專利名稱：發(fā)光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用諸如發(fā)光二極管的半導(dǎo)體發(fā)光器件作為光源的發(fā)光設(shè)備。
背景技術(shù)：
長期以來，被稱作“熒 光燈”的冷陰極熒光燈經(jīng)常用作建筑物的室內(nèi)或室外照明裝置。然而，冷陰極熒光燈具有諸如壽命短、耐用性差、光的顏色選擇范圍有限以及能量效率低的缺點(diǎn)。雖然發(fā)光二極管(LED)具有諸如響應(yīng)能力良好、能量效率高和壽命長的多種優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光二極管被有限地用在小尺寸顯示裝置中的背光源等中。然而，隨著高亮度、大功率的白色LED被開發(fā)出來，近來LED作為用于照明的發(fā)光設(shè)備的光源已經(jīng)受到關(guān)注。用于照明的傳統(tǒng)的發(fā)光設(shè)備包括諸如發(fā)光二極管的半導(dǎo)體發(fā)光器件以及諸如印刷電路板的基底。半導(dǎo)體發(fā)光器件可以直接安裝在印刷電路板上，或者可將其中嵌入有半導(dǎo)體發(fā)光器件的封裝件安裝在印刷電路板上。當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件安裝在基底或封裝件上時(shí)，在半導(dǎo)體發(fā)光器件和基底或封裝件之間的邊界中損失大量的光。具體地說，在使用諸如藍(lán)寶石基底的透光基底作為半導(dǎo)體生長基底或支撐基底的發(fā)光二極管芯片的情況下，大量的光可以穿過透光基底而被使用。然而，光由于被印刷電路板或封裝件阻擋而損失。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在本領(lǐng)域中存在將附著到諸如基底的任何目標(biāo)的表面(即，芯片安裝表面)上損失的光最小化的需要。如果使用從半導(dǎo)體發(fā)光器件的芯片安裝表面出射的光，則從半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光的范圍顯著地變寬。在這種情況下，需要用于將以寬的范圍發(fā)射的光會(huì)聚在期望的區(qū)域或空間中的技術(shù)。此外，需要一種新的磷光體布置技術(shù)，以通過轉(zhuǎn)換以如上所述的寬范圍內(nèi)發(fā)射的光的波長來獲得期望顏色的光(例如，白光)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括透光基底，具有頂表面和底表面；至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，設(shè)置在透光基底的頂表面上；反射部分，設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件上方，以將來自半導(dǎo)體發(fā)光器件的光朝透光基底反射；第一波長轉(zhuǎn)換部件，設(shè)置在透光基底和反射部分之間。第一波長轉(zhuǎn)換部件可形成在反射部分中，反射部分可具有凹入的表面。發(fā)光設(shè)備還可包括第二波長轉(zhuǎn)換部件，以將未被反射部分反射而是穿過透光基底直接發(fā)射的光波長轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體發(fā)光器件可使光通過具有透光性的底表面發(fā)射，第二波長轉(zhuǎn)換部件可形成在透光基底上，以將通過半導(dǎo)體發(fā)光器件的底表面發(fā)射的光波長轉(zhuǎn)換。第二波長轉(zhuǎn)換部件可位于透光基底的底表面上，以對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件的位置。反射部分可包括在設(shè)置在透光基底上方的反射件中，并且反射件和透光基底之間的空間可以是空的。發(fā)光設(shè)備還可包括包封件，以在所述空間中獨(dú)立地包封半導(dǎo)體發(fā)光器件?？蛇x地，反射部分可包括在設(shè)置在透光基底上方的反射件中，反射件和透光基底之間的整個(gè)空間可填充有透光樹脂。發(fā)光設(shè)備還可包括光漫射部件，光漫射部件位于透光基底的底表面上。光漫射部件可以以層的形式形成，以覆蓋在透光基底的底表面上的第二波長轉(zhuǎn)換部件。發(fā)光設(shè)備還可包括防回射層，防回射層設(shè)置在第二波長轉(zhuǎn)換部件和透光基底的底表面之間?？稍谕腹饣椎牡妆砻嫔闲纬捎糜谔岣吖馓崛〉陌纪箞D案。電極圖案可形成在透光基底的頂表面上，以對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件，并且電極圖案具有透光性。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括透光基底，具有頂表面和底表面；多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，布置在透光基底的頂表面上；反射件，將從所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光朝透光基底反射；第一波長轉(zhuǎn)換部件，將由反射件反射的光波長轉(zhuǎn)換；第二波長轉(zhuǎn)換部件，將從半導(dǎo)體發(fā)光器件的底表面出射而未被反射件反射的光 波長轉(zhuǎn)換?？稍诜瓷浼行纬蓪?yīng)于所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的多個(gè)第一波長轉(zhuǎn)換部件，可在透光基底的底表面上形成對應(yīng)于所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的多個(gè)第二波長轉(zhuǎn)換部件?？稍谕腹饣椎捻敱砻嫔蠈λ龆鄠€(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件中的每個(gè)形成兩個(gè)或更多個(gè)電極圖案。多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件可以串聯(lián)連接。在說明書和權(quán)利要求中使用的指示取向或方向的術(shù)語，即“頂表面”、“底表面”、“上側(cè)”、“上部”和“下部”等，僅指示附圖中示出的相對位置關(guān)系或取向。例如，被描述為“頂表面”的元件實(shí)質(zhì)上可以成為“底表面”。相反，被描述為“底表面”的元件實(shí)質(zhì)上可以成為“頂表面”。


