專利名稱：：用于載具剝離的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，更具體地，本發(fā)明涉及一種用于載具剝離的方法。
背景技術(shù)：
：在集成電路的制造業(yè)中，涉及晶圓并且晶圓被用于形成集成電路或用于到在其上接合管芯。晶圓通常因?yàn)樘《荒艹惺苤圃爝^(guò)程例如研磨中施加的壓力。因此，在制造過(guò)程中，載具被用于機(jī)械支撐晶圓以防止破裂。在某些的制造階段，需要從晶圓上剝離載具。在載具剝離之后，可能需要對(duì)晶圓進(jìn)行一些剩下的加工(例如研磨)。然而，沒(méi)有載具的支撐，晶圓可能易于彎曲，因此可能很難進(jìn)行接下來(lái)的加工步驟例如研磨。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種方法，所述方法包括:對(duì)包括多個(gè)管芯的復(fù)合晶圓進(jìn)行切割，其中，在進(jìn)行切割步驟時(shí)所述復(fù)合晶圓接合在載具上；在所述切割步驟之后，將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上；以及從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。在一實(shí)施例中，所述復(fù)合晶圓包括晶圓，其中所述多個(gè)管芯中的每一個(gè)都包括所述晶圓的一個(gè)芯片和接合到所述晶圓上的多個(gè)封裝元件中的一個(gè)封裝元件，并且其中在所述切割步驟之后，所述晶圓中的各芯片相互分離。在一實(shí)施例中，所述復(fù)合晶圓還包括模制在所述晶圓上的聚合物，所述聚合物設(shè)置在所述多個(gè)封裝元件之間的間隙中，及在所述切割步驟之后，所述多個(gè)管芯通過(guò)所述聚合物的未切割部分而彼此相連。在一實(shí)施例中，所述方法還包括:在剝離所述載具的步驟之后，將所述第一膠帶切割成與所述復(fù)合晶圓大體相同的尺寸；以及對(duì)所述復(fù)合晶圓進(jìn)行研磨以將所述多個(gè)管芯相互分離，其中在所述研磨步驟期間已經(jīng)切割的所述第一膠帶保持設(shè)置在所述復(fù)合晶圓上。在一實(shí)施例中，所述方法還包括:在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設(shè)置于所述多個(gè)管芯上，其中所述第一膠帶與所述第二膠帶在所述多個(gè)管芯的相對(duì)的兩側(cè)；和從所述復(fù)合晶圓上卸下所述第一膠帶。在一實(shí)施例中，所述方法還包括:在所述切割步驟之前，將所述載具設(shè)置到附加膠帶上，其中所述載具位于所述復(fù)合晶圓與所述附加膠帶之間，在所述切割步驟期間，所述載具保持附接至所述附加膠帶；和在所述設(shè)置于第一膠帶的步驟之前，從所述復(fù)合晶圓和所述載具上剝離所述附加膠帶。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種方法包括:對(duì)復(fù)合晶圓進(jìn)行切割以在所述復(fù)合晶圓中形成溝槽，所述復(fù)合晶圓包括晶圓及接合到所述晶圓上的封裝元件，其中所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進(jìn)入填充所述封裝元件之間空隙的聚合物中，并且其中在所述切割步驟期間，所述復(fù)合晶圓接合在載具上；將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上；從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；研磨所述復(fù)合晶圓以將所述復(fù)合晶圓分離成相互完全獨(dú)立的多個(gè)管芯；在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設(shè)置于所述多個(gè)管芯上；和在設(shè)置所述第二膠帶的步驟之后，卸下所述第一膠帶。在一實(shí)施例中，在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，所述多個(gè)管芯通過(guò)所述聚合物未切割層而相互連接，以及通過(guò)所述研磨步驟去除所述聚合物的所述未切割層。在一實(shí)施例中，在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，粘附層將所述載具與所述復(fù)合晶圓接合，以及其中在所述切割步驟期間未切割到所述粘附層。在一實(shí)施例中，所述晶圓是內(nèi)含無(wú)源器件的插入式晶圓，及所述封裝元件包括器件管芯。