專利名稱：固態(tài)成像設(shè)備及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及固態(tài)成像設(shè)備及包括固態(tài)成像設(shè)備的電子裝置。
背景技術(shù)：
存在CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)固態(tài)成像設(shè)備作為在諸如數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)、數(shù)字視頻照相機(jī)等的電子裝置中使用的一種固態(tài)成像設(shè)備。CMOS固態(tài)成像設(shè)備包括由硅等形成的半導(dǎo)體基板，并且包括其中在半導(dǎo)體基板上例如以矩陣形狀安排多個像素的像素區(qū)域。通過作為具有光電轉(zhuǎn)換功能的光接收元件的光電ニ極管和多個MOS晶體管來配置安排在像素區(qū)域中的每個像素。
在CMOS固態(tài)成像設(shè)備中，在半導(dǎo)體基板的ー個板表面上提供配線層，其中例如多個配線是通過隔絕膜相互層壓的層。此外，CMOS固態(tài)成像設(shè)備具有濾色器層和在被光照射的半導(dǎo)體基板側(cè)上的多個微透鏡。濾色器層被分成多個濾色器，用于配置每個像素的每個光電ニ極管。每個濾色器是例如紅色、緑色和藍(lán)色中的任一色彩的過濾器部分，并且透射每個色彩分量的光。對于每個像素形成微透鏡，與配置每個像素的光電ニ極管相對應(yīng)。微透鏡將來自外部的輸入光聚集到相應(yīng)像素的光電ニ極管。對于具有上述構(gòu)造的CMOS固態(tài)成像設(shè)備，存在所謂的前側(cè)照明類型和背側(cè)照明類型。因為關(guān)于在ー個板表面上具有配線層的半導(dǎo)體基板，光的輸入側(cè)對于前側(cè)照明是前側(cè)，而對于背側(cè)照明是后側(cè)，所以前側(cè)照明和背側(cè)照明彼此不同。具體地，在前側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備中，通過關(guān)于半導(dǎo)體基板在半導(dǎo)體基板的ー側(cè)上提供的配線層來形成濾色器層和微透鏡。也就是說，在前側(cè)照明的結(jié)構(gòu)中，關(guān)于半導(dǎo)體基板在輸入光的ー側(cè)上提供配線層。相反，在背側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備中，關(guān)于半導(dǎo)體基板在與提供配線層的ー側(cè)相對的側(cè)上形成濾色器層和微透鏡。也就是說，在背側(cè)照明的結(jié)構(gòu)中，關(guān)于半導(dǎo)體基板在與輸入光的ー側(cè)相對的側(cè)上提供配線層。由于前側(cè)照明和背側(cè)照明的結(jié)構(gòu)中的上述差別，在兩者之間存在如下的操作差另IJ。在前側(cè)照明的情況下，從微透鏡側(cè)輸入的光透過濾色器層，穿過配線層的內(nèi)部，并且然后由配置像素區(qū)域的每個像素的光電ニ極管接收。與此相反，在背側(cè)照明的情況下，從微透鏡側(cè)輸入的光穿過濾色器層，并且由像素的光電ニ極管接收，而不穿過配線層。由于該原因，根據(jù)背側(cè)照明的結(jié)構(gòu)，因為從微透鏡輸入的光被像素的光電ニ極管接收而不被配線層阻擋，所以能夠確保光電ニ極管的實際光接收區(qū)域較廣泛，并且能夠改進(jìn)其敏感度。然而，由于關(guān)于半導(dǎo)體基板在輸入光的一側(cè)上不存在配線層，所以在背側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備中存在如下問題。首先，在背側(cè)照明的結(jié)構(gòu)中，非常難完全抑制光學(xué)色彩混合。這里，光學(xué)色彩混合是以下的現(xiàn)象在彼此具有不同色彩的像素彼此靠近的像素的邊境部分中，輸入到與ー個色彩的像素相對應(yīng)的微透鏡的一部分光被輸入到另ー個色彩的像素的光電ニ極管。此外，在背側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備中，例如，當(dāng)拍攝諸如太陽等的高強(qiáng)度光源時，可能存在品紅有色條紋形狀的像素缺陷(下文中稱為“Mg閃光”)，其被稱為品紅閃光等。Mg閃光如下發(fā)生。從微透鏡向像素的光電ニ極管側(cè)輸入的一部分光變成作為反射光或衍射光的從光電ニ極管通向微透鏡側(cè)的光。穿過微透鏡的反射光或衍射光等被CMOS固態(tài)成像設(shè)備的包裝中覆蓋微透鏡的密封玻璃等反射，并且再次從微透鏡輸入到光電ニ極管 側(cè)。以此方式再次輸入到光電ニ極管側(cè)的光導(dǎo)致在例如紅色、綠色和藍(lán)色的每個色彩的像素中均勻地發(fā)生光學(xué)色彩混合。此外，在CMOS固態(tài)成像設(shè)備中，在信號處理的過程中，執(zhí)行被稱為白平衡處理的處理，以便協(xié)調(diào)(arrange)每個色彩分量的光的光譜特征。根據(jù)白平衡處理，例如，當(dāng)將濾色器層分為紅色、緑色和藍(lán)色的三個濾色器時，紅色和藍(lán)色信號具有比緑色信號更大的增益，并且被強(qiáng)調(diào)。由于如上所述在均勻混合每個色彩像素的狀態(tài)中執(zhí)行這樣的白平衡處理，所以發(fā)生Mg閃光。為了解決上述的背側(cè)照明結(jié)構(gòu)中的問題，已提出了在日本未審專利申請公開No. 2010-186818中描述的技術(shù)，并且其已進(jìn)入實際使用。在日本未審專利申請公開No. 2010-186818中描述的技術(shù)中，通過光電ニ極管的光接收表面上的像素邊界中的隔絕層，也就是說，在形成光電ニ極管的半導(dǎo)體基板和濾色器層之間的相鄰像素之間，形成遮光膜。當(dāng)其達(dá)到抑制上述的光學(xué)色彩混合和Mg閃光吋，認(rèn)為日本未審專利申請公開No. 2010-186818中的技術(shù)是可靠有效的。然而，根據(jù)日本未審專利申請公開No. 2010-186818中的技術(shù)，因為由于在相鄰像素之間形成的遮光膜阻擋了要被像素感測的一部分光，所以可能降低敏感度。敏感度由于在相鄰像素之間形成的遮光膜的降低程度取決于CMOS固態(tài)成像設(shè)備中的像素之間的像素節(jié)距(pitch)、遮光膜的行寬、光聚集結(jié)構(gòu)等，然而，在實踐中由于遮光膜而存在敏感度降低約10%的情況。因而，為了抑制由于在相鄰像素之間形成的遮光膜導(dǎo)致的這樣的敏感度降低，已提出了日本未審專利申請公開No. 2010-109295中描述的技術(shù)。日本未審專利申請公開No. 2010-109295中描述的技術(shù)關(guān)注于由于利用金屬材料形成遮光膜導(dǎo)致的靜電光遮擋效應(yīng)，并且使用諸如非晶硅的非導(dǎo)電材料來形成遮光膜。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)日本未審專利申請公開No. 2010-109295中的技術(shù)，認(rèn)為通過在遮光膜中使用非導(dǎo)電材料，可以可靠抑制由于靜電光遮擋效應(yīng)導(dǎo)致的敏感度降低。然而，即使在日本未審專利申請公開No. 2010-109295中的技術(shù)中，由于因為遮光膜而阻擋了要被像素感測的光的事實，所以抑制敏感度降低的效果是有限的。期望提供ー種抑制光學(xué)色彩混合或Mg閃光并提高敏感度的固態(tài)成像設(shè)備和電子裝置。根據(jù)本技術(shù)的實施例，提供了一種固態(tài)成像設(shè)備，其包括像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換単元的多個像素；配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的ー個板平面上；濾色器層，被分成與在所述像素區(qū)域中安排的多個像素中的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中，其中，由于濾色器的色彩，作為彼此相鄰的像素，所述多個像素具有其中濾色器的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其中濾色器的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合，并且其中，所述像素間光遮擋單元偏置地位于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處。此外，在根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板可以被提供在彼此不同的板表面?zhèn)?，并且所述像素間光遮擋單元可以是遮光膜。此外，根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備可以進(jìn)一歩包括周邊電路區(qū)域，被提供在所述像素區(qū)域的周邊；以及周邊遮光膜，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間的周邊電路區(qū)域處，并且位干與所述遮光膜相同的層處。 此外，在根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備中，所述遮光膜可以僅存在于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處，而不存在于所述相同色彩像素的組合的邊界部分處。此外，在根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備中，所述遮光膜可以被連接到固定電勢。此外，在根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備中，在所述多個像素的邊界部分處存在的多個遮光膜可以通過透明電極彼此電連接。此外，在根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板可以被提供在彼此相同的板表面處，并且所述像素間光遮擋單元是配置所述配線層的配線。此外，根據(jù)本技術(shù)的固態(tài)成像設(shè)備可以進(jìn)一歩包括信號處理電路，其對來自每個像素的輸出信號執(zhí)行處理，其中，所述信號處理電路基于在所述多個像素之間由于在每個像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個像素的輸出信號的輸出值。根據(jù)本技術(shù)的另ー實施例，提供了一種電子裝置，其包括固態(tài)成像設(shè)備；以及驅(qū)動單元，其生成用于驅(qū)動所述固態(tài)成像設(shè)備的驅(qū)動信號，其中，所述固態(tài)成像設(shè)備包括像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換単元的多個像素；配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的ー個板平面上；濾色器層，被分成與在所述像素區(qū)域中安排的多個像素的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中，其中，由于濾色器的色彩，作為彼此相鄰的像素，所述多個像素具有其中濾色器的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其中濾色器的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合，并且其中，所述像素間光遮擋單元偏置地位于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處。根據(jù)本技術(shù)的電子裝置可以進(jìn)一歩包括快門設(shè)備，用于控制照射所述固態(tài)成像設(shè)備的光的照射時間和遮擋時間，其中，所述驅(qū)動単元基于在所述多個像素之間由于在每個像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個像素的輸出信號的輸出值。根據(jù)本技木，能夠抑制光學(xué)色彩混合或Mg閃光，并且能夠提高敏感度。


圖I是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備的示意性構(gòu)造的圖。圖2是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備的詳細(xì)構(gòu)造的圖。圖3是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備的像素陣列的示例的圖。圖4是根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備的操作的示范性圖。圖5是根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備的操作的示范性圖。圖6是示出根據(jù)本技術(shù)的第二實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu) 造的截面圖。圖7是示出根據(jù)本技術(shù)的第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的截面圖。圖8是示出根據(jù)本技術(shù)的第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖9是示出根據(jù)本技術(shù)的第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖10是示出根據(jù)本技術(shù)的第四實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖11是示出根據(jù)本技術(shù)的第五實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的截面圖。圖12是示出根據(jù)本技術(shù)的第六實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的截面圖。圖13是示出根據(jù)本技術(shù)的第六實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖14是示出根據(jù)本技術(shù)的第六實施例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖15是示出本技術(shù)的比較示例的固態(tài)成像設(shè)備的構(gòu)造的平面圖。圖16是示出根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的電子裝置的構(gòu)造的圖。圖17A至圖17D是示出作為本技術(shù)的應(yīng)用示例的像素陣列的示例的圖。圖18是示出作為本技術(shù)的應(yīng)用示例的像素陣列的示例的圖。圖19是示出作為本技術(shù)的應(yīng)用示例的像素陣列的示例的圖。圖20是示出作為本技術(shù)的應(yīng)用示例的像素陣列的示例的圖。
