專利名稱：?jiǎn)蚊娑穗姌O陶瓷電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于ー種單面端電極陶瓷電容及其復(fù)合堆棧組，尤其關(guān)于ー種兩個(gè)端電極均位于同一面上的陶瓷電容，以及使用多個(gè)陶瓷電容形成的復(fù)合堆棧組。
背景技術(shù)：
圖I為習(xí)知的陶瓷電容。陶瓷電容10位于電路板20上，并具有兩個(gè)端電極，分別為端電極30和端電極40。當(dāng)陶瓷電容10利用焊錫50焊接于電路板20上時(shí)，端電極30和端電極40外側(cè)的焊錫50各自還多占據(jù)了一部分空間，至少占了陶瓷電容10長(zhǎng)度的30%， 造成電路板20有效空間的浪費(fèi)，于是需要ー種新式的陶瓷電容，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供ー種陶瓷電容，包含第一面、第一金屬層、第二金屬層、第一陶瓷介電層、第一導(dǎo)電墊及第ニ導(dǎo)電墊；第一金屬層包含第一端電極；第二金屬層包含第二端電極，其中該第一端電極以及該第二端電極皆暴露于該第一面上；第一陶瓷介電層，其位于該第一金屬層與該第二金屬層之間；第一導(dǎo)電墊，位于該第一面上并電性連接該第一端電極，其中該第一金屬層與該第一導(dǎo)電墊彼此垂直；第二導(dǎo)電墊，位于該第一面上且與該第一導(dǎo)電墊相隔一定距離，并電性連接該第二端電極，其中該第二金屬層與該第二導(dǎo)電墊彼此垂直；其中該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學(xué)鍍內(nèi)層以及電鍍外層。根據(jù)上述的陶瓷電容，該第一金屬層與該第二金屬層皆為L(zhǎng)形，且以交錯(cuò)方式排列。根據(jù)上述的陶瓷電容，其更包含第三金屬層及第二陶瓷介電層；第三金屬層包含暴露于該第一面的第三端電極，且該第三端電極電性連接該第一導(dǎo)電墊；第二陶瓷介電層位于該第三金屬層與該第二金屬層之間。根據(jù)上述的陶瓷電容，該化學(xué)鍍內(nèi)層的材質(zhì)為鎳,該電鍍外層的材質(zhì)為錫。根據(jù)上述的陶瓷電容，該第一金屬層及該第二金屬層為/形。本發(fā)明另提供一種單面式陶瓷電容，包含第一面、第一金屬層、第二金屬層、第一陶瓷介電層、第一貫通道、第二貫通道、第一導(dǎo)電墊及第ニ導(dǎo)電墊；其中，第一金屬層與該第一面平行；第二金屬層，其與該第一金屬層平行；第一陶瓷介電層，其夾置于該第一金屬層與該第二金屬層之間；第一貫通道，與該第一金屬層電性連接且貫穿該第一陶瓷介電層，并部分暴露于該第一面上；第二貫通道，與該第一貫通道平行并電性連接該第二金屬層，又部分暴露于該第一面上 ，第一導(dǎo)電墊，位于該第一面上并電性連接該第一貫通道，其中該第一貫通道與該第一導(dǎo)電墊彼此垂直；第二導(dǎo)電墊，位于該第一面上且與該第一導(dǎo)電墊相隔ー定距離，并電性連接該第二貫通道，其中該第二貫通道與該第二導(dǎo)電墊彼此垂直。根據(jù)上述的單面式陶瓷電容，該第一金屬層與該第二貫通道電性絕緣，且該第二金屬層與該第一貫通道電性絕緣。根據(jù)上述的單面式陶瓷電容，其更包含第三金屬層及第二陶瓷介電層；第三金屬層，與該第二金屬層平行，并電性連接該第一貫通道又被該第一貫通道所貫穿，并與該第二貫通道電性絕緣；第二陶瓷介電層，其夾置于該第三金屬層與該第二金屬層之間，并為該第ニ貫通道所貫穿。根據(jù)上述的單面式陶瓷電容，該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學(xué)鍍內(nèi)層以及電鍍外層。根據(jù)上述的單面式陶瓷電容，該化學(xué)鍍內(nèi)層的材質(zhì)為鎳，該電鍍外層的材質(zhì)為錫。
本發(fā)明陶瓷電容的導(dǎo)電墊位置的新穎設(shè)計(jì)，可以占據(jù)較小的電路板空間。另外，本發(fā)明在陶瓷電容的兩相對(duì)面均設(shè)置有導(dǎo)電墊，該結(jié)構(gòu)可提供向上電性連接的可能性，十分適合解決現(xiàn)今電路體積縮小的要求。


