專利名稱：三維存儲器及形成所述三維存儲器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
例如快閃存儲器裝置的非易失性存儲器裝置在許多計算機及電子裝置中用于存儲信息?？扉W存儲器裝置通常具有用以存儲信息(例如，數(shù)據(jù)及指令代碼)的寫入操作、用以檢索所存儲信息的讀取操作及用以從存儲器清除信息的擦除操作。隨著對更高密度存儲器裝置的需求的增加，已提出三維(3D)存儲器裝置。常規(guī)3D存儲器裝置的實例由金志映(Jiyoung Kim)等人描述于在2008年VLSI科技論文技術(shù)文摘座談會(2008Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers)中公開的標(biāo)題為“用于具有垂直陣列晶體管(VRAT)及相同平面上的平面化集成(PIPE)的超高密度快閃存儲器的新穎 3-D 結(jié)構(gòu)(Novel3_D Structure for Ultra High Density Flash Memorywith Vertical-Array-Transistor(VRAT) and Planarized Integration on the samePlane(PIPE)) ”的文章(第22到23頁)中。由于3D存儲器裝置為相對新的，因此制造這些裝置可引起制作工藝挑戰(zhàn)
發(fā)明內(nèi)容


圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有帶有存儲器單元的存儲器陣列的存儲器裝置的框圖。圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有位于存儲器單元下面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置的一部分的示意圖。圖3展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖2的存儲器裝置的一部分的三維視圖。圖4展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖3的存儲器裝置的控制柵極及存儲器單元的一部分。圖5到圖29展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成具有位于存儲器單元下面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置的各種工藝。圖30展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有位于存儲器單元上面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置的一部分的示意圖。圖31展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖30的存儲器裝置的一部分的三維視圖。圖32到圖38展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成具有位于存儲器單元上面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置的各種工藝。
具體實施例方式圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有帶有存儲器單元110的存儲器陣列102的存儲器裝置100的框圖。存儲器單元110可與存取線123 (例如，具有信號WLO到WLM的字線)及線124 (例如，具有信號BLO到BLN的位線)一起布置成若干行及若干列。存儲器裝置100使用線124及128在存儲器單元110內(nèi)傳送信息。存儲器單元110可在物理上位于多個裝置層級中使得存儲器單元110的一個群組可堆疊于其它存儲器單元110的一個或一個以上群組上。行解碼器132及列解碼器134解碼線125 (例如，地址線)上的地址信號AO到AX以確定將存取哪些存儲器單元110。行解碼器132及列解碼器134的行層級解碼器136及列層級解碼器138分別確定待存取的存儲器單元110位于存儲器裝置100的多個裝置層級中的哪一者上。感測放大器電路140操作以確定從存儲器單元110讀取的信息的值且將所述信息以信號形式提供到線124及128。感測放大器電路140還可使用線124及128上的信號來確定待寫入到存儲器單元110的信息的值。存儲器裝置100包含用以在存儲器陣列102與線(例如，數(shù)據(jù)線)126之間傳送信息的電路150。線126上的信號DQO到DQN可表示從存儲器單元110讀取或?qū)懭氲酱鎯ζ鲉卧?10中的信息。線126可包含存儲器裝置100內(nèi)的節(jié)點或存儲器裝置100駐存于其中的封裝上的節(jié)點(例如，引腳或焊料球)。存儲器裝置100外部的其它裝置(例如，存儲器控制器或處理器)可通過線125、126及127與存儲器裝置100通信。存儲器裝置100執(zhí)行存儲器操作，例如用以從存儲器單元110讀取信息的讀取操作及用以將信息存儲到存儲器單元110中的寫入操作(有時稱為編程操作)。存儲器控制單元118基于線127上的控制信號來控制所述存儲器操作。線127上的控制信號的實例包含一個或一個以上時鐘信號及指示存儲器裝置100執(zhí)行哪一操作(例如，寫入或讀取操作)的其它信號。存儲器裝置100外部的其它裝置(例如，處理器或存儲器控制器)可控制線127上的控制信號的值。這些線上的信號的組合的特定值可產(chǎn)生致使存儲器裝置100執(zhí)行對應(yīng)存儲器操作(例如，寫入或讀取操作)的命令(例如，寫入或讀取命令)。存儲器單元110中的每一者可存儲表示單個位的值或多個位(例如兩個、三個、四個或其它數(shù)目個位)的值的信息。舉例來說，存儲器單元110中的每一者可存儲表示單個位的二進制值“O”或“I”的信息。在另一實例中，存儲器單元110中的每一者可存儲表示多個位的值(例如兩個位的四個可能值“00”、“01”、“10”及“11”中的一者、八個可能值“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”及“111”中的一者或其它數(shù)目個多個位的其它值中的一者)的信息。 存儲器裝置100可分別在線141及142上接收供應(yīng)電壓，包含供應(yīng)電壓信號Vcc及Vss。供應(yīng)電壓信號Vss可在接地電位(例如，具有約零伏的值)下操作。供應(yīng)電壓信號Vcc可包含從外部電源(例如電池或交流/直流(AC-DC)轉(zhuǎn)換器電路)供應(yīng)到存儲器裝置100的外部電壓。