圖I是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖；圖2是沿圖I的線I-I截取的剖視圖，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備；圖3至圖9是示出本發(fā)明的各種其它實(shí)施例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。僅以說明性的目的提供下面的實(shí)施例，從而本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分地理解本發(fā)明的精神。因此，本發(fā)明不限于下面的實(shí)施例，而是可以以其它形式實(shí)施。在附圖中，為了便于示出，可夸大元件的寬度、長度和厚度等。在整個(gè)說明書和附圖中，相同的標(biāo)號指示相同的元件。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖；圖2是沿圖I的線I-I截取的剖視圖，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備。參照圖I和圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I包括玻璃材料的透光基底10、半導(dǎo)體發(fā)光器件20、反射件30、第一波長轉(zhuǎn)換部件40和第二波長轉(zhuǎn)換部件50。透光基底10包括頂表面IOa和與頂表面IOa相對的底表面10b，半導(dǎo)體發(fā)光器件20設(shè)置在頂表面IOa上。電極圖案Ila和Ilb形成在透光基底10的頂表面IOa上，從而可將功率施加到半導(dǎo)體發(fā)光器件20。電極圖案Ila和Ilb可由具有導(dǎo)電性和透明性的材料形成，例如可由氧化銦錫(ITO)形成?？墒褂糜∷⒓夹g(shù)等來形成電極圖案Ila和lib。透光基底10不僅可包括玻璃基底，也可以包括具有透光性的各種材料的基底，例如，樹脂基底、石
英基底、陶瓷基底等。半導(dǎo)體發(fā)光器件20設(shè)置在透光基底10的頂表面IOa上。在該實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光器件20包括p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層，優(yōu)選地，半導(dǎo)體發(fā)光器件20是在p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之間的發(fā)光區(qū)(或活性區(qū))發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)芯片。半導(dǎo)體發(fā)光器件20通過具有透光性的粘合材料21附著于透光基底10的頂表面10a。半導(dǎo)體發(fā)光器件20具有光不僅能夠穿過其頂表面和側(cè)表面發(fā)射而且也能夠穿過其底表面發(fā)射的結(jié)構(gòu)。例如，在包括諸如藍(lán)寶石基底的透光基底作為半導(dǎo)體生長基底或半導(dǎo)體支撐基底的LED芯片的情況下，光不僅能夠穿過其頂表面和側(cè)表面發(fā)射，也能夠穿過其底表面發(fā)射。通過半導(dǎo)體發(fā)光器件20的底表面發(fā)射的光穿過透光粘合材料21和透光基底10向下發(fā)射?？煽紤]形成具有反射性的絕緣層以覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光器件的側(cè)表面。發(fā)光設(shè)備I將要發(fā)光的方向或照明方向是從透光基底10的底表面向下的方向，即，與半導(dǎo)體發(fā)光器件20的安裝方向相對的方向。在該實(shí)施例中，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20布置在透光基底10的頂表面IOa上。半導(dǎo)體發(fā)光器件20可以以矩陣陣列布置在透光基底10上。如這些附圖中所示，多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件布置為兩行。為半導(dǎo)體發(fā)光器件20中的一個(gè)提供兩個(gè)電極圖案Ila和lib。每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20的電極通過鍵合線W分別連接到電極圖案Ila和lib。反射件30設(shè)置在透光基底10上方，以與透光基底10的頂表面IOa分隔開。半導(dǎo)體發(fā)光器件20位于反射件30和透光基底10之間。反射件30和半導(dǎo)體發(fā)光器件20彼此分隔開，并且它們之間的空間是空的。反射件30包括被設(shè)置為對應(yīng)于多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20的多個(gè)反射部分32。反射部分32可由金屬材料或高反射樹脂材料制成。另外，可通過在樹脂表面上沉積金屬材料來形成反射部分32。在本實(shí)施例中，多個(gè)反射部分32中的每個(gè)包括被形成為凹曲面形狀的反射表面，并用于將從對應(yīng)的半導(dǎo)體發(fā)光器件20發(fā)射的光反射至透光基底10?？