在一實(shí)施例中，所述方法還包括:在所述切割步驟之前，將所述載具設(shè)置于第三膠帶上，其中所述載具位于所述復(fù)合晶圓和所述第三膠帶之間，以及其中在所述切割步驟期間，所述載具保持附接至所述第三膠帶；和，在設(shè)置所述第一膠帶的步驟之前，從所述復(fù)合晶圓和所述載具上剝離所述第三膠帶。在一實(shí)施例中,所述載具包括玻璃載具。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，一種方法包括:在復(fù)合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中載具接合到所述復(fù)合晶圓的第二側(cè)，及所述第一側(cè)和所述第二側(cè)是所述復(fù)合晶圓的相對(duì)的兩側(cè)；從所述第一側(cè)切割所述復(fù)合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透所述復(fù)合晶圓中的晶圓并延伸進(jìn)入所述復(fù)合晶圓的模塑料中；將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上，其中所述連接件與所述第一膠帶接觸；從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；和在所述剝離步驟之后，將所述復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯。在一實(shí)施例中，分離所述復(fù)合晶圓的步驟包括進(jìn)行研磨以去除選自大體包括以下層的組中的層:與所述各自獨(dú)立的管芯互連的所述模塑料的層，將所述載具接合到所述晶圓的接合層，以及它們的組合。在一實(shí)施例中，在所述切割的步驟之后，所述溝槽穿透所述模塑料。在一實(shí)施例中，在所述切割的步驟之后，所述溝槽未穿透所述模塑料。在一實(shí)施例中，將所述復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯的步驟包括從所述復(fù)合晶圓的所述第二側(cè)對(duì)所述復(fù)合晶圓進(jìn)行研磨，由于所述研磨步驟，與所述各自獨(dú)立的管芯互連的那部分模塑料被去除。在一實(shí)施例中，所述晶圓是內(nèi)含無(wú)源器件的插入式晶圓，并且其中所述復(fù)合晶圓還包括接合所述插入式晶圓的器件管芯，所述模塑料設(shè)置在所述器件管芯之間的間隙中。在一實(shí)施例中，所述方法還包括:在從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具的步驟后，和在將所述復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯的步驟之前，將所述第一膠帶切割成與所述復(fù)合晶圓形狀接近的形狀。在一實(shí)施例中，將所述復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯的步驟包括研磨，并且在所述研磨期間，所述第一膠帶附接至所述復(fù)合晶圓。為更完整地理解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)將結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述作為參考，其中:圖1到圖9是根據(jù)各種實(shí)施例的在封裝件制造的中間階段的截面圖。具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)討論本發(fā)明各實(shí)施例的制造和使用。然而，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明提供了根據(jù)不同實(shí)施例的封裝工藝。示出了形成封裝的中間階段，討論了各實(shí)施例的變化。在本申請(qǐng)中，對(duì)于各種視圖及示例說(shuō)明的實(shí)施例，相似的參考數(shù)字用于表示相似的元件。圖1至圖9示出了根據(jù)一些示例性實(shí)施例的在封裝制造的中間階段的截面圖。參考圖1，示出了晶圓20。晶圓20可包括多個(gè)芯片22(也稱為晶片或管芯)，多個(gè)芯片22相互之間可以是相同的。晶圓20還可包括襯底24，襯底24可以是半導(dǎo)體襯底或電介質(zhì)襯底。在一些實(shí)施例中，襯底24是硅襯底，但是襯底24也可以是由其它半導(dǎo)體材料(例如碳化硅、硅鍺、II1-V復(fù)合半導(dǎo)體或類似材料)形成。在一示例性實(shí)施例中，晶圓20是器件晶圓，該器件晶圓可包括在其中具有有源器件例如晶體管(未示出)的集成電路28。集成電路28用虛線示出，以表示可能形成，或可能未形成集成電路。在之后的圖中，盡管集成電路28可能存在，但是未示出該集成電路28。在可選實(shí)施例中，晶圓20可包括其它不合有源器件的封裝元件。例如，晶圓20可以是插入式晶圓、封裝襯底帶、封裝襯底晶圓、或類似物。