具體實施例方式本技術(shù)是用于通過研究像素間光遮擋單元的布局來在抑制光學(xué)色彩混合和Mg閃光的同時提高敏感度，所述像素間光遮擋單元提供在半導(dǎo)體基板和濾色器層之間的、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中，在所述半導(dǎo)體基板上安排多個像素，并且所述濾色器層被分成與每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器。固態(tài)成像設(shè)備的示意性構(gòu)造將參考圖I描述根據(jù)本技術(shù)的第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備I的構(gòu)造。根據(jù)本實施例的固態(tài)成像設(shè)備I是CMOS固態(tài)成像設(shè)備。固態(tài)成像設(shè)備I具有通過諸如硅的半導(dǎo)體配置的半導(dǎo)體基板2。固態(tài)成像設(shè)備I包括像素區(qū)域3、以及在像素區(qū)域3的周邊提供的周邊電路區(qū)域4。像素區(qū)域3是在半導(dǎo)體基板2上提供的圖像捕捉區(qū)域，并且包括按照預(yù)定陣列提供的多個像素5。像素區(qū)域3包括有效像素區(qū)域，其中執(zhí)行使用每個像素5中的光電轉(zhuǎn)換的信號電荷的生成、放大和讀出；以及光學(xué)黑色電平區(qū)域，其中輸出作為黑色電平的參考的光學(xué)黒色。一般地，光學(xué)黑色電平區(qū)域形成在有效像素區(qū)域的外周邊。在根據(jù)本實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，根據(jù)所謂的干凈比特序列(clear bitsequence)來安排多個像素5，并且以當(dāng)平面觀看時關(guān)于具有矩形形狀的半導(dǎo)體基板2成45°的對角線的狀態(tài)按照對角線矩陣來安排多個像素5。像素5形成在半導(dǎo)體基板2上。由于使用干凈比特序列作為多個像素5的陣列(下文中稱為“像素陣列”)，所以能夠在維持分辨率的同時容易地確保ー個像素的較寬面積。在根據(jù)本實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，使用干凈比特序列作為像素陣列，然而不特別限制像素陣列。例如，可以采用一般的正方形柵格陣列，其中在平面(planarly)沿著矩形半導(dǎo)體基板2的縱向方形(垂直方向)、或橫向方向(水平方向)上以矩陣安排多個像素5。通過作為具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換單元的光電ニ極管、以及多個MOS晶體管來構(gòu)造像素5。構(gòu)造像素5的光電ニ極管具有光接收表面,并且生成與輸入光的強(qiáng)度相對應(yīng)的量的信號電荷。像素5具有晶體管，例如分別負(fù)責(zé)對由光電ニ極管生成的信號電荷進(jìn)行放大、發(fā)送、選擇和重置，如多個MOS晶體管。周邊電路區(qū)域4包括第一驅(qū)動電路6、列信號處理電路7、第二驅(qū)動電路8、輸出電路9和控制電路10。 第一驅(qū)動電路6通過例如移位寄存器構(gòu)造，并且驅(qū)動矩陣中在作為與矩陣安排中的行方向或列方向相對應(yīng)的安排方向的第一方向(參考箭頭Al)的序列中、成45°對角線的多個像素。對于多個像素5，第一驅(qū)動電路6通過像素驅(qū)動配線來連接。第一驅(qū)動電路6通過選擇像素驅(qū)動配線向所選擇的像素驅(qū)動配線提供用于驅(qū)動像素5的驅(qū)動脈沖，并且驅(qū)動第一方向的序列中的像素。第一驅(qū)動電路6按照第一方向順序地選擇和掃描在第一方向的序列中的像素區(qū)域3中的每個像素5，并且通過預(yù)定信號線向列信號處理電路7提供基于在每個像素5的光電ニ極管中生成的信號電荷的像素信號。列信號處理電路7是執(zhí)行來自每個像素5的輸出信號的處理的信號處理電路。列信號處理電路7具有用于在多個像素5的矩陣安排中的與行方向或列方向相對應(yīng)的安排方向中的第一方向正交的、第二方向中的姆個序列的兀件。列信號處理電路7使用姆個兀件按照第二方向?qū)τ诿總€像素5組處理從第一方向的序列的一個單元的像素5輸出的信號。對于由列信號處理電路7執(zhí)行的信號處理，存在例如用于降低每個像素5的特定固定圖案噪聲的CDS(相關(guān)雙采樣)、信號放大、AD(摸/數(shù))轉(zhuǎn)換等。在列信號處理電路7的輸出級提供選擇開關(guān)(未示出)。通過例如移位寄存器來構(gòu)造第二驅(qū)動電路8，第二驅(qū)動電路8通過在第二方向順序地輸出掃描脈沖來順序地選擇列信號處理電路7的每個元件，并且將像素信號從列信號處理電路7的每個元件輸出到預(yù)定的信號線11。輸出電路9通過執(zhí)行預(yù)定的信號處理來輸出通過信號線11從列信號處理電路7的每個元件順序提供的信號。作為由輸出電路9執(zhí)行的信號處理，例如存在緩沖、黑電平調(diào)整、列散射補(bǔ)償、各種數(shù)字處理等?？刂齐娐?0接收用于指示操作模式等的數(shù)據(jù)、輸入時鐘等，或輸出諸如固態(tài)成像設(shè)備I的內(nèi)部信息的數(shù)據(jù)?？刂齐娐?0生成時鐘信號，作為第一驅(qū)動電路6、列信號處理電路7和第二驅(qū)動電路8的操作的參考，或輸出控制信號，并且按照像素陣列的第一和第二方向中的每個基于同步信號和主時鐘將所生成的信號輸入到電路6、7和8中的每個。固態(tài)成像設(shè)備的詳細(xì)構(gòu)造將描述固態(tài)成像設(shè)備I的詳細(xì)構(gòu)造。固態(tài)成像設(shè)備I是背側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備。如圖2中所示，固態(tài)成像設(shè)備I具有提供在半導(dǎo)體基板2上的像素區(qū)域3。像素區(qū)域3是其中安排多個包括作為具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換単元的光電ニ極管21的像素5的區(qū)域。像素5包括光電ニ極管21和MOS晶體管22。光電ニ極管21按照厚度方向形成在半導(dǎo)體基板2的整個區(qū)域中。根據(jù)實施例，光電ニ極管21包括作為第一導(dǎo)電類型的η型半導(dǎo)體區(qū)域23、和作為第二導(dǎo)電類型的P型半導(dǎo)體區(qū)域24，其被形成為面對半導(dǎo)體基板2的前和后表面?zhèn)葍烧?，并且被?gòu)造為ρ-η結(jié)型光電ニ極管。在光電ニ極管21中包括的P型半導(dǎo)體區(qū)域24也用作空穴電荷存儲區(qū)域。MOS晶體管22具有源極/漏極區(qū)域(未示出)和柵極電極25。MOS晶體管22的源極/漏極區(qū)域形成在P型半導(dǎo)體勢阱區(qū)域26中，所述P型半導(dǎo)體勢阱區(qū)域26形成在作為半導(dǎo)體基板2的ー個板表面?zhèn)鹊谋砻?a側(cè)，作為η型區(qū)域。柵極電極25通過柵極隔絕膜形成在半導(dǎo)體基板2的表面2a上、在MOS晶體管22的源極/漏極區(qū)域的兩個區(qū)域之間中。
由光電ニ極管21和MOS晶體管22形成的每個像素5通過元件隔離區(qū)域27分開。元件隔離區(qū)域27被形成為P型半導(dǎo)體區(qū)域，并且接地。在半導(dǎo)體基板2的表面?zhèn)?a上提供層疊配線層28。層疊配線層28具有多個配線30，其通過層間隔絕膜29而層疊。通過例如由ニ氧化硅(SiO2)形成的硅氧化膜來構(gòu)造層間隔絕膜29。多個配線30由例如不同的金屬形成，并且通過形成在層之間的插頭等彼此連接。此外，根據(jù)實施例，提供在半導(dǎo)體基板2的ー個板表面?zhèn)壬系呐渚€層是具有多個配線的層疊配線層28，然而，配線層不限于此，并且可以是單層結(jié)構(gòu)的配線層。另ー方面，在作為半導(dǎo)體基板2的另ー個板表面的、后表面2b上提供用作抗反射膜的隔絕膜31。隔絕膜31具有其中層疊有彼此具有不同折射率的多個膜的層疊結(jié)構(gòu)。根據(jù)實施例，隔絕膜31具有兩層結(jié)構(gòu)，其由從半導(dǎo)體基板2側(cè)層疊的硅氧化膜32、以及鉿氧化膜33形成。此外，在像素區(qū)域3中，在隔絕膜31上提供具有光學(xué)透射性的平坦化(planarizing)膜34。平坦化膜34例如由諸如樹脂的有機(jī)材料形成。在平坦化膜34上形成濾色器層35。在濾色器層35上形成多個微透鏡36。濾色器層35被劃分成多個濾色器37，其與在像素區(qū)域3中安排的多個像素5的每個像素5相對應(yīng)地提供。也就是說，濾色器層35被劃分成用于構(gòu)造每個像素5的每個光電ニ極管21的多個濾色器37。在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，每個濾色器37是色彩紅色(R)、緑色(G)、和藍(lán)色(B)中的任何ー個的過濾器部分，并且透射每個色彩分量的光。每個色彩的濾色器37是所謂的片上濾色器，并且根據(jù)干凈比特序列來形成。微透鏡36是所謂的片上微透鏡，并且對于每個像素5與構(gòu)造像素5的光電ニ極管21相對應(yīng)地形成。因此，類似于像素5，以矩陣平面地安排多個微透鏡36。微透鏡36將從外部輸入的光聚集到相應(yīng)像素5的光電ニ極管21。微透鏡36由例如諸如樹脂的有機(jī)材料形成。此外，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，在隔絕膜31上形成的平坦化膜34中的像素邊界上提供作為像素間光遮擋單元的像素間遮光膜40。像素間遮光膜40是在隔絕膜31上沿彼此相鄰的像素5之間的邊界線形成的遮光膜。也就是說，當(dāng)平面觀看時，將像素間遮光膜40形成為沿著基本矩形形狀的邊、相對于具有基本矩形形狀的像素5具有預(yù)定行寬度的線性層部分。像素間遮光膜40由阻擋光的材料形成。作為像素間遮光膜40的材料，優(yōu)選使用具有強(qiáng)光遮擋效果并且適合于微加工的材料，例如以便使用刻蝕來準(zhǔn)確地處理。作為具有這樣的屬性的材料，例如存在金屬鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等。使用包括用于使用上述的鋁金屬材料等形成膜的沉積過程、在使用沉積過程形成的金屬膜上選擇地形成抗蝕掩模的掩模過程、和用于在整個抗蝕掩模上選擇地去除金屬層的去除過程的方法，將像素間遮光膜40形成在隔絕膜31上。在沉積過程中，例如使用噴射方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法、電鍍等，并且使用上述的鋁等金屬材料來形成膜(金屬層)。在掩模過程中，沿著與多個像素5之間的邊界相 對應(yīng)的部分形成抗蝕掩模。在去除過程中，使用濕刻蝕、干刻蝕等的刻蝕來選擇地去除金屬 層。如上所述，根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I具有背側(cè)照明結(jié)構(gòu)，其中關(guān)于半導(dǎo)體基板2在作為與提供層疊配線層28的前表面2a側(cè)相對側(cè)的后表面2b側(cè)上提供濾色器層35和微透鏡36。也就是說，在固態(tài)成像設(shè)備I中，關(guān)于半導(dǎo)體基板2，在彼此不同的板表面上提供層疊配線層28和濾色器層35，并且關(guān)于半導(dǎo)體基板2，在與光輸入到的后表面2b側(cè)相對的前表面2a側(cè)上提供層疊配線層28。在背側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備I中，從微透鏡36側(cè)輸入的光透射到濾色器層35，并且被像素5的光電ニ極管21接收，而不穿過層疊配線層28。由于該原因，在固態(tài)成像設(shè)備I中，從微透鏡36輸入的光被像素5的光電ニ極管21接收，而不被層疊配線層28阻擋，因此，與所謂的前側(cè)照明結(jié)構(gòu)相比，易于確保光電ニ極管21的實際光接收面積，并且能夠獲得相對高的敏感度。此外，由于關(guān)于半導(dǎo)體基板2在作為與光輸入到的ー側(cè)(后表面2b側(cè))相對的前表面2a側(cè)上提供層疊配線層28，所以相對于構(gòu)造層疊配線層28的配線30的布局來說，能夠獲得較高的自由度。此外，根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I包括在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間的、彼此相鄰的像素5之間的邊界部分(下文中稱為“像素間邊界部分”)處提供的像素間遮光膜40作為像素間光遮擋單元。具體地，固態(tài)成像設(shè)備I具有在隔絕膜31上的像素間遮光膜40，其提供在半導(dǎo)體基板2的后表面2b側(cè)和濾色器層35之間。此外，根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I是背側(cè)照明，然而，該設(shè)備可以是前側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備，其中關(guān)于半導(dǎo)體基板2在光輸入到的前表面2a側(cè)上提供層疊配線層28。當(dāng)是背側(cè)照明結(jié)構(gòu)時，關(guān)于半導(dǎo)體基板2，通過在半導(dǎo)體基板2的ー側(cè)上提供的層疊配線層28，濾色器層35和微透鏡36形成在與層疊配線層28相同的側(cè)上。以此方式，在固態(tài)成像設(shè)備I中包括的層疊配線層28可以提供在半導(dǎo)體基板2的任何ー個板表面上。