技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于在蝕刻溶液中將高度摻雜的硅層進行濕化學蝕刻的方法。根據(jù)本發(fā)明，為了能夠均勻地進行蝕刻，使用含HF的蝕刻溶液作為蝕刻溶液，所述蝕刻溶液含有至少一種選自過二硫酸鹽、過一硫酸鹽和過氧化氫的氧化劑。

技術(shù)研發(fā)人員：A.拉霍維奇;B.舒姆;K.瓦斯
受保護的技術(shù)使用者：瑞士CSEM電子顯微技術(shù)研發(fā)中心
文檔號碼：201180053238
技術(shù)研發(fā)日：2011.09.02
技術(shù)公布日：2017.07.25