存儲器裝置100的電路150可包含選擇電路152及輸入/輸出(I/O)電路116。選擇電路152響應(yīng)于信號SELO到SELn而選擇線124及128上的可表示從存儲器單元110讀取或?qū)懭氲酱鎯ζ鲉卧?10中的信息的信號。列解碼器134基于地址信號AO到AX而選擇性地激活SELO到SELn信號。選擇電路152在讀取及寫入操作期間選擇線124及128上的信號以提供存儲器陣列102與I/O電路116之間的通信。存儲器裝置100可為非易失性存儲器裝置，且存儲器單元110可為非易失性存儲器單元使得存儲器單元110可在將電力(例如，Vcc或Vss或其兩者)與存儲器裝置100切斷連接時保持存儲于其上的信息。舉例來說，存儲器裝置100可為快閃存儲器裝置(例如NAND快閃或NOR快閃存儲器裝置)或其它種類的存儲器裝置，例如可變電阻存儲器裝置(例如，相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式RAM(RRAM)等)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可認(rèn)識到，存儲器裝置100可包含圖1中未展示以幫助集中于本文中所描述的實施例上的其它特征。存儲器裝置100可包含下文參考圖2到圖38所描述的存儲器裝置及存儲器單元中的至少一者。圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有位于存儲器單元210、211及212下面的數(shù)據(jù)線251、252及253的存儲器裝置200的一部分的示意圖。存儲器單元210、211及212可被分組成若干群組，例如存儲器單元210的群組、存儲器單元211的群組及存儲器單元212的群組。如圖2中所展示，每一群組中的存儲器單元可共享相同控制柵極，例如控制柵極221、222或223 (具有相關(guān)聯(lián)信號WL0、WL1及WL2)。所述存儲器單元串聯(lián)耦合為若干串，例如串215及216。每一串可包含來自不同群組的存儲器單元中的一者且耦合于晶體管231中的一者與晶體管232中的一者之間。如圖2中所展示，晶體管231具有耦合到選擇線241、242及243 (具有相關(guān)聯(lián)信號S⑶O、S⑶I及S⑶2)的柵極。晶體管231具有耦合到數(shù)據(jù)線251、252及253 (具有相關(guān)聯(lián)信號BL0、BL1及BL2)的節(jié)點(例如，源極)。數(shù)據(jù)線251、252及253有時對應(yīng)于非易失性存儲器裝置的位線或感測 線。晶體管232具有耦合到選擇線261、262及263 (具有相關(guān)聯(lián)信號SGSO、SGSl及SGS2)的柵極。晶體管232具有耦合到非易失性存儲器裝置中的存儲器單元串的共用源極270的節(jié)點(例如，漏極)。作為一實例，圖2展示具有耦合到其的相關(guān)聯(lián)組件的三個存儲器單元群組。存儲器單元群組及其相關(guān)聯(lián)組件(例如，控制柵極及數(shù)據(jù)線)的數(shù)目可變化。存儲器裝置200在用以感測(例如，讀取)存儲于存儲器單元210、211及212中的信息的讀取操作期間及在用以將信息存儲到存儲器單元210、211及212中的寫入操作期間使用控制柵極221、221及223來控制對存儲器單元210、211及212的存取。存儲器裝置200在讀取操作期間使用數(shù)據(jù)線251、252及253來傳送從這些存儲器單元讀取的信息。晶體管231及232在讀取或?qū)懭氩僮髌陂g分別響應(yīng)于信號S⑶O、S⑶I及S⑶2以及信號SGSO、SGSl及SGS2而將存儲器單元選擇性地耦合到數(shù)據(jù)線251、252及253以及共用源極270。為了幫助集中于本文中的描述上，本文中的描述省略了對存儲器裝置的操作(例如寫入、讀取及擦除操作)的詳細(xì)描述。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到這些操作。舉例來說，在存儲器裝置200的擦除操作中，可將約20伏的電壓施加到數(shù)據(jù)線251、252及253，同時可使控制柵極221、221及223、選擇線241、242及243以及選擇線261、262及263“浮動”(例如，使得不連接到電壓)。在此擦除操作中，來自存儲器單元210、211及212的存儲器元件的電子可移動到數(shù)據(jù)線251、253及253。圖3展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器裝置200的一部分的3D視圖。圖3還展示X、Y及Z方向以及沿Z方向布置的裝置層級301、302及303。相同群組的存儲器單元210可沿X方向及Y方向布置成若干行及列。存儲器單元的每一群組位于不同裝置層級301、302或303中。舉例來說，具有存儲器單元210的群組位于裝置層級301中。具有存儲器單元211的群組位于裝置層級302中。具有存儲器單元212的群組位于裝置層級303中。如圖3中所展示，每一串中的存儲器單元210、211及212 (例如，在晶體管231與232之間的存儲器單元)相對于數(shù)據(jù)線251、252及253下方的襯底沿Z方向大致垂直對準(zhǔn)。所述襯底未展示于圖3中，但可類似于圖5及圖6的襯底503。圖3還展示沿Z方向垂直延伸且穿過在對應(yīng)于圖2的晶體管231及232的晶體管231與232之間的相同串中的存儲器單元210、211及212的存儲器元件430的溝道241及導(dǎo)電材料部分242。如圖3中所展示，晶體管231可包含耦合到本體391 (例如，晶體管溝道)以控制(接通或關(guān)斷)所述晶體管的雙柵極。所述雙柵極的結(jié)構(gòu)可包含相同選擇線241的兩個段(如圖3中所展示)，使得所述兩個段位于本體391的僅兩個相應(yīng)側(cè)上。圖3中的存儲器裝置200還可包含觸點329、349及359。觸點329提供通往控制柵極221、222及223的電連接。觸點349提供通往選擇線241、242、243及244的電連接。觸點359提供通往及來自數(shù)據(jù)線251、252及253的電連接。圖2中未展示選擇線244及沿Z方向與其相關(guān)聯(lián)的存儲器單元。圖4展示圖3的存儲器裝置200的控制柵極221及存儲器單元210的一部分。圖2的控制柵極222及223以及存儲器單元211及212具有分別類似于控制柵極221及存儲器單元210的結(jié)構(gòu)。