專(zhuān)利名稱(chēng)：光電二極管、光感測(cè)組件及光電二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種光電組件，且特別是有關(guān)于一種含有光電二極管的光感測(cè)組件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)行的光感應(yīng)器多為非晶硅光電二極管。因非晶硅具有光電特性，故可通過(guò)這一特性來(lái)做為光感測(cè)組件的感光組件。目前，因非晶硅材料具有光電性質(zhì)，所以大部分的非晶硅常摻雜3A族與5A族材料，并制作成PIN(p-intrinsic-n)型光電二極管(photodiode)。然而,上述光電二極管與薄膜晶體管搭配而成的光感測(cè)組件(TFT photodiode sensor)對(duì)紫外光(UV光)與可見(jiàn)光都具有光電特性，故不易分辨出UV光的感測(cè)。因此使傳統(tǒng)PIN型光電二極管的應(yīng)用上與產(chǎn) 能上，皆有其發(fā)展限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光電二極管、光感測(cè)組件及光電二極管的制造方法。因此，本發(fā)明的一方面是在提供一種光電二極管，其包含在基板上依序配置下電極、N型半導(dǎo)體層、本質(zhì)半導(dǎo)體層以及上電極。其中N型半導(dǎo)體層包含N型非晶型銦鎵鋅氧化物，本質(zhì)半導(dǎo)體層包含本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，且本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量高于N型非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，上述光電二極管還包含P型半導(dǎo)體層，配置于本質(zhì)半導(dǎo)體層與上電極之間。其中P型半導(dǎo)體層的材料為鋁氮鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鋰鋅氧化物、砷鋅氧化物或銻鋅氧化物。本發(fā)明的又一方面是提供一種光感測(cè)組件。其光感測(cè)組件包含如下。在該基板上依序設(shè)置柵極、柵介電層與半導(dǎo)體通道層。在半導(dǎo)體通道層兩端上設(shè)置源極/漏極。在漏極上配置光電二極管，其包含在漏極上依序設(shè)置N型半導(dǎo)體層、本質(zhì)半導(dǎo)體層與上電極。其中N型半導(dǎo)體層包含N型非晶型銦鎵鋅氧化物，本質(zhì)半導(dǎo)體層包含本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，且本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量高于N型非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，上述光感測(cè)組件的光電二極管，又包含P型半導(dǎo)體層，且配置于本質(zhì)半導(dǎo)體層與上電極之間。依據(jù)一實(shí)施方式，本案使用非晶型銦鎵鋅氧化物材料來(lái)制備光電二極管，其銦鎵鋅氧化物不但具有光電特性，且其載子遷移率遠(yuǎn)大于已知光電二極管所使用的氫化非晶硅。此外，銦鎵鋅氧化物只吸收UV光，因此可讓可見(jiàn)光穿透。所以，可改善已知光電二極管不易分辨UV光與可見(jiàn)光的問(wèn)題。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，光電二極管的制造方法包含 提供一濺鍍靶材混合物，其包含銦氧化物、鎵氧化物與鋅氧化物；以及在含有氧氣與氬氣的氣體環(huán)境進(jìn)行一連續(xù)濺鍍制程，以于該下電極上連續(xù)形成該N型半導(dǎo)體層與該本質(zhì)半導(dǎo)體層，其中濺鍍?cè)揘型半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例低于濺鍍?cè)摫举|(zhì)半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例。上述發(fā)明內(nèi)容旨在提供本發(fā)明的簡(jiǎn)化摘要，以使閱讀者對(duì)本發(fā)明具備基本的理解。此發(fā)明內(nèi)容并非本發(fā)明的完整概述，且其用意并非在指出本發(fā)明實(shí)施例的重要/關(guān)鍵組件或界定本發(fā)明的范圍。在參閱下文實(shí)施方式后，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者當(dāng)可輕易了解本發(fā)明的基本精神及其它發(fā)明目的，以及本發(fā)明所采用的技術(shù)手段與實(shí)施方式。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下圖I是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種光電二極管剖面示意圖；