當(dāng)固態(tài)成像設(shè)備I具有前側(cè)照明結(jié)構(gòu)時，例如，諸如隔絕膜31的隔絕膜形成在提供于半導(dǎo)體基板2的ー個表面?zhèn)壬系膶盈B配線層上，并且像素間遮光膜40提供在隔絕膜上。然而，在前側(cè)照明和背側(cè)照明的任何ー個中，如果在固態(tài)成像設(shè)備I中提供像素間遮光膜40的位置是在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間的部分，則不特定限制該位置。像素間遮光膜的詳細(xì)構(gòu)造將詳細(xì)描述在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中包括的像素間遮光膜40的構(gòu)造。如上所述，在像素陣列中，基于通過彼此相鄰而構(gòu)成邊界的一對像素5的濾色器37的色彩(下文中簡稱為“色彩”)的關(guān)系，選擇性地提供像素間遮光膜40，其提供在像素間邊界部分中。也就是說，在布置多個像素5的像素區(qū)域3中，在所有像素間邊界部分之中，基于彼此相鄰的像素5的色彩組合，來在像素間邊界部分的一部分處提供像素間遮光膜40。這里，將參考圖3描述在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中包括的像素陣列。如圖3中所示，像素區(qū)域3中的像素陣列是上述的干凈比特序列，并且當(dāng)平面觀看時關(guān)于具有矩形形狀的半導(dǎo)體基板2以成45°對角線的狀態(tài)安排在對角線矩陣中。在圖3中，對于每個像素5的色彩，分別用“R”、“G”和“B”表示紅色、緑色和藍(lán)色。如圖3中所示，在干凈比特序列中，在第一方向(參考箭頭Al)和第二方向(參考箭頭A2)中的每個方向中，交替地安排了像素列41 (下文中稱為“單色像素列”)和像素列42(下文中稱為“多色像素列”)，其中像素列41僅由綠色(G)像素5(下文中稱為“G像素”)形成，而像素列42由紅色(R)像素5 (下文中稱為“R像素”)、藍(lán)色⑶像素5 (下文 中稱為“B像素”)和G像素的三種色彩的像素5形成。在多色R像素列42中，通過在其間插入G像素來交替安排R像素和B像素。在該干凈比特序列中，作為彼此相鄰的像素5的色彩組合，存在其中色彩彼此不同的像素5的色彩組合、和其中色彩彼此相同的像素5的色彩組合。具體地，在圖3中所示的干凈比特序列中，在第一方向和第二方向的每個方向中，對于構(gòu)成多色像素列42的像素5，通過彼此相鄰的R像素和G像素、或G像素和B像素的任意組合來形成多色像素的組合。此外，在第一方向和第二方向的每個方向中，對于構(gòu)成單色像素列41的像素5，彼此相鄰的像素形成僅具有G像素的相同色彩像素組合。以此方式，在采用干凈比特陣列作為像素陣列的根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，使用濾色器37的色彩，作為彼此相鄰的像素5，多個像素5具有其濾色器37的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其濾色器37的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合。在下文中，將不同色彩像素的組合中彼此相鄰的像素5稱為“不同色彩的像素間”，并且將相同色彩像素的組合中彼此相鄰的像素5稱為“相同色彩的像素間”。也就是說，在上述的干凈比特序列中，作為不同色彩的像素間，存在R像素和G像素的像素間、以及G像素和B像素的像素間，并且作為相同色彩的像素間，存在G像素的像素間。此外，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，提供像素間遮光膜40，以便在上述的干凈比特序列中，聚集在不同色彩組合中的像素邊界部分處，也就是說，在不同色彩像素之間的邊界部分處。也就是說，在如圖3中所示的像素陣列中，相對于作為彼此相同色彩的像素的像素的像素間部分，在作為彼此不同色彩的像素的R像素和G像素之間、或在G像素和B像素之間的像素間邊界部分處加強(qiáng)提供像素間遮光膜40。換句話說，像素間遮光膜40的存在比率在彼此不同色彩的像素的邊界部分處比在彼此相同的像素的邊界部分處高。這里，像素間遮光膜40的存在比率是指在其中提供像素間遮光膜40的像素間邊界部分處的位置數(shù)目為單位的比率、或者在每個像素間邊界部分中的像素間遮光膜40的面積比率。具體地，對于前者的比率，例如，當(dāng)在整個像素陣列中對于不同色彩像素和相同色彩像素分別存在ー百個位置時，在不同色彩像素的邊界部分處的像素間邊界部分的ー百個位置中的八十個位置處提供像素間遮光膜40，而在相同色彩像素的邊界部分處的像素間邊界部分的ー百個位置中的二十個位置處提供像素間遮光膜40。以此方式，提供像素間遮光膜40，使得像素間遮光膜40的存在比率在彼此不同色彩的像素的邊界部分處比在彼此相同色彩的像素的邊界部分處高。此外，對于后者的比率，例如，通過關(guān)于每個像素5的側(cè)面的長度來部分地或間斷地形成像素間遮光膜40，或通過形成較窄的寬度，在每個像素間邊界部分中的像素間遮光膜40的長度或行寬度經(jīng)歷尺寸調(diào)整。以此方式，將在不同色彩像素之間的邊界部分處提供的像素間遮光膜40的面積設(shè)置為大于在相同色彩像素之間的邊界部分處提供的像素間遮光膜40的面積。因此，如上所述，當(dāng)像素間遮光膜40的存在比率在彼此不同色彩的像素的邊界部分處比在彼此相同色彩的邊界部分處更高時，意味著在像素區(qū)域3中的整個像素陣列中， 在其中存在像素間遮光膜40的邊界部分中，彼此不同色彩的像素的邊界部分大于彼此相同的像素的邊界部分。以此方式，與在相同色彩像素相比像素間遮光膜40進(jìn)ー步集中在不同色彩像素之間的事實是基于下列的事實。也就是說，在不同色彩像素之間，強(qiáng)調(diào)抑制光學(xué)色彩混合、以及抑制當(dāng)要由構(gòu)造像素5的光電ニ極管21感測的光被阻擋時而導(dǎo)致的敏感度的下降。將在下面詳細(xì)描述這一點。首先，將使用圖4描述不同色彩的像素間的情況。在圖4中，作為不同色彩像素的組合的示例，示范了彼此相鄰的R像素5R和G像素5G。輸入到R像素5R的微透鏡36的大部分光透射到紅色濾色器37R，并且輸入到R像素5R的光電ニ極管21。另ー方面,在輸入到R像素5R的微透鏡36的光中包括傾斜光，其不能被微透鏡36聚集，并且透射過紅色濾色器37R，并且直達(dá)與R像素5R相鄰的G像素5G，然后輸入到G像素5G的光電ニ極管21 (參考虛箭頭LI)。此外，輸入到G像素5G的微透鏡36的大部分光透射到綠色濾色器37G，并且輸入到G像素5G的光電ニ極管21。因此，如上所述，當(dāng)作為傾斜光的透射過紅色濾色器37R的光輸入到G像素5G的光電ニ極管21時,發(fā)生光學(xué)色彩混合。也就是說，由于其中透射輸入到光電ニ極管21的光的濾色器37的色彩和與接收該光的光電ニ極管21相對應(yīng)提供的濾色器37的色彩彼此不同，所以發(fā)生光學(xué)色彩混合。在圖4中所示的示例中，紅色(R)和綠色(G)色彩被混合。由于傾斜透射過濾色器37和光電ニ極管21之間的部分、并且從微透鏡36輸入到相鄰的像素5的光電ニ極管21的光，所以在不同的色彩像素之間的這樣的色彩混合主要發(fā)生在彼此不同色彩的像素的邊界部分附近。因而，通過在彼此不同色彩的像素的邊界部分處存在像素間遮光膜40來抑制光學(xué)色彩混合。具體地，如圖4中所示，例如在輸入到R像素5R的微透鏡36的光中，不被微透鏡36聚集的、去向與R像素5R相鄰的G像素5G的傾斜光(實箭頭L2)被在彼此不同色彩的像素的邊界部分處存在的像素間遮光膜40阻擋。也就是說，當(dāng)不存在像素間遮光膜40吋，輸入到挨著R像素5R的G像素5G的光電ニ極管21的光(虛箭頭LI)被輸入到像素間遮光膜40，并且被反射(實箭頭L2和L3)。由于此，防止導(dǎo)致不同色彩像素之間的色彩混合的傾斜光被輸入到光電ニ極管21。隨后，將使用圖5描述相同色彩的像素間的情況。在圖5中，作為相同像素的組合，示出了彼此相鄰的兩個G像素5G。在相同色彩像素之間，不發(fā)生上述的在不同色彩像素之間發(fā)生的光學(xué)色彩混合。也就是說，傾斜光包括在輸入到在ー側(cè)(圖5中的左側(cè))上的G像素5G的微透鏡36的光中，其不能夠被微透鏡36聚集，透射過綠色濾色器37G，并且直達(dá)與ー側(cè)的G像素5G相鄰的另ー側(cè)(圖5的右側(cè))上的G像素5G，并且然后輸入到另ー側(cè)上的G像素5G的光電ニ極管(參考實箭頭L4)。此外，輸入到另ー側(cè)(圖5的右側(cè))上的G像素5G的微透鏡36的大部分光透射到與在另ー側(cè)上的G像素的微透鏡36相對應(yīng)的綠色濾色器37G，并且輸入與其濾色器37G相對應(yīng)的在另ー側(cè)上的G像素37G的光電ニ極管21。因此，如上所述，即使透射過ー側(cè)上的G像素5G的綠色濾色器37G的光被輸入到另ー側(cè)上的G像素5G的光電ニ極管21，也不發(fā)生光學(xué)色彩混合。也就是說，由于將光輸入到光電ニ極管21的濾色器37的色彩和與接收光的光電ニ極管21相對應(yīng)提供的濾色器37的色彩是相同的色彩，所以不發(fā)生光學(xué)色彩混 ム
ロ ο另ー方面，由于在像素間邊界部分處存在的像素間遮光膜40是阻擋光的物體，所以存在由于輸入光被像素間遮光膜40反射而阻擋要由每個像素5的光電ニ極管21感測的光的可能性，如上所述。以此方式，對要由每個像素5的光電ニ極管21感測的光的阻擋導(dǎo)致敏感度的降低。因此，如上所述，在其中光學(xué)色彩混合不是問題的相同色彩像素之間的邊界部分處，不使用抑制對在相鄰像素之間的輸入光的光的阻擋，并且通過間斷地去除或減少像素間遮光膜40，可以提高敏感度。在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I的情況下，能夠提高構(gòu)造相同色彩像素的像素間的G像素的敏感度。也就是說，與在相同色彩像素之間相比像素間遮光膜40進(jìn)ー步集中在不同色彩像素之間的事實是基于下列的觀點。也就是說，在不同色彩像素之間，給予優(yōu)先級以便由于像素間遮光膜40而抑制光學(xué)色彩混合、以及由于不存在像素間遮光膜40而改進(jìn)敏感度。因此，由于通過像素間遮光膜40抑制在不同的色彩像素混合，所以能夠抑制在信號處理期間由于光學(xué)色彩混合而發(fā)生的Mg閃光。如上所述，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，能夠抑制光學(xué)色彩混合、或Mg閃光、以及提高敏感度。圖3示出了僅在彼此不同色彩的像素的邊界部分處提供像素間遮光膜40的情況，作為其中與彼此相同色彩的像素的邊界部分相比像素間遮光膜40集中在彼此不同色彩的像素的邊界部分處的情況的示例。也就是說，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，僅在不同色彩像素的組合中的像素間邊界部分處存在像素間遮光膜40，而在相同色彩像素的組合中的像素間邊界部分處不存在像素間遮光膜40。此外，在圖3中，為了便利，通過沿著像素陣列中的像素5之間的邊界線的粗線來表示半導(dǎo)體基板2和濾色器35之間存在的像素間遮光膜40。如圖3中所示，在固態(tài)成像設(shè)備I中，作為像素間遮光膜40，存在在作為彼此不同色彩的像素的邊界部分的R像素和G像素的像素間邊界部分處提供的像素間遮光膜40A、以及在作為彼此相同色彩的像素的邊界部分的B像素和G像素的像素間邊界部分處提供的像素間遮光膜40B。此外，在固態(tài)成像設(shè)備I中，在相同色彩像素之間的像素間邊界部分處、即在G像素之間的像素間邊界部分處不提供像素間遮光膜40。在作為固態(tài)成像設(shè)備I的像素陣列的干凈比特序列中，通過采用上述的像素間遮光膜40的布局，結(jié)果，對于當(dāng)平面觀看時是矩形的像素5，R像素的四個邊被像素間遮光膜40A所圍繞，并且B像素的4個邊被像素間遮光膜40B所圍繞，由此提供像素間遮光膜40。在形成上述的像素間遮光膜40的方法中，通過去除在相同色彩像素之間的邊界部分處存在的遮光膜，來實現(xiàn)這樣的關(guān)于每個像素的邊界部分的像素間遮光膜40的選擇性安排。具體地，在形成上述的像素間遮光膜40的方 法中，對于使用沉積過程形成的金屬層，僅在與不同像素之間的邊界部分相對應(yīng)的部分處形成抗蝕掩摸。此外，在去除過程中，通過沿著除了像素間邊界部分外的部分進(jìn)行刻蝕來去除作為像素間遮光膜40的在金屬層中的相同色彩R像素之間的邊界部分。以此方式，僅在不同的色彩像素之間的邊界部分處形成像素間遮光膜40。根據(jù)具有上述的像素間遮光膜40的實施例的固態(tài)成像設(shè)備1，能夠可靠地獲得上述效果，其中可以提高在相同色彩像素之間的敏感度，同時抑制不同色彩像素之間的光學(xué)色彩混合。這里，將描述關(guān)于根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中的Mg閃光的遮擋效果。Mg閃光如下發(fā)生。從微透鏡36向像素5的光電ニ極管21輸入的一部分光變成作為反射光或衍射光從光電ニ極管21側(cè)去向微透鏡36側(cè)的光。該反射光或衍射光穿過微透鏡36等，被在CMOS固態(tài)成像設(shè)備的包裝中覆蓋微透鏡36的密封玻璃等反射，并且再次從微透鏡36輸入到光電ニ極管21側(cè)。以此方式，再次輸入到光電ニ極管21側(cè)的光作為反射光、衍射光等導(dǎo)致在例如紅色、緑色和藍(lán)色的每個色彩的像素中均勻地發(fā)生的光學(xué)色彩混合。此外，在固態(tài)成像設(shè)備I中，執(zhí)行被稱為白平衡處理的處理，以便對準(zhǔn)每個色彩分量的光的光譜特征。根據(jù)白平衡處理，例如，當(dāng)將濾色器層35分為紅色、緑色和藍(lán)色的三個濾色器37時，通過關(guān)于緑色信號獲得更大的增益，來強(qiáng)調(diào)紅色和藍(lán)色信號。由于在其中如上所述像素中均勻地發(fā)生色彩混合的狀態(tài)下執(zhí)行這樣的白平衡處理，所以發(fā)生Mg閃光。如圖3中所示，當(dāng)去除在作為彼此相同色彩的像素的G像素之間的像素間遮光膜40時，意味著品紅色彩接近于白色色彩。當(dāng)憑直覺觀看吋，由于在照相機(jī)中設(shè)置的透鏡等也發(fā)生白色閃光分量，然而因為看起來是自然的，所以其不是問題，也不被認(rèn)為是使圖像質(zhì)量下降的原因。此外，作為像素陣列，存在其中除了 G像素外的彩色像素彼此相鄰的陣列，然而，甚至當(dāng)在這樣的陣列中去除相同色彩像素之間的像素間遮光膜40時，通過在覆蓋微透鏡36的密封玻璃側(cè)上提供抗反射膜等，也能夠避免Mg閃光。