如圖4中所展示，控制柵極221可包含具有腔420的同質(zhì)材料，每一腔填充有各種組件， 包含不同于所述同質(zhì)材料的材料。所述各種組件包含存儲器元件430 ；溝道441、導(dǎo)電材料部分442以及電介質(zhì)421及427。電介質(zhì)421可包含布置為不同層的多種材料422、423及424。如圖4中所展示，每一存儲器單元210的存儲器元件430具有帶有內(nèi)側(cè)451及外側(cè)452的環(huán)形狀(例如，炸面圈形狀)。圖3中所展示的其它存儲器單元211及212中的每一者也具有環(huán)形狀。如圖3中所展示，在相同串(例如，在晶體管231與232之間)中的存儲器單元210、211及212內(nèi)，每一存儲器單元的整個環(huán)形狀存儲器元件430與相同串中的其它存儲器單元中的每一者的整個環(huán)形狀存儲器元件大致垂直對準(zhǔn)(沿Z方向)。每一存儲器元件430可例如基于其中的電荷量(例如，電子數(shù)目)而存儲信息。在每一此種存儲器元件430中，所述電荷量對應(yīng)于所述存儲器元件存儲的信息的值?？稍趯懭氩僮髦谢蛟诓脸僮髦锌刂扑鲭姾闪?。舉例來說，在寫入操作期間，來自溝道441或?qū)щ姴牧喜糠?42或其兩者的電子可由于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的隧穿效應(yīng)而移動到存儲器元件430。在擦除操作中，來自存儲器元件430的電子可移動回到溝道441或?qū)щ姴牧喜糠?42或其兩者而到達數(shù)據(jù)線251、253及253 (圖2及圖3)。舉例來說，替代實施例可使用存儲器元件430，存儲器元件430可例如基于元件430的電阻而存儲信息。可使用類似于或等同于下文參考圖5到圖29所描述的那些工藝的工藝來形成圖3的存儲器裝置200。圖5到圖29展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成具有位于存儲器單元下面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置500的各種工藝。存儲器裝置500 (圖29中更詳細(xì)地展示)可對應(yīng)于圖3的存儲器裝置300。圖5展不具有襯底503的存儲器裝置500,襯底503可包含布置為若干層的材料501及502。材料501可包含塊體硅或可為另一半導(dǎo)體材料。材料502可為電介質(zhì)材料， 舉例來說，氧化硅。圖5還展示形成于襯底503上方的材料504及505。形成材料504及505可包含在襯底503上方沉積導(dǎo)電材料且接著在材料504上方沉積另一導(dǎo)電材料。材料504可包含金屬或其它導(dǎo)電材料。材料505可包含未摻雜多晶娃或經(jīng)摻雜多晶娃,例如P型娃或另一些導(dǎo)電材料。圖5還展不X方向、垂直于X方向的Y方向以及垂直于X方向及Y方向兩者的Z方向。如圖5中所展示，材料504及505可沿Z方向以一個層在一個或一個以上其它層上方(或一個或一個以上其它層上)的方式形成為不同層。如本文中所使用，關(guān)于兩種或兩種以上材料(一者“在”另一者“上”)使用的術(shù)語“在…上”意指所述材料之間的至少某一接觸，而“在…上方”或“上覆于…上”可指代一材料“在”另一材料“上”或其中在所述材料之間存在一種或一種以上額外介入材料(例如，未必需要接觸)。術(shù)語“在…上”、“在…上方”或“上覆于…上”并不暗含如本文中所使用的任何方向性，除非另外明確地如此陳述。
圖6展示在已形成數(shù)據(jù)線651、652及653以及裝置結(jié)構(gòu)605之后的存儲器裝置500。可使用例如蝕刻(例如，干蝕刻)的工藝來移除材料504及505 (圖5)的部分以形成溝槽511及512，溝槽511及512具有在材料502處的溝槽底部。數(shù)據(jù)線651、652及653中的每一者以及裝置結(jié)構(gòu)605中的每一者具有沿X方向延伸的較大尺寸(例如，長度)?？墒褂镁哂醒豖方向延伸的單獨開口的掩模(圖6中未展示)來形成溝槽511及.512。如圖6中所展示，溝槽511及512將材料504 (圖5)劃分成可對應(yīng)于圖2的數(shù)據(jù)線251、252及253的單獨數(shù)據(jù)線651、652及653。圖7展示在已在存儲器裝置500的區(qū)域701中形成柱705之后的存儲器裝置500。不在存儲器裝置500的區(qū)域702中形成柱705。為簡單起見，圖7到圖29未展示圖6的襯底503。在圖7中，可使用例如蝕刻(例如，干蝕刻)的工藝來移除裝置結(jié)構(gòu)605的部分以沿Y方向垂直于溝槽511及512形成溝槽711、712及713，使得可如圖7中所展示形成柱705?？墒褂镁哂醒豗方向延伸的單獨開口的掩模(圖7中未展示)來形成溝槽.711、712及713。每一柱705可包含沿Z方向約20納米到50納米的高度。如圖7中所展示，柱.705沿X方向及Y方向布置成若干行及列(例如，成一矩陣)。為簡單起見，圖7未展示填充于溝槽511及512中的電介質(zhì)材料。然而，形成圖7中的存儲器裝置500還可包含形成電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)以填充溝槽511及512直到裝置結(jié)構(gòu)605的頂部表面715。圖8展示在已形成電介質(zhì)831以及選擇線841、842、843及844之后的存儲器裝置500。選擇線841、842、843及844可分別對應(yīng)于圖3的選擇線241、242、243及244。在圖8中，形成電介質(zhì)831以使選擇線841、842、843及844與柱705電隔離?？赏ㄟ^(舉例來說)在每一柱705的至少兩個側(cè)上沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)或通過使柱.705氧化來形成電介質(zhì)831。在形成電介質(zhì)831之后，可通過(舉例來說)在柱705以及溝槽711、712及713(圖7)上方沉積導(dǎo)電材料且接著移除(例如，蝕刻)所述導(dǎo)電材料的一部分以形成具有圖8中所展示的結(jié)構(gòu)的選擇線841、842、843及844來形成選擇線841、842、843及844。用于選擇線841、842、843及844的導(dǎo)電材料的實例包含多晶硅、金屬或其它導(dǎo)電材料，例如TiN 及 TaN。圖8還展示可通過將η型雜質(zhì)插入(例如，植入)到裝置結(jié)構(gòu)605的選擇性部分中而形成的經(jīng)摻雜區(qū)833。η型雜質(zhì)的實例包含例如磷(P)或砷(As)的元素。