專利名稱：一種陣列基板、液晶顯示裝置和陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，涉及一種陣列基板、液晶顯示裝置和陣列基板的制作方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)應(yīng)用于液晶顯示(LCD)面板的陣列基板中的金屬導(dǎo)線為鋁導(dǎo)線，而陣列基片的性能特征和運(yùn)行特性部分很大程度上取決于形成陣列式基片各元件的材料。而隨液晶電視等顯示終端大尺寸化、高解析度以及驅(qū)動(dòng)頻率高速化的趨勢(shì)及要求，面板開發(fā)商不得不面對(duì)陣列系統(tǒng)中電阻及所造成的電阻/電容時(shí)間延遲問(wèn)題；而鋁導(dǎo)線具有較高的電阻率
Γ4μ Qcm)使得TFT像素不能夠充分充電，隨高頻尋址(彡120Hz)的廣泛應(yīng)用，這ー現(xiàn)象會(huì)更加明顯。銅導(dǎo)線相對(duì)于鋁具有較低的電阻率Γ2μ Qcm)及良好的抗電遷移能力，吸引了諸多材料及制程工程師興趣并得到實(shí)際的量產(chǎn)應(yīng)用；但在蝕刻制程中，經(jīng)過(guò)離子蝕刻(RIE, reactive ion etch)時(shí),銅金屬會(huì)生成氟化銅(CuFx)和氯化銅(CuClx),這兩種物質(zhì)在200°C以下為固體，不會(huì)氣化，因此銅金屬無(wú)法像鋁金屬那樣以干式蝕刻的方式制作出導(dǎo)線圖案。為此，發(fā)展用于銅金屬濕蝕刻的刻蝕液變的尤為重要。此外，銅與玻璃具有差的粘附性，需要進(jìn)行下層金屬層進(jìn)行過(guò)渡；且銅在200°C以下通過(guò)互擴(kuò)散易干與硅反應(yīng)生成具有CuSi3化合物，產(chǎn)生很高的接觸電阻，因此需要采用其他金屬層進(jìn)行過(guò)渡。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種金屬電極接觸電阻小、粘貼牢固的陣列基板、液晶顯示裝置和陣列基板的制作方法。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的ー種TFT-IXD的陣列基板，包括金屬電極，所述金屬電極包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一面設(shè)有VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，另一面設(shè)有阻隔層。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電層米用銅-1凡合金，其中I凡的含量為O. 7 2at%。此為一種米用銅-釩合金靶材制作的金屬電極，銅-釩合金靶材濺射到玻璃基材上，在高溫、真空環(huán)境下，釩會(huì)在表面積聚，然后跟玻璃產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，粘貼層上自然形成以銅質(zhì)材料為主的導(dǎo)電層，采用該方法制成的導(dǎo)電層，會(huì)有部分的釩殘留，結(jié)合導(dǎo)電層的導(dǎo)電性能和制作成本，釩殘留控制在O. 7 2at%是比較優(yōu)選的技術(shù)方案。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電層包括與粘貼層一體形成的第一導(dǎo)電層，與阻隔層一體形成的第二導(dǎo)電層，以及位于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間獨(dú)立設(shè)置的第三導(dǎo)電層。此為另ー種導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，由于銅-釩合金靶材形成的導(dǎo)電層不可避免會(huì)殘留釩，導(dǎo)電性能有所下降，設(shè)置獨(dú)立的第三導(dǎo)電層可以采用純度高的金屬，如銅、銀、金等，提升導(dǎo)電層的導(dǎo)電性能。優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層采用銅-釩合金，其中釩的含量為O. 7 2at%，所述第三導(dǎo)電層采用純銅材料。