筛鶕?jù)反射部分32的形狀和尺寸來改變發(fā)光設(shè)備I的發(fā)光效率，應(yīng)當(dāng)考慮半導(dǎo)體發(fā)光器件20的光方向角和半導(dǎo)體發(fā)光器件20之間的間距等來將反射部分32設(shè)計(jì)為具有適當(dāng)?shù)某叽绾托螤?。反射?0可具有僅使反射部分32的區(qū)域反射光或者反射件30全部反射光的性能。 第一波長轉(zhuǎn)換部件40位于透光基底10和反射件30之間的光路中，以使被第一波長轉(zhuǎn)換部件40波長轉(zhuǎn)換的光被反射件30廣泛地反射并然后行進(jìn)至外部，從而有助于減小第一波長轉(zhuǎn)換部件40的布置面積并且還減少磷光體的量。另外，如圖中所示，第一波長轉(zhuǎn)換部件40設(shè)置在反射件30的反射部分32的光主要會(huì)聚的區(qū)域中，從而能夠以少量的磷光體進(jìn)一步提聞波長轉(zhuǎn)換效率。除了第一波長轉(zhuǎn)換部件40之外，還設(shè)置第二波長轉(zhuǎn)換部件50。第二波長轉(zhuǎn)換部件50設(shè)置在透光基底10上。在本實(shí)施例中，第二波長轉(zhuǎn)換部件50設(shè)置在透光基底10的底表面上，以將從半導(dǎo)體發(fā)光器件20的底表面發(fā)射的光波長轉(zhuǎn)換。第二波長轉(zhuǎn)換部件50設(shè)置在多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20中的每個(gè)的正下方，考慮到從半導(dǎo)體發(fā)光器件20的底表面發(fā)射的光在穿過透光基底10的同時(shí)擴(kuò)散得更寬，可將第二波長轉(zhuǎn)換部件50形成為具有比半導(dǎo)體發(fā)光器件20的底表面的面積稍寬的面積?？赏ㄟ^將磷光體涂覆在透光基底10的底表面IOb上的對應(yīng)區(qū)域來形成第二波長轉(zhuǎn)換部件50。第一波長轉(zhuǎn)換部件40參與由反射件30反射的光的波長轉(zhuǎn)換，第二波長轉(zhuǎn)換部件50參與未被反射件30反射的光的波長轉(zhuǎn)換。因此，可以幾乎均勻地將從半導(dǎo)體發(fā)光器件20發(fā)射的光波長轉(zhuǎn)換，并將波長轉(zhuǎn)換后的光發(fā)射至外部。波長轉(zhuǎn)換件40或50可包括石榴石、硅鹽酸和/或氮化物磷光體，然而不限于此?？赏ㄟ^將設(shè)置有半導(dǎo)體發(fā)光器件20等的透光基底10適當(dāng)?shù)卦O(shè)置為包括反射件30和第一波長轉(zhuǎn)換部件40的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I。例如，在將包括反射件30等的結(jié)構(gòu)固定地設(shè)置在室內(nèi)或室外的情況下，可通過將該結(jié)構(gòu)與設(shè)置有半導(dǎo)體發(fā)光器件20等的透光基底10可分離地安裝來實(shí)現(xiàn)發(fā)光設(shè)備I。在這種情況下，該結(jié)構(gòu)可設(shè)置有電源端子，并可使透光基底10或包括透光基底10的任何其它結(jié)構(gòu)設(shè)置有端子或插槽，透光基底10上的電極圖案Ila和Ilb通過該端子或插槽電連接到電源端子。然而，可通過預(yù)先集成玻璃材料的透光基底10、半導(dǎo)體發(fā)光器件20、反射件30、第一波長轉(zhuǎn)換部件40和第二波長 轉(zhuǎn)換部件50等來實(shí)現(xiàn)發(fā)光設(shè)備1，然后可將發(fā)光設(shè)備I安裝到包括電源和/或電源端子的其它結(jié)構(gòu)。在下文中，將描述本發(fā)明的各種其它實(shí)施例。在下面的實(shí)施例的描述中，將省略與前述實(shí)施例重復(fù)的描述，并可使用用于描述前述實(shí)施例的標(biāo)號來指示與前述實(shí)施例的組件相同或相似的組件。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖3，根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I還包括在透光基底10的底表面IOb上形成為層的形狀的光漫射部件16。將光漫射部件16設(shè)置為使其堆疊在透光基底10的底表面IOb上，從而將通過透光基底10發(fā)射至外部的光廣泛地漫射。在該實(shí)施例中，光漫射部件16包括凹槽，以容納第二波長轉(zhuǎn)換部件50?？梢砸愿鞣N方式設(shè)置光漫射部件16，包括將漫射膜附著到透光基底10的底表面IOb的方法，將漫射材料涂覆到透光基底10的底表面IOb的方法等。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖4,防回射層(anti-retroreflection) 17形成在透光基底10的底表面IOb上。防回射層17設(shè)置在光漫射部件16和第二波長轉(zhuǎn)換部件50與在它們上方的透光基底10之間。防回射層17防止通過透光基底10發(fā)射的光被第二波長轉(zhuǎn)換部件50的磷光體或其它元件反射并隨后回射至透光基底10。防回射層17可形成在透光基底10的底表面IOb上的整個(gè)區(qū)域，或者可僅形成在對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件20的區(qū)域中。另外，防回射層17可被形成為分布式布拉格反射件(DBR)，以反射在防回射層17的特定波段中的光。在這種情況下，由于與第二波長轉(zhuǎn)換部件50的磷光體相遇而回射的光被DBR結(jié)構(gòu)的防回射層17反射，因此未回射至發(fā)光設(shè)備I的內(nèi)部。還可在透光基底10的頂表面和電極圖案之間形成與上述防回射層相同或相似的防回射層。