如圖3中所示，在干凈比特序列中，在其中僅在不同色彩像素之間的邊界部分處提供像素間遮光膜40的構(gòu)造中，由于關(guān)于當(dāng)平面觀看時是矩形的每個像素5的四邊存在或不存在像素間遮光膜40，所以在像素5之間發(fā)生敏感度的差異。具體地，在如圖3中所示的按照干凈比特序列的像素間遮光膜40的布局的情況下，存在G像素5Ga (下文中稱為“第一 G像素”)，其中當(dāng)平面觀看時在與G像素的四側(cè)中的任一側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處不存在像素間遮光膜40 ;以及G像素5Gb (下文中稱為“第二 G像素”)，其中當(dāng)平面觀看時僅在與彼此面對的兩側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處存在像素間遮光膜40。也就是說，在第二 G像素5Gb的周邊處的彼此面對的兩側(cè)處存在像素間遮光膜40，而在第一 G像素5Ga的周邊不存在像素間遮光膜40。由于在每個像素5處存在或不存在像素間遮光膜40，所以在這樣的第一 G像素5Ga和第二 G像素5Gb之間發(fā)生敏感度的差異。也就是說，即使在同一 G像素中，因為由像素5的光電ニ極管21接收的光強(qiáng)度因在周邊的像素間邊界部分處存在的像素間遮光膜40的存在或不存在而不同，所以由于像素間遮光膜40的光遮擋操作而發(fā)生敏感度的差異。以此方式，由于在每個像素5Ga和5Gb的周邊處的、像素5之間的像素間邊界部分處的像素間遮光膜40的量而導(dǎo)致在多個像素5之間發(fā)生在第一 G像素5Ga和第二 G像素5Gb之間的敏感度的差異。在此，像素間遮光膜40的量包括導(dǎo)致像素5之間的敏感度差異的像素間遮光膜40的所有定量元素，例如在每個像素5的周邊處提供像素間遮光膜40的位置的數(shù)目(當(dāng)平面觀看時在矩形像素5中的四側(cè)之中提供像素間遮光膜40的側(cè)的數(shù)目)、在每個像素間邊界部分處提供像素間遮光膜40的長度或行寬度，即像素間遮光膜40的面積等。因而，在根據(jù)實施例的固體成像設(shè)備I中，在周邊電路區(qū)域4處提供的列處理電路7中的信號處理的過程中，關(guān)于來自每個像素5的輸出信號的輸出值執(zhí)行基于在上述的第一 G像素5Ga和第二 G像素5Gb之間的敏感度差異的幅度的校正(下文中稱為“敏感度差異校正”)。如下執(zhí)行詳細(xì)的敏感度差異校正。根據(jù)實施例，其中在彼此面對的ー對側(cè)處存在像素間遮光膜40的第二 G像素5Gb的敏感度相對于其中在四側(cè)的任何一個中不存在像素間遮光膜40的第一G像素5Ga低。這里，將第二 G像素5Gb的敏感度S2 ( < SI) (% )相對于第一 G像素5Ga的敏感度SI (% )的敏感度差異設(shè)置為a ( = S1-S2) (% )。此外，像素5的敏感度是與通過光吸收率和光透射的乘積表示的光電轉(zhuǎn)換率成比例的值。以此方式，當(dāng)在第一 G像素5Ga和第二 G像素5Gb之間存在敏感度差異α (%)吋，在對從每個像素5輸出的信號的處理中，使用列信號處理電路7，通過根據(jù)敏感度α (%)的值改變每個像素5的信號的増益來執(zhí)行增加其敏感度低的第二 G像素5Gb的増益的校正。在該情況下，基于下面的表達(dá)式(I)執(zhí)行敏感度差異校正。β = Y X (100+a )/100____(I)這里，β是校正值，并且Y是來自第二 G像素5Gb的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)?shù)谝?G像素5Ga的敏感度是SI = 100%，并且第二 G像素5Gb的敏感度是S2 = 90%吋，α是10(%)。在該情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(1)，計算其中將第二 G像素5Gb的輸出值Y乘以值I. I獲得的值作為校正值β。此外，描述了執(zhí)行増加其敏感度在第一 G像素5Ga和第二 G像素5Gb之間較低的第二G像素5Gb的増益的校正的情況作為上述的敏感度差異校正的示例，然而，可以執(zhí)行其中降低其敏感度較高的第一 G像素5Ga的増益的校正。在該情況下，基于下面的表達(dá)式(2)來執(zhí)行敏感度差異校正。β = η X (100-a )/100____(2)這里，β是校正值，并且η是來自第一 G像素5Ga的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)?shù)谝?G像素5Ga的敏感度是SI = 100%，并且第二 G像素5Gb的敏感度是S2 = 90%吋，α是10(%)。在該情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(2)，計算其中將第一 G像素5Ga的輸出值η乘以值O. 9獲得的值作為校正值β。如上所述，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，列信號處理電路7基于由于在每個像素5的周邊存在的像素間遮光膜40的量的差異而導(dǎo)致在多個像素5之間發(fā)生的敏感度差異的幅度(α)來校正來自每個像素5的輸出信號的輸出值(Y和η)。以此方式，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中，通過執(zhí)行敏感度差異校正，能夠校正由于在多個像素間邊界部分中像素間遮光膜40的不均勻存在而在多個像素5之間發(fā)生的敏感度差異，同時通過抑制光學(xué)色彩混合和Mg閃光來提高敏感度。以此方式，能夠獲得良好的敏感度特征。第二實施例 將描述本公開的第二實施例。此外，在下面要描述的本技術(shù)的實施例中，對與上述實施例共同的部分將給予相同的參考數(shù)字，并且將省略對其的描述。根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51包括在像素區(qū)域3的周邊處提供的周邊電路區(qū)域4中的遮光膜40。如圖6中所示，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51包括周邊遮光膜52作為在周邊電路區(qū)域4中提供的遮光膜。周邊遮光膜52被形成為與在固態(tài)成像設(shè)備51中包括的像素間遮光膜40相同的層結(jié)構(gòu)。也就是說，周邊遮光膜52是與像素間遮光膜40相同的層，并且被提供在半導(dǎo)體基板2和濾色器35之間的周邊電路區(qū)域4中。此外，使用相同材料的相同膜同時形成像素間遮光膜40和周邊遮光膜52。因此，形成周邊遮光膜52的材料是諸如鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等的金屬。如圖6中所示，在固態(tài)成像設(shè)備51中包括的像素區(qū)域3具有有效像素區(qū)域53和光學(xué)黑色電平區(qū)域54。有效像素區(qū)域53是其中使用每個像素5中的光電轉(zhuǎn)換來執(zhí)行信號電荷的生成、放大和讀出的區(qū)域。光學(xué)黑色電平區(qū)域54是其中輸出光學(xué)黒色作為黑色電平的參考的區(qū)域。在有效像素區(qū)域53的周邊處形成光學(xué)黑色電平區(qū)域54。根據(jù)該實施例，在周邊電路區(qū)域4中提供的周邊遮光膜52與在光學(xué)黑色電平區(qū)域54中提供的遮光膜52a —起形成連續(xù)的整體遮光膜。在周邊電路區(qū)域4中，類似于像素區(qū)域3，在半導(dǎo)體基板2的表面2a側(cè)上提供層疊配線層28，并且在半導(dǎo)體基板2的后表面2b側(cè)上提供隔絕膜31和平坦化膜34。此外，在平坦化膜34上提供濾色器層35，并且在濾色器層35上形成微透鏡36。此外，在像素區(qū)域3的周邊區(qū)域處提供的光學(xué)黑色電平區(qū)域54中，在隔絕膜31上提供遮光膜52a。而且，在位于光學(xué)黑色電平區(qū)域54的周邊的周邊電路區(qū)域4中，在隔絕膜31上提供與遮光膜52a連續(xù)的周邊遮光膜52。在作為形成上述的像素間遮光膜40的方法的沉積過程中，在周邊電路區(qū)域4中形成作為像素間遮光膜40的金屬層，以提供在周邊電路區(qū)域4中提供的周邊遮光膜52。此夕卜，在掩模過程中，對于通過沉積處理形成的金屬層，除了作為像素間遮光膜40的部分外，在與提供周邊遮光膜52和遮光膜52a的位置相對應(yīng)的部分處形成抗蝕掩摸。以此方式，通過去除過程形成周邊遮光膜52和遮光膜52a。在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51中，通過在像素區(qū)域3的周邊處提供的周邊電路區(qū)域4中提供具有與在像素區(qū)域3中提供的像素間遮光膜40相同的層結(jié)構(gòu)的周邊遮光膜52，減小了由于像素區(qū)域3和周邊電路區(qū)域4之間的像素間遮光膜40導(dǎo)致的電平差。以此方式，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51，除了在根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備I中獲得的效果外，能夠降低不均勻的敏感度，并且在像素區(qū)域3中獲得均勻的光學(xué)特征。具體地，當(dāng)在周邊電路區(qū)域4中提供與像素區(qū)域3的像素間遮光膜40相對應(yīng)的層結(jié)構(gòu)、諸如周邊遮光膜52時，取決于存在或不存在與像素間遮光膜40相對應(yīng)的層結(jié)構(gòu)，在像素區(qū)域3和周邊電路區(qū)域4之間可能發(fā)生電平差。區(qū)域之間的電平差導(dǎo)致在像素區(qū)域3的有效像素區(qū)域53的中心部分及其周邊部分之間微透鏡36的透鏡表面的高度差。在有效像素區(qū)域53中的微透鏡36的透鏡表面的該高度差通過使得微透鏡36的聚集狀態(tài)不均勻而導(dǎo)致不均勻的敏感度。具體地，在同一區(qū)域中，有效像素區(qū)域53的周邊部分的亮度相對于在其中心部分處的亮度變暗。因此，像根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51，在周邊電路區(qū)域4中，通過提供具有與像素區(qū)域3的像素間遮光膜40相同的層結(jié)構(gòu)的周邊遮光膜52，能夠降低在像素區(qū)域3和周邊電路區(qū)域4之間的電平差。以此方式，能夠降低在像素區(qū)域3的有效像素區(qū)域53的中心部分和周邊部分之間的微透鏡36的透鏡表面的高度差異。結(jié)果，在有效像素區(qū)域53中可以獲得微透鏡36的均勻的聚集狀態(tài)，并且能夠抑制不均勻的敏感度，以及提高圖像質(zhì)量。 以此方式，當(dāng)認(rèn)為降低在像素區(qū)域3和周邊電路區(qū)域4之間的電平差時，像根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備51中的周邊遮光膜52a那樣，即使在像素區(qū)域3的光學(xué)黑色電平區(qū)域54中，也優(yōu)選提供具有與像素間遮光膜40相同的層的遮光膜。即使在光學(xué)黑色電平區(qū)域54中，由于存在具有與像素間遮光膜40相同的層的遮光膜，也能夠有效地降低像素區(qū)域3和周邊電路區(qū)域4之間的電平差。然而，可以僅在周邊電路區(qū)域4中提供具有與像素間遮光膜40相同的層的遮光膜，而不在光學(xué)黑色電平區(qū)域54中提供作為周邊遮光膜52。第三實施例將描述本公開的第三實施例。在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，像素間遮光膜40連接到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域(GND區(qū)域)。如圖7中所示，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，多個像素間遮光膜40通過在周邊電路區(qū)域4中提供的周邊遮光膜62連接到作為半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的、作為P型半導(dǎo)體的元件隔離單元27，并且接地。使用相同材料的膜同時形成周邊遮光膜62與像素間遮光膜40。因此，形成周邊遮光膜62的材料是例如鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等的金屬。周邊遮光膜62具有用于電連接到周邊電路區(qū)域4的元件隔離單元27的接觸単元62a。也就是說，周邊遮光膜62通過接觸部分62a連接到元件隔離單元27。提供接觸部分62a以便從周邊遮光膜62突出到半導(dǎo)體基板2側(cè)(圖7的下側(cè))。接觸単元62a是使用與周邊遮光膜62相同的材料與周邊遮光膜62 —起集成形成、并且延伸到周邊遮光膜62的半導(dǎo)體基板2側(cè)的部分。接觸単元62a對構(gòu)造隔絕膜31的硅氧化膜32和鉿氧化膜33打孔，并且從半導(dǎo)體基板2的后表面2b側(cè)電連接到元件隔離單元27。多個像素間遮光膜40通過在周邊電路區(qū)域4中提供的周邊遮光膜62接地到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域。由于該原因，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61包括將像素間遮光膜40連接到周邊遮光膜62的第一連接遮光膜63、以及在像素區(qū)域3中的每個像素間邊界部分處存在的像素間遮光膜40之間連接的第二連接遮光膜64。如圖7中所示，第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64被形成為與在固態(tài)成像設(shè)備61中包括的像素間遮光膜40相同的層結(jié)構(gòu)。此外，第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64以及像素間遮光膜40是使用相同材料的膜同時形成的。因此，形成第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64的材料是例如鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等的金屬。如圖8中所示，類似于像素間遮光膜40，在像素間邊界部分處提供第二連接遮光膜64。