此為ー種采用銅-釩合金靶材形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，銅-鑰;合金祀在一定溫度和真空條件先，鑰;金屬向表面積聚，底層的銅-釩合金靶材跟玻璃接觸，形成粘貼層和第一導(dǎo)電層；表層的銅-釩合金靶材跟氧氣接觸，形成阻隔層和第二導(dǎo)電層，采用該方法形成的金屬電極結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層中會(huì)有部分的釩殘留，結(jié)合導(dǎo)電性能和制作成本，釩殘留控制在O. 7 2at%是比較優(yōu)選的技術(shù)方案。優(yōu)選的，所述阻隔層采用VOx材料。釩的氧化物VOx容易溶于Cu蝕刻酸，能確保后續(xù)金屬電極順利進(jìn)行，很適合用于作為金屬電極的阻隔層。ー種液晶顯示裝置，包括上述的ー種TFT-IXD的陣列基板。ー種TFT-IXD的陣列基板的制作方法，包括步驟A、準(zhǔn)備好銅-釩合金靶材和陣列基板的基材，將銅-釩合金靶材維持在固溶狀態(tài)，并對(duì)基材進(jìn)行加熱處理； B、將銅-釩合金靶材鋪設(shè)到所述陣列基板的基材表面，形成帶有VOxSiy材質(zhì)粘貼層的金屬層。優(yōu)選的，所述步驟A中，所述銅-釩合金靶材維持在100-150°C ;陣列基板加溫至100-150°C。此為ー種具體的溫度范圍。優(yōu)選的，所述步驟B后還包括步驟C :對(duì)所述陣列基板進(jìn)行灰化處理，所述銅-釩合金靶材中的釩原子跟氧氣產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，在所述粘貼層相對(duì)的另一面生成VOx材質(zhì)的阻隔層。此為ー種具體的阻隔層材質(zhì)，當(dāng)然還可以通過(guò)鋪設(shè)硅質(zhì)材料的方式，與釩產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy的阻隔層。優(yōu)選的，所述步驟B中包括BI、將銅-釩合金靶材濺射到所述陣列基板的基材表面；B2、在真空環(huán)境下進(jìn)行退火處理；銅-釩合金靶材中的釩原子在表面聚集，跟陣列基板的硅質(zhì)材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層。此為一種單層靶材的制作エ藝，只須用ー層靶材就可以形成所述金屬電極，加工效率高，有利于制造降低成本。優(yōu)選的,所述步驟BI中，銅凡合金祀材形成的薄膜厚度為200_300nm。此為單層靶材エ藝中，靶材厚度的數(shù)值范圍。優(yōu)選的，所述步驟B中包括B1-1、將銅-釩合金靶材濺射到所述陣列基板的基材表面；B1-2、在銅-釩合金靶材表面濺射純銅靶材；B1-3、在純銅靶材上濺射銅-釩合金靶材。B2、在真空環(huán)境下進(jìn)行退火處理；銅-釩合金靶材中的釩原子在表面聚集，跟陣列基板的硅質(zhì)材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層。此技術(shù)方案形成的金屬電極，中間形成一層純銅的導(dǎo)電層，導(dǎo)電效果更佳。優(yōu)選的,所述步驟Bl-I中的銅-鑰;合金祀材形成的薄膜厚度為10_30nm ;所述步驟B1-2的純銅形成的薄膜厚度為250-500nm ;所述步驟B1-3中的銅-釩合金靶材形成的薄膜厚度為10-30nm。此為ー種三層靶材エ藝中，各靶材厚度的數(shù)值范圍。優(yōu)選的，所述步驟B2中，真空環(huán)境為10-2 10_3Pa ;退火爐溫度為300_350°C，退火持續(xù)時(shí)間為3-5分鐘。此為ー種具體的溫度范圍和真空環(huán)境。優(yōu)選的，所述步驟A和B中，所述銅-釩合金靶材的釩的成分區(qū)間為7_15at%。在此范圍內(nèi)，形成的粘貼層或阻隔層具有足夠的牢固性和保護(hù)性能，厚度也適中，避免太厚影響后續(xù)的加工效率。本發(fā)明的金屬電極在的一面通過(guò)金屬釩跟陣列基板中的含硅材料(如玻璃、n+a-Si層)，釩跟含硅材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，可以讓金屬電極牢固地固定在玻璃基材上，同時(shí)VOxSiy接觸電阻低，使金屬層具有更好的導(dǎo)電性能。本發(fā)明還公開了ー種制作方法，只須將銅-釩合金靶材濺射到陣列基板的含硅材料上，在一定的真空、溫度條件下就能形成具有VOxSiy材質(zhì)粘貼層的金屬電極，制作方法簡(jiǎn)單、高效。


圖I是本發(fā)明陣列基板首I]面不意圖；圖2是Cu-V合金靶材處于穩(wěn)定固溶狀態(tài)的曲線圖；