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖5，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I還包括透光包封件18，每個(gè)透光包封件18形成在透光基底10的頂表面IOa上，以獨(dú)立地包封對應(yīng)的半導(dǎo)體發(fā)光器件20和鍵合線W。包封件18可由例如環(huán)氧樹脂或硅樹脂形成。包封件18也可被形成為使從半導(dǎo)體發(fā)光器件20發(fā)射的光能夠會(huì)聚到對應(yīng)的反射部分32的透鏡的形狀。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖6，與前述實(shí)施例相似，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I包括用于包封半導(dǎo)體發(fā)光部件20和鍵合線W的透光包封件18’，然而透光基底10與反射件30之間的空間被透光包封件18’完全填充。優(yōu)選地，透光包封件18’的折射率與透光基底10的折射率相近。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖7，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I對每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20設(shè)有兩個(gè)或更多個(gè)具有不同極性的電極圖案Ila和11b，半導(dǎo)體發(fā)光器件20直接安裝到電極圖案Ila和Ilb中的一個(gè)。這可適于在使用豎直LED芯片等作為半導(dǎo)體發(fā)光器件的情況，在豎直LED芯片中，對電極中的至少一個(gè)位于半導(dǎo)體發(fā)光器件下方。在這種情況下，優(yōu)選地，半導(dǎo)體發(fā)光器件20的下電極結(jié)構(gòu)的至少一部分具有透光性。在圖7中示出的結(jié)構(gòu)中，有利的是在透光基底10的頂表面和電極圖案之間形成防回射層。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。 參照圖8，在根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I中，在透光基底10的頂表面IOa上的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20串聯(lián)地連接，從而形成一個(gè)串聯(lián)陣列。與對每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件20設(shè)置電極圖案Ila和Ilb的前述實(shí)施例不同，電極圖案僅分別設(shè)置在陣列的兩端。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的剖視圖。參照圖9，在根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備I中，透光基底10包括頂表面IOa和底表面10b，底表面IOb利用圖案101限定與介質(zhì)(例如外部空氣)的邊界，以提高光提取。圖案101可以是規(guī)則的或者可選地是不規(guī)則的?？赏ㄟ^粗糙化、紋理化或蝕刻等來形成圖案101。此外，如果利用諸如成型的方法來形成透光基底10，則可以在形成工藝中形成圖案101。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案101可以是凹凸圖案。雖然在這些附圖中未示出，但是反射件30的底表面(見圖I至圖8)和基底10的頂表面(見圖I至圖8)彼此不分開，而是可以彼此接觸。在該情況下，可通過僅使反射件的一部分區(qū)域(例如，凹入的反射件的形成波長轉(zhuǎn)換部件的區(qū)域)與基底的頂表面分開，來將半導(dǎo)體發(fā)光器件、導(dǎo)電圖案以及包封件等設(shè)置在凹入的反射件和基底之間的空間中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可提高通過半導(dǎo)體發(fā)光器件的底表面發(fā)射的光的可使用度，從而提高發(fā)光效率。另外，通過半導(dǎo)體發(fā)光器件的頂表面發(fā)射的光以及通過半導(dǎo)體發(fā)光器件的底表面發(fā)射的光可被均勻地波長轉(zhuǎn)換，從而用于照明等。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括 透光基底，包括頂表面和底表面； 至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，設(shè)置在透光基底的頂表面上； 反射部分，設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件上方，以將來自半導(dǎo)體發(fā)光器件的光朝透光基底反射； 第一波長轉(zhuǎn)換件，設(shè)置在透光基底和反射部分之間。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，第一波長轉(zhuǎn)換件設(shè)置在反射部分中。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，反射部分具有凹入的表面。、
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備還包括第二波長轉(zhuǎn)換件，以轉(zhuǎn)換穿過透光基底發(fā)射的光的波長。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，第二波長轉(zhuǎn)換件設(shè)置在透光基底上，以轉(zhuǎn)換通過半導(dǎo)體發(fā)光器件的底表面發(fā)射的光的波長。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光設(shè)備，其中，第二波長轉(zhuǎn)換件在對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件的位置的位置處設(shè)置在透光基底的底表面上。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，反射部分與設(shè)置在透光基底上方的反射件一體化，并且反射件和透光基底之間的空間是空的。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備還包括在所述空間中獨(dú)立地包封半導(dǎo)體發(fā)光器件的包封件。
