專利名稱：大型x射線探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例實(shí)施方式涉及可以實(shí)現(xiàn)無縫圖像的大型X射線探測(cè)器。
背景技術(shù)：
數(shù)字X射線探測(cè)器利用X射線以數(shù)字信號(hào)形式輸出X射線圖象照片或X射線熒光圖像。X射線探測(cè)器可以是直接型和/或間接型。根據(jù)直接型，光電導(dǎo)體將X射線直接轉(zhuǎn)換成電荷。在間接型中，閃爍器將X射線轉(zhuǎn)換成可見光，并且光電轉(zhuǎn)換裝置諸如光電二極管將轉(zhuǎn)換的可見光轉(zhuǎn)換成電荷。直接型X射線探測(cè)器包括形成在光電導(dǎo)體層下面的多個(gè)像素電極以及用于處理從像素電極輸出的電信號(hào)的信號(hào)處理單元。根據(jù)相關(guān)技術(shù)，因?yàn)楣怆妼?dǎo)體層形成在專用集成電路(ASIC)上從而制造大型的直接型X射線探測(cè)器，當(dāng)其上具有光電導(dǎo)體層的ASIC大規(guī)模平鋪時(shí)，由于ASIC之間的接縫(seam)，接縫區(qū)域中檢測(cè)不到圖像。具體地，在平鋪ASIC時(shí)，可以產(chǎn)生具有至少100 尺寸的接縫，因而可能檢測(cè)不到在接縫內(nèi)存在的組織(tissue)。當(dāng)通過平鋪ASIC制造大型X射線探測(cè)器并且在已完成后段(BEOL)工藝的晶圓(wafer)上執(zhí)行ASIC中的通孔形成工藝時(shí)，具有數(shù)百微米深度的孔形成在晶圓上以接觸金屬焊盤(pad)，孔的內(nèi)壁通過絕緣膜絕緣，并且孔用導(dǎo)電金屬填充。為了實(shí)施該工藝，采用不常用于硅工藝的昂貴設(shè)備。該工藝在可損壞ASIC的高溫下執(zhí)行。此外，難以與上電極的位置相應(yīng)地形成ASIC中的孔。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施方式可包括大型X射線檢測(cè)器，在該大型X射線檢測(cè)器中芯片的上表面上的引腳焊盤利用平鋪芯片之間的間隙被引線鍵合到芯片的下表面。根據(jù)示例實(shí)施方式，X射線檢測(cè)器包括布置在印刷電路板上的多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片中的每個(gè)芯片包括形成在所述印刷電路板的中央部分上的多個(gè)像素焊盤和圍繞所述多個(gè)像素焊盤的多個(gè)引腳焊盤；布置在所述多個(gè)芯片上方與所述多個(gè)芯片相應(yīng)的多個(gè)像素電極；電連接所述多個(gè)像素電極和所述多個(gè)像素焊盤的再分配層；形成在一表面上的多個(gè)第一電極焊盤，所述表面與所述多個(gè)芯片的形成有所述多個(gè)引腳焊盤的表面相反；電連接所述多個(gè)第一電極焊盤和所述多個(gè)引腳焊盤的布線；形成在所述多個(gè)像素電極上的光電導(dǎo)體；以及形成在所述光電導(dǎo)體上的公共電極。所述多個(gè)引腳焊盤可以電連接到形成在所述再分配層上的多個(gè)第二電極焊盤，以及所述布線可以在所述多個(gè)芯片之間的間隙中連接所述多個(gè)電極焊盤和所述第二電極焊盤。由所述多個(gè)像素電極覆蓋的區(qū)域可以大于由所述多個(gè)像素焊盤覆蓋的區(qū)域。所述再分配層可以包括至少一個(gè)豎直布線和連接到所述豎直布線的至少一個(gè)水平布線。所述多個(gè)第二電極焊盤可以包括向外延伸以從所述多個(gè)芯片中的相應(yīng)一個(gè)暴露的延伸部分。所述X射線檢測(cè)器還可以包括在所述多個(gè)第二電極焊盤與所述引腳焊盤之間的多個(gè)第二凸塊。所述多個(gè)第二凸塊可以電連接所述多個(gè)第二電極焊盤和所述多個(gè)引腳焊盤。所述X射線檢測(cè)器還可以包括在所述印刷電路板與所述多個(gè)第一電極焊盤之間的多個(gè)第一凸塊。所述多個(gè)第一凸塊可以電連接所述印刷電路板和所述多個(gè)第一電極焊盤。所述再分配層可以包括形成在所述多個(gè)像素電極下面的第一襯底、以及形成在所述第一襯底下面的絕緣層。所述第一襯底可以包括連接到所述多個(gè)像素電極中的每一個(gè)的第一豎直布線，所述絕緣層可以包括連接到所述多個(gè)像素焊盤中的每一個(gè)像素焊盤的第二豎直布線，所述第一豎直布線和所述第二豎直布線可以經(jīng)由設(shè)置在所述第一和第二豎直布線之間的水平布線電連接。所述X射線檢測(cè)器還可以包括在所述印刷電路板與所述芯片之間的樹脂。所述光電導(dǎo)體可以由選自由非晶硒(a-Se)、HgI2, PbI2, CdTe, CdZnTe和PbO組成的組的至少一種材料形成。根據(jù)包括大型X射線檢測(cè)器的示例實(shí)施方式，對(duì)于從所述芯片的引腳焊盤到所述芯片的下部的連接，因?yàn)槔眯酒g的間隙執(zhí)行引線鍵合而不穿透所述芯片，所以可以容易地實(shí)現(xiàn)大型X射線檢測(cè)器。因?yàn)樵谒鲂酒瑓^(qū)域之間的接縫區(qū)域中的光電導(dǎo)體上產(chǎn) 生的電荷被經(jīng)由其下面的像素電極傳送到芯片，所以可以準(zhǔn)確地再生無縫照相區(qū)的圖像。根據(jù)至少一個(gè)示例實(shí)施方式，一種X射線檢測(cè)器包括多個(gè)芯片，每個(gè)芯片包括多個(gè)引腳焊盤；在所述多個(gè)芯片的與所述多個(gè)引腳焊盤相對(duì)的一側(cè)的多個(gè)第一電極焊盤；以及配置為將所述多個(gè)第一電極焊盤電連接到所述多個(gè)弓I腳焊盤的至少一個(gè)布線。