圖I為ー種傳統(tǒng)的陶瓷電容。圖2為本發(fā)明陶瓷電容的ー示意圖。圖3為本發(fā)明陶瓷電容的組件爆炸圖。圖4為本發(fā)明陶瓷電容的ー實(shí)施方式。圖5為本發(fā)明的陶瓷電容用于表面黏著技術(shù)中。圖6為本發(fā)明單面式端電極陶瓷電容的示意圖。圖7為本發(fā)明陶瓷電容的另一示意圖。圖8為圖7所示的陶瓷電容的組件爆炸圖。圖9A為圖7所示的陶瓷電容的又ー實(shí)施方式。圖9B為圖7所示的陶瓷電容的再ー實(shí)施方式。圖10為圖7所示的陶瓷電容用于表面黏著技術(shù)中。圖11為本發(fā)明陶瓷電容中的導(dǎo)電墊由雙層金屬所組成。
具體實(shí)施例方式為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)ー步的了解，茲配合實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。本發(fā)明提出ー種改良的陶瓷電容，其具有多種的實(shí)施方式。圖2至圖5為本發(fā)明陶瓷電容的第一種實(shí)施例。首先，請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明陶瓷電容的示意圖。本發(fā)明的陶瓷電容100可以為長(zhǎng)方體或是立方體，而且還具有多個(gè)面。于此任意選擇其中的某一面作為代表性的第一面101。第一面101可以具有多種尺寸，例如I. O毫米* O. 5毫米、O. 6毫米* O. 3毫米、O. 4毫米* O. 2毫米...等等。本發(fā)明的陶瓷電容100具有向外電連接用，例如與電路板(圖未示)上的電路電連接用的第一導(dǎo)電墊103與第二導(dǎo)電墊104。本發(fā)明特征之ー在于第一導(dǎo)電墊103與第ニ導(dǎo)電墊104同時(shí)位于外殼的同一面上，并相隔一特定距離，例如O. 2毫米至O. 4毫米，但不以此為限。圖2為第一導(dǎo)電墊103與第二導(dǎo)電墊104同時(shí)位于代表性的第一面101上。第一導(dǎo)電墊103與第二導(dǎo)電墊104可以分別由雙層金屬所組成，例如由內(nèi)層鎳與外層錫所組成的雙層金屬，請(qǐng)參考圖11，雙層金屬的內(nèi)層鎳1031與內(nèi)層鎳1041可以由化學(xué)鍍的方式形成，外層錫1032與外層錫1042則可以由電鍍的方式來(lái)形成，雙層金屬的形成方式本發(fā)明亦不以此為限。化學(xué)鍍層與電鍍層在材料性質(zhì)上并不相同，因此而有明顯區(qū)別。例如，化學(xué)鍍的電子來(lái)源為化學(xué)鍍液的氧化還原反應(yīng)，鍍上被鍍物的鎳來(lái)源為化學(xué)鍍液。化學(xué)鎳的運(yùn)作過(guò)程中不需通電?；瘜W(xué)鎳鍍層通常為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，內(nèi)應(yīng)カ較低，且鍍層均勻性較佳。以化學(xué)特性而言，耐蝕性較佳，熔點(diǎn)較低。以本例而言，化學(xué)鍍層厚度約在10 20 μ m?；瘜W(xué)鍍的上鍍性較佳，比較容易在非導(dǎo)電材質(zhì)上鍍。另外，電鍍需要外加電源提供電子，且鍍層離子來(lái)源也是外加提供。電鍍層通常為晶質(zhì)結(jié)構(gòu)。以本例而言，鍍層厚度通常在3 10 μ m。
本發(fā)明另ー特征在于雙層金屬中不含貴金屬，例如不含銀、銅或是鈀，所以可以降低生產(chǎn)成本。如圖2所示，第一導(dǎo)電墊103與第二導(dǎo)電墊104可以分別具有極小的面積或厚度。例如，第一導(dǎo)電墊103或第二導(dǎo)電墊104的面積尺寸可以是(O. 2-0. 15)毫米*(O. 2-0. 25)毫米。另ー方面，第一導(dǎo)電墊103或第二導(dǎo)電墊104的厚度尺寸可以是10至20微米。本發(fā)明的陶瓷電容100中具有多層的金屬層，并使用陶瓷材料作為介電層。圖3為本發(fā)明陶瓷電容的組件爆炸圖。本發(fā)明的陶瓷電容100中至少具有第一金屬層110、第一端電極111、第二金屬層120、第二端電極122、頂面介電層108、底面介電層109與第一陶瓷介電層130。