9.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，反射部分與設(shè)置在透光基底上方的反射件一體化，反射件和透光基底之間的空間填充有透光樹脂。
10.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備還包括光擴(kuò)散部件，所述光擴(kuò)散部件設(shè)置在透光基底的底表面上。
11.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備還包括光擴(kuò)散部件，以覆蓋在透光基底的底表面上的第二波長轉(zhuǎn)換件。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備還包括防回射層，所述防回射層設(shè)置在第二波長轉(zhuǎn)換件和透光基底的底表面之間。
13.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，在透光基底的底表面上設(shè)置有凹凸圖案。
14.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，電極圖案設(shè)置在透光基底的頂表面上的對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件的位置處，并且電極圖案是透光的。
15.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中，在透光基底的頂表面上的對應(yīng)于半導(dǎo)體發(fā)光器件的位置處設(shè)置透光電極圖案，并且在透光基底和電極圖案之間設(shè)置防回射層。
16.一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括 透光基底，包括頂表面和底表面； 多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，布置在透光基底的頂表面上； 反射件，將從所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光朝透光基底反射； 第一波長轉(zhuǎn)換件，轉(zhuǎn)換從所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的沿第一方向的光的波長； 第二波長轉(zhuǎn)換件，轉(zhuǎn)換從所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的沿第二方向的光的波長。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光設(shè)備，其中，在反射件中設(shè)置對應(yīng)于所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的多個(gè)第一波長轉(zhuǎn)換件，在透光基底的底表面上設(shè)置對應(yīng)于所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的多個(gè)第二波長轉(zhuǎn)換件。
18.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光設(shè)備，其中，在透光基底的頂表面上對所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件中的每個(gè)設(shè)置兩個(gè)或更多個(gè)電極圖案。
19.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光設(shè)備，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件串聯(lián)連接。
20.一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括 透光基底，包括頂表面和底表面； 半導(dǎo)體發(fā)光器件，設(shè)置在透光基底的頂表面上； 反射部分，設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件上方，以將從半導(dǎo)體發(fā)光器件發(fā)射的光朝透光基底反射； 波長轉(zhuǎn)換件，設(shè)置在透光基底的底表面上，以轉(zhuǎn)換穿過透光基底發(fā)射的光的波長。
全文摘要
公開了一種發(fā)光設(shè)備。所述發(fā)光設(shè)備包括透光基底，具有頂表面和底表面；至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，設(shè)置在透光基底的頂表面上；反射部分，設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光器件上方，以將來自半導(dǎo)體發(fā)光器件的光朝透光基底反射；第一波長轉(zhuǎn)換件，設(shè)置在透光基底和反射部分之間。
文檔編號H01L33/60GK102738367SQ20121009112
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者崔爀仲 申請人:首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社