裝置結(jié)構(gòu)605的尚未被插入η型雜質(zhì)的剩余部分可維持其原始材料,例如P型娃,如上文參考圖5所描述。圖9展示具有選擇線941、942、943及944 (其為圖8的選擇線841、842、843及844的替代結(jié)構(gòu))的存儲器裝置500。在圖8中，每一柱705的相對側(cè)與相同選擇線841、842、843或844的兩個不同段相關(guān)聯(lián)。在圖9中，除柱705的頂部表面外，每一柱705可由選擇線941、942、943或944中的一者的材料完全環(huán)繞(例如，每一柱705的四個側(cè)與相同選擇線的四個不同段相關(guān)聯(lián))。與選擇線841、842、843及844相比，可用選擇線941、942、943及944實現(xiàn)更高效的存儲器裝置。選擇線941、942、943及944也可分別為圖3的選擇線241、242,243及244的替代結(jié)構(gòu)。因此，圖2及圖3的每一晶體管231可包含具有圖9中所展示的結(jié)構(gòu)的環(huán)繞式柵極。因此，代替圖3中所展示的雙柵極，圖3的每一晶體管231可替代地包含具有相同選擇線(例如選擇線941)的環(huán)繞本體391 (圖3)的四個不同段的環(huán)繞式柵極。圖10展示在于柱705以及選擇線841、842、843及844上方形成材料1001到1007之后的存儲器裝置500?？稍诖鎯ζ餮b置500的區(qū)域701及702兩者中形成材料1001到1007。然而，為了集中于本文中的描述上，圖10未展示區(qū)域702中的材料1001到1007的一些部分。下文參考圖28及圖29的描述描述了在存儲器裝置500的區(qū)域702中形成額外組件(例如，類似于圖3的觸點329的組件)。

在圖10到圖29中，為簡單起見，可能不在不同圖之間重復(fù)與存儲器裝置500的一些組件相關(guān)聯(lián)的一些編號標(biāo)識。在圖10中，在形成材料1001到1007之前，可形成例如氧化硅的電介質(zhì)材料(圖10中未展示)以填充間隙1041、1042及1043。形成材料1001到1007可包含以交錯方式交替地沉積電介質(zhì)材料及導(dǎo)電材料，使得這些材料沿Z方向交替地彼此上下堆疊，如圖10中所展示。材料1001、1003、1005及1007可包含電介質(zhì)材料，例如氧化硅。材料1002、1004及1006可包含導(dǎo)電材料，例如金屬或多晶硅(例如，用于P型硅的η型硅)。如圖10中所展示，材料1001到1007經(jīng)形成使得材料1002、1004及1006通過材料1001、1003、1005及1007彼此電隔離。圖11展示在已在材料1002到1107中形成開口(例如，孔)1101之后的存儲器裝置500?？?101經(jīng)形成使得每一孔1101可在對應(yīng)柱705正上方大致對準(zhǔn)，如圖11中所圖解說明。形成孔1101可包含移除(例如，蝕刻)材料1002到1007中的每一者的一部分，在材料1001處停止，使得材料1001的至少一部分或整個材料1001保留下來以分離孔1101與柱705。形成孔1101導(dǎo)致形成材料1003、1005及1007中的每一者中的腔1110以及材料1002、1004及1006中的每一者中的腔1120。如圖12中所展示，材料1003、1005及1007中的腔1110在其它材料1002、1004及1006中的腔1120正上方大致對準(zhǔn)。每一腔1110及每一腔1120可具有大致相同的直徑Dl。還可將直徑Dl視為每一孔1101在每一腔1110及每一腔1120的位置處的直徑。圖12展示在已在材料1002、1004及1006(用于形成控制柵極1221、1222及1223)中形成腔1220之后的存儲器裝置500。形成腔1220可包含擴大腔1120(圖11)的大小，同時使腔1110的大小保持大致不變(例如，保持大致為直徑Dl)。舉例來說，擴大腔1120(圖11)的大小可包含選擇性地移除(例如，選擇性濕蝕刻或干蝕刻)材料1002、1004及1006中的每一者的在每一腔1120(圖11)處的一部分，使得每一腔1220的直徑增加到大致直徑D2，同時每一腔1110處的直徑Dl保持大致不變。直徑D2大于直徑D1。在材料1002、1004及1006中形成腔1120還形成可對應(yīng)于圖2的控制柵極221、222及223的控制柵極1221、1222 及 1223。圖13展示圖12的控制柵極1221的更多細(xì)節(jié)。圖12的控制柵極1222及1223具有與控制柵極1221類似的結(jié)構(gòu)。如圖13中所展示，控制柵極1221可包含同質(zhì)材料，其中圖11的腔1220沿X方向及Y方向布置成若干行及列。每一腔1220可包含側(cè)壁1225。圖14及圖15展示在已在腔1220中形成電介質(zhì)1421及存儲器元件1430之后的存儲器裝置500。為簡單起見，圖15未展示所有腔1220中的電介質(zhì)1421及存儲器元件1430?？稍趥?cè)壁1225上形成每一電介質(zhì)1421，使得電介質(zhì)1421可位于控制柵極1221的材料與存儲器元件1430之間，且使得存儲器元·件1430可通過電介質(zhì)1421的至少一部分與控制柵極1221的材料電隔離。形成電介質(zhì)1421可包含在不同時間處一種材料接另一種材料地形成多種材料1422、1423及1424(圖15)。形成材料1422可包含使側(cè)壁1225的一部分(例如，表面)氧化以在側(cè)壁1225上形成電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)?；蛘?，形成材料1422可包含在側(cè)壁1225上沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)。形成材料1423可包含在材料1422上沉積電介質(zhì)材料(例如，氮化硅)，其中所述電介質(zhì)材料的一部分還可形成于每一腔1110的側(cè)壁1425上。形成材料1424可包含在材料1423上沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)?？稍谛纬呻娊橘|(zhì)1421之后形成存儲器元件1430。如圖15中所展示，每一存儲器元件1430具有帶有圖14的內(nèi)側(cè)1451及外側(cè)1452的環(huán)形狀(例如，炸面圈形狀)。形成存儲器元件1430可包含在孔1101中沉積材料。由于圖14的腔1220與腔1110大致對準(zhǔn)，因此所述材料(其形成存儲器元件1430)可填充腔1110及1120兩者。