較佳者，第一金屬層110與第二金屬層120均為極薄的金屬層,且分別位于第一陶瓷介電層130的相對(duì)兩面上。第一金屬層110具有第一端電極111，使得第一金屬層110與第一端電極111形成L形。類似地，第二金屬層120具有第二端電極122，使得第二金屬層120與第二端電極122也形成L形。第一金屬層110與第二金屬層120可以包含鎳、銅或是銀。前述的第一導(dǎo)電墊103電連接并覆蓋第一端電極111，而第二導(dǎo)電墊104則電連接并覆蓋第二端電極122，因此第一金屬層110會(huì)與第一導(dǎo)電墊103彼此垂直，類似地，第二金屬層120也會(huì)與第二導(dǎo)電墊104彼此垂直。由于第一金屬層110與第二金屬層120的特定排列方式，例如交錯(cuò)方式排列，所以可以使得第一端電極111與第二端電極122同時(shí)位于并暴露于第一面101上。位于第一金屬層110與第二金屬層120之間第一陶瓷介電層130則作為絕緣之用。第一陶瓷介電層130可以使用介電陶瓷粉末燒結(jié)而成。例如,第一陶瓷介電層130可以使用鈦酸鋇或鋯酸鈣系列配方粉末燒結(jié)而成。在本發(fā)明ー實(shí)施方式中，陶瓷電容100還可以包含多組的金屬層與陶瓷介電層，例如頂面介電層108、底面介電層109、第三金屬層140與第二陶瓷介電層150等等，如圖3與圖4所示。一般說(shuō)來(lái)，陶瓷電容100中的金屬層越多，單面式端電極陶瓷電容100的電容值就可以越大，例如從100奈法拉第(nF)到I微法拉第(μ F)不等。陶瓷電容100中可有大約70層或是多達(dá)150層的金屬層。
第三金屬層140類似前述的第一金屬層110與第二金屬層120,亦包含位于第一面101的第三端電極143，且第三端電極143亦電性連接第一導(dǎo)電墊103或是第二導(dǎo)電墊104。頂面介電層108與底面介電層109則是分別覆蓋第一金屬層110與最末金屬層107,而第二陶瓷介電層150則類似前述的第一陶瓷介電層130，其位置介于第三金屬層140與第ニ金屬層120之間，作為絕緣之用。當(dāng)本發(fā)明的陶瓷電容100用于表面黏著技術(shù)中時(shí)，即可以將第一面101向下，如圖5所示，使得第一導(dǎo)電墊103或是第二導(dǎo)電墊104通過(guò)表面黏著技術(shù)的焊錫170，與基板160 (例如電路板)上的導(dǎo)電墊161、導(dǎo)電墊162相互電性連結(jié)。圖6為本發(fā)明單面式端電極陶瓷電容的示意圖，其中的金屬層、陶瓷介電層與導(dǎo)電墊彼此平行，但與貫通道垂直排列。本發(fā)明的單面式端電極陶瓷電容200中至少具有第一面201、外殼205、第一金屬層210、第二金屬層220、第一陶瓷介電層230、第一貫通道261 與第二貫通道262。較佳者，第一金屬層210與第二金屬層220均為極薄的金屬層,而分別位于第一陶瓷介電層230的相對(duì)兩面上。與前述實(shí)施例不同之處在于，本實(shí)施例第一金屬層210與第ニ金屬層220均不具有端電極，而改以第一貫通道261與第二貫通道262。第一金屬層210與第二金屬層220可以包含鎳、銅或是銀。前述的第一貫通道261直接貫穿第一陶瓷介電層230，并選擇性只與第一金屬層210電性連接而與第二金屬層220電性絕緣。部分的第一貫通道261還會(huì)暴露于第一面201上。另外，第二貫通道262則與第一貫通道261平行，并選擇性只與第二金屬層220電性連接而與第一金屬層210電性絕緣。部分的第二貫通道262還會(huì)暴露于第一面201上。第一貫通道261與第二貫通道262皆和第一金屬層210及第ニ金屬層220垂直排列，所以第一貫通道261與第二貫通道262亦與第一面201垂直排列。第一貫通道261與第二貫通道262皆包含導(dǎo)電材料，例如鋁、銅或是銀。第一貫通道261與第二貫通道262的導(dǎo)電材料可以與第一金屬層210及第ニ金屬層220者相同或是不同。第一導(dǎo)電墊203位于第一面201上，電連接并覆蓋暴露于第一面201上的第一貫通道261。