通過結(jié)合附圖的以下簡(jiǎn)要描述，示例實(shí)施方式將被更清晰地理解。圖1-4描繪了如在此描述的非限制的示例實(shí)施方式。圖I是示意性剖視圖，示出根據(jù)示例實(shí)施方式的大型X射線探測(cè)器；圖2是平面圖，示出圖I的芯片；圖3是剖視圖，示出根據(jù)其它示例實(shí)施方式的圖I的襯底的一部分；以及圖4是示意性概念圖，示出在根據(jù)示例實(shí)施方式的大型X射線探測(cè)器中電連接像素電極和芯片的再分配層。應(yīng)該注意到，這些圖旨在示出在一些示例實(shí)施方式中使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性且旨在補(bǔ)充以下提供的書面描述。然而，這些圖不是按比例繪制且可以不精確地反映任何給出實(shí)施方式的精確結(jié)構(gòu)或性能特征，且不應(yīng)被解釋為限定或限制由示例實(shí)施方式包含的值的范圍或特性。例如，為了清晰，可以減小或夸大分子、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對(duì)厚度和位置。在不同圖中的類似或相同附圖標(biāo)記的使用旨在表示類似或相同元件或特征的存在。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式，在附圖中顯示出示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式可以多種不同形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。在圖中，為了清晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略它們的描述。
將理解，當(dāng)元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它能直接連接或耦接到其它元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時(shí)，則不存在中間元件。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)目的任意和所有組合。用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其
它詞應(yīng)該以類似的方式解釋(例如，“在......之間”與“直接在......之間”，“相鄰”與
“直接相鄰”，“在......上”與“直接在......上”)。將理解，雖然術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等等可以在此使用以描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分。因而，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不脫離不例實(shí)施方式的教導(dǎo)。為了便于描述一個(gè)元件或特征與另一元件(或多個(gè)元件)或特征(或多個(gè)特征)
的如圖中所示的關(guān)系，可以在此使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“在......下面”、“以下”、“下”、
“在......上”、“上”等。將理解，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在除了圖中所描繪的取向之外還包括裝
置在使用或操作中的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下”或“下面”的元件則可以取向?yàn)樵谒銎渌蛱卣鳌吧?。因而，示例性術(shù)語(yǔ)
“在......下”可以包含上和下兩種取向。裝置可以被另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取
向)并且在此使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)可以被相應(yīng)地解釋。在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施方式
