有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法；該器件包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述間隔層的材質(zhì)為低折射率材料按照5~20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料。本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，間隔層利用大納米尺寸的無(wú)機(jī)材料與低折射率無(wú)機(jī)材料進(jìn)行混合制備，使兩側(cè)發(fā)射的光散射到中間，再?gòu)捻敳筷帢O反射回到底部，同時(shí)，避免產(chǎn)生表面等離子激元波從而造成發(fā)光的損失。而使用低折射率的材料，可以使到達(dá)間隔層的光發(fā)生全反射，從而提高發(fā)光效率。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體材料，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時(shí)。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般是制備一層電子傳輸層來(lái)提高電子的傳輸速率，再制備一層電子注入層來(lái)提高電子的注入效率，而電子的傳輸速率通常比空穴的傳輸速率要低兩三個(gè)數(shù)量級(jí)，因此，通常都是將電子傳輸層進(jìn)行η摻雜，也即是將電子傳輸層進(jìn)行金屬摻雜，如Cs鹽摻雜到Bphen中，Li鹽摻雜到TPBi中，來(lái)提高電子傳輸速率，這種方法采用較多，且可有效提高電子傳輸速率，但是，速率提高的幅度不高，且厚度不能做得太薄(低于40nm),當(dāng)發(fā)光材料與金屬電極比較接近的時(shí)候,發(fā)光材料會(huì)與金屬電極產(chǎn)生稱合，對(duì)激子造成了損失(表面等離子激元波)，厚度太厚(高于100nm)，缺陷增多，電子陷阱的存在，會(huì)使電子或空穴進(jìn)入到陷阱內(nèi)，從而導(dǎo)致激子復(fù)合幾率降低，從而導(dǎo)致器件整體出光率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述間隔層的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉或氯化鈉；所述主體材料為大顆粒納米的氧化鋅、二氧化鈦、氧化鎂或硫化鋅。
[0008]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陽(yáng)極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
[0009]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩。
[0010]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。[0011]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁。
[0012]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸?shù)牟馁|(zhì)和輔助電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
[0013]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
[0014]所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金。
[0015]本發(fā)明還提供上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0017]S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5_15min，功率為10-50W ；
[0018]S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述間隔層的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉或氯化鈉；所述主體材料為大顆粒納米氧化鋅、二氧化鈦、氧化鎂或硫化鋅；
[0019]上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0020]本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，間隔層利用大納米尺寸的無(wú)機(jī)材料與低折射率無(wú)機(jī)材料進(jìn)行混合制備，使兩側(cè)發(fā)射的光散射到中間，再?gòu)捻敳筷帢O反射回到底部，同時(shí)，避免產(chǎn)生表面等離子激元波從而造成發(fā)光的損失。而使用低折射率的材料，可以使到達(dá)間隔層的光發(fā)生全反射，從而提高發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為實(shí)施例1和對(duì)比例I各自制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括依次層疊的陽(yáng)極基底1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、間隔層6、輔助電子傳輸層7、電子注入層8和陰極層9 ;其中，所述間隔層6的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂(MgF2),氟化鈣(CaF2),氟化鈉(NaF)或氯化鈉(NaCl)；所述主體材料為大顆粒納米氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO )或硫化鋅(ZnS )。
[0024]上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，間隔層6的厚度為5?20nm，優(yōu)選厚度為IOnm ;大納米顆粒的無(wú)機(jī)材料與低折射率材料制備而成，提高光散射和反射能力(利用大納米尺寸(200nm左右)的無(wú)機(jī)材料與低折射率無(wú)機(jī)材料(折射率低于1.7)進(jìn)行混合制備，納米顆粒較大，則有利于光的散射，使兩側(cè)發(fā)射的光散射到中間，再?gòu)捻敳筷帢O反射回到底部，同時(shí)，使光子方向得到重新分布，避免了與金屬陰極的自由電子產(chǎn)生耦合，產(chǎn)生表面等離子激元波從而造成發(fā)光的損失。而使用低折射率的材料，可以使到達(dá)間隔層的光發(fā)生全反射(低折射率材料折射率低于1.7，有機(jī)層折射率一般為1.7，因此光從有機(jī)層到達(dá)發(fā)光層會(huì)發(fā)生全反射)，從而提聞發(fā)光效率。
[0025]在上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，其它各功能層的材質(zhì)和厚度如下:
[0026]所述陽(yáng)極基底I為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0;