接著，可(例如，通過在相同、單個蝕刻步驟中蝕刻)移除形成存儲器元件1430的材料的一部分(例如，每一孔中的中心部分)，使得腔1110中的材料可被移除(例如，完全移除)且腔1220中的材料未被完全移除而是部分地移除。如圖14中所展示，在從腔1110移除形成存儲器元件1430的材料之后,可暴露電介質(zhì)材料1423(例如，氮化硅，其形成于材料1422上)的一部分。如圖14中所展示，在從腔1220部分地移除形成存儲器元件1430的材料之后，與相同孔1101相關(guān)聯(lián)的存儲器元件1430(由腔1220中的剩余材料形成)可使其內(nèi)側(cè)1451與腔1110的側(cè)壁1425(或腔1110的具有材料1422及1423的部分的側(cè)壁1425)大致對準(zhǔn)。舉例來說，存儲器元件1430的材料可包含半導(dǎo)體材料(例如，多晶硅)、電介質(zhì)電荷陷獲材料(例如氮化硅或其它電介質(zhì)電荷陷獲材料)或可變電阻材料(例如相變材料(例如，GST))。在移除(例如，蝕刻)形成存儲器元件1430的材料的一部分期間，還可移除材料1001的位于柱705上方的部分1401以減小部分1401的厚度。圖16及圖17展示在已在存儲器元件1430的內(nèi)側(cè)1451上及腔1110中形成電介質(zhì)1627之后的存儲器裝置500。形成電介質(zhì)1627可包含在內(nèi)側(cè)1451上沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)?；蛘?，形成電介質(zhì)1627可包含使存儲器元件1430的一部分(例如，內(nèi)側(cè)1451)氧化。形成電介質(zhì)1627(例如，通過氧化)還可消耗形成于在腔1110的側(cè)壁1425上形成的材料1422上的材料1423(圖14)。因此，電介質(zhì)1627還可形成于腔中材料1422上方。圖18及圖19展示在已在腔1110及1220兩者中電介質(zhì)1627上形成溝道1841之后的存儲器裝置500。形成溝道1841可包含在電介質(zhì)1627上沉積導(dǎo)電材料。可在沉積導(dǎo)電材料之后使用蝕刻工藝來減小所述導(dǎo)電材料的厚度。溝道1841的導(dǎo)電材料可包含可具有與柱705相同的材料類型(例如，P型)的經(jīng)摻雜多晶硅。圖18還展示可通過移除(例如，通過蝕刻)位于柱705上方的部分1401(圖14)而形成的開口 1801的形成。如圖19中所展示，溝道1841面向存儲器元件1430且通過電介質(zhì)1627的至少一部分與存儲器元件1430電隔離。圖20展示在已通過(舉例來說)沉積未摻雜或經(jīng)輕摻雜多晶硅形成導(dǎo)電材料2001以將溝道1841置成與柱705電連通之后的存儲器裝置500。如圖20中所展示，導(dǎo)電材料2001形成在溝道1841與數(shù)據(jù)線651、652及653之間通過柱705的連續(xù)導(dǎo)電路徑。圖21展示在已在導(dǎo)電材料2001上方形成電介質(zhì)材料2101 (例如，氧化硅)之后的存儲器裝置500。圖22展示在形成開口(例如，孔2201)、導(dǎo)電材料部分2260及導(dǎo)電材料部分2241之后的存儲器裝置500?？?201經(jīng)形成使得每一孔2201可在溝道1841正上方大致對準(zhǔn)，如圖22中所圖解說明。形成孔2201可包含移除(例如，蝕刻)電介質(zhì)材料2101的一部分及導(dǎo)電材料2001的一部分(圖21)，在材料1007中的一位置處停止?？?201可經(jīng)形成使得在于形成孔2201期間移除導(dǎo)電材料2001的一部分之后，將導(dǎo)電材料2001分離成導(dǎo)電材料部分2260及導(dǎo)電材料部分2241，如圖22中所圖解說明。圖23展示已形成經(jīng)摻雜區(qū)2301之后的存儲器裝置500。形成經(jīng)摻雜區(qū)2301可包含將η型雜質(zhì)插入(例如，植入)到導(dǎo)電材料部分2241的頂部部分中。經(jīng)摻雜區(qū)2301可提供溝道1841與存儲器裝置500的其它組件之間的相對低電阻連接。圖24展示已形成電介質(zhì)2401及溝道2402之后的存儲器裝置500。電介質(zhì)2401 (例如，氧化硅)形成于導(dǎo)電材料部分2260的側(cè)壁上孔2201的位置處。溝道2402形成于電介質(zhì)材料2101的側(cè)壁上及電介質(zhì)2401上。圖25展示在已在孔2201中的每一者中形成導(dǎo)電材料2501使得溝道2402可通過導(dǎo)電材料2501、經(jīng)摻雜區(qū)2301及導(dǎo)電材料部分2241電耦合到溝道1841之后的存儲器裝置500。在孔2201中的每一者中形成導(dǎo)電材料2501可包含在材料上方沉積導(dǎo)電材料(例如，多晶硅)，使得所述導(dǎo)電材料填充孔2201。接著，可通過(舉例來說)回蝕導(dǎo)電材料或通過化學(xué)機械平面化(CMP)來移除所述導(dǎo)電材料的頂部部分。圖26展示在已形成經(jīng)摻雜區(qū)2601以及選擇線2661、2662及2663之后的存儲器裝置500。形成經(jīng)摻雜區(qū)2601可包含將η型雜質(zhì)插入(例如，植入)到導(dǎo)電材料2501的頂部部分中。形成選擇線2661、2662及2663可包含移除電介質(zhì)材料2101及導(dǎo)電材料部分2260的部分以形成溝槽2602，溝槽2602具有部分地延伸到材料1007中的溝槽底部。如圖26中所展示，溝槽2602將導(dǎo)電材料部分2260分離成可對應(yīng)于圖2的選擇線261、262及263的選擇線2661、2662及2663。圖27展示在已形成材料2701及共用源極2770之后的存儲器裝置500。形成材料2701可包含在材料2101上方沉積電介質(zhì)材料(例如，二氧化硅)，使得所述電介質(zhì)材料填充溝槽2602。接著，可通過(舉例來說)回蝕電介質(zhì)材料或通過CMP來移除所述電介質(zhì)材料的頂部部分。形成共用源極2770可包含在材料2701及2101上方沉積導(dǎo)電材料(例如，金屬)。圖28展示在處理(例如，通過圖案化)區(qū)域702 (圖10)中的材料1001到1007以形成階梯狀圖案之后的存儲器裝置500，其中圖28中未展示階梯之間的材料。如上文在圖10的描述中所提及，為清晰起見從圖10到圖27的區(qū)域702省略材料1001到1007的一些部分。圖28展示在已處理區(qū)域702中的材料1001到1007以形成階梯狀圖案之后的所述材料。