在另一些實(shí)施例中，晶圓20不包括有源器件，但是可包括無(wú)源器件(也用28示出)，如電阻和電容器，或者也沒(méi)有無(wú)源器件。在一些實(shí)施例中，晶圓20包括穿過(guò)襯底的通孔(也稱為硅通孔TSV或通孔)30，該通孔從襯底的一側(cè)延伸到相對(duì)的另一側(cè)。晶圓20也可包括金屬層32(有時(shí)稱為再分配層)，在該金屬層中包括金屬線和通孔(未示出)。在晶圓20的一側(cè)形成連接件34，該連接件34可通過(guò)金屬層32以及通孔30電連接于集成電路28和/或連接件36。連接件34和連接件36形成在晶圓20的相對(duì)的表面上，并且可包括焊球、焊接凸點(diǎn)、與錫帽在其上結(jié)合的金屬柱，和類似物。在一些示例性實(shí)施例中，連接件36是焊球。雖然未示出，但是再分配層可以和連接件36形成在襯底24的同一側(cè)上。封裝元件40通過(guò)連接件34接合到晶圓的芯片22上。封裝元件40可以是在其中包括有源電路(例如晶體管，未示出)的器件管芯，或者可以是包括接合到插入件/封裝件襯底上的器件管芯的封裝件。雖然示出了每個(gè)芯片22都具有接合在其上的兩個(gè)封裝元件40，但是在可選實(shí)施例中，可在每個(gè)芯片22上接合一個(gè)封裝元件或兩個(gè)以上封裝元件。在封裝元件40和芯片22之間的空間里填充底部填充物35。聚合物42模制在晶圓20上，并且封裝元件40模制在聚合物42內(nèi)。在一些實(shí)施例中，聚合物42包括模塑料、模塑底部填充物(MoldingUnderfill，MUF)，或相類似物質(zhì)。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，晶圓20、封裝元件40，和聚合物42結(jié)合在一起稱為復(fù)合晶圓100。復(fù)合晶圓100接合到載具46上，例如通過(guò)接合層48，該接合層48可以是由例如有機(jī)物形成的粘附層。在連接件36和再分配層(如存在)的形成期間，再分配層和連接件36位于襯底24的同側(cè)，載具46可機(jī)械支撐晶圓20。在一些實(shí)施例中，載具46是玻璃載具。參考圖2，載具46與覆在上面的復(fù)合晶圓100—起設(shè)置到切割膠帶50上。如圖3所示，進(jìn)行切割管芯的步驟，例如使用刀片49，以形成溝槽54。溝槽54可延伸進(jìn)入晶圓20的切割道中。溝槽54具有足夠的深度以延伸到晶圓20底面之下，因此晶圓20中的各芯片22相互分離。溝槽54還延伸進(jìn)入聚合物42，并延伸進(jìn)入封裝元件40之間的空間內(nèi)。在一些實(shí)施例中，溝槽54的底部54A和載具46的頂面46A之間的距離T可在大約IOum到大約30um之間，因而保留了邊緣部分而不至于不合期望地切割到載具46。因此，在溝槽54的底部54A和載具46的頂面46A之間，至少是接合層48的底層未切割到，并且可能接合層48的底層完全未切割到。此外，可能聚合物42的底層未切割到。在一些實(shí)施例中，溝槽54延伸進(jìn)入聚合物42但是沒(méi)有延伸進(jìn)入接合層48。在可選實(shí)施例中，如虛線所示，溝槽54的底部54A大體上和接合層48的頂面48A在同一水平面。在其它一些實(shí)施例中，也如虛線所示，溝槽54延伸進(jìn)入接合層48。參考圖4，載具46和覆在上面的復(fù)合晶圓100從切割膠帶50上取下。接下來(lái)，如圖5所示，復(fù)合晶圓100膠在膠帶58上。膠帶58可足夠厚以使連接件36可以壓入膠帶58中并受膠帶58保護(hù)。膠帶58具有足夠的膠力，因而它可固定住復(fù)合晶圓100，復(fù)合晶圓基本上相互分離。在一些實(shí)施例中，膠帶58是紫外線(UV)膠帶。圖6示出了載具46的剝離?？赏ㄟ^(guò)例如激光剝離技術(shù)進(jìn)行該剝離，其中激光穿透載具46投射在接合層48上。于是接合層48分解，從而去除載具46。參考圖7，將膠帶58切割成與復(fù)合晶圓100大體相同的尺寸。從上往下看的膠帶58的形狀可以大體上與從上往下看的復(fù)合晶圓100的形狀一樣。因此，可將膠帶58和復(fù)合晶圓100結(jié)合起來(lái)視為晶圓來(lái)對(duì)待，并可以如對(duì)晶圓一樣進(jìn)行輸送和加工。如圖7所示，在復(fù)合晶圓100上進(jìn)行研磨以去除接合層48的殘?jiān)?如果有)。為實(shí)施該研磨步驟，可用吸頭(未示出)吸住膠帶58并將膠帶58輸送至吸盤(pán)(chucktable)55上。吸盤(pán)55可通過(guò)真空將膠帶58和覆在上面的元件固定在合適的地方。然后可進(jìn)行研磨，例如，使用砂輪59研磨。因?yàn)樵趫D3所示的步驟中已將晶圓20切割開(kāi)，只有很薄的一層42/48與芯片22互連，因而釋放了復(fù)合晶圓100上的應(yīng)力。圖7中的結(jié)構(gòu)可大體上是平坦的，且顯著減少了復(fù)合晶圓100的彎曲。