圖3是本發(fā)明實(shí)施例一示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例ニ示意圖；圖5是本發(fā)明純銅和Cu-V接觸電阻的對(duì)比示意圖；其中100、玻璃基材；200、導(dǎo)電層；210、第一導(dǎo)電層；220、第二導(dǎo)電層；230、第三導(dǎo)電層；300、粘貼層；400、阻隔層；500、釩原子;600、銅;700、絕緣層；800、透明電極層；900、閘極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明公開了ー種液晶顯示裝置，液晶顯示裝置包括液晶面板，液晶面板包括彩膜基板和TFT-LCD的陣列基板。陣列基板包括多個(gè)TFT和多條縱橫交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線和掃描線，TFT包括源扱、閘極和漏扱，每個(gè)TFT的閘極連接到一條掃描線，其源極連接到一條數(shù)據(jù)線。以閘極的剖面結(jié)構(gòu)為例，如圖I所示，陣列基板的結(jié)構(gòu)從底部算起，依次包括玻璃基材100、閘極900、絕緣層700和透明電極層800，所述閘極與玻璃基材接觸的一面設(shè)有VOxSiy材質(zhì)的粘貼層300，另一面設(shè)有阻隔層400，粘貼層300和阻隔層400之間是導(dǎo)電層200。當(dāng)然，本發(fā)明的金屬電極還可以為TFT的源極、漏極或掃描線、數(shù)據(jù)線中的ー種或多種。另外，金屬電極并不一定直接濺渡在玻璃基材100上，如源/漏電極，其設(shè)置在n+a-Si層表面，但釩跟n+a-Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，仍然生成V0xSiy。本發(fā)明的金屬電極在跟玻璃接觸的一面通過(guò)金屬釩跟玻璃接觸，釩跟玻璃產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，可以讓金屬電極牢固地固定在玻璃基材上，同時(shí)VOxSiy接觸電阻低，使金屬層具有更好的導(dǎo)電性能。本發(fā)明還公開了ー種制作方法，只須將銅-釩合金靶材濺射到玻璃基板上，在一定的真空、溫度條件下就能形成具有VOxSiy材質(zhì)粘貼層的金屬電極，制作方法簡(jiǎn)單、高效。下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步說(shuō)明。實(shí)施例一本實(shí)施方式的金屬電極包括粘貼層300，以及設(shè)置在粘貼層300上的導(dǎo)電層200，導(dǎo)電層200可以采用銅、銀、金等具有優(yōu)良導(dǎo)電性能的金屬制成，導(dǎo)電層200內(nèi)含有O. 7 2at%的釩，導(dǎo)電層200上設(shè)有采用VOx材料的阻隔層400，阻隔層400可以防止導(dǎo)電層200被氧化。以采用銅材為例，金屬電極可以通過(guò)Cu-V合金靶材制作，具體步驟如下(參見圖3)A =Cu-V合金靶材中釩(V)含量為8at. %，將Cu-V合金靶材維持在穩(wěn)定的金屬固溶狀態(tài)，參見圖2，可以了解到不同配比的Cu-V合金靶材，達(dá)到金屬固溶狀態(tài)所需要的溫度。當(dāng)然，Cu-V合金祀材中鑰;的成分區(qū)間可以擴(kuò)展到7-15at. %。B:將處于固溶狀態(tài)的Cu-V合金靶材置于濺射腔體中，通過(guò)濺渡方式濺射到玻璃基材100上，形成厚度在250nm-500nm之間的金屬薄膜，在濺射過(guò)程中陣列基板加溫至100-150°C，濺射腔體加熱至100-150°C。當(dāng)然，靶材濺射的厚度主要取決于エ藝要求，不局限于本實(shí)施方式中的厚度區(qū)間。C :在真空度介于10_2_10_3Pa的真空環(huán)境中，將濺渡有Cu-V金屬薄膜的玻璃基材
