漏側(cè)字線，相鄰的溝道的源側(cè)字線與源極選擇線借助于插入在它們之間的所述第三縫隙而彼此分開。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第四縫隙，所述第四縫隙位于與其它的漏側(cè)溝道相鄰的漏側(cè)溝道之間，并且被形成為深度與選擇線大體相同， 其中，彼此相鄰的源側(cè)溝道共享源側(cè)字線，彼此相鄰的漏側(cè)溝道共享漏側(cè)字線，與其它的漏側(cè)溝道相鄰的漏側(cè)溝道的漏極選擇線借助于插入在它們之間的所述第四縫隙而彼此分開。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第四縫隙，所述第四縫隙位于與其它的源側(cè)溝道相鄰的源側(cè)溝道之間，并且被形成為深度與選擇線大體相同， 其中，彼此相鄰的源側(cè)溝道共享源側(cè)字線，彼此相鄰的漏側(cè)溝道共享漏側(cè)字線，與其它的源側(cè)溝道相鄰的源側(cè)溝道的源極選擇線借助于插入在它們之間的所述第四縫隙而彼此分開。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括至少一個(gè)第五縫隙，所述至少一個(gè)第五縫隙實(shí)質(zhì)地位于所述存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域內(nèi)、大體位于所述減薄區(qū)域的周緣、或?qū)嵸|(zhì)地位于所述減薄區(qū)域內(nèi)及大體位于所述減薄區(qū)域的周緣。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一接觸焊盤和第二接觸焊盤中的至少一者，所述第一接觸焊盤大體形成在所述減薄區(qū)域的兩側(cè)的邊緣，所述第二接觸焊盤大體形成在所述減薄區(qū)域內(nèi)。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第五縫隙，所述第五縫隙大體形成在所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有沿著一個(gè)方向平行延伸的線形。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第五縫隙，所述第五縫隙大體形成在所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有包括突部的線形。
10.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第五縫隙，所述第五縫隙大體位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并且每個(gè)都被配置成包括大體沿著第一方向延伸的第一線圖案、以及大體沿著與所述第一方向?qū)嵸|(zhì)地相交叉的第二方向平行延伸的第二線圖案。
11.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第五縫隙，所述第五縫隙大體位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有與相鄰的所述存儲(chǔ)塊的邊界實(shí)質(zhì)地相交叉的線形。
12.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括至少一個(gè)第六縫隙，所述至少一個(gè)第六縫隙大體位于所述第一縫隙中的一個(gè)與所述減薄區(qū)域之間。
13.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，沿一個(gè)方向布置的所述溝道形成每個(gè)溝道行，并且所述溝道行大體布置成鋸齒形并與至少兩個(gè)位線耦接。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括 存儲(chǔ)塊，每個(gè)所述存儲(chǔ)塊被配置成包括從襯底突出的溝道； 至少一個(gè)第一縫隙，所述至少一個(gè)第一縫隙位于所述存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域中； 至少一個(gè)第二縫隙，所述至少一個(gè)第二縫隙位于所述溝道之間；以及 第三縫隙，所述第三縫隙位于彼此相鄰的所述存儲(chǔ)塊之間。
15.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，還包括第四縫隙，所述第四縫隙位于所述第三縫隙與所述減薄區(qū)域之間。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一縫隙被形成為實(shí)質(zhì)地在所述減薄區(qū)域內(nèi)、大體位于所述減薄區(qū)域的周緣，或?qū)嵸|(zhì)地在所述減薄區(qū)域內(nèi)及大體位于所述減薄區(qū)域的周緣。
17.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，其中，所述第一縫隙位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有線形，所述線形大體平行延伸。
18.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，其中，所述第一縫隙實(shí)質(zhì)地位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有包括突部的線形。
19.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，其中，所述第一縫隙大體位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成具有第一線圖案沿第一方向延伸并且第二線圖案大體沿著第二方向平行延伸以與所述第一方向?qū)嵸|(zhì)地彼此相交叉的形式。
20.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，其中，所述第一縫隙大體位于所述存儲(chǔ)塊的所述減薄區(qū)域內(nèi)，并被配置成大體具有與彼此相鄰的所述存儲(chǔ)塊的邊界實(shí)質(zhì)地相交叉的線形。