如圖28中所展示，控制柵極1221、1222及1223分別由形成于階梯狀圖案中的材料 1002、1004 及 1006 形成。圖29展示在已形成觸點2929、2949及2959之后的存儲器裝置500。觸點2929提供通往控制柵極1221、1222及1223的電連接。觸點2949通往選擇線841、842、843及844的電連接。觸點2959提供通往及來自數(shù)據(jù)線651、652及653的電連接。如圖29中所展示，存儲器裝置500可包含類似于或等同于上文參考圖2及圖3所描述的存儲器裝置300的組件及存儲器單元210、211及212的組件及存儲器單元2910、2911 及 2912。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易認(rèn)識到，可執(zhí)行額外工藝以形成存儲器裝置(例如上文所描述的存儲器裝置500)的額外特征。因此，為了幫助集中于本文中所描述的實施例上，上文所描述的圖5到圖29及下文所描述的圖30到圖38展示存儲器裝置(例如存儲器裝置500)的特征中的僅一些特征。圖30展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有位于存儲器單元210、211及212上面的數(shù)據(jù)線251、252及253的存儲器裝置300的一部分的示意圖。存儲器裝置300可包含類似于圖3的存儲器裝置200的那些組件的組件。因此，為簡單起見，對存儲器裝置200與存儲器裝置3000之間的類似或相同組件賦予相同編號標(biāo)識。圖30中不重復(fù)對這些類似組件的詳細(xì)描述。存儲器裝置3000與存儲器裝置200之間的主要差異包含存儲器裝置3000的數(shù)據(jù)線251、252及253以及共用源極3070的位置以實現(xiàn)全局擦除操作。如圖30中所展示，數(shù)據(jù)線251、252及253位于存儲器單元210、211及212上面。共用源極3070位于存儲器單元210、211及212下面且可直接耦合到存儲器裝置3000的襯底(例如，圖31中的襯底3101)的至少一部分。與存儲器裝置200的擦除操作(例如，局部擦除操作)相比，此主要差異可允許在擦除操作期間以不同方式將電壓施加到存儲器裝置3000的各種組件，且存儲器裝置3000以不同方式發(fā)揮作用(例如，在全局擦除操作期間)。舉例來說，在存儲器裝置3000的擦除操作中，可將約20伏的電壓施加到共用源極3070，同時可使控制柵極221、221及223、數(shù)據(jù)線251,252及253、選擇線241,242及243以及選擇線261,262及263 “浮動”。在此擦除操作中，來自存儲器單元210、211及212的存儲器元件的電子可移動(例如，通過隧穿)到共用源極3070(例如，全局擦除)。在如上文參考圖2、圖3及圖4所描述的存儲器200中，在擦除操作期間，來自存儲器單元210、211及212的存儲器元件的電子可移動到數(shù)據(jù)線251、253及253 (例如，局部擦除)。圖31展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖30的存儲器裝置3000的一部分的3D視圖。如圖31中所展示，數(shù)據(jù)線251、252及253位于存儲器單元210、211及212上面，共用源極3070位于存儲器單元210、211及212下面且耦合到襯底3101。襯底3101可包含半導(dǎo)體材料，例如P型硅。如圖31中所展示，每一串中的存儲器單元210、211及212 (例如，在晶體管231與232之間的存儲器單元)相對于襯底3101沿Z方向大致垂直對準(zhǔn)。晶體管232可包含類似于圖3的晶體管231的雙柵極(圖3)或環(huán)繞式柵極(圖9)的雙柵極或環(huán)繞式柵極。圖31還展示沿Z方向垂直延伸且穿過在對應(yīng)于圖30的晶體管231及232的晶體管231與232之間的相同串中的存儲器單元210、211及212的存儲器元件430的溝道441及導(dǎo)電材料部分 442。存儲器單元210、211及212中的每一者中的存儲器元件430具有環(huán)形狀。如圖31中所展示，在相同串中的存儲器單元210、211及212內(nèi)，每一存儲器單元的整個環(huán)形狀存儲器元件430與相同串中的其它存儲器單元中的每一者的整個環(huán)形狀存儲器元件大致垂直對準(zhǔn)(沿Z方向)。圖32到圖38展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成具有位于存儲器單元上面的數(shù)據(jù)線的存儲器裝置3200的各種工藝。存儲器裝置3200 (圖38中更詳細(xì)地展示)可對應(yīng)于圖31的存儲器裝置3000。圖32展示具有襯底3201以及形成于襯底3201的頂部部分上的溝槽3211、3212及3213以及襯底部分3270及3271的存儲器裝置3200。襯底3201可包含半導(dǎo)體材料，例如塊體硅?？赏ㄟ^將P型雜質(zhì)插入(例如,植入)到襯底3201的頂部部分中來形成頂部襯底部分3270及3271。因此，襯底部分3270及3271可包含p型硅。形成溝槽3211、3212及3213以及襯底部分3270可包含移除(例如，蝕刻)襯底部分3271的一部分。在存儲器裝置3200的寫入或讀取操作期間，襯底部分3270可耦合到一電位，例如耦合到接地。在存儲器裝置3200的擦除操作期間，襯底部分3270可耦合到一電壓，舉例來說，約20伏。圖33展示在已在溝槽3211、3212及3213(圖32)中形成材料3301之后的存儲器裝置3200。形成材料3301可包含在襯底3201上方沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅)以填充溝槽3211、3212及3213。接著，可通過(舉例來說)CMP來移除所述電介質(zhì)材料的頂部部分。圖34展示在已形成材料3401以及溝槽3411、3412及3413以及裝置結(jié)構(gòu)3460之后的存儲器裝置3200。形成材料3401可包含在襯底3201及材料3301上方沉積電介質(zhì)材料(例如，氧化硅或氮化硅)。形成溝槽3411、3412及3413可包含移除(例如，蝕刻)襯底3201、材料3301及材料3401的部分。由于溝槽3411、3412及3413的形成而形成裝置結(jié)構(gòu)3460。圖35展示在形成經(jīng)摻雜區(qū)3501、材料3502以及選擇線3561、3562及3563之后的存儲器裝置3200。形成經(jīng)摻雜區(qū)3501可包含將η型雜質(zhì)插入(例如，植入)到襯底部分3271的選擇性部分中?？