100放入退火爐中加熱至300-350°C，持續(xù)約3-5分鐘，使得體心立方結(jié)構(gòu)的釩500能夠在面心立方結(jié)構(gòu)的銅600中充分?jǐn)U散，并在金屬薄膜的上下表面聚集；由于V具有優(yōu)良的抗氧化性，會(huì)在表面形成幾個(gè)納米的VOx氧化物，形成所述阻隔層400，有效阻礙Cu進(jìn)ー步氧化；在下端的V聚集具有幾個(gè)納米厚度，生成VOxSiy,其介于金屬薄膜與玻璃之間，使其具有良好的粘附性，形成所述粘貼層300 ;而由于大部分的V都積聚到金屬薄膜的上下表面，因此金屬薄膜的中間部分自然形成銅質(zhì)材料的導(dǎo)電層200，采用該方法制成的導(dǎo)電層200，不可避免會(huì)有部分的V殘留，結(jié)合導(dǎo)電層200的導(dǎo)電性能和制作成本，V殘留控制在O. 7 2at%是比較優(yōu)選的技術(shù)方案。D :采用適用于Cu蝕刻的磷酸、硫酸、過(guò)硫酸、硝酸、唑類化合物、胺類化合物、pH穩(wěn)定劑、有機(jī)溶劑及去離子水等混酸類蝕刻液對(duì)金屬薄膜進(jìn)行蝕刻；形成金屬電極。由于在導(dǎo)電層200上下部形成VOx材質(zhì)的阻隔層400及VOxSiy材質(zhì)的粘貼層300厚度較薄，且均容易溶于Cu蝕刻酸中；保證后續(xù)金屬電極制程能夠順利進(jìn)行。如圖5所示，在隨后的ITO制程中，進(jìn)行O2灰化時(shí)與Cu-V合金形成的氧化層其接觸電阻明顯低于純Cu的接觸電阻，表明此方法能夠適用于TFT-IXD陣列基板Cu制程的要求。另外，本實(shí)施方式中的金屬電極并不一定直接濺渡在玻璃基材100上，如源/漏電極，其派射在n+a-Si層表面,V積聚在下表面,跟n+a-Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),仍然生成V0xSiy。V聚集形成幾個(gè)納米厚度的VOxSiy材質(zhì)的粘貼層300，其介于導(dǎo)電層與n+a-Si之間，阻礙Cu與Si之間的擴(kuò)散反應(yīng)生成具有很高接觸電阻的CuSi3層。實(shí)施例ニ本實(shí)施方式中，金屬電極的導(dǎo)電層200包括與粘貼層300 —體形成的第一導(dǎo)電層210,與VOx材料的阻隔層400 —體形成的第二導(dǎo)電層220,以及位于第一導(dǎo)電層210和第ニ導(dǎo)電層220之間獨(dú)立設(shè)置的第三導(dǎo)電層230。第一導(dǎo)電層210和第二導(dǎo)電層220內(nèi)含有O. 7 2at%的釩。設(shè)置獨(dú)立的第三導(dǎo)電層230可以采用純度高的金屬，如銅、銀、金等，提升導(dǎo)電層200的導(dǎo)電性能。以采用銅材為例，金屬電極可以通過(guò)兩道Cu-V合金靶材濺射、一道純銅靶材濺射的エ藝制作，具體步驟如下(參見圖4)A =Cu-V合金靶材中釩(V)的含量為8at. %，將Cu-V合金靶材維持在穩(wěn)定的金屬固溶狀態(tài)，同樣的，純銅靶材也需要處于固溶狀態(tài)。參見圖2，可以了解到不同配比的Cu-V合金靶材，達(dá)到金屬固溶狀態(tài)所需要的溫度。當(dāng)然，Cu-V合金靶材中釩的成分區(qū)間可以擴(kuò)展到 7-15at. %。B :將處于固溶狀態(tài)的Cu-V合金靶材分別置于第一濺射腔體和第三腔體中，純銅靶材置于第二濺射腔體中，依次選用第一、第二、第三濺射腔體執(zhí)行濺渡作業(yè)，在玻璃基材100表面依次形成10-30nm厚度的第一道Cu-V合金薄膜、250_500nm厚度的純銅薄膜及10-30nm厚度的第二道Cu-V薄膜。在濺射過(guò)程中陣列基板加溫至100_150°C，濺射腔體加熱至100-150°C。當(dāng)然，各靶材濺射的厚度主要取決于エ藝要求，不局限于本實(shí)施方式中的厚度區(qū)間。C :在真空度介于10_2_10_3Pa的真空環(huán)境中，將玻璃基材100放入退火爐中加熱至300-350°C，持續(xù)約3-5分鐘，使得體心立方結(jié)構(gòu)的釩500能夠在面心立方結(jié)構(gòu)的銅600中充分?jǐn)U散第一道Cu-V合金薄膜的釩在其薄膜的下表面聚集，下端的V聚集具有幾個(gè)納米 厚度，與玻璃基材100產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy粘貼層300，而第一道Cu-V合金薄膜其余部分自然形成第一導(dǎo)電層210，第一導(dǎo)電層210的主要成分為銅，當(dāng)然還會(huì)殘留部分的金屬銀，結(jié)合導(dǎo)電層200的導(dǎo)電性能和制作成本，V殘留控制在O. 7 2at%是比較優(yōu)選的技術(shù)方案。第二導(dǎo)電層220為純銅材料,直接派射到第一道Cu-V合金薄膜表面,與第一導(dǎo)電層210貼合在一起。第三道Cu-V合金薄膜濺射在第二導(dǎo)電層220表面，靶材中的釩在其薄膜的上表面聚集，上端的V聚集具有幾個(gè)納米厚度，與外部的氧氣產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOx氧化物的阻隔層400，而第三道Cu-V合金薄膜其余部分自然形成第三導(dǎo)電層230，與第二導(dǎo)電層220貼合在一起。