技術(shù)特征：
1.一種用于在蝕刻溶液中將高度摻雜的硅層進(jìn)行濕化學(xué)地各向同性反向蝕刻的方法，其中所述硅層具有的摻雜劑濃度為>1018原子/cm3，和所述高度摻雜的硅層是晶體太陽能電池發(fā)射體的表面區(qū)域，其特征在于使用含HF的蝕刻溶液作為蝕刻溶液對發(fā)射體的表面區(qū)域進(jìn)行反向蝕刻，所述蝕刻溶液含有至少一種選自過二硫酸鹽和過一硫酸鹽的氧化劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述蝕刻溶液進(jìn)一步含有至少一種選自配合劑和表面活性劑的組分。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于含HF的蝕刻溶液含有至少一種選自硫酸、磷酸、鹽酸和H2SiF6(六氟硅酸)的另外的酸。4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于使用的配合劑是選自羥基酚、胺、羥基羧酸、多元醇、亞磷酸和多磷酸鹽的配合形成劑。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于使用具有下面組成的含HF的水溶液：-HF：1-15重量%，-過二硫酸銨：1-50重量%。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于蝕刻溶液在立式和臥式裝置中使用。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于高度摻雜的硅層含有磷、砷、硼、鋁或鎵作為摻雜劑。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述硅層具有的摻雜劑濃度為>1019原子/cm3。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于使用具有下面組成的含HF的水溶液：-HF：1.5-5重量%，-過二硫酸銨：20-30重量%。10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于使用具有下面組成的含HF的水溶液：-HF：1-15重量%，-過二硫酸銨：1-50重量%，以及-至少一種選自如下的組分：硫酸、磷酸、六氟硅酸、配合劑和表面活性劑。