第二導(dǎo)電墊204亦位于第一面201上，電連接并覆蓋暴露于第一面201上的第二貫通道262，因此第一金屬層210與第一導(dǎo)電墊203彼此平行，類似地，第二金屬層220也與第二導(dǎo)電墊204彼此平行。第一導(dǎo)電墊203與第二導(dǎo)電墊204同時(shí)位于外殼205的同一面上，并相隔一定距離，例如O. 2毫米至O. 4毫米。第一導(dǎo)電墊203與第二導(dǎo)電墊204可以分別具有極小的面積或厚度。例如,第一導(dǎo)電墊103與第二導(dǎo)電墊104的尺寸可以是第一面201同方向尺寸的1/4以下，例如介于1/4至1/5之間。第一導(dǎo)電墊203與第二導(dǎo)電墊204可以分別由雙層金屬所組成，例如由內(nèi)層鎳與外層錫所組成的雙層金屬，請(qǐng)參考圖11，雙層金屬的內(nèi)層鎳1031與內(nèi)層鎳1041可以由化學(xué)鍍的方式形成，外層錫1032與外層錫1042則可以由電鍍的方式來(lái)形成?；瘜W(xué)鍍層與電鍍層在材料性質(zhì)上并不相同，因此而有明顯區(qū)別。由于第一金屬層210與第二金屬層220的特定排列方式，例如交錯(cuò)方式排列，所以可以使得第一貫通道261選擇性只與第一金屬層210電性連接而與第二金屬層220電性絕緣，又第二貫通道262選擇性只與第二金屬層220電性連接而與第一金屬層210電性絕緣。于是，第一貫通道261與第二貫通道262成為金屬層和導(dǎo)電墊之間電性連接的媒介。位于第一金屬層210與第二金屬層220之間第一陶瓷介電層230,會(huì)被第一貫通道261貫穿，但是不會(huì)被第二貫通道262貫穿，作為第一金屬層210與第二金屬層220電性絕緣之用。第一陶瓷介電層230的材料可以與外殼205的材料相同，使用介電陶瓷粉末燒結(jié)而成。例如，第一陶瓷介電層230可以使用鈦酸鋇或鋯酸鈣系列配方粉末燒結(jié)而成。在本發(fā)明實(shí)施方式中，單面式端電極陶瓷電容200還可以包含多組的金屬層與陶瓷介電層，例如第三金屬層240、第二陶瓷介電層250、第四金屬層270與第三陶瓷介電層280等等，如圖6所示。一般說(shuō)來(lái)，單面式端電極陶瓷電容200中的金屬層越多，單面式端電極陶瓷電容200的電容值就可以越大，例如從100奈法拉第(nF)到I微法拉第(μ F)不等。單面式端電極陶瓷電容200中可有大約70層或是多達(dá)150層的金屬層。第三金屬層240與第四金屬層270類似前述的第一金屬層210與第二金屬層220,亦分別選擇性電性連接第一貫通道261或是第二貫通道262，而第二陶瓷介電層250與第三陶瓷介電層280則類似前述的第一陶瓷介電層230，其位置分別夾置于第三金屬層240與第ニ金屬層220以及第三金屬層240與第四金屬層270之間，作為絕緣之用。第三金屬層240會(huì)被第一貫通道261所貫穿，而第四金屬層270會(huì)被第二貫通道262所貫穿。第二陶瓷介電層250會(huì)被第一貫通道261所貫穿，而第三陶瓷介電層280則會(huì)被第二貫通道262所貫穿。本發(fā)明的單面式端電極陶瓷電容200其余的敘述，請(qǐng)參見先前單面式端電極陶瓷電容·100的說(shuō)明。當(dāng)本發(fā)明的單面式端電極陶瓷電容200用于表面黏著技術(shù)中吋，即可以將第一面201向下，使得第一導(dǎo)電墊203或是第二導(dǎo)電墊204通過(guò)表面黏著技術(shù)的焊錫(圖未示)與基板(例如電路板)上的導(dǎo)電墊相互電性連結(jié)。此時(shí)，第一面201、第一金屬層210、第二金屬層220、第三金屬層240與第四金屬層270皆與基板的表面平行,第一貫通道261與第二貫通道262則皆與基板的表面垂直。在本發(fā)明實(shí)施例中，陶瓷電容另可以包含位干與第一面相對(duì)的第二面上的第三導(dǎo)電墊與第四導(dǎo)電墊，以增加另外一面對(duì)外電性連接的可能性。圖7為本發(fā)明陶瓷電容300的示意圖。本發(fā)明的陶瓷電容300可以為長(zhǎng)方體或是立方體，而且還具有多個(gè)面。于此任意選擇其中的某一面作為代表性的第一面301，以及與第一面301相対的第二面302。