，不意欲限制示例實(shí)施方式。在此使用時(shí)，單數(shù)形式“一個(gè)”、“所述”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外地清楚表示。還將理解，如果在此使用，術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”表示所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。在此參考剖視圖描述示例實(shí)施方式，其中剖視圖是示例實(shí)施方式的理想化實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。因此，由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏離是可以預(yù)期的。因而，示例實(shí)施方式不應(yīng)被理解為限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)可具有在其邊緣的圓化或彎曲的特征和/或注入濃度梯度，而不是注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)可導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)與注入進(jìn)行時(shí)所經(jīng)過的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因而，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意欲示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不意欲限制示例實(shí)施方式的范圍。除非另外地定義，在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與示例實(shí)施方式所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還將理解，術(shù)語(yǔ)(諸如在通常使用的字典中所定義的那些)應(yīng)被理解為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的含義一致的含義，且將不會(huì)在理想化或過度正式的意義上來理解，除非在此清楚地如此定義。圖I是示意性剖視圖，示出根據(jù)示例實(shí)施方式的大型X射線探測(cè)器100。參考圖1，大型X射線探測(cè)器100可以包括在印刷電路板110上的多個(gè)芯片120、在芯片120上方的多個(gè)像素電極160、覆蓋像素電極160的光電導(dǎo)體170、以及在光電導(dǎo)體170上的公共電極180?？梢栽谙袼仉姌O160與芯片120之間布置再分配層以電連接像素電極160和芯片120。芯片120可以是例如專用集成電路(ASIC)和/或CMOS芯片。在芯片120之間會(huì)間隙G。圖2是圖I中的一個(gè)芯片120的平面圖。參考圖I和圖2，芯片120可包括多個(gè)像素焊盤(見圖I的132)且多個(gè)引腳焊盤PE(見圖I的134)可以圍繞像素焊盤132。像素焊盤132和引腳焊盤PE可以通過布線(未示出)電連接。像素焊盤132可以被總體示為像素區(qū)域PA。與像素電極160相應(yīng)的像素焊盤132可以通過再分配層的布線彼此連接。在圖I中，為了便于說明，僅示出兩個(gè)芯片120，并且對(duì)于每個(gè)芯片120，示出五個(gè)像素焊盤132。引腳焊盤134可以以與像素焊盤132相同的數(shù)目布置。為了便于示出，在圖I中對(duì)于每個(gè)芯片120僅示出兩個(gè)引腳焊盤134。每個(gè)芯片120可以包括硅襯底122、在硅襯底122上的絕緣層130，像素焊盤132可以布置在絕緣層130的中心部分上，引腳焊盤134可以沿絕緣層130的邊緣圍繞像素焊盤132。每個(gè)像素焊盤132可以通過布線(未示出)連接到一個(gè)引腳焊盤134。像素焊盤132和引腳焊盤134可以從絕緣層130的表面暴露。 多個(gè)第一電極焊盤124可以位于每個(gè)芯片120下面。第一電極焊盤124可以在每個(gè)芯片120的表面上，面對(duì)引腳焊盤134并與之相應(yīng)。凸塊114可以位于每個(gè)第一電極焊盤124與印刷電路板110的接觸112之間，并且可以電連接第一電極焊盤124和接觸112。樹脂116，例如環(huán)氧樹脂，可以在印刷電路板110與芯片120之間以將印刷電路板110固定到芯片120。再分配層可以包括第一襯底140以及在第一襯底140的下表面上的絕緣層150。第一襯底140可以在像素電極160下面。第一襯底140可以是例如硅襯底。