圖2是繪示依照本發(fā)明另實(shí)施方式的一種光電二極管剖面示意圖；圖3A-3E是繪依序依照本發(fā)明的一實(shí)施方式的一種光感測(cè)組件的制備流程剖面結(jié)構(gòu)示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明100、200、320 :光電二極管110、311 :基板120、220:下電極130、230、322 :N 型半導(dǎo)體層130,230,323 :本質(zhì)半導(dǎo)體層260,326 P 型半導(dǎo)體300 :光感測(cè)組件310 :薄膜晶體管312 :柵極313 :半導(dǎo)體通道層315a :源極315b :漏極330 :保護(hù)層340:導(dǎo)電層350:上電極
具體實(shí)施例方式下面將更詳細(xì)地討論本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，此實(shí)施方式可為各種發(fā)明概念的應(yīng)用，可被具體實(shí)行在各種不同特定的范圍內(nèi)。特定的實(shí)施方式是僅以說(shuō)明為目的，且不受限于揭露的范圍。光電二極管的結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D1，其是繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的肖特基型(Schottky)光電二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在圖I中，肖特基型光電二極管100包含基板110、下電極120、N型半導(dǎo)體層130、本質(zhì)半導(dǎo)體層140與上電極150?；?10可選擇透光或不透光材料。根據(jù)一實(shí)施方式，透光材質(zhì)的基板110可為玻璃或石英。根據(jù)另一實(shí)施方式，不透光材質(zhì)的基板110可為耐熱性塑料。下電極120的材料可為導(dǎo)電材料，如金屬或摻雜多晶硅。N型半導(dǎo)體層130的材料為N型非晶型銦鎵鋅氧化物，依據(jù)一實(shí)施例，N型半導(dǎo)體層130的厚度約為300-5000A。本質(zhì)半導(dǎo)體層140的材料為本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，其含氧量高于上述N型非 晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量。基本上，本質(zhì)半導(dǎo)體層140的厚度大于N型半導(dǎo)體層130的厚度。依據(jù)一實(shí)施方式，本質(zhì)半導(dǎo)體層140的厚度為1-5 iim。上電極150為透明的導(dǎo)電材料，例如可為錫銦氧化物(SnInOx)或錫銻氧化物(SnSbOx)。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其是繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的NIP型光電二極管結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在圖2中，NIP型光電二極管200中的基板210、下電極220、N型半導(dǎo)體層230、本質(zhì)半導(dǎo)體層240與上電極250與圖I中肖特基型光電二極管100的基板110、下電極120、N型半導(dǎo)體層130、本質(zhì)半導(dǎo)體層140與上電極150結(jié)構(gòu)相似。因此為了讓文字簡(jiǎn)潔故，不再詳細(xì)敘述之。在NIP型光電二極管200結(jié)構(gòu)中，多增加一 P型半導(dǎo)體層260，其配置在本質(zhì)半導(dǎo)體層240及上電極250之間。上述P型半導(dǎo)體層260的材料是由鋁氮鋅氧化物(AlNZnOx)、鋁鋅氧化物(AlZnOx)、鋰鋅氧化物(LiZnOx)、砷鋅氧化物(AsZnOx)或鋪鋅氧化物(SbZnOx)所組成的族群?；旧希琍型半導(dǎo)體層260的厚度與N型半導(dǎo)體層的厚度相仿。依據(jù)一實(shí)施方式，P型半導(dǎo)體層260的厚度為300-5000人。光感測(cè)組件的結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D3E，其繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的光感測(cè)組件300的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。光感測(cè)組件300的結(jié)構(gòu)包含位于基板311上的薄膜晶體管310以及光電二極管320。上述薄膜晶體管310包含柵極312、柵介電層313、半導(dǎo)體通道層314、源極315a以及漏極315b。上述薄膜晶體管310的較詳細(xì)結(jié)構(gòu)如下所述。在基板311上配置柵極312。在柵極312與基板311上配置柵介電層313。在柵極312正上方的柵介電層313上，配置半導(dǎo)體信道層314。在柵介電層313上與半導(dǎo)體通道層314的兩端上配置源極315a與漏極315b。在漏極315b上配置光電二極管320。