[0027]所述空穴注入層2的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),優(yōu)選為WO3 ;所述空穴注入層的厚度為20-80nm，優(yōu)選厚度為40nm ；
[0028]所述空穴傳輸層3的材料為1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州州，-二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，優(yōu)選為NPB ;所述空穴傳輸層的厚度為20_60nm，優(yōu)選厚度為40nmo
[0029]所述發(fā)光層4的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁(Alq3),優(yōu)選為Alq3 ;所述發(fā)光層的厚度為5_40nm,優(yōu)選厚度為15nm ；
[0030]所述電子傳輸層5的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為T(mén)AZ ;所述電子傳輸層5的厚度為40_80nm，優(yōu)選厚度為60nm ；
[0031]所述輔助電子傳輸層7的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為T(mén)PBi ;所述輔助電子傳輸層7的厚度為40-100nm,優(yōu)選厚度為60nm ；
[0032]所述電子注入層8的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，優(yōu)選為L(zhǎng)iF ;所述電子注入層的厚度為0.5-10nm，優(yōu)選厚度為Inm ；
[0033]所述陰極層9的材質(zhì)為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag ;所述陰極層的厚度為80-250nm，優(yōu)選厚度為150nm。
[0034]本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，間隔層利用大納米尺寸的無(wú)機(jī)材料與低折射率無(wú)機(jī)材料進(jìn)行混合制備，使兩側(cè)發(fā)射的光散射到中間，再?gòu)捻敳筷帢O反射回到底部，同時(shí)，避免產(chǎn)生表面等離子激元波從而造成發(fā)光的損失。而使用低折射率的材料，可以使到達(dá)間隔層的光發(fā)生全反射，從而提高發(fā)光效率。
[0035]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0036]S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0037]S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5_15min，功率為10-50W，用以提高功函數(shù)；
[0038]S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述間隔層6的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂(MgF2)，氟化鈣(CaF2)，氟化鈉(NaF)或氯化鈉(NaCl);所述主體材料為大顆粒納米氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)或硫化鋅(ZnS)；
[0039]上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0040]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0041]實(shí)施例1
[0042]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IT0/W03/NPB/A Iq3/TAZ/Zn0: MgF2/TPB i /LiF/Ag0
[0043]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0044]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0045]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為 30W ；
[0046]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為40nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為40nm)、發(fā)光層(材料為Alq3,厚度為15nm)、電子傳輸層(材料為T(mén)AZ ;厚度為60nm)、間隔層(材料為ZnO = MgF2 ；MgF2的摻雜質(zhì)量百分比為10% ;厚度為10nm)、輔助電子傳輸層(材料為T(mén)PBi ;厚度為60nm)、電子注入層(材料為L(zhǎng)iF，厚度為Inm)和陰極層(材料為Ag，厚度為150nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0047]實(shí)施例2
[0048]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:AZ0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Ti02:NaF/TAZ/Cs2C03/Au。
[0049]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0050]1、先將AZO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0051 ] 2、對(duì)清洗干凈后的AZO玻璃的AZO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5min，功率為50W ；
[0052]3、在AZO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為MoO3，厚度為20nm)、空穴傳輸層(材料為T(mén)APC，厚度為80nm)、發(fā)光層(材料為BCzVBi，厚度為40nm)、電子傳輸層(材料為T(mén)PBi ;厚度為40nm)、間隔層(材料為T(mén)iO2 = NaF ；NaF的摻雜質(zhì)量百分比為5% ;厚度為15nm)、輔助電子傳輸層(材料為T(mén)AZ ;厚度為40nm)、電子注入層(材料為Cs2CO3，厚度為IOnm)和陰極層(材料為Au，厚度為80nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0053]實(shí)施例3
[0054]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:ITO/ff03/TCTA/DCJTB/TAZ/MgO: NaCl/Bphen/CsN3/Al。
[0055]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0056]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0057]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為15min，功率為 IOff ；