通孔141可以在第一襯底140中，對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素電極160。用導(dǎo)電金屬填充的第一接觸142可以在通孔141中。第一接觸142可以是例如銅和/或鋁。第一接觸142可以被稱為第一豎直布線。圖3是剖視圖，示出根據(jù)其它示例實(shí)施方式的圖I的第一襯底140的一部分。參考圖3，當(dāng)硅襯底用作第一襯底140時(shí)，硅氧化物層143可以通過氧化硅襯底形成，硅氧化物層143可以在第一襯底140的表面上，例如包括在通孔141中的第一襯底140的表面。第一接觸142可以在通孔141中的硅氧化物層143上。參考圖1，通孔151可以在絕緣層150中，對(duì)應(yīng)于通孔141。包括例如導(dǎo)電金屬的第二接觸152可以在通孔151中。第二接觸152可以由與第一接觸142相同的材料構(gòu)成。第一接觸142和第二接觸152可以分別被稱為第一豎直布線和第二豎直布線。水平布線145可以在第一接觸142和第二接觸152之間以連接第一接觸142和第二接觸152。第二電極焊盤154可以在第二接觸152下面。第二電極焊盤154可以與每個(gè)像素焊盤132相應(yīng)，使得對(duì)于每個(gè)像素焊盤132存在一個(gè)第二電極焊盤154。第二電極焊盤154和像素焊盤132可以經(jīng)由凸塊157彼此電連接，其中該凸塊157可以在第二電極焊盤154與每個(gè)像素焊盤132之間。圍繞第二電極焊盤154的第三電極焊盤156可以在絕緣層150的下表面上。第三電極焊盤156可以與每個(gè)引腳焊盤134相應(yīng)，使得對(duì)于每個(gè)引腳焊盤134存在一個(gè)第三電極焊盤156。第三電極焊盤156可以包括向外延伸到芯片120外的延伸部分156a。第三電極焊盤156的延伸部分156a和第一電極焊盤124可以通過布線159被鍵合。每個(gè)像素電極160可以經(jīng)由第一接觸142、水平布線145、第二接觸152、第二電極焊盤154、凸塊157、每個(gè)像素焊盤132、在每個(gè)像素焊盤132與每個(gè)引腳焊盤134之間的布線、每個(gè)引腳焊盤134、凸塊158、第三電極焊盤156、以及布線159電連接到第一電極焊盤124。在芯片120之間的間隙G中，布線159可以連接到每個(gè)第一電極焊盤124和第三電極焊盤156。由于使用布線159的上述引線鍵合(wire bonding),可以省略通過穿透襯底122和絕緣層130來電連接每個(gè)引腳焊盤134和第一電極焊盤124的后續(xù)工藝。雖然在此描述的至少一個(gè)示例實(shí)施方式被示為在第一襯底140上僅包括一個(gè)絕緣層150，但是示例實(shí)施方式不限于此。例如，另一水平布線(未示出)可以在絕緣層150上，覆蓋水平布線的另一絕緣層(未示出)可以在絕緣層150上，連接到該另一水平布線的豎直布線(未示出)可以在該另一絕緣層中。圖4是示意性概念圖，示出在根據(jù)示例實(shí)施方式的大型X射線探測(cè)器中電連接像素電極和芯片的再分配層。在圖4中，為了便于說明，可以示出單一芯片220和與芯片220相應(yīng)的多個(gè)像素電極260。參考圖4，布置在芯片220的中央部分上的多個(gè)像素焊盤232以及與像素焊盤232相應(yīng)地布置并圍繞像素焊盤232的多個(gè)弓I腳焊盤234可以在芯片220中。由芯片220的像素焊盤232占據(jù)的區(qū)域可以小于由與其相應(yīng)的像素電極260占據(jù)的區(qū)域。 因而，如圖4中所示，為了使用光電導(dǎo)體270的所有X射線入射區(qū)域，可能需要傾斜的連接布線240來連接像素電極260和像素焊盤232。因?yàn)閮A斜連接線240的制造工藝會(huì)是困難的，所以可以根據(jù)示例實(shí)施方式使用包括豎直布線和水平布線的再分配層。參考圖1，再分配層可以是連接像素電極160和像素焊盤132的層。因?yàn)榕c布置在芯片120中央部分的像素焊盤132相應(yīng)的像素電極160可以在比與其相應(yīng)的像素焊盤132更大的區(qū)域中均勻地分布，所以再分配層可以包括第一和第二豎直布線142和152以及水平布線145，從而便于像素電極160與像素焊盤132之間的連接。在印刷電路板110中，輸入電信號(hào)可以通過測(cè)量要被測(cè)量的對(duì)象的X射線透射程度而實(shí)現(xiàn)為圖像信號(hào)。從像素電極160輸出的電信號(hào)可以作為必要信息經(jīng)由芯片120提供到印刷電路板110。包括光電導(dǎo)體170的X射線檢測(cè)單元可以在再分配層上。光電導(dǎo)體170可以在襯底140上，覆蓋像素電極160。光電導(dǎo)體170可以是單材料層。光電導(dǎo)體170可以是例如非晶硒(a-Se)、HgI2' PbI2, CdTe, CdZnTe和/或PbO0光電導(dǎo)體170的厚度可以根據(jù)要被測(cè)量的對(duì)象而變化。