也就是說，第二連接遮光膜64被形成為具有預(yù)定行寬的線性層部分，以便關(guān)于當(dāng)平面觀看時具有基本矩形形狀的像素5沿著基本矩形的邊前迸。在上述的像素間遮光膜40的布局中，第二連接遮光膜64被提供在作為相同色彩像素的G像素之間的邊界部分處，并且分別電連接到圍繞R像素和B像素的四個側(cè)的像素間遮光膜40的組。此外，圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的像素間遮光膜40 (40A和40B)是整體連續(xù)的部分，并且被電連接。在圖8中所示的示例中，在延第一方向(參見箭頭Al)安排的多色像素列42中，對于每個R像素或B像素，關(guān)于第二方向(參見箭頭A2)交替安排第二連接遮光膜64，并且第二連接遮光膜64將圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的像素間遮光膜40組彼此連接。也就是說，如下提供第二連接遮光膜64 :在沿第一方向安排的多色像素列42中，在R像素和B像素之間，相對于第二方向的一側(cè)上的像素間邊界部分處，按照第一方向朝向預(yù)定方 向(例如圖8中的斜右的右上方)而跨越ー個G像素；在B像素和R像素之間，相對于第二方向的另ー側(cè)上的像素間邊界部分處，跨越ー個G像素；以及關(guān)于第二方向在R像素和B像素的每ー個之間交替。以此方式，通過第二連接遮光膜64彼此電連接的像素間遮光膜40的組通過第一連接遮光膜63電連接到接地到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的周邊遮光膜62 (參見圖7)。由于此，在固態(tài)成像設(shè)備61中包括的像素間遮光膜40通過周邊遮光膜62接地到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域。此外，不特別限制用于將在固態(tài)成像設(shè)備61中包括的像素間遮光膜40接地到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的第一連接遮光膜63、以及第二連接遮光膜64的布局。因此，第二連接遮光膜64的安排可以例如是圖9中所示的安排。在圖9所示的示例中，在沿第一方向(參見箭頭Al)安排的多色像素列42中，對于R像素或B像素中的每ー個在與第二方向相同的側(cè)上安排第二連接遮光膜64，其將分別圍繞R像素和B像素的四側(cè)的像素間遮光膜40的組彼此連接。也就是說，在圖9所示的示例中，在沿著第一方向安排的多色像素列42中，沿著第一方向在相對于第二方向相同的側(cè)上的像素間邊界部分處提供第二連接遮光膜64。在圖9所示的示例中，在與沿著第一方向安排的多色像素列42的G像素的斜右的下側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處提供第二連接遮光膜64，然而，可以在其相對側(cè)處，也就是說，在與沿著第一方向安排的多色像素列42的G像素的斜左的上側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處，提供第二連接遮光膜64。為了提供第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64，在上述的用于形成像素間遮光膜40的方法的掩模過程中，對于通過沉積過程形成的金屬層，除了作為像素間遮光膜40的部分外，在與提供第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64的位置相對應(yīng)的部分處形成抗蝕掩摸。以此方式，通過進(jìn)行去除過程來形成第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64。以此方式，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，在像素區(qū)域3中提供的多個像素間遮光膜40通過第二連接遮光膜64選擇性地彼此連接，并且通過第一連接遮光膜63電連接至接地到接地區(qū)域的周邊遮光膜62。由于此，在像素區(qū)域3中提供的像素間遮光膜40連接到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域。此外，通過元素隔離區(qū)域27將地電勢施加到像素間遮光膜40。根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61，除了在第一和第二實施例中獲得的效果外，在固態(tài)成像設(shè)備61的處理過程中，由于像素間遮光膜40接地，所以能夠防止由于等離子處理等的影響而損壞像素間遮光膜40。在固態(tài)成像設(shè)備61的處理過程中，例如，可能存在其中執(zhí)行用于形成像素間遮光膜40的去除過程的刻蝕、或是作為用于形成微透鏡36的刻蝕的干刻蝕之ー的等離子刻蝕的情況。等離子刻蝕通過執(zhí)行等離子處理而導(dǎo)致通過放電期間等離子的動作進(jìn)行刻蝕。當(dāng)執(zhí)行這樣的等離子刻蝕時，在像素間遮光膜40處于電浮置而不接地的狀態(tài)的情況下，認(rèn)為由于等離子處理而損壞像素間遮光膜40。因而，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè) 備61中，使用導(dǎo)向相同色彩像素之間的邊界部分的第一連接遮光膜63和第二連接遮光膜64，通過使得像素間遮光膜40接地到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域，能夠避免由于在固態(tài)成像設(shè)備61的處理過程中的等離子處理等導(dǎo)致的損壞。此外，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，像素間遮光膜40穿過在周邊電路區(qū)域4提供的周邊遮光膜62接地到作為半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的元素隔離區(qū)域27中，然而，像素間遮光膜可以接地到像素區(qū)域3中的元素隔離區(qū)域27中。然而，在該情況下，當(dāng)認(rèn)為在有效像素區(qū)域53中可以通過在在周邊電路區(qū)域4中形成諸如接觸單元62a的接觸部分來抑制對半導(dǎo)體基板2的損壞時，優(yōu)選在像素區(qū)域3的光學(xué)黑色電平區(qū)域54中將像素間遮光膜40接地在元素隔離區(qū)域27中。順便提及，在該情況下對半導(dǎo)體基板2的損壞可能導(dǎo)致白點的發(fā)生。此外，為了避免由于上述等離子處理等對像素間遮光膜40的損壞，可以將像素間遮光膜40連接到電勢恒定的部分中，即包括地電勢、電源電勢等的固定電勢，而不限于關(guān)于作為半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的元素隔離區(qū)域27的地。在固態(tài)成像設(shè)備61中，作為除了元素隔離區(qū)域27外的固定電勢，存在例如0V、1.0V、2. 5V、3. 3V、5V等值的固定電勢、地電勢、電源電勢等。此外，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61，由于像素間遮光膜40的電勢是固定的，所以通過像素間遮光膜40的存在能夠降低對緊下面的光電ニ極管21造成的諸如暗噪聲等的不利影響。在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，在實踐中，連接在像素間遮光膜40之間的第二連接遮光膜64與像素間遮光膜40相同。也就是說，第二連接遮光膜64是在相同色彩像素之間的邊界部分處存在的像素間遮光膜40。在該方面，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中，因為盡可能抑制第二連接遮光膜64的導(dǎo)向量，所以像素間遮光膜40被布局為，相對于作為在相同色彩像素之間的邊界部分處提供的第二連接遮光膜40，較大地提供在不同色彩像素之間的邊界部分處。第四實施例將描述本公開的第四實施例。當(dāng)與根據(jù)第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備61相比時，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備包括透明電極來替代將在不同色彩像素之間的邊界部分處提供的像素間遮光膜40彼此電連接的第二連接遮光膜64。如圖10中所示，將透明電極72形成為具有預(yù)定行寬度的線性層部分，以便對于當(dāng)平面觀看時是基本上是正方形的像素5沿基本上正方形形狀的邊安排。如圖10中所示，將透明電極72提供為與圖9中所示的第二連接遮光膜64相同的安排。也就是說，在圖10所示的示例中，在延第一方向(參見箭頭Al)安排的多色像素列42中，透明電極72對于每個R像素或B像素安排在關(guān)于第二方向(參見箭頭A2)的相同側(cè)，并且連接在圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的像素間遮光膜40之間。也就是說，在圖10所示的示例中，在沿第一方向安排的多色像素列42中，透明電極72沿第一方向提供在關(guān)于第二方向相同側(cè)的像素間邊界部分處。此外，類似于根據(jù)第三實施例的第二連接遮光膜64，不特定限制將在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備中包括的多個像素間遮光膜40彼此電連接的透明電極72的布局。因此，在透明電極72的布局中，例如如圖10中的示例所示，透明電極可以被提供在與沿第一方向安排的多色像素列42的G像素的斜左的上側(cè)對應(yīng)的像素間邊界部分處，或可以具有與圖8 中所示的第二連接遮光膜64相同的布局。透明電極72被提供在例如與像素間遮光膜40相同的層位置中。在該情況下，類似于像素間遮光膜40，透明電極72被提供在隔絕膜31上。不特定限制透明電極72的層位置，然而，類似于于像素間遮光膜40，將透明電極72提供在其中多個像素間遮光膜40可以彼此電連接在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間的位置處。此外，在圖10中，為便利起見，將在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間存在的透明電極72示為沿像素陣列的邊界線安排的線性部分。通過例如光學(xué)上透明并且導(dǎo)電的材料(諸如銦錫氧化物(ITO))的材料、其中向鋅氧化物添加鋁氧化物或鎵氧化物的材料、其中將銻氧化物或氟摻雜到錫氧化物的材料等，來構(gòu)造透明電極72。然而，如果材料是具有光學(xué)透明性的導(dǎo)體，則不特別限制構(gòu)造透明電極72的材料。以此方式，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備中，在多個像素5中的像素間邊界部分處存在的多個像素間遮光膜40通過透明電極72彼此電連接。此外，類似于第三實施例的情況，通過透明電極72彼此電連接的多個像素間遮光膜40連接到固定電勢，諸如作為半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的元件隔離區(qū)域27。在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備中，除了在第一至第三實施例中獲得的效果外，能夠抑制由于在R像素范圍3中存在像素間遮光膜40而發(fā)生的所謂的光格暈，以及改進(jìn)光學(xué)特征。也就是說，由于通過提供透明電極72代替具有光阻擋特性的第二連接遮光膜64 (類似于像素間遮光膜40)，在提供透明電極72的像素間邊界部分中防止阻擋輸入的光，所以能夠最小化光學(xué)損失，并且防止光學(xué)特征的惡化。第五實施例將描述本公開的第五實施例。與根據(jù)第一至第四實施例的背側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備相比，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備81是前側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備。固態(tài)成像設(shè)備81具有提供在半導(dǎo)體基板2中的像素區(qū)域3。像素區(qū)域3是其中安排包括作為具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換單元的光電ニ極管21的多個像素5的區(qū)域。如圖11中所示，在前側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備81中，類似于背側(cè)照明的情況，在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)提供層疊配線層82。在半導(dǎo)體基板2和層疊配線層82之間從半導(dǎo)體基板2側(cè)依次形成平坦化膜83和隔絕膜84。