第三導(dǎo)電層230的主要成分為銅，當(dāng)然還會(huì)殘留部分的金屬釩，結(jié)合導(dǎo)電層200的導(dǎo)電性能和制作成本，V殘留控制在O. 7 2at%是比較優(yōu)選的技術(shù)方案。D :采用適用于Cu蝕刻的磷酸、硫酸、過(guò)硫酸、硝酸、唑類化合物、胺類化合物、pH穩(wěn)定劑、有機(jī)溶劑及去離子水等混酸類蝕刻液對(duì)金屬薄膜進(jìn)行蝕刻；形成金屬電極。由于在導(dǎo)電層200上下部形成VOx材質(zhì)的阻隔層400及VOxSiy材質(zhì)的粘貼層300厚度較薄，且均容易溶于Cu蝕刻酸中；保證后續(xù)金屬電極制程能夠順利進(jìn)行。如圖5所示，在隨后的ITO制程中，進(jìn)行O2灰化時(shí)與Cu-V合金形成的氧化層VOx其接觸電阻明顯低于純Cu的接觸電阻，表明此方法能夠適用于TFT-LCD陣列基板Cu制程的要求。另外，本實(shí)施方式中的金屬電極并不一定直接濺渡在玻璃基材100上，如源/漏電極，其派射在n+a-Si層表面,V積聚在下表面,跟n+a-Si產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),仍然生成V0xSiy。V聚集形成幾個(gè)納米厚度的VOxSiy材質(zhì)的粘貼層300，其介于導(dǎo)電層與n+a-Si之間，阻礙Cu與Si之間的擴(kuò)散反應(yīng)生成具有很高接觸電阻的CuSi3層。當(dāng)然在現(xiàn)實(shí)中，絕對(duì)無(wú)任何雜質(zhì)的銅材是不存在的，因此本發(fā)明所述的“純銅”并不局限于絕對(duì)意義上的純銅，只要是現(xiàn)有認(rèn)為是銅材，而非銅合金的材料，都在本發(fā)明所述的純銅范圍內(nèi)。實(shí)施例三本實(shí)施方式公開另ー種上述陣列基板的制作方法，將純釩和純銅放置在不同的濺射腔體，先濺射ー層釩，然后再濺射ー層銅，最后再濺射ー層釩，在實(shí)施例所述的真空和溫度環(huán)境下，下表面的釩生成VOxSiy，上表面的釩經(jīng)過(guò)氧氣灰化處理以后生成VOx，中間ー層銅形成所述導(dǎo)電層，采用該方式，導(dǎo)電層中的釩含量會(huì)有顯著減少，提高了導(dǎo)電層的導(dǎo)電性倉(cāng)^:。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選 實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD的陣列基板，包括金屬電極，其特征在于，所述金屬電極包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一面設(shè)有VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，另一面設(shè)有阻隔層。
2.如權(quán)利要求I所述的一種TFT-LCD的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層采用銅-釩合金，其中釩的含量為0. 7 2at%。
3.如權(quán)利要求I所述的一種TFT-LCD的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括與粘貼層一體形成的第一導(dǎo)電層，與阻隔層一體形成的第二導(dǎo)電層，以及位于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間獨(dú)立設(shè)置的第三導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求3所述的一種TFT-LCD的陣列基板,其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層采用銅-釩合金，其中釩的含量為0. 7 2at%，所述第三導(dǎo)電層采用純銅材料。
5.如權(quán)利要求I 4任一所述的一種TFT-LCD的陣列基板，其特征在于，所述阻隔層采用VOxM料。
6.—種液晶顯不裝置,包括如權(quán)利要求I 5任一所述的一種TFT-IXD的陣列基板。