第一面101或是第二面302可以具有多種尺寸，例如I. O毫米* O. 5毫米、O. 6毫米* O. 3毫米、O. 4毫米* O. 2毫米...等等。第一導(dǎo)電墊303與第二導(dǎo)電墊304位于第一面301上，而第三導(dǎo)電墊305與第四導(dǎo)電墊306位于第二面302上。如圖8所示，本發(fā)明的陶瓷電容300，除了前述的第一面301與第二面302以外，還包含第一金屬層310、第一端電極311、第二端電極312、第二金屬層320、第三端電極323、第四端電極324、頂面介電層308、底面介電層309與第一陶瓷介電層330。第一金屬層310、第一端電極311、第二端電極312、第二金屬層320、第三端電極323、第四端電極324與第一陶瓷介電層330等部分，均同時(shí)位于陶瓷電容300之中。請(qǐng)參閱圖8，其為本發(fā)明陶瓷電容300的組件爆炸圖。較佳的，第一金屬層310與第二金屬層320均為極薄的金屬層,而分別位于第一陶瓷介電層330的相對(duì)兩面上。第一金屬層310具有兩個(gè)彼此相対的端電極，也就是第一端電極311以及與第一端電極311對(duì)角方向相對(duì)的第二端電極312。第一端電極311位于并暴露于第一面301上,而第二端電極312則位于并暴露于第二面302上。由于第二面302與第一面302相對(duì),所以第一金屬層310具有兩個(gè)彼此相対的端電極311與端電極312。類似地，第二金屬層320具有兩個(gè)彼此于對(duì)角方向上相對(duì)的端電極323與端電極324,也就是位于并暴露于第一面301的第三端電極323以及位于并暴露于第二面302的第四端電極324。如此ー來(lái)，第一金屬層310以及第ニ金屬層320各別均為/形。第一金屬層310與第二金屬層320可以包含鎳、銅或是銀。第一陶瓷介電層330位于第一金屬層310與第二金屬層320之間，作為絕緣之用。第一陶瓷介電層330可以使用介電陶瓷粉末燒結(jié)而成。例如，第一陶瓷介電層330可以使用鈦酸鋇或鋯酸鈣系列配方粉末燒結(jié)而成。類似于前述的陶瓷電容100，陶瓷電容300亦具有位于第一面301上并電性連接第一端電極311的第一導(dǎo)電墊303,以及位于第一面301上并電性連接第三端電極323的第二導(dǎo)電墊304，如此還會(huì)使得第一導(dǎo)電墊303及第ニ導(dǎo)電墊304分別與第一金屬層310垂直。此外，第二導(dǎo)電墊304與第一導(dǎo)電墊303還相隔一特定距離，例如O. 2毫米至O. 4毫米，但不以此為限。從外觀上來(lái)看，如圖8所所示，第一導(dǎo)電墊303覆蓋第一端電極311，而第二導(dǎo)電墊304則覆蓋第三端電極323。
另外，本發(fā)明的陶瓷電容300的第一金屬層310與第二金屬層320，還分別具有同時(shí)位于并暴露于第二面302上的第二端電極312以及第四端電極324。第三導(dǎo)電墊305以及第四導(dǎo)電墊306類似于前述的第一導(dǎo)電墊303與第二導(dǎo)電墊304，會(huì)分別覆蓋并電連接于第二端電極312以及第四端電極324。同時(shí)位于第二面302上第三導(dǎo)電墊305以及第四導(dǎo)電墊306相隔ー特定距離，例如O. 2毫米至O. 4毫米，但不以此為限，根據(jù)實(shí)際需要可適當(dāng)調(diào)整。此外，第二導(dǎo)電墊304及第四導(dǎo)電墊306還分別與第二金屬層320垂直。在本發(fā)明另ー實(shí)施方式中，如圖9A所示，陶瓷電容300亦類似于前述的陶瓷電容100，更包含多組的金屬層與陶瓷介電層。例如第三金屬層340、頂面介電層308、底面介電層309與第二陶瓷介電層350等等。一般說(shuō)來(lái)，陶瓷電容300中的金屬層越多，電容值就可以越大，例如從100奈法拉第(nF)到I微法拉第(μ F)不等。陶瓷電容300中可有大約70層或是多達(dá)150層的金屬層。請(qǐng)同時(shí)參考圖9Α與圖9Β，第三金屬層340類似于前述的第一金屬層310以及第ニ金屬層320,亦具有分別暴露于第一面301與第二面302的兩個(gè)端點(diǎn)，也就是位于第一面301的第五端電極345以及位于第二面302的第六端電極346，所以第三金屬層340亦為丁形。