因此，在膠帶58和復(fù)合晶圓100的輸送期間，可通過(guò)真空將膠帶58牢固地吸到吸頭上。而且，吸盤(pán)55也可以牢固地固定住膠帶58和復(fù)合晶圓100。進(jìn)行研磨直到去除了那部分使復(fù)合晶圓100粘成一體的聚合物42(如存在)，以致芯片22和覆在上面的封裝元件40完全分離成為管芯60。參考圖8，將膠帶58和管芯60設(shè)置到切割膠帶62上，并且管芯60粘附于切割膠帶62。然后從管芯60上去除膠帶58。在實(shí)施例中，其中膠帶58是UV膠帶，可將UV光投射在膠帶58上以致膠帶58不再有粘性，然后能夠去除膠帶58。在圖9所示的最終結(jié)構(gòu)中，各管芯60相互分離，并且粘附于于切割膠帶62。然后各管芯60可與切割膠帶62—同輸送以進(jìn)行下一步封裝。常規(guī)加工中，在剝離載具后，晶圓很薄可能會(huì)彎曲，這不利地使得薄晶圓不能固定到吸盤(pán)上，進(jìn)一步地不能自動(dòng)輸送晶圓因?yàn)橛谜婵詹荒芪∷?。在本發(fā)明實(shí)施例中，采用在剝離之前進(jìn)行切割的方案，在該方案中，在晶圓從各自的載具剝離之前就已對(duì)晶圓切隔，顯著降低了晶圓的彎曲。因此，在沒(méi)有了晶圓彎曲的顧慮的情況下，可自動(dòng)進(jìn)行之后的加工。根據(jù)一些實(shí)施例，一種方法，包括:對(duì)包括多個(gè)管芯的復(fù)合晶圓進(jìn)行切割，其中在進(jìn)行切割的步驟時(shí)復(fù)合晶圓接合在載具上。在切割的步驟之后，將復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上。然后從復(fù)合晶圓和第一膠帶上剝離載具。根據(jù)其它實(shí)施例，一種方法，包括:對(duì)復(fù)合晶圓進(jìn)行切割以在復(fù)合晶圓中形成溝槽，該復(fù)合晶圓包括晶圓及與接合到晶圓上的封裝元件。所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進(jìn)入到填充封裝元件之間間隙的聚合物中。在切割的步驟期間，復(fù)合晶圓接合在載具上。該方法還包括將復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上；從所述復(fù)合晶圓和第一膠帶上剝離載具，并研磨復(fù)合晶圓以將所述復(fù)合晶圓分離成為相互完全分離的多個(gè)管芯。在研磨的步驟之后，將第二膠帶設(shè)置在多個(gè)管芯上。在設(shè)置第二膠帶的步驟之后，卸下第一膠帶。根據(jù)又一些實(shí)施例，一種方法，包括:在復(fù)合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中，載具接合到復(fù)合晶圓的第二側(cè)上，并且其中所述第一側(cè)與第二側(cè)是復(fù)合晶圓的相對(duì)的兩側(cè)。從所述第一側(cè)切割復(fù)合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透復(fù)合晶圓中的晶圓并延伸進(jìn)入到復(fù)合晶圓中的模塑料中。將復(fù)合晶圓固定到第一膠帶上，其中連接件接觸第一膠帶。從復(fù)合晶圓和第一膠帶上剝離載具。在所述剝離的步驟之后，復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)該理解為，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，可以做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不旨在僅限于本說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開(kāi)發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每項(xiàng)權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種方法，所述方法包括:對(duì)包括多個(gè)管芯的復(fù)合晶圓進(jìn)行切割，其中，在進(jìn)行切割步驟時(shí)所述復(fù)合晶圓接合在載具上；在所述切割步驟之后，將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上；以及從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述復(fù)合晶圓包括晶圓，其中所述多個(gè)管芯中的每一個(gè)都包括所述晶圓的一個(gè)芯片和接合到所述晶圓上的多個(gè)封裝元件中的一個(gè)封裝元件，并且其中在所述切割步驟之后，所述晶圓中的各芯片相互分離。