21.如圖14所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一接觸焊盤和第二接觸焊盤中的至少一者，所述第一接觸焊盤大體形成在所述減薄區(qū)域的兩側(cè)的邊緣，所述第二接觸焊盤實(shí)質(zhì)地形成在所述減薄區(qū)域內(nèi)。
22.如權(quán)利要求14所述半導(dǎo)體器件，還包括至少一個(gè)第五縫隙，所述至少一個(gè)第五縫隙位于所述溝道之間，并且被形成為深度大體與選擇線相同。
23.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，沿一個(gè)方向布置的所述溝道形成每個(gè)溝道行，并且所述溝道行大體布置成鋸齒形并與至少兩個(gè)位線耦接。
24.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 實(shí)質(zhì)地在每個(gè)管道柵之上交替地形成第一材料層和第二材料層； 形成溝道，每個(gè)所述溝道包括形成在所述管道柵中的管道溝道，以及被形成為實(shí)質(zhì)地穿過所述第一材料層和所述第二材料層并與所述管道溝道相耦接的漏側(cè)溝道和源側(cè)溝道對(duì)； 刻蝕所述第一材料層和所述第二材料層以形成位于彼此相鄰的存儲(chǔ)塊之間的第一縫隙； 將第一絕緣層填充在所述第一縫隙中；刻蝕所述第一材料層和所述第二材料層以形成位于所述源側(cè)溝道和漏側(cè)溝道對(duì)之間的第二縫隙； 將暴露在所述第二縫隙上的所述第二材料層凹陷；以及 將層間絕緣層或?qū)щ妼犹畛湓谒龅诙牧蠈拥陌枷輩^(qū)域中。
25.如權(quán)利要求24所述方法，還包括以下步驟在形成所述第一縫隙時(shí)，形成位于彼此相鄰的漏側(cè)溝道之間或彼此相鄰的源側(cè)溝道之間的第三縫隙。
26.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括以下步驟 在將所述第一絕緣層填充在所述第一縫隙中之后，通過將所述第一材料層和所述第二材料層刻蝕大體達(dá)到選擇線的深度，來形成位于相鄰的漏側(cè)溝道之間或相鄰的源側(cè)溝道之 間的第四縫隙；以及 將第二絕緣層填充在所述第四縫隙之間。
27.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括以下步驟在形成所述第一縫隙或形成所述第二縫隙時(shí)，形成至少一個(gè)第五縫隙，所述至少一個(gè)第五縫隙位于所述存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域內(nèi)、大體位于所述減薄區(qū)域外、或者大體位于所述減薄區(qū)域內(nèi)或大體位于所述減薄區(qū)域外。
28.如權(quán)利要求24所述的方法，還包括以下步驟在形成所述第二縫隙時(shí)，形成位于所 述第一縫隙中的一個(gè)與所述減薄區(qū)域之間的至少一個(gè)第六縫隙。
29.如權(quán)利要求24所述方法，其中，沿一個(gè)方向布置的所述溝道形成每個(gè)溝道行，所述溝道行大體被布置成鋸齒形并且與至少兩個(gè)位線耦接。
30.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 實(shí)質(zhì)地在襯底之上交替地形成第一材料層和第二材料層； 形成從所述襯底突出并且實(shí)質(zhì)地穿過所述第一材料層和所述第二材料層的溝道；刻蝕所述第一材料層和所述第二材料層以形成位于每個(gè)存儲(chǔ)塊的減薄區(qū)域中的至少一個(gè)第一縫隙； 將第一絕緣層填充在所述第一縫隙中； 刻蝕所述第一材料層和所述第二材料層以形成位于所述溝道之間的至少一個(gè)第二縫隙； 將暴露于所述第二縫隙的所述第二材料層凹陷；以及 將層間絕緣層或?qū)щ妼犹畛湓谒龅诙牧蠈拥陌枷輩^(qū)域中。
31.如權(quán)利要求30所述方法，其中，所述第一縫隙被形成為大體在所述減薄區(qū)域內(nèi)、位于所述減薄區(qū)域的周緣、或大體在所述減薄區(qū)域內(nèi)及位于所述減薄區(qū)域的周緣。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括以下步驟在形成所述第一縫隙或所述第二縫隙時(shí)，形成位于彼此相鄰的所述存儲(chǔ)塊之間的第三縫隙。
33.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括以下步驟在形成所述第一縫隙時(shí)，形成位于所述溝道之間的至少一個(gè)第四縫隙。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括以下步驟 在形成所述第一縫隙時(shí)，形成位于彼此相鄰的所述存儲(chǔ)塊之間的第三縫隙；以及 在形成所述第二縫隙時(shí)，形成位于所述第三縫隙中的一個(gè)和所述減薄區(qū)域之間的第五縫隙。
35.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括在實(shí)質(zhì)地填充所述第一絕緣層之后，通過將所述第一材料層和所述第二材料層刻蝕實(shí)質(zhì)地達(dá)到選擇線的深度，來形成位于所述溝道之間的至少一個(gè)第六縫隙；以及將第二絕緣層填充在所述至少一個(gè)第六縫隙中。
36.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，包括沿一個(gè)方向布置的所述溝道的一個(gè)溝道行與大體被布置成鋸齒形的至少兩個(gè)位線耦接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括每個(gè)被配置成包括溝道對(duì)的存儲(chǔ)塊，每個(gè)所述溝道包括形成在所述存儲(chǔ)塊的管道柵中的管道溝道，以及與所述管道溝道相耦接的漏側(cè)溝道和源側(cè)溝道；第一縫隙，所述第一縫隙位于與其它的存儲(chǔ)塊相鄰的存儲(chǔ)塊之間；以及第二縫隙，所述第二縫隙位于每個(gè)溝道對(duì)的源側(cè)溝道和漏側(cè)溝道之間。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK102867831SQ20121023499
公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者李起洪, 皮昇浩, 張禎允 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司