層疊配線層82具有通過層間隔絕膜85層疊的多個配線86。通過例如由ニ氧化硅(SiO2)形成的硅氧化膜來構(gòu)造層間隔絕膜85。多個配線86由例如不同的金屬形成，并且通過形成在層之間的插頭等彼此連接。此外，在該實施例中，提供在半導(dǎo)體基板2的ー個板表面?zhèn)壬系呐渚€層是具有多個配線的層疊配線層82，然而，配線層不限于此，并且可以是單層結(jié)構(gòu)的配線層。在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)上提供平坦化膜83。將平坦化膜83形成為諸如硅氧化膜的隔絕膜。構(gòu)造像素5的MOS晶體管87與光電ニ極管21 —起提供在平坦化膜83中。MOS晶體管87具有未示出的源極/漏極區(qū)域和柵極電極88。MOS晶體管87的源極/漏極區(qū)域形成在P型半導(dǎo)體勢阱區(qū)域26中的η型區(qū)域中，所述P型半導(dǎo)體勢阱區(qū)域26形成在作為半導(dǎo)體基板2的ー個板表面?zhèn)鹊那氨砻?a側(cè)。柵極電極88形成在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)上的在MOS晶體管87的源極和漏極區(qū)域之間的兩個區(qū)域中。以此方式，通過元件隔離區(qū)域27來隔離由光電ニ極管21和MOS晶體管87形成的每個像素。 隔絕膜84提供在平坦化膜83上，并且用作抗反射膜。隔絕膜84具有層疊結(jié)構(gòu)，其中層疊彼此具有不同反射性的多個膜。根據(jù)該實施例，隔絕膜84具有兩層結(jié)構(gòu)，其由從半導(dǎo)體基板2側(cè)層疊的硅氧化膜91、以及鉿氧化膜92形成。層疊配線82提供在隔絕膜84上。具有光學(xué)透明性的平坦化膜93被提供在層疊配線層82上。平坦化膜93由例如諸如樹脂的有機(jī)材料形成。濾色器層35和多個微透鏡36形成在平坦化膜93上。如上所述，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備81關(guān)于半導(dǎo)體基板2在提供層疊配線層82的前表面2a側(cè)上提供有濾色器層35和微透鏡36。也就是說，在固態(tài)成像設(shè)備81中，層疊配線層82和濾色器層35關(guān)于半導(dǎo)體基板2被提供在彼此相同的板表面上，并且層疊配線層82關(guān)于半導(dǎo)體基板2被提供在輸入光的前表面2a側(cè)上。在上述的背側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備81中，作為像素間光遮擋單元的像素間遮光膜90提供在形成在隔絕膜84上的層疊配線層82中的像素間邊界部分處。類似于在上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備中包括的像素間遮光膜40，像素間遮光膜90是在隔絕膜40上沿彼此相鄰的像素5之間的邊界線形成的。也就是說，像素間遮光膜90被形成為具有預(yù)定行寬度的線性層部分，以便關(guān)于當(dāng)平面觀看時是基本上正方形的像素5沿基本上正方形形狀的側(cè)安排。如上所述，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備81具有在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間的像素間邊界部分處提供的作為像素間光遮擋單元的像素間遮光膜90。具體地，固態(tài)成像設(shè)備81具有在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)和濾色器層35之間提供的隔絕膜84上的像素間遮光膜90。類似于在根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備中包括的像素間遮光膜40，像素間遮光膜90被提供為使得集中在干凈比特序列中的不同色彩像素之間的邊界部分處。由于像素間遮光膜90具有與根據(jù)上述實施例的像素間遮光膜40相同的構(gòu)造，所以將省略對像素間遮光膜90的詳細(xì)構(gòu)造的描述。根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備81，除了通過在上述實施例中的像素間遮光膜40而獲得的效果外，在不同色彩像素之間阻擋了沒有被每個微透鏡36聚集而去向鄰居G像素5的傾斜光，并且由于在最接近作為半導(dǎo)體基板2的光接收表面的前表面2a側(cè)的像素間邊界部分處存在像素間遮光膜90，所以能夠有效地降低光學(xué)色彩混合。此外，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備81中，能夠適當(dāng)?shù)亟M合作為第二實施例的其中在周邊電路區(qū)域4中包括遮光膜的構(gòu)造、作為第三實施例的其中像素間遮光膜90連接到半導(dǎo)體基板2的接地區(qū)域的構(gòu)造、作為第四實施例的包括透明電極的構(gòu)造等。以此方式，能夠獲得由于包括每個構(gòu)造的固態(tài)成像設(shè)備的效果。第六實施例將描述本公開的第六實施例。根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101是類似于第五實施例的前側(cè)照明CMOS固態(tài)成像設(shè)備，并且替代在根據(jù)第五實施例的固態(tài)成像設(shè)備81中包 括的像素間遮光膜90，或除了像素間遮光膜外，使用構(gòu)造在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)上提供的層疊配線層的配線作為像素間光遮擋單元。如圖12中所示，根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101包括遍及平坦化膜83和隔絕膜84的在半導(dǎo)體基板2的前表面2a側(cè)上的層疊配線層102。層疊配線層102具有通過層間隔絕膜103層疊的多個配線104。隔絕膜103通過由例如ニ氧化硅(SiO2)的硅氧化膜來構(gòu)造。多個配線104由例如不同的金屬形成，并且通過形成在層之間的插頭等彼此連接。此外，根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備101利用了最上層的配線，即構(gòu)造層疊配線層102的多個配線104中的最接近光輸入側(cè)的層的配線104A(下面稱為“最上層配線”)。在圖12中所示的示例中，與根據(jù)第五實施例的固態(tài)成像設(shè)備81相比，固態(tài)成像設(shè)備101包括最上層配線104A來替代像素間遮光膜90 (參考圖11)，即不包括像素間遮光膜90。類似于在根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備中包括的像素間遮光膜40等，最上層配線104A被提供為集中在干凈比特序列中的不同色彩像素之間的邊界部分處。圖13和圖14示出了最上層配線104A的詳細(xì)布局的示例。此外，在圖13和圖14中，為了便利，通過沿在像素陣列中的像素5之間的邊界線繪制的粗線來表示在半導(dǎo)體基板2和濾色器層35之間提供的層疊配線層102中存在的最上層配線104A。圖13是與在根據(jù)第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中的不同色彩像素之間的邊界部分處提供的像素間遮光膜40的布局、以及在相同色彩像素之間的邊界部分處提供的第二連接遮光膜64的布局(參考圖8)相同的布局，并且示出了提供最上層配線104A的情況。也就是說，在圖13中所示的示例中，在干凈比特序列中，最上層配線104A包括當(dāng)平面觀看時圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的第一配線部分104Aa、以及連接這些第一配線部分104Aa的第二配線部分104Ab。在圖13中所示的示例中，在沿第一方向(參考箭頭Al)安排的多色像素列42中，對于每個R像素或B像素，關(guān)于第二方向(參考箭頭A2)交替地安排第二配線部分104Ab，并且第二配線部分104Ab連接圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的第一配線部分104Aa。也就是說，如下提供第二配線部分104Ab :在沿第一方向安排的多色像素列42中，按照第一方向朝向預(yù)定方向(例如圖13中的斜右的右上)，在其間插入ー個G像素的R像素和B像素之間，在相對于第二方向的一側(cè)上的像素間邊界部分處提供第二配線部分104Ab，并且提供在其間插入ー個G像素的R像素和B像素之間在相對第二方向的另ー側(cè)上的像素間邊界部分處提供第二配線部分104Ab，并且關(guān)于第二方向在R像素和B像素的每個中在它們之間交替安排第二配線部分104Ab。類似于圖13，圖14示出了其中最上配線層104A被提供有與在根據(jù)第三實施例的固態(tài)成像設(shè)備61中的像素間遮光膜40和第二連接遮光膜64的另ー示例(參考圖9)的布局相同的布局的情況。也就是說，在圖14中所示的示例中，在干凈比特序列中，當(dāng)平面觀看時，最上配線層104A具有圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的第一配線部分104Aa、以及將這些第一配線部分104Aa彼此連接的第二配線部分104Ac。在圖14中所示的示例中，第二配線部分104Ac被安排在沿第一方向(參考箭頭Al)安排的多色像素列42中對于每個R像素和B像素相對于第二方向(參考箭頭A2)相同的側(cè)上，并且將圍繞R像素和B像素的相應(yīng)四側(cè)的第一配線部分104Aa彼此連接。也就是 說，在圖14中所示的示例中，在沿第一方向安排的多色像素列42中，第二配線部分104Ac提供在沿第一方向相對于第二方向相同側(cè)的像素間邊界部分處。在圖14中所示的示例中，第二配線部分104Ac被提供在與沿第一方向安排的多色像素列42的G像素的斜右的下側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處，作為在關(guān)于第二方向相同側(cè)上的像素間光遮擋部分，然而，其可以提供在相對側(cè)處，即在與沿第一方向安排的多色像素列42的G像素的斜左的上側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處。根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101，類似于根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像設(shè)備1，能夠抑制光學(xué)色彩混合和Mg閃光，并且提高敏感度。在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，在干凈比特序列中，最上配線層104A被提供為集中在不同色彩像素的組合中的像素間邊界部分處，即在不同色彩像素之間的邊界部分處?？紤]到給予由于在不同色彩像素之間的最上配線層104A來抑制光學(xué)色彩混合、和由于在相同色彩像素之間不存在最上配線層104A來提高敏感度的優(yōu)先級，最上配線層104A集中在不同色彩像素之間而不是相同色彩像素之間。此外，因為由于在不同色彩像素之間的最上配線層104A而抑制光學(xué)色彩混合，所以能夠抑制由于在信號處理期間的光學(xué)色彩混合而發(fā)生的Mg閃光。將進(jìn)ー步描述由于根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101的敏感度的提高。例如，當(dāng)構(gòu)造層疊配線層102的最上配線層104A僅為了獲得電カ等而提供時，如圖15中所示，最上配線層104A被繪制為蔓延像素間邊界部分，并且提供在整個像素間邊界部分處。如圖15中所示，當(dāng)最上配線層104A被提供在整個像素間邊界部分處時，要由像素5的光電ニ極管21感測的一部分光被層疊配線層102的最上配線層104A阻擋。存在在整個像素間邊界部分中出現(xiàn)所謂的光學(xué)漸暈(optical vignetting)的可能。在這一點上,根據(jù)本實施例的固態(tài)成像設(shè)備101，由于在相同色彩像素之間的邊界部分的一部分處省略最上配線層104A的安排，所以由于在像素間邊界部分處存在最上配線層104A而阻擋回的光到達(dá)光電ニ極管21那樣的程度。由于此，提高了敏感度。此外，在固態(tài)成像設(shè)備101中包括的最上配線層104A的布局不特別限于上述的示例。最上配線層104A可以被提供為相對于相同色彩像素之間的邊界部分而集中在不同色彩像素之間的邊界部分處，從而在相同色彩像素之間的邊界部分處的配線面積變得小于在不同色彩像素之間的邊界部分處的配線面積。此外，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，在構(gòu)造層疊配線層102的多個配線104當(dāng)中，使用最上配線層104A作為像素間光遮擋單元，然而可以將最上配線層104A外的其他層配線104用作像素間光遮擋單元。此外，在根據(jù)該實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，在半導(dǎo)體基板2的ー個板表面?zhèn)壬咸峁┑呐渚€層是具有多個配線的層疊配線層102，然而配線層不限于此，并且可以是單層結(jié)構(gòu)的配線層。在該情況下，將該單層配線用作像素間光遮擋單元。信號處理的校正如圖13和圖14中所示，在其中將最上配線層104A提供為集中在干凈比特序列中的不同色彩像素之間的邊界部分處的構(gòu)造中，由于相對于當(dāng)平面觀看時是矩形的每個像素5的四側(cè)存在或不存在最上配線層104A，所以發(fā)生像素5之間的敏感度差異。因而，優(yōu)選地，即使在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，也執(zhí)行信號處理的上述校正。將描述圖13中所示的示例。在圖13中所示的干凈比特序列中的最上配線層104A的布局的情況下，對于G像素，存在其中當(dāng)平面觀看時僅在與四側(cè)中的一側(cè)相對應(yīng)的像素 間邊界部分處存在最上配線層104A的G像素5Gc (下文中稱為“第三像素”)、以及其中當(dāng)平面觀看時在與四側(cè)中的三側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處存在最上配線層104A的G像素5Gd(下文中稱為“第四像素”)。也就是說，在第三G像素5Gc的周邊處的一個像素間邊界部分處存在最上配線層104A，并且在第四G像素5Gd的周邊處的三個像素間邊界部分處存在最上配線層104A。在這樣的第三G像素5Gc和第四G像素5Gd中，由于在每個像素5的周邊處存在或不存在最上配線層104A而發(fā)生敏感度差異。也就是說，由于最上配線層104A的光遮擋操作，即使在同一 G像素中，也因為由于存在或不存在最上配線層104A在由像素5的光電ニ極管21接收的光的強(qiáng)度差別，而發(fā)生敏感度差異。以此方式，由于在每個像素5Gc和5Gd的周邊處存在的、像素5之間的像素間邊界部分處的最上配線層104A的量的差別，在像素5之間發(fā)生第三G像素5Gc和第四G像素5Gd之間的敏感度差異。這里，最上配線層104A的量包括導(dǎo)致像素5之間的敏感度差異的最上配線層104A的所有定量元素，例如在每個像素5的周邊處提供最上配線層104A的位置數(shù)目(在當(dāng)平面觀看時的矩形像素5的四側(cè)中提供最上配線層104A的側(cè)的數(shù)目)、在每個像素間邊界部分處提供最上配線層104A的長度或行寬度，即最上配線層104A的面積，等