第五端電極345電性連接第一導(dǎo)電墊303,而第六端電極346電性連接第三導(dǎo)電墊305。頂面介電層308與底面介電層309則是分別覆蓋第一金屬層310與最末金屬層307。另外，類似于第一陶瓷介電層330，第二陶瓷介電層350則夾置于第三金屬層340與第二金屬層320之間，作為絕緣之用。在本發(fā)明另ー實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電墊303、第二導(dǎo)電墊304、第三導(dǎo)電墊305與第四導(dǎo)電墊306是由雙層金屬所組成，例如內(nèi)層鎳與外層錫所組成的雙層金屬。此雙層金屬的制作可以化學(xué)鍍制作內(nèi)層鎳，以電鍍方式形成外層錫。本發(fā)明特征之ー在于雙層金屬中不含貴金屬，例如不含銀、銅或是鈀。各導(dǎo)電墊可以具有極小的面積或厚度。例如，面積尺寸可以是(O. 2-0. 15)毫米* (O. 2-0. 25)毫米。另ー方面，各導(dǎo)電墊的厚度可以是10至20微米。化學(xué)鍍層與電鍍層在材料性質(zhì)上并不相同，因此而有明顯區(qū)別。例如，化學(xué)鍍的電子來(lái)源為化學(xué)鍍液的氧化還原反應(yīng)，鍍上被鍍物的鎳來(lái)源為化學(xué)鍍液。化學(xué)鎳的運(yùn)作過(guò)程中不需通電?；瘜W(xué)鎳鍍層通常為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，內(nèi)應(yīng)カ較低，且鍍層均勻性較佳。以化學(xué)特性而言，耐蝕性較佳，熔點(diǎn)較低。以本例而言，化學(xué)鍍層厚度約在10 20 μ m?；瘜W(xué)鍍的上鍍性較佳，比較容易在非導(dǎo)電材質(zhì)上鍍。另外，電鍍需要外加電源提供電子，且鍍層離子來(lái)源也是外加提供。電鍍層通常為晶質(zhì)結(jié)構(gòu)。以本例而言，鍍層厚度通常在3 10 μ m。本發(fā)明的陶瓷電容300不僅具有向下電連接的功能，還有向上電連接的功能。如圖10所示，當(dāng)本發(fā)明的陶瓷電容300內(nèi)埋于電路板360與電路板370中時(shí)，即可以將第一面301向下,通過(guò)表面黏著技術(shù),使第一導(dǎo)電墊303及第ニ導(dǎo)電墊304分別與第一層360上的導(dǎo)電墊361、導(dǎo)電墊362相互電性連結(jié)，第二面302向上，使得第三導(dǎo)電墊305以及第四導(dǎo)電墊306分別與電路板370上的導(dǎo)電墊371、導(dǎo)電墊372相互電性連結(jié)?？偨Y(jié)本發(fā)明的多種實(shí)施方式，由于本發(fā)明陶瓷電容的導(dǎo)電墊位置的新穎設(shè)計(jì)，而可以占據(jù)較小的電路板空間。另外，本發(fā)明在陶瓷電容雙面均設(shè)計(jì)有導(dǎo)電墊的，該結(jié)構(gòu)可提 供向上電性連接的可能性，十分適合解決現(xiàn)今電路體積縮小的要求。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已揭露的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作的更動(dòng)與潤(rùn)飾，均屬本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種陶瓷電容，其特征在于，包含 第一面； 第一金屬層，包含第一端電極； 第二金屬層，包含第二端電極，其中該第一端電極以及該第二端電極皆暴露于該第一面上； 第一陶瓷介電層，其位于該第一金屬層與該第二金屬層之間； 第一導(dǎo)電墊，位于該第一面上并電性連接該第一端電極，其中該第一金屬層與該第一導(dǎo)電墊彼此垂直；以及 第二導(dǎo)電墊，位于該第一面上且與該第一導(dǎo)電墊相隔一定距離，并電性連接該第二端電極，其中該第二金屬層與該第二導(dǎo)電墊彼此垂直； 