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述復(fù)合晶圓還包括模制在所述晶圓上的聚合物，所述聚合物設(shè)置在所述多個(gè)封裝元件之間的間隙中，及在所述切割步驟之后，所述多個(gè)管芯通過(guò)所述聚合物的未切割部分而彼此相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括:在剝離所述載具的步驟之后，將所述第一膠帶切割成與所述復(fù)合晶圓大體相同的尺寸；以及對(duì)所述復(fù)合晶圓進(jìn)行研磨以將所述多個(gè)管芯相互分離，其中在所述研磨步驟期間已經(jīng)切割的所述第一膠帶保持設(shè)置在所述復(fù)合晶圓上。5.一種方法，所述方法包括:對(duì)復(fù)合晶圓進(jìn)行切割以在所述復(fù)合晶圓中形成溝槽，所述復(fù)合晶圓包括晶圓及接合到所述晶圓上的封裝元件，其中所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進(jìn)入填充所述封裝元件之間空隙的聚合物中，并且其中在所述切割步驟期間，所述復(fù)合晶圓接合在載具上；將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上；從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；研磨所述復(fù)合晶圓以將所述復(fù)合晶圓分離成相互完全獨(dú)立的多個(gè)管芯；在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設(shè)置于所述多個(gè)管芯上；和在設(shè)置所述第二膠帶的步驟之后，卸下所述第一膠帶。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，所述多個(gè)管芯通過(guò)所述聚合物未切割層而相互連接，以及通過(guò)所述研磨步驟去除所述聚合物的所述未切割層。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，粘附層將所述載具與所述復(fù)合晶圓接合，以及其中在所述切割步驟期間未切割到所述粘附層。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述晶圓是內(nèi)含無(wú)源器件的插入式晶圓，及所述封裝元件包括器件管芯。9.一種方法，所述方法包括:在復(fù)合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中載具接合到所述復(fù)合晶圓的第二側(cè)，及所述第一側(cè)和所述第二側(cè)是所述復(fù)合晶圓的相對(duì)的兩側(cè)；從所述第一側(cè)切割所述復(fù)合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透所述復(fù)合晶圓中的晶圓并延伸進(jìn)入所述復(fù)合晶圓的模塑料中；將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于第一膠帶上，其中所述連接件與所述第一膠帶接觸；從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；和在所述剝離步驟之后，將所述復(fù)合晶圓分離成各自獨(dú)立的管芯。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中分離所述復(fù)合晶圓的步驟包括進(jìn)行研磨以去除選自大體包括以下層的組中的層:與所述各自獨(dú)立的管芯互連的所述模塑料的層，將所述載具接合到所述晶圓的接合層，以及它們的組合。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種方法，該方法包括對(duì)包括多個(gè)管芯的復(fù)合晶圓進(jìn)行切割，其中，在進(jìn)行切割步驟時(shí)所述復(fù)合晶圓接合在載具上。在切割步驟之后，將所述復(fù)合晶圓設(shè)置于膠帶上。然后從所述復(fù)合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。本發(fā)明還涉及用于載具剝離的方法。文檔編號(hào)H01L21/78GK103117250SQ20121019502公開(kāi)日2013年5月22日申請(qǐng)日期2012年6月13日優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日發(fā)明者王忠裕,洪瑞斌,陳志壕,蘇峻興,茅一超,葉宮辰,蔡宜霖,洪櫻姿,高金福,許仕逸,張進(jìn)傳,劉獻(xiàn)文,李隆華申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司