坐寸ο因而，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，關(guān)于在周邊電路區(qū)域4處提供的列信號處理電路7中的信號處理期間來自每個像素5的輸出信號的輸出值，基于上述的第三G像素5Gc和第四G像素5Gd之間的敏感度差異的幅度來執(zhí)行敏感度差異校正。如下詳細(xì)執(zhí)行敏感度差異校正。根據(jù)實施例，例如，當(dāng)平面觀看時在與四側(cè)中的三側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處存在最上配線層104A的第四G像素5Gd相對于當(dāng)平面觀看時在與的四側(cè)中的ー側(cè)相對應(yīng)的像素間邊界部分處存在最上配線層104A的第三G像素5Gc而具有較低敏感度。這里，將第三G像素5Gc的敏感度S3(% )和第四G像素5Gd的敏感度S4( < S3) (% )之間的敏感度差異設(shè)置為α 1( = S3-S4) (% )0以此方式，當(dāng)在第三G像素5Gc和第四G像素5Gd之間存在敏感度差異α I (% )時，在對由于列信號處理電路7從每個像素5輸出的信號的處理中，根據(jù)作為敏感度差異的al(%)的值，通過改變改變每個像素5的信號的増益，來執(zhí)行增加具有低敏感度的第四G像素5Gd的増益的校正。在這種情況下，基于下面的表達(dá)式(3)來執(zhí)行敏感度差異校正。β I = y Ix (100+ α I)/100.…(3)這里，β I是校正值，并且Y I是來自第四G像素5Gd的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)?shù)谌鼼像素5Gc的敏感度S3是90%，并且第四G像素5Gd的敏感度S4是80%吋，α I是10 (%)。在這種情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(3)，將對于第四G像素5Gd的輸出值Y I乘以值I. I而得到的值計算為校正值β I。此外，在上述的敏感度差異校正的示例中，描述了其中在第三G像素5Gc和第四G像素5Gd之間增加具有低敏感度的第四G像素5G的増益的情況，然而，可以執(zhí)行降低具有高敏感度的第三G像素5Gc的増益的校正。在這種情況下，基于下面的等式(4)來執(zhí)行敏感度差異校正。
β I = n Ix(100-a 1)/100____(4)這里，β I是校正值，并且Π I是來自第三G像素5Gc的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)?shù)谌鼼像素5Gc的敏感度S3是90%，并且第四G像素5Gd的敏感度S4是80%吋，α I是10 (%)。在這種情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(4)，將對于第三G像素5Gc的輸出值H I乘以值O. 9而得到的值計算為校正值β 。如上所述，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，列信號處理電路7基于由于在每個像素5的周邊處存在的像素間邊界部分處的最上配線層104Α的量的差別而在多個像素5之間發(fā)生的敏感度差異的幅度(α )，來校正來自每個像素5的輸出信號的輸出值(Yl和n D。以此方式，在根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備101中，通過執(zhí)行敏感度差異校正，能夠校正由于多個像素間邊界部分處的最上配線層104A的不均勻存在而在多個像素5之間發(fā)生的敏感度差異，同時通過抑制光學(xué)色彩混合和Mg閃光來提高敏感度。以此方式，能夠獲得良好的敏感度特性。電子裝置的構(gòu)造示例根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備適用于各種電子裝置，例如作為所謂的數(shù)字照相機(jī)的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)和數(shù)字視頻照相機(jī)、具有成像功能的移動電話機(jī)、其他設(shè)備等。下面，將使用圖16描述視頻照相機(jī)200，作為具有根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備的電子裝置的示例。視頻照相機(jī)200執(zhí)行靜態(tài)圖像或運動圖像的拍照。視頻照相機(jī)200包括根據(jù)上述實施例的固態(tài)成像設(shè)備201、光學(xué)系統(tǒng)202、快門單元203、驅(qū)動電路204和信號處理電路205。將光學(xué)系統(tǒng)202配置為包括一個透鏡或多個光學(xué)透鏡的光學(xué)透鏡系統(tǒng)，并且將輸入光導(dǎo)向到固態(tài)成像設(shè)備201的光接收傳感器。光學(xué)系統(tǒng)202在固態(tài)成像設(shè)備201的成像表面上形成來自物體的圖像光(輸入光)作為圖像。以此方式，信號電荷累積在固態(tài)成像設(shè)備201中一某個時間段?？扉T單元203具有用于對于每個像素5控制照射到固態(tài)成像設(shè)備201上的光的照射時間和遮擋時間的構(gòu)造。驅(qū)動電路204驅(qū)動固態(tài)成像設(shè)備201。驅(qū)動電路204以預(yù)定定時生成用于驅(qū)動固態(tài)成像設(shè)備201的驅(qū)動信號(定時信號)，并且將該信號提供給固態(tài)成像設(shè)備201。通過從驅(qū)動電路204提供到固態(tài)成像設(shè)備201的驅(qū)動信號來控制固態(tài)成像設(shè)備201的信號電極的傳輸操作等。也就是說，固態(tài)成像設(shè)備201通過從驅(qū)動電路204提供的驅(qū)動信號來執(zhí)行信號電荷的傳輸操作等。驅(qū)動電路204具有生成各種脈沖信號作為用于驅(qū)動固態(tài)成像設(shè)備201的驅(qū)動信號的功能、以及作為將所生成的脈沖信號轉(zhuǎn)換成用于驅(qū)動固態(tài)成像設(shè)備201的驅(qū)動脈沖的驅(qū)動器的功能。驅(qū)動電路204生成和提供用于控制快門單元203的操作的驅(qū)動信號。信號處理電路205具有執(zhí)行各種信號處理的功能，并且處理來自固態(tài)成像設(shè)備201的輸出信號。信號處理電路205通過處理輸入信號來輸出視頻信號。從信號處理電路205輸出的視頻信號被存儲在諸如存儲器的存儲介質(zhì)中，或被輸出到監(jiān)視器。此外，視頻照相機(jī)200包括向驅(qū)動電路204等提供電カ的諸如電池的電カ單元、存儲通過成像等生成的視頻信號的存儲單元、控制整個設(shè)備的控制單元等。
在提供有上述構(gòu)造的視頻照相機(jī)200中，驅(qū)動單元204用作生成用于驅(qū)動固態(tài)成像設(shè)備201的驅(qū)動信號的驅(qū)動單元。此外，根據(jù)提供有根據(jù)實施例的固態(tài)成像設(shè)備201的視頻照相機(jī)200，能夠抑制光學(xué)色彩混合或Mg閃光，并且提高敏感度。敏感度差異校正在視頻照相機(jī)200中，通過對于每個像素5改變使用快門單元203的快門時間，能夠校正如上所述由于關(guān)于當(dāng)平面觀看時是矩形的每個像素5的四側(cè)存在或不存在像素間遮光膜40、最上配線層104A等而出現(xiàn)的敏感度差異。使用與上述的敏感度差異校正相同的方法來執(zhí)行當(dāng)對于每個像素5改變快門時間時發(fā)生的敏感度差異校正(下面稱為“由于快門時間導(dǎo)致的敏感度差異校正”)。將描述使用快門時間的敏感度差異校正。此外，因為相對于由于關(guān)于當(dāng)平面觀看時是矩形的每個像素5的四側(cè)存在或不存在像素間遮光膜40、像素間遮光膜90、最上配線層104A等而出現(xiàn)的敏感度差異，類似地執(zhí)行使用快門時間的敏感度差異校正，所以在此將例示像素間遮光膜40的情況。此外，對于作為使用快門時間的敏感度差異校正的目標(biāo)的具有敏感度差異的像素5，將具有相對高的敏感度的預(yù)定像素5設(shè)置為“高敏感度像素”，并且將具有相對低的敏感度的預(yù)定像素5設(shè)置為“低敏感度像素”。在使用快門時間的敏感度差異校正中，將低敏感度像素的敏感度S6( < S5) (% )相對于高敏感度像素的敏感度S5(% )的敏感度差異設(shè)置為a 2( = S5-S6) (% )。以此方式，當(dāng)存在敏感度差異α2(%)時，根據(jù)敏感度差異α2(%)的值，通過對于每個像素5改變使用快門單元203的快門時間，即照射到固態(tài)成像設(shè)備201的光的照射時間或遮擋時間，能夠執(zhí)行増加其敏感度低的低敏感度像素的増益的校正。在這種情況下，基于下面的表達(dá)式(5)來執(zhí)行使用快門時間的敏感度差異校正。β 2 = Y 2χ (100+ α 2)/100.…(5)這里，β 2是校正值，并且Y 2是來自低敏感度像素的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)高敏感度像素的敏感度S5是100%，并且低敏感度像素的敏感度S6是90%吋，α2變?yōu)?0(% )。在這種情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(5)，將其中低敏感度像素的輸出值Y 2乘以值I. I而得到的值計算為校正值β 2。在這種情況下，控制快門單元203的快門時間，以便滿足上述的表達(dá)式(5)。在使用快門時間的敏感度差異校正中，當(dāng)増加其敏感度低的低敏感度像素的增益時，對于其敏感度較低的低敏感度像素的光的照射時間與其敏感度較高的高敏感度像素相比變長，或?qū)τ诘兔舾卸认袼氐墓獾恼趽鯐r間與高敏感度像素相比變短。此外，在上述的使用快門時間的敏感度差異校正的示例中，例示了其中在高敏感度像素和低敏感度像素之間增加其敏感度低的低敏感度像素的増益的情況，然而，可以執(zhí)行降低其敏感度高的高敏感度像素的増益的校正。在這種情況下，基于下面的等式(6)來執(zhí)行使用快門時間的敏感度差異校正。β 2 = η 2χ (100-a 2)/100. . . . (6)這里，β 2是校正值，并且Π 2是來自高敏感度像素的輸出信號的輸出值。因此，例如，當(dāng)高敏感度像素的敏感度S5是100%，并且低敏感度像素的敏感度S6是90%吋，α2變?yōu)?0(% )。在這種情況下，根據(jù)上述表達(dá)式(6)，將其中高敏感度像素的輸出值Π 2乘以值O. 9而得到的值計算為校正值β2。在這種情況下，控制快門單元203的快門時間，以便滿足上述的表達(dá)式(6)。在使用快門時間的敏感度差異校正中，當(dāng)降低其敏感度高的高敏感度像素的增益時，對于其敏感度較高的高敏感度像素的光的照射時間與其敏感度較低的低敏感度像素相比變短，或?qū)τ诟呙舾卸认袼氐墓獾恼趽鯐r間與低敏感度像素相比變長。在視頻照相機(jī)200中，通過控制快門單元203的操作的驅(qū)動電路204來執(zhí)行上述的使用快門時間的敏感度差異校正。也就是說，在視頻照相機(jī)200中，驅(qū)動電路204通過使用快門單元203控制光的照射時間或遮擋時間中的至少任ー個，基于由于在每個像素5的周邊處存在的像素間邊界部分處的作為像素間光遮擋單元的像素間遮光膜40的量的差別而在像素5之間發(fā)生的敏感度差異的幅度，來校正來自每個像素5的輸出信號的輸出值。以此方式，通過在根據(jù)實施例的視頻照相機(jī)200中執(zhí)行使用快門時間的敏感度差異校正，能夠校正由于在多個像素間邊界部分處的像素間遮光膜40的不均勻存在而在多個像素5之間發(fā)生的敏感度差異，同時通過抑制光學(xué)色彩混合和Mg閃光來提高敏感度。以此方式，能夠獲得良好的敏感度特性。本技術(shù)的應(yīng)用示例在上述的實施例中，已將干凈比特序列例示為在固態(tài)成像設(shè)備中包括的像素陣列，然而，除了干凈比特序列外，本技術(shù)可應(yīng)用于包括彼此不同的像素以及彼此相同的像素的任何像素陣列。作為包括彼此不同的像素以及彼此相同的像素的像素陣列，存在下面所示的像素陣列。此外，下面所示的像素陣列的示例是在彼此不同的像素和彼此相同的像素之間僅在彼此不同的像素的像素間邊界部分處提供作為像素間光遮擋單元的像素間遮光膜40的情況。然而，類似于遮光膜40，作為像素間光遮擋單元，可應(yīng)用在前側(cè)照明固態(tài)成像設(shè)備中的像素間遮光膜90、或最上配線層104Α。圖17Α至17D示出了其中以矩陣來安排多個像素的正方形柵格陣列的像素陣列的示例。圖17Α是其中交替安排僅由G像素形成的像素列301以及由R像素和B像素形成的像素列302的像素陣列。在圖17Α示出的像素陣列中，R像素和B像素分別位于相同的行。也就是說，由R像素和B像素形成的像素列302使得像素分別位于相同的行上。因此，在圖 17Α中示出的像素陣列中，當(dāng)在行方向上觀看時，交替地安排其中交替安排G像素和R像素的行、以及其中交替安排G像素和B像素的行。
在圖17A中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列302的R像素和B像素的相鄰像素、以及像素列301的G像素和像素列302的R像素的相鄰像素，或在行方向上彼此相鄰的B像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列301的G色彩像素的相鄰像素。圖17B是其中交替安排僅通過G像素構(gòu)造的像素列303以及通過R像素和B像素構(gòu)造的像素列304的像素陣列。在圖17B示出的像素陣列中，通過僅由G像素構(gòu)造的像素列303安排的像素列304在行方向上被交替地安排有R像素和B像素。因此，在圖17B中示出的像素陣列中，位于在僅由G像素構(gòu)造的像素列303的ー側(cè)(圖17B中的左側(cè))上的像素列304a的陣列、以及位于在相同像素列303的另ー側(cè)(圖17B中的右側(cè))上的像素列304b的陣列在R像素和B像素的安排上彼此不同。