[0058]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為80nm)、空穴傳輸層(材料為T(mén)CTA，厚度為20nm)、發(fā)光層(材料為DCJTB，厚度為5nm)、電子傳輸層(材料為T(mén)AZ ；厚度為40nm)、間隔層(材料為MgO = NaCl ；NaCl的摻雜質(zhì)量百分比為20% ;厚度為20nm)、輔助電子傳輸層(材料為Bphen ;厚度為lOOnm)、電子注入層(材料為CsN3,厚度為0.5nm)和陰極層(材料為Al，厚度為250nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0059]實(shí)施例4
[0060]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IZ0/V205/NPB/ADN/Bphen/ZnS: CaF2/Bphen/CsF/Pt。
[0061]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0062]1、先將IZO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0063]2、對(duì)清洗干凈后的IZO玻璃的IZO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為12min，功率為 25W ；
[0064]3、在IZO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為V2O5,厚度為25nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為55nm)、發(fā)光層(材料為ADN，厚度為10nm)、電子傳輸層(材料為Bphen ；厚度為45nm)、間隔層(材料為ZnS:CaF2 CaF2的摻雜質(zhì)量百分比為7% ;厚度為5nm)、輔助電子傳輸層(材料為Bphen ;厚度為70nm)、電子注入層(材料為CsF,厚度為5nm)和陰極層(材料為Pt，厚度為IOOnm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0065]對(duì)比例I
[0066]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為:IT0/W03/NPB/Alq3/TAZ/TPBi/LiF/Ag。
[0067]該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0068]1、先將ITO玻璃進(jìn)行光刻處理，接著剪裁成所需要的大小，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0069]2、對(duì)清洗干凈后的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為lOmin，功率為 30W ；
[0070]3、在ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層(材料為WO3，厚度為40nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為40nm)、發(fā)光層(材料為Alq3,厚度為15nm)、電子傳輸層(材料為T(mén)AZ ;厚度為60nm)、輔助電子傳輸層(材料為T(mén)PBi ;厚度為60nm)、電子注入層(材料為L(zhǎng)iF，厚度為Inm)和陰極層(材料為Ag，厚度為150nm);最后得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]以上各個(gè)實(shí)施例和對(duì)比例I所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào):2602)、電致發(fā)光光譜測(cè)試儀(美國(guó)photo research公司，型號(hào):PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號(hào):ST-86LA)。
[0072]圖2為實(shí)施例1和對(duì)比例I各自制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系曲線。
[0073]從附圖2上可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都比對(duì)比例I的要大，最大的流明效率為20.311m/W，而對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率僅為13.91m/W，而且對(duì)比例I的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說(shuō)明，在電子傳輸層與輔助電子傳輸層之間制備一層摻雜的間隔層，利用大納米尺寸的無(wú)機(jī)材料與低折射率無(wú)機(jī)材料進(jìn)行混合制備，有利于光的散射，同時(shí)，使光子方向得到重新分布，避免了與金屬陰極的自由電子產(chǎn)生耦合，產(chǎn)生表面等離子激元波從而造成發(fā)光的損失。同時(shí)，可以使到達(dá)間隔層的光發(fā)生全反射，從而提高發(fā)光效率。
[0074]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述間隔層的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉或氯化鈉；所述主體材料為大顆粒納米氧化鋅、二氧化鈦、氧化鎂或硫化鋅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極基底為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴或五氧化二fL。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸?shù)牟馁|(zhì)和輔助電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層的材質(zhì)為銀、招、鉬或金。
9.權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: S1、先將陽(yáng)極基底進(jìn)行光刻處理，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物； S2、對(duì)清洗干凈后的陽(yáng)極基底進(jìn)行氧等離子處理，處理時(shí)間為5-15min，功率為10-50W ； S3、在氧等離子處理后的陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、間隔層、輔助電子傳輸層、電子注入層和陰極層；其中，所述間隔層的材質(zhì)為低折射率材料按照5?20%的質(zhì)量百分比摻雜到主體材料中組成的摻雜混合材料；所述低折射率材料為氟化鎂、氟化鈣、氟化鈉或氯化鈉；所述主體材料為大顆粒納米氧化鋅、二氧化鈦、氧化鎂或硫化鋅； 上述工藝步驟完后，制得所所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103456894SQ201210174081
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司