稍诿恳谎b置結(jié)構(gòu)3460的兩個側(cè)上形成材料3502(例如，氧化硅)以使選擇線3561、3562及3563與裝置結(jié)構(gòu)3460電隔離。選擇線3561、3562及3563的材料可包含一種或一種以上導(dǎo)電材料，例如一種或一種以上金屬、合金、其它導(dǎo)電材料或其組合。選擇線3561、3562及3563可對應(yīng)于圖30的存儲器裝置3000的選擇線261、262及263。圖36展示在已在溝槽3411、3412及3413中形成材料3601之后的存儲器裝置3200。形成材料3601可包含沉積電介質(zhì)材料(例如，二氧化硅)以填充溝槽3411、3412及3413。接著，可通過(舉例來說)回蝕導(dǎo)電材料或通過CMP (在襯底部分3270處停止)來移除所述電介質(zhì)材料的頂部部分。圖37展示在已通過移除(例如，通過濕蝕刻)用于形成選擇線3561、3562及3563的材料的頂部部分形成凹槽3701之后的存儲器裝置3200。或者，可省略形成凹槽3701。圖38展示在已形成其它組件之后的存儲器裝置3200。用于形成圖38中的存儲器裝置3200的組件的工藝可包含用于形成上文參考圖10到圖29所描述的存儲器裝置500的組件的類似或等同工藝。舉例來說，可使用類似于或等同于形成上文參考圖5到圖29所描述的存儲器裝置500的控制柵極1221、1222及1223的那些工藝的工藝來形成圖38的控制柵極3821、3822及3823。圖38的數(shù)據(jù)線3851、3852及3853可對應(yīng)于圖30及圖31的數(shù)據(jù)線251、252及253。如圖38中所展示，存儲器裝置3200可包含可使用類似于或等同于形成上文參考圖5到圖29所描述的存儲器裝置500的存儲器單元2910、2911及2912的那些工藝的工藝而形成的存儲器單元3810、3811及3812。本文中所描述的一個或一個以上實施例包含一種存儲器裝置及形成所述存儲器裝置的方法。一個此種存儲器裝置可包含存儲器單元的第一群組，所述第一群組中的每一單元形成于位于所述存儲器裝置的一個裝置層級中的第一控制柵極的相應(yīng)腔中。所述存儲器裝置還可包含存儲器單元的第二群組，所述第二群組中的每一單元形成于位于所述存儲器裝置的另一裝置層級中的第二控制柵極的腔中。還描述額外設(shè)備及方法。上文參考圖1到圖38描述了包含額外設(shè)備及方法的其它實施例。對例如存儲器裝置100、200、500、3000及3200以及存儲器單元210、211、212、2910、2911、2912、3010、3811及3812的設(shè)備的圖解說明既定提供對各種實施例的結(jié)構(gòu)的大體理解而非對可利用本文中所描述的結(jié)構(gòu)的設(shè)備的所有元件及特征的完整描述。

各種實施例的設(shè)備可包含或包含于用于高速計算機、通信與信號處理電路、存儲器模塊、便攜式存儲器存儲裝置(例如，拇指驅(qū)動器)、單或多處理器模塊、單個或多個嵌入式處理器、多核心處理器、數(shù)據(jù)交換機及包含多層、多芯片模塊的專用模塊中的電子電路中。此設(shè)備可作為子組件進一步包含于多種電子系統(tǒng)內(nèi)，例如電視、蜂窩式電話、個人計算機(例如，膝上型計算機、桌上型計算機、手持式計算機、平板計算機等)、工作站、無線電裝置、視頻播放器、音頻播放器(例如，MP3(動畫專家組，音頻層3)播放器)、車輛、醫(yī)療裝置(例如，心臟監(jiān)測器、血壓監(jiān)測器等)、機頂盒及其它電子系統(tǒng)。以上描述及圖式圖解說明本發(fā)明的一些實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的實施例。其它實施例可并入有結(jié)構(gòu)、邏輯、電、工藝及其它改變。實例僅僅代表可能的變化形式。一些實施例的部分及特征可包含于其它實施例的那些部分及特征中或替代其它實施例的那些部分及特征。在研究并理解以上描述之后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將即刻明了許多其它實施例。提供本發(fā)明摘要以符合37C. F. R. §1. 72 (b)，其需要將允許讀者快速探知技術(shù)揭示內(nèi)容的本質(zhì)及要旨的摘要。提交本發(fā)明摘要是基于以下理解其并非將用于解釋或限制權(quán)利要求書的范圍或含義。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，其包括第一存儲器單元，其位于存儲器裝置的第一裝置層級中；第二存儲器單元，其位于所述存儲器裝置的第二裝置層級中；第一控制柵極，其形成于所述第一裝置層級中，所述第一控制柵極用以控制對所述第一存儲器單元的存取，其中所述第一存儲器單元中的每一者包含形成于所述第一控制柵極的腔中的存儲器元件；及第二控制柵極，其形成于所述第二裝置層級中，所述第二控制柵極用以控制對所述第二存儲器單元的存取，其中所述第二存儲器單元中的每一者包含形成于所述第二控制柵極的腔中的存儲器元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一及第二存儲器單元中的每一者包含沿第一方向布置的多個存儲器單元及沿第二方向布置的多個存儲器單元，所述設(shè)備進一步包括共用源極 '及數(shù)據(jù)線，其經(jīng)配置以通過導(dǎo)電材料選擇性地耦合到所述共用源極及所述存儲器單元，所述導(dǎo)電材料沿第三方向延伸穿過所述第一及第二存儲器單元，所述第三方向大致垂直于所述第一及第二方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述共用源極形成于所述存儲器裝置的襯底上方，使得所述共用源極在所述第一及第二存儲器單元與所述襯底之間以在擦除操作期間允許電子從所述第一及第二存儲器單元中的至少一者的所述存儲器元件移動到所述共用源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述共用源極形成于所述存儲器裝置的襯底上方，使得所述第一及第二存儲器單元在所述共用源極與所述襯底之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一存儲器單元與所述第二存儲器單元大致垂直對準(zhǔn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一存儲器單元中的每一者的所述存儲器元件與所述第二存儲器單元中的一者的所述存儲器元件大致垂直對準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括用以在所述存儲器裝置的存儲器操作期間將所述第一及第二存儲器單元選擇性地耦合到與所述第一及第二存儲器單元相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)線的晶體管，其中所述晶體管中的至少一者包括雙柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括用以在所述存儲器裝置的存儲器操作期間將所述第一及第二存儲器單元選擇性地耦合到與所述第一及第二存儲器單元相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)線的晶體管，其中所述晶體管中的至少一者包括環(huán)繞式柵極。