在圖17B中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列304的R像素和B像素的相鄰像素、以及像素列303的G像素和像素列304的R像素的相鄰像素，或在行方向上彼此相鄰的B像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列303的G色彩像素的相鄰像素。圖17C具有其中交替安排僅由G像素形成的像素列305、僅由R像素形成的像素列306、以及僅由B像素形成的像素列307的條帶的像素陣列。在圖17C中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在在行方向上彼此相鄰的G像素和R像素的相鄰像素、R像素和B像素的相鄰像素、以及B像素和G像素的相鄰像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在構(gòu)造姆個像素行305、306和307的G像素、R像素和B像素的相鄰像素。圖17D是其中交替安排其中僅由黃⑴像素5(下面稱為“Y像素”)形成的像素列308、僅由G像素形成的像素列309、以及僅由品紅色(C)像素5形成的像素列310 (下文中成為“C像素”)的條帶像素陣列。此外，在圖17D中，對于每個像素5的色彩，通過“Y”表示黃色，以及通過“C”表示品紅色。在圖17D中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在Y像素和G像素的相鄰像素、G像素和C像素的相鄰像素、以及C像素和Y像素的相鄰像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在構(gòu)造每個像素列308、309和310的Y像素、G像素和C像素之間的相鄰像素。圖18是包括八邊形形狀的G像素(更具體濾色器的形狀)、以及每ー個具有八邊形形狀的長度作為其ー側(cè)的長度的正方形形狀的R像素和B像素的像素陣列。在圖18中示出的示例中，交替地安排八邊形形狀的G像素和正方形形狀的R像素或B像素。在圖18中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在在行方向、以及列方向上彼此相鄰的G像素和R像素或B像素的相鄰像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在在對角線方向上彼此相鄰的G像素的相鄰像素。圖19是由多個六邊形形狀的像素形成的所謂的蜂窩狀像素陣列。在圖19中示出的像素陣列中，以在列方向(圖19中的垂直方向)上偏離1/2節(jié)距的狀態(tài)交替地安排僅由G像素形成的像素列311、以及由R像素和B像素形成的像素列312。此外，在圖19中示出的像素陣列中，通過僅由G像素形成的像素列311安排的像素列312在行方向(圖19中的橫向方向)上交替地安排R像素和B像素。因此，在圖19中示出的像素陣列中，在行方向上，位于僅由G像素形成的像素列311的ー側(cè)(圖19中的左側(cè))處的像素列312a的陣列、以及位于相同像素列311的另ー側(cè)(圖19中的右側(cè))處的像素列312b的陣列具有R像素和B像素的彼此不同的像素陣列。在圖19中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列312的R像素和B像素的相鄰像素、以及G像素和R像素或在對角線方向上彼此相鄰的B像素的相鄰像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在構(gòu)造像素列311的G色彩像素的相鄰像素。圖20是其中在行方向(圖20的橫向方向)和列方向(圖20的垂直方向)中的每個上彼此不同地安排八邊形形狀的多個像素的像素陣列，并且是包括所謂的白像素(W)(下文中稱為“W像素”)的像素陣列。在圖20中示出的像素陣列中，關(guān)于行方向和列方向的每個方向，交替地安排其中交替地安排W像素和G像素的像素陣列、以及其中通過在其間插入W像素來交替安排R像素和B像素的像素陣列。此外，在圖20中，對于像素5的色彩， 通過“W”來表示白色。在圖20中示出的像素陣列中，作為提供像素間遮光膜40的彼此不同色彩的像素，存在W像素和R像素、W像素和G像素、W像素和B像素、R像素和G像素、以及G像素和B像素的相鄰像素。此外，作為彼此相同色彩的像素，存在在對角線方向上彼此相鄰的W色彩像素的相鄰像素。能夠在上述的每個像素陣列中應(yīng)用本技木。然而，本技術(shù)不限于在圖17至圖20中示出的上述像素陣列，并且可以應(yīng)用于具有彼此不同色彩的像素以及彼此相同色彩的像素的像素陣列。此外，在上述實施例中，例示了 CMOS固態(tài)成像設(shè)備，然而本技術(shù)可廣泛應(yīng)用于具有彼此不同色彩的像素和彼此相同色彩的像素作為像素陣列的固態(tài)成像設(shè)備，不必提及CCD(電荷耦合設(shè)備)固態(tài)成像設(shè)備。此外，本技術(shù)可以具有下列構(gòu)造。(I) 一種固態(tài)成像設(shè)備，其包括像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換単元的多個像素；配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的ー個板平面上；濾色器層，被分成與在所述像素區(qū)域中安排的多個像素中的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中，其中，由于濾色器的色彩，作為彼此相鄰的像素，所述多個像素具有其中濾色器的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其中濾色器的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合，并且其中，所述像素間光遮擋單元偏置地位于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處。(2)在(I)中描述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板被提供在彼此不同的板表面?zhèn)龋⑶宜鱿袼亻g光遮擋單元是遮光膜。(3)在(2)中描述的固態(tài)成像設(shè)備進(jìn)ー步包括周邊電路區(qū)域，被提供在所述像素區(qū)域的周邊；以及周邊遮光膜，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間的周邊電路區(qū)域處，并且位干與所述遮光膜相同的層處。(4)在(2)或(3)中描述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，所述遮光膜僅存在于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處，而不存在于所述相同色彩像素的組合的邊界部分處。(5)在(2)至(4)中的任何ー個中描述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，遮光膜可以連接到固定的電勢。(6)在(2)至(5)中的任何ー個中描述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，在所述多個像素的邊界部分處存在的多個遮光膜通過透明電極彼此電連接。(7)在(I)中描述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板被提供在彼此相同的板表面處，并且其中，所述像素間光遮擋單元是配置所述配線層的配線。(8)在(I)至(7)中的任何ー個中描述的固態(tài)成像設(shè)備可以進(jìn)一歩包括信號處理電路，其對來自每個像素的輸出信號執(zhí)行處理，其中，所述信號處理電路基于在所述多個像素之間由于在每個像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個像素的輸出信號的輸出值。(9) 一種電子裝置，其包括在(I)至(8)中的任何ー個中描述的固態(tài)成像設(shè)備； 以及驅(qū)動單元，其生成用于驅(qū)動所述固態(tài)成像設(shè)備的驅(qū)動信號。(10) 一種電子裝置，其包括在(I)至(7)中的任何一個描述的固態(tài)成像設(shè)備；驅(qū)動單元，其生成用于驅(qū)動所述固態(tài)成像設(shè)備的驅(qū)動信號；以及快門設(shè)備，用于控制照射所述固態(tài)成像設(shè)備的光的照射時間和遮光時間，其中驅(qū)動單元基于在所述多個像素之間由于在每個所述像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個所述像素的輸出信號的輸出值。本公開包含與在2011年3月24日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2011-065621中公開的主題相關(guān)的主題，其全部內(nèi)容通過引用而合并于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，基于設(shè)計要求和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組合、子組合和替換，只要他們落入在所附的權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)成像設(shè)備，包括 像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換單元的多個像素； 配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的ー個板平面上； 濾色器層，被分成與在像素區(qū)域中安排的多個像素中的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及 像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中， 其中，由于濾色器的色彩，作為彼此相鄰的像素，所述多個像素具有其中濾色器的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其中濾色器的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合，并且 其中，所述像素間光遮擋單元偏置地位于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固態(tài)成像設(shè)備， 其中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板被提供在彼此不同的板表面?zhèn)申虿⑶宜鱿袼亻g光遮擋單元是遮光膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備，進(jìn)一歩包括 周邊電路區(qū)域，被提供在所述像素區(qū)域的周邊；以及 周邊遮光膜，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間的周邊電路區(qū)域處，并且位干與所述遮光膜相同的層處。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備， 其中，所述遮光膜僅存在于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處，而不存在于所述相同色彩像素的組合的邊界部分處。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備， 其中，所述遮光膜被連接到固定電勢。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固態(tài)成像設(shè)備， 其中，在所述多個像素的邊界部分處存在的多個遮光膜通過透明電極彼此電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固態(tài)成像設(shè)備， 其中，所述配線層和所述濾色器層相對于所述半導(dǎo)體基板被提供在彼此相同的板表面處，并且 其中，所述像素間光遮擋單元是配置所述配線層的配線。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固態(tài)成像設(shè)備，進(jìn)一歩包括 信號處理電路，其對來自每個像素的輸出信號執(zhí)行處理， 其中，所述信號處理電路基于在所述多個像素之間由于在每個像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個像素的輸出信號的輸出值。
9.一種電子裝置，包括 固態(tài)成像設(shè)備；以及 驅(qū)動單元，其生成用于驅(qū)動所述固態(tài)成像設(shè)備的驅(qū)動信號， 其中，所述固態(tài)成像設(shè)備包括像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換單元的多個像素； 配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的ー個板平面上； 濾色器層，被分成與在像素區(qū)域中安排的多個像素的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及 像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中， 其中，由于濾色器的色彩，作為彼此相鄰的像素，所述多個像素具有其中濾色器的色彩彼此不同的不同色彩像素的組合以及其中濾色器的色彩彼此相同的相同色彩像素的組合，并且 其中，所述像素間光遮擋單元偏置地位于所述不同色彩像素的組合的邊界部分處。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子裝置，進(jìn)ー步包括 快門設(shè)備，用于控制照射所述固態(tài)成像設(shè)備的光的照射時間和遮光時間， 其中，所述驅(qū)動単元通過控制所述光的照射時間和遮擋時間中的至少ー個，基于在所述多個像素之間由于在每個像素的周邊中存在的邊界部分處的像素間光遮擋單元的量中的差異而發(fā)生的敏感度差異的幅度來校正來自每個像素的輸出信號的輸出值。
全文摘要
提供了一種固態(tài)成像設(shè)備和電子裝置，所述固態(tài)成像設(shè)備包括像素區(qū)域，被提供在半導(dǎo)體基板上，并且其中安排了包括具有光電轉(zhuǎn)換功能的光電轉(zhuǎn)換單元的多個像素；配線層，被提供在所述半導(dǎo)體基板的一個板平面上；濾色器層，被分成與在像素區(qū)域中安排的多個像素中的每個像素相對應(yīng)提供的多個濾色器；以及像素間光遮擋單元，被提供在所述半導(dǎo)體基板和所述濾色器層之間、彼此相鄰的像素之間的邊界部分中。
文檔編號H01L27/146GK102693991SQ20121007006
公開日2012年9月26日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月24日
發(fā)明者納土?xí)x一郎 申請人:索尼公司