其中該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學(xué)鍍內(nèi)層以及電鍍外層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容，其特征在于，該第一金屬層與該第二金屬層皆為L(zhǎng)形，且以交錯(cuò)方式排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容，其特征在于，更包含 第三金屬層，并包含暴露于該第一面的第三端電極，且該第三端電極電性連接該第一導(dǎo)電墊；以及 第二陶瓷介電層，其位于該第三金屬層與該第二金屬層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容，其特征在于，該化學(xué)鍍內(nèi)層的材質(zhì)為鎳，該電鍍外層的材質(zhì)為錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷電容，其特征在于，該第一金屬層及該第二金屬層為/形。
6.ー種單面式陶瓷電容，其特征在于，包含 第一面； 第一金屬層，其與該第一面平行； 第二金屬層，其與該第一金屬層平行； 第一陶瓷介電層，其夾置于該第一金屬層與該第二金屬層之間； 第一貫通道，與該第一金屬層電性連接且貫穿該第一陶瓷介電層，并部分暴露于該第一面上； 第二貫通道，與該第一貫通道平行并電性連接該第二金屬層，又部分暴露于該第一面上； 第一導(dǎo)電墊，位于該第一面上并電性連接該第一貫通道，其中該第一貫通道與該第一導(dǎo)電墊彼此垂直；以及 第二導(dǎo)電墊，位于該第一面上且與該第一導(dǎo)電墊相隔一定距離，并電性連接該第二貫通道，其中該第二貫通道與該第二導(dǎo)電墊彼此垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單面式陶瓷電容，其特征在干，該第一金屬層與該第二貫通道電性絕緣，且該第二金屬層與該第一貫通道電性絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單面式陶瓷電容，其特征在于，更包含 第三金屬層，與該第二金屬層平行，并電性連接該第一貫通道又被該第一貫通道所貫穿，并與該第二貫通道電性絕緣；以及 第二陶瓷介電層，其夾置于該第三金屬層與該第二金屬層之間，并為該第二貫通道所貫穿。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單面式陶瓷電容，其特征在于，該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學(xué)鍍內(nèi)層以及電鍍外層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陶瓷電容，其特征在于，該化學(xué)鍍內(nèi)層的材質(zhì)為鎳，該電鍍外層的材質(zhì)為錫。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種陶瓷電容，包含第一面；第一金屬層，包含第一端電極；第二金屬層，包含第二端電極，其中該第一端電極以及該第二端電極皆暴露于該第一面上；第一陶瓷介電層，位于該第一金屬層與該第二金屬層之間；第一導(dǎo)電墊，位于該第一面上并電性連接該第一端電極，其中該第一金屬層與該第一導(dǎo)電墊彼此垂直；以及第二導(dǎo)電墊，位于該第一面上且與該第一導(dǎo)電墊相隔一定距離，并電性連接該第二端電極，其中該第二金屬層與該第二導(dǎo)電墊彼此垂直；其中該第一導(dǎo)電墊與該第二導(dǎo)電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學(xué)鍍內(nèi)層以及電鍍外層，藉由本發(fā)明陶瓷電容的導(dǎo)電墊位置的新穎設(shè)計(jì)，而可以占據(jù)較小的電路板空間。
文檔編號(hào)H01G4/30GK102683009SQ20121016044
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者吳旻修, 羅立偉, 許家銘 申請(qǐng)人:蘇州達(dá)方電子有限公司, 達(dá)方電子股份有限公司