例如，當(dāng)光電導(dǎo)體材料是HgI2時(shí)，在測(cè)量胸腔時(shí)光電導(dǎo)體170的厚度可以是500-600 u m,在測(cè)量乳房時(shí)可以是300-400 u m。當(dāng)光電導(dǎo)體材料是a_Se時(shí)，在測(cè)量胸腔時(shí)光電導(dǎo)體170的厚度可以是900-1000 iim，在測(cè)量乳房時(shí)光電導(dǎo)體170的厚度是300-400um。光電導(dǎo)體170可以根據(jù)從其上表面入射的X射線的強(qiáng)度而產(chǎn)生電荷。光電導(dǎo)體170可以被分成多個(gè)無縫的像素區(qū)域。像素電極160可以在每個(gè)像素區(qū)域下面。入射在光電導(dǎo)體170上的X射線可以被轉(zhuǎn)換成每個(gè)像素區(qū)域中的電荷，在相應(yīng)的像素電極160中聚集并被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。連續(xù)的公共電極180可以在光電導(dǎo)體170上方。公共電極180可以是例如銦錫氧化物和/或金屬(例如，鋁和/或銅)。根據(jù)施加到公共電極180的DC電壓可以在光電導(dǎo)體170中產(chǎn)生電場(chǎng)。在光電導(dǎo)體170中產(chǎn)生的空穴-電子對(duì)的電子和/或空穴可以移到每個(gè)像素電極160。光電導(dǎo)體170中的移動(dòng)電荷可以根據(jù)光電導(dǎo)體170的材料確定。正電壓或者負(fù)電壓可以施加到公共電極180。因?yàn)閳DI的X射線探測(cè)器100可以使用再分配層將芯片120上的像素焊盤132的區(qū)域擴(kuò)展到與其相應(yīng)的像素電極160的區(qū)域，所以可以在光電導(dǎo)體170的整個(gè)區(qū)域中檢測(cè)到X射線?？梢跃_地產(chǎn)生照相區(qū)域的無縫圖像。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式，因?yàn)橐€鍵合可以用于從芯片的引腳焊盤到芯片的下部的連接，而不穿透芯片，所以可以容易地實(shí)現(xiàn)大型X射線探測(cè)器。雖然已經(jīng)具體顯示并描述了示例實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)中進(jìn)行各種改變而不脫離權(quán)利要
本申請(qǐng)要求享有2011年3月4日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2011-0019646號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過弓I用包括于此。
權(quán)利要求
1.一種X射線探測(cè)器，包括 多個(gè)芯片，每個(gè)芯片包括多個(gè)引腳焊盤； 多個(gè)第一電極焊盤，在所述多個(gè)芯片的與所述多個(gè)引腳焊盤相對(duì)的一側(cè)上；以及 至少一個(gè)布線，電連接到所述多個(gè)第一電極焊盤和所述多個(gè)引腳焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的X射線探測(cè)器，還包括 多個(gè)像素電極； 再分配層，在所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)芯片之間； 光電導(dǎo)體，在所述多個(gè)像素電極上；以及 公共電極，在所述光電導(dǎo)體上， 其中所述多個(gè)芯片中的每個(gè)芯片包括由所述多個(gè)引腳焊盤圍繞的多個(gè)像素焊盤，以及 所述再分配層配置為將所述多個(gè)像素電極電連接到所述多個(gè)像素焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線探測(cè)器，其中所述再分配層包括多個(gè)第二電極焊盤， 所述多個(gè)引腳焊盤連接到所述多個(gè)第二電極焊盤，以及 所述至少一個(gè)布線連接在所述多個(gè)第一電極焊盤與所述多個(gè)第二電極焊盤之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X射線探測(cè)器，其中所述至少一個(gè)布線在所述多個(gè)芯片中的兩個(gè)或更多芯片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的X射線探測(cè)器，其中所述至少一個(gè)布線是鍵合線。