技術(shù)特征：
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括：一基板；一陰極配置于所述基板之上；一電子注入層直接配置于所述陰極之上，其中所述電子注入層包括一低功函數(shù)金屬層，以及一具有載子注入能力的金屬氧化物；一發(fā)光層配置于所述電子注入層之上；一n型摻雜的電子傳輸層，配置于所述電子注入層與所述發(fā)光層之間，其中所述n型摻雜的電子傳輸層經(jīng)由以一摻雜物摻雜一電子傳輸材料而得，所述摻雜物為堿金屬氮化物、堿金屬醋酸鹽、或堿金屬硝酸鹽，且所述摻雜物的重量百分比介于1-50wt％之間，以所述n型摻雜的電子傳輸層的總重為基準(zhǔn)；以及一陽(yáng)極配置于所述發(fā)光層之上。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬層具有一功函數(shù)小于或等于4.0eV。3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬層包括鋰、鈉、鉀、銅、鎂、鈣、或其合金。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述具有載子注入能力的金屬氧化物包括氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化鐵、氧化釩、或其組合。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜物為氮化鋰、醋酸鋰、或硝酸鋰。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜物為氮化銫、醋酸銫、或硝酸銫。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述具有載子注入能力的金屬氧化物的厚度介于之間。8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管為下發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管，且所述陰極為透明或半透明電極。9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬層的厚度介于之間。10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管為上發(fā)光式有機(jī)發(fā)光二極管，且所述陽(yáng)極為透明或半透明電極。11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬層的厚度介于之間。12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管更包括：一空穴傳輸層配置于所述發(fā)光層與所述陽(yáng)極之間。13.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括：多個(gè)的像素，其中每一像素包括：如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管；以及一晶體管，與所述有機(jī)發(fā)光二極管耦接。14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于，所述晶體管為一n型晶體管，且所述晶體管的一漏極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極電性連結(jié)。