實(shí)作上，基板311可因應(yīng)用性不同，可選擇透光或不透光材料。根據(jù)一實(shí)施方式，透光材質(zhì)的基板311可為玻璃或石英。根據(jù)另一實(shí)施方式，不透光材質(zhì)的基板311可為耐熱性塑料。柵極312的材料通常為導(dǎo)電材料，如金屬、合金、硅化金屬、氮化金屬或摻雜多晶娃。上述的金屬例如可為鑰、鉻、銅或招。上述的合金例如可為鑰鉻合金(MoCr)或招釹合金(AlNd)。上述的娃化金屬例如可為娃化鈦、娃化鈷、娃化鎳或娃化鉭。上述的氮化金屬例如可為氮化鈦或氮化鉭。柵介電層313的材料通常為具有高介電常數(shù)的介電材料。根據(jù)一實(shí)施方式，柵介電層313的材料例如可為氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。半導(dǎo)體通道層314材料例如可為非晶硅、氫化非晶硅或本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物。也可依應(yīng)用所需，選擇摻雜一些摻質(zhì)。舉例來(lái)說(shuō)，非晶硅可摻雜N型摻質(zhì)，使其成為N型非晶硅。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，上述半導(dǎo)體信道層314包含本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物。源極315a與漏極315b的材料通常為導(dǎo)電材料,如金屬、合金、娃化金屬、氮化金屬或摻雜多晶硅。上述的金屬例如可為鑰、鉻、銅或鋁。上述的合金例如可為鑰鉻合金(MoCr)或鋁釹合金(AlNd)。上述的硅化金屬例如可為硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳或硅化鉭。上述的氮化金屬例如可為氮化鈦或氮化鉭。上述的摻雜多晶硅的摻雜濃度，相對(duì)于前述的半導(dǎo)體通道層314來(lái)說(shuō)，源極315a/漏極315b的摻雜濃度較高。上述光電二極管320若為肖特基型光電二極管，其包含由漏極315b延伸過(guò)來(lái)的下電極、N型半導(dǎo)體層322、本質(zhì)半導(dǎo)體層324與上電極350。光電二極管320若為NIP型光電二極管，則除了上述組件，還包含P型半導(dǎo)體層326。其中，上述薄膜晶體管310的漏極315b,其位于光電二極管320下方的部分,亦做為光電二極管320的下電極。
光電二極管320的較詳細(xì)結(jié)構(gòu)如下所述。當(dāng)光電二極管320為如圖I所示的肖特基型光電二極管100時(shí)，在漏極315b上依序設(shè)置N型半導(dǎo)體層322、本質(zhì)半導(dǎo)體層324以及上電極350。當(dāng)光電二極管320為上述圖2所示NIP型光電二極管200時(shí)，在前述的本質(zhì)半導(dǎo)體324與上電極350的間再配置P型半導(dǎo)體層326。光電二極管320的N型半導(dǎo)體層322、本質(zhì)半導(dǎo)體層324、P型半導(dǎo)體層326與上電極350所使用的材料如圖I與圖2的相關(guān)敘述所述，因此不再詳細(xì)描述之。此外，實(shí)際運(yùn)用方面來(lái)說(shuō)，光感測(cè)組件300可選擇性地包含保護(hù)層330與導(dǎo)電層340。保護(hù)層330覆蓋于薄膜晶體管310上，用以保護(hù)薄膜晶體管310部分，但暴露光電二極管320部分。保護(hù)層330的材料通常為介電材料，如氧化硅、氮化硅、非晶碳或類(lèi)鉆石碳(diamond-like carbon ;DLC)。根據(jù)不同的實(shí)施方式,可使用不同結(jié)構(gòu)、不同材料以及不同方法來(lái)形成保護(hù)層330。舉例來(lái)說(shuō)，保護(hù)層330可包含兩層材料的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層340為不透光的金屬層，是用來(lái)保護(hù)薄膜晶體管310不受光照影響而產(chǎn)生光電流。同時(shí)，導(dǎo)電層340也可與上電極350合用來(lái)減低整體電阻，調(diào)降電壓的用。導(dǎo)電層340的材料可為金屬或合金，其中金屬例如可為鑰、鉻、鋁或銅，合金例如可為鑰鉻合金(MoCr)或鋁釹合金(AlNd)。光感測(cè)組件的制造方法圖3A-3E為依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種光感測(cè)組件的制造流程剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，如圖3A所示，先在基板311上形成柵極312，再于柵極312與基板311上形成柵介電層313。上述柵極312可依序通過(guò)沉積、微影以及蝕刻等制程來(lái)形成的。柵極312的材料可為導(dǎo)電材料，如金屬、合金、硅化金屬、氮化金屬或摻雜多晶硅，因此沉積的方法將因材料不同而異。以摻雜多晶硅來(lái)說(shuō)，其沉積方法可為化學(xué)氣相沉積法。柵介電層313的材料例如可為氧化硅、氮氧化硅或氮化硅，其形成方法例如可為化學(xué)氣相沉積法。參考圖3B，在柵極312的上方的柵介電層313上形成一半導(dǎo)體通道層314。