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X射線探測(cè)器，其中由所述多個(gè)像素電極覆蓋的區(qū)域大于由所述多個(gè)像素焊盤覆蓋的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的X射線探測(cè)器，其中所述多個(gè)像素電極中的至少一個(gè)像素電極至少部分地在所述多個(gè)芯片中的兩個(gè)或更多芯片之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的X射線探測(cè)器，其中所述再分配層包括至少一個(gè)豎直布線和至少一個(gè)水平布線，所述至少一個(gè)水平布線連接到所述至少一個(gè)豎直布線。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X射線探測(cè)器，其中所述多個(gè)第二電極焊盤中的至少一個(gè)電極焊盤延伸超過所述多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片的末端。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X射線探測(cè)器，還包括 多個(gè)凸塊，在所述多個(gè)第二電極焊盤與所述多個(gè)引腳焊盤之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X射線探測(cè)器，還包括 印刷電路板；以及 在所述印刷電路板與所述多個(gè)第一電極焊盤之間的多個(gè)凸塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的X射線探測(cè)器，還包括 在所述印刷電路板與所述多個(gè)芯片之間的樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線探測(cè)器，還包括 印刷電路板， 其中所述多個(gè)像素電極連接到所述印刷電路板，且 所述多個(gè)像素電極不是通過貫穿所述多個(gè)芯片的導(dǎo)體連接到所述印刷電路板。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線探測(cè)器，其中所述再分配層包括在所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)芯片之間的襯底、以及在所述襯底與所述多個(gè)芯片之間的第一絕緣層， 所述襯底包括連接到所述多個(gè)像素電極的至少一個(gè)第一豎直布線，所述第一絕緣層包括連接到所述多個(gè)像素焊盤的至少一個(gè)第二豎直布線，且 水平布線連接到所述至少一個(gè)第一豎直布線以及所述至少一個(gè)第二豎直布線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的X射線探測(cè)器，其中所述再分配層包括在所述第一襯底與所述多個(gè)芯片之間的第二絕緣層，以及 所述第二絕緣層包括至少一個(gè)第三豎直布線。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線探測(cè)器，其中所述光電導(dǎo)體是非晶硒a-Se、HgI2,PbI2, CdTe, CdZnTe 和 PbO 中的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的X射線探測(cè)器，其中所述多個(gè)芯片是專用集成電路和互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體芯片中的至少一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的X射線探測(cè)器，其中所述至少一個(gè)布線是鍵合線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種大型X射線探測(cè)器，該X射線探測(cè)器包括在印刷電路板上的多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片中的每個(gè)芯片包括在所述印刷電路板的中央部分上的多個(gè)像素焊盤和圍繞所述多個(gè)像素焊盤的多個(gè)引腳焊盤；布置在所述多個(gè)芯片上且與所述多個(gè)芯片相應(yīng)的多個(gè)像素電極；電連接所述多個(gè)像素電極和所述多個(gè)像素焊盤的再分配層；在一表面上的多個(gè)第一電極焊盤，所述表面與所述多個(gè)芯片的包括所述多個(gè)引腳焊盤的表面相反；電連接所述多個(gè)第一電極焊盤和所述多個(gè)引腳焊盤的布線；形成在所述多個(gè)像素電極上的光電導(dǎo)體；以及形成在所述光電導(dǎo)體上的公共電極。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102655159SQ20121004669
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者樸宰徹, 金善日, 金尚昱, 金昌楨 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社