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高頻壓電晶體復(fù)合材料、用于制造其的裝置和方法與流程

文檔序號(hào):11432490閱讀:來源:國知局
高頻壓電晶體復(fù)合材料、用于制造其的裝置和方法與流程

技術(shù)特征:
1.基于壓電PMN-PT的晶體復(fù)合材料,可用于可操作超聲成像的醫(yī)學(xué)成像裝置組合,所述晶體復(fù)合材料具有由如下公式表示的晶體組成:x*Pb(B’1/2B”1/2)O3-y*PbTiO3-(1-x-y)*Pb(Mg1/3Nb2/3)O3;其中,x被限定為0.00至0.50的摩爾百分比;y被限定為0.00至0.50的摩爾百分比;B’表示銦(In)、鐿(Yb)、鈧(Sc)、鋯(Zr)或鐵(Fe);并且B”表示鈮(Nb)或鉭(Ta);其中,所述晶體復(fù)合材料包含添加劑,所述添加劑選自由如下構(gòu)成的組:高達(dá)總分批重量的5%(wt%)的錳(Mn)以及高達(dá)總分批重量的10%(wt%)的鈰(Ce);而且其中:所述晶體復(fù)合材料具有0.65至0.90的厚度機(jī)電耦合因數(shù)k1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體復(fù)合材料,其中:所述晶體復(fù)合材料可工作于至少20MHz的頻率。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體復(fù)合材料,其中:所述晶體復(fù)合材料工作于至少80MHz的頻率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體復(fù)合材料,其中:所述晶體復(fù)合材料被(011)切割和<011>定極并且根據(jù)如下坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)d31公式在遠(yuǎn)離<011>方向的-35.00~-30.00和+30.00~+35.00的范圍內(nèi)的方向上提供零應(yīng)變:d’31=d31*Cos(θ)*Cos(θ)+d32*Sin(θ)*Sin(θ)。5.基于壓電PMN-PT的...
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