以及在半導(dǎo)體通道層314的兩端上與柵介電層313上形成源極315a與漏極315b。半導(dǎo)通道層314、源極315a與漏極315b可依序利用沉積、微影以及蝕刻等制程來(lái)分別形成之。由于半導(dǎo)體通道層314材料例如可為非晶硅、氫化非晶硅或本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，而源極315a與漏極315b的材料例如可為金屬、合金、娃化金屬、氮化金屬或摻雜多晶硅。因此，上述沉積的方法，會(huì)因材料的不同而有所不同。例如以非晶硅、氫化非晶硅以及摻雜多晶硅來(lái)說(shuō)，沉積的方法可為化學(xué)氣相沉積法。以本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物來(lái)說(shuō)，沉積的方法可為濺鍍法。參考圖3C，在部分漏極315b上形成光電二極管320。當(dāng)光電二極管320為肖特基型光電二極管時(shí)，其形成方法為在漏極315b上依序形成N型半導(dǎo)體層322與本質(zhì)半導(dǎo)體層324，再進(jìn)行微影蝕刻制程而得光電二極管320。當(dāng)光電二極管320為NIP型光電二極管時(shí)，其形成方法為在漏極315b上依序形成N型半導(dǎo)體層322、本質(zhì)半導(dǎo)體層324與P型半導(dǎo)體層326，再進(jìn)行微影蝕刻制程而得光電二極管320。根據(jù)一實(shí)施方式，由于前述N型半導(dǎo)體層322與本質(zhì)半導(dǎo)體層324的材料皆為銦 鎵鋅氧化物，只有含氧量不同而已。因此，可以在連續(xù)形成N型半導(dǎo)體層322與本質(zhì)半導(dǎo)體層324的過(guò)程中，通過(guò)控制濺鍍制程中的通入氧氣/氬氣的流量比例來(lái)控制銦鎵鋅氧化物的含氧量，以控制其電性。依據(jù)一實(shí)施方式，濺鍍N型半導(dǎo)體層322的氧氣/氬氣的比例低于用以濺鍍本質(zhì)半導(dǎo)體層324的氧氣/氬氣的比例。其中，在N型半導(dǎo)體層322的濺鍍過(guò)程中，氧氣/氬氣的流量比例為0-15%。而在本質(zhì)半導(dǎo)體層324的濺鍍過(guò)程中，氧氣/氬氣的流量比例為2-70%。在此提供另一種方法來(lái)連續(xù)形成N型半導(dǎo)體層322與本質(zhì)半導(dǎo)體層324。在此方法中，可先濺鍍一層N型銦鎵鋅氧化物，其厚度與N型半導(dǎo)體層322及本質(zhì)半導(dǎo)體層324兩者的總厚度相當(dāng)。再利用含氧等離子來(lái)后處理上述N型銦鎵鋅氧化物，來(lái)增加位于上部的N型銦鎵鋅氧化物的含氧量，使位于上部的N型銦鎵鋅氧化物轉(zhuǎn)變成本質(zhì)銦鎵鋅氧化物。則位于上部的本質(zhì)銦鎵鋅氧化物可構(gòu)成本質(zhì)半導(dǎo)體層324，而位于下部的N型銦鎵鋅氧化物可構(gòu)成N型半導(dǎo)體層322。上述濺鍍制程所用的靶材可為一混合物，其材料例如可為由銦氧化物、鎵氧化物與鋅氧化物所組成的混合物。由于上述P型半導(dǎo)體層326的材料多為摻雜的氧化鋅，因此其形成方法例如可為濺鍍法。參考圖3D，在源極315a與漏極315b上形成保護(hù)層330，再移除位于光電二極管320上方的保護(hù)層330，以暴露光電二極管320。形成保護(hù)層330的方法可為沉積法，例如可為化學(xué)氣相沉積法。上述移除部分保護(hù)層330的方法，可通過(guò)微影以及蝕刻制程來(lái)達(dá)成。參考圖3E，在部分保護(hù)層330上依序形成導(dǎo)電層340與上電極350。導(dǎo)電層340與上電極350可利用沉積、微影制程以及蝕刻來(lái)形成之。由于導(dǎo)電層340的材料為金屬或合金,所以其沉積的方法可為物理氣相沉積法。而上電極350的材料為透明導(dǎo)電材料。當(dāng)上電極350的材料為錫銦氧化物(SnInOx)或錫銻氧化物(SnSbOx)時(shí)，其沉積法可用物理氣相沉積法。上述的光電二極管包含銦鎵鋅氧化物材料，其銦鎵鋅氧化物不但具有光電特性，且載子遷移率遠(yuǎn)大于已知光電二極管所使用的氫化非晶硅。此外，銦鎵鋅氧化物只吸收UV光，但是可讓可見(jiàn)光穿透。因此，使用銦鎵鋅氧化物可改善已知光電二極管不易分辨UV光與可見(jiàn)光的問(wèn)題，與容易受到非目標(biāo)光源影響的問(wèn)題。所以，上述的光電二極管可以廣泛地應(yīng)用在UV光偵測(cè)器、UV光開(kāi)關(guān)、太陽(yáng)能面板以及智能窗等方面。