7.一種TFT-IXD的陣列基板的制作方法，包括步驟 A、準(zhǔn)備好銅-釩合金靶材和陣列基板的基材，將銅-釩合金靶材維持在固溶狀態(tài)，并對(duì)基材進(jìn)行加熱處理； B、將銅-釩合金靶材鋪設(shè)到所述陣列基板的基材表面，形成帶有VOxSiy材質(zhì)粘貼層的金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟A中，所述銅-釩合金靶材維持在100-150°C ;陣列基板加溫至100-150°C。
9.如權(quán)利要求7所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟B后還包括步驟C :對(duì)所述陣列基板進(jìn)行灰化處理，所述銅-釩合金靶材中的釩原子跟氧氣產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，在所述粘貼層相對(duì)的另一面生成VOx材質(zhì)的阻隔層。
10.如權(quán)利要求7所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟B中包括 BI、將銅-釩合金靶材濺射到所述陣列基板的基材表面； B2、在真空環(huán)境下進(jìn)行退火處理；銅-釩合金靶材中的釩原子在表面聚集，跟陣列基板的硅質(zhì)材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層。
11.如權(quán)利要求10所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟BI中，銅-f凡合金祀材形成的薄膜厚度為200-300nm。
12.如權(quán)利要求7所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟B中包括 B1-1、將銅-釩合金靶材濺射到所述陣列基板的基材表面； B1-2、在銅-釩合金靶材表面濺射純銅靶材； B1-3、在純銅靶材上濺射銅-釩合金靶材； B2、在真空環(huán)境下進(jìn)行退火處理；銅-釩合金靶材中的釩原子在表面聚集，跟陣列基板的硅質(zhì)材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層。
13.如權(quán)利要求12所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于 所述步驟Bl-I中的銅-f凡合金祀材形成的薄膜厚度為10-30nm ； 所述步驟B1-2的純銅形成的薄膜厚度為250-500nm ；所述步驟B1-3中的銅-f凡合金祀材形成的薄膜厚度為10-30nm。
14.如權(quán)利要求10或12所述的一種TFT-LCD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟B2中，真空環(huán)境為10_2 10_3Pa ;退火爐溫度為300-350°C，退火持續(xù)時(shí)間為3_5分鐘。
15.如權(quán)利要求7 13任一所述的一種TFT-IXD的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟A和B中，所述銅-鑰;合金祀材的鑰;的成分區(qū)間為7-15at%。
全文摘要
本發(fā)明公開一種陣列基板、液晶顯示裝置和陣列基板的制作方法。所述TFT-LCD的陣列基板包括金屬電極，所述金屬電極包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的一面設(shè)有VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，另一面設(shè)有阻隔層。本發(fā)明的金屬電極在的一面通過(guò)金屬釩跟陣列基板中的含硅材料(如玻璃、n+a-Si層)，釩跟含硅材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成VOxSiy材質(zhì)的粘貼層，可以讓金屬電極牢固地固定在玻璃基材上，同時(shí)VOxSiy接觸電阻低，使金屬層具有更好的導(dǎo)電性能。本發(fā)明還公開了一種制作方法，只須將銅-釩合金靶材濺射到陣列基板的含硅材料上，在一定的真空、溫度條件下就能形成具有VOxSiy材質(zhì)粘貼層的金屬電極，制作方法簡(jiǎn)單、高效。
文檔編號(hào)H01L29/49GK102736333SQ20121020102
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月18日
發(fā)明者寇浩 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司