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，并用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視 所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種光電ニ極管，其特征在于，包含 一基板； 一下電極，配置于該基板上； 一 N型半導(dǎo)體層，配置于該下電極上，其中該N型半導(dǎo)體層包含N型非晶型銦鎵鋅氧化物； 一本質(zhì)半導(dǎo)體層，配置于該N型半導(dǎo)體層上，其中該本質(zhì)半導(dǎo)體層包含本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，且該本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量高于該N型非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量；以及 一上電極，配置于該本質(zhì)半導(dǎo)體層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光電ニ極管，其特征在于，還包含一P型半導(dǎo)體層，配置于該本質(zhì)半導(dǎo)體層與該上電極之間，其中該P(yáng)型半導(dǎo)體層的材料為鋁氮鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鋰鋅氧化物、砷鋅氧化物或銻鋅氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電ニ極管，其特征在于，該P(yáng)型半導(dǎo)體層的厚度為300-5000 A。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光電ニ極管，其特征在于，該N型半導(dǎo)體層的厚度為300- 5000 A，該本質(zhì)半導(dǎo)體層的厚度為1-5 u m。
5.ー種光感測(cè)組件，其特征在于，包含 一薄膜晶體管設(shè)置于一基板上，包含 ー柵極，設(shè)置于該基板上； ー柵介電層，覆蓋該柵極與該基板； 一半導(dǎo)體通道層，設(shè)置在該柵極正上方的該柵介電層上； 一源極與ー漏扱，分別設(shè)置于該半導(dǎo)體通道層兩端上；以及一光電ニ極管，配置在該漏極上，包含 一 N型半導(dǎo)體層，配置于該漏極上，且該N型半導(dǎo)體層包括N型非晶型銦鎵鋅氧化物；一本質(zhì)半導(dǎo)體層，配置于該N型半導(dǎo)體層上，其中該本質(zhì)半導(dǎo)體層包括本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，且該本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量高于該N型非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量；以及 一上電極，配置于該本質(zhì)半導(dǎo)體上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光感測(cè)組件,其特征在于，該光電ニ極管還包含一P型半導(dǎo)體層配置于該本質(zhì)半導(dǎo)體層及該上電極之間，該P(yáng)型半導(dǎo)體層的材料為鋁氮鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鋰鋅氧化物、砷鋅氧化物或銻鋅氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光感測(cè)組件，其特征在于，還包含 一保護(hù)層，覆蓋該源扱/漏極上和該半導(dǎo)體通道層上，但暴露該光電ニ極管；以及 ー導(dǎo)電層，配置在該保護(hù)層上，且連接該光電ニ極管。
8.—種如權(quán)利要求I的光電ニ極管的制造方法，其特征在于，包含 提供ー濺鍍靶材混合物，其包含銦氧化物、鎵氧化物與鋅氧化物；以及 在含有氧氣與氬氣的氣體環(huán)境進(jìn)行ー連續(xù)濺鍍制程，以于該下電極上連續(xù)形成該N型半導(dǎo)體層與該本質(zhì)半導(dǎo)體層，其中濺鍍?cè)揘型半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例低于濺鍍?cè)摫举|(zhì)半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電ニ極管的制造方法，其特征在干，濺鍍?cè)揘型半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例為0% -15%。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電ニ極管的制造方法，其特征在于，濺鍍?cè)摫举|(zhì)半導(dǎo)體層時(shí)的該氧氣/氬氣的流量比例為2% -70%。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種光電二極管、光感測(cè)組件及光電二極管的制造方法。光電二極管的N型半導(dǎo)體層與本質(zhì)半導(dǎo)體層分別包含N型非晶型銦鎵鋅氧化物與本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物，且本質(zhì)非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量高于N型非晶型銦鎵鋅氧化物的含氧量。
文檔編號(hào)H01L31/032GK102738260SQ20121009719
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者舒芳安, 蔡耀州, 辛哲宏 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司