9.一種設(shè)備，其包括第一非易失性存儲器單元，其包含第一存儲器元件，所述第一存儲器元件具有環(huán)形狀；第二非易失性存儲器單元，其包含第二存儲器元件，所述第二存儲器元件具有環(huán)形狀;及導(dǎo)電材料，其延伸穿過所述第一及第二存儲器元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進一步包括第一額外導(dǎo)電材料，其經(jīng)配置以作為用以存取所述第一存儲器單元的控制柵極操作，其中所述第一存儲器元件及所述第一額外導(dǎo)電材料位于所述第一及第二存儲器單元位于其中的存儲器裝置的第一裝置層級中；及第二額外導(dǎo)電材料，其經(jīng)配置以作為用以存取所述第二存儲器單元的控制柵極操作，其中所述第二存儲器元件及所述第二額外導(dǎo)電材料位于所述存儲器裝置的第二裝置層級中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元中的每一者進一步包含在相應(yīng)存儲器元件與所述導(dǎo)電材料之間的第一電介質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元中的每一者進一步包含在所述相應(yīng)存儲器元件與相應(yīng)額外導(dǎo)電材料之間的第二電介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進一步包括在襯底上方以載運表示存儲于所述第一及第二存儲器單元中的信息的值的信號的數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線位于所述襯底與所述第一存儲器單元之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進一步包括在襯底上方以載運表示存儲于所述第一及第二存儲器單元中的信息的值的信號的數(shù)據(jù)線，其中所述第一及第二存儲器單元位于所述襯底與所述數(shù)據(jù)線之間。
15.—種設(shè)備,其包括第一導(dǎo)電材料，其位于存儲器裝置的第一裝置層級中，所述第一導(dǎo)電材料包含第一腔，所述第一腔具有第一側(cè)壁；第二導(dǎo)電材料，其位于所述存儲器裝置的第二裝置層級中，所述第二導(dǎo)電材料包含第二腔，所述第二腔具有第二側(cè)壁；第一電介質(zhì)，其形成于所述第一側(cè)壁及所述第二側(cè)壁上；第一存儲器元件，其位于所述第一腔中且通過所述第一電介質(zhì)的第一部分與所述第一導(dǎo)電材料電隔離；第二存儲器元件，其位于所述第二腔中且通過所述第一電介質(zhì)的第二部分與所述第二導(dǎo)電材料電隔離；第二電介質(zhì)，其形成于所述第一存儲器元件的一側(cè)上及所述第二存儲器元件的一側(cè)上；及導(dǎo)電溝道，其從所述第一裝置層級延伸到所述第二裝置層級且面向所述第一及第二存儲器元件，使得所述導(dǎo)電溝道通過所述第二電介質(zhì)的至少一相應(yīng)部分與所述第一及第二存儲器元件電隔離。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述第一及第二存儲器元件包括多晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述第一及第二存儲器元件包括電介質(zhì)材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述電介質(zhì)材料包括氮化硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進一步包括在所述第一與第二導(dǎo)電材料之間的電介質(zhì)材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進一步包括襯底；及數(shù)據(jù)線，其經(jīng)配置以選擇性地耦合到所述導(dǎo)電溝道，其中所述數(shù)據(jù)線位于所述第二導(dǎo)電材料與所述襯底之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進一步包括襯底；及數(shù)據(jù)線，其經(jīng)配置以選擇性地耦合到所述導(dǎo)電溝道，其中所述第一及第二存儲器元件位于所述數(shù)據(jù)線與所述襯底之間。
22.—種方法,其包括形成包含具有環(huán)形狀的第一存儲器元件的第一非易失性存儲器單元；形成包含具有環(huán)形狀的第二存儲器元件的第二非易失性存儲器單元；及形成延伸穿過所述第一及第二存儲器元件的導(dǎo)電材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述第一存儲器單元包括在第一導(dǎo)電材料中形成第一腔，其中所述第一存儲器元件形成于所述第一腔中，其中形成所述第二存儲器單元包括在第二導(dǎo)電材料中形成第二腔，且其中所述第二存儲器元件形成于所述第二腔中。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中使所述第一腔在所述第二腔上方大致對準(zhǔn)。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進一步包括在襯底上方形成數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線位于所述襯底與所述第一及第二存儲器單元之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進一步包括在襯底上方形成數(shù)據(jù)線，其中所述第一及第二存儲器單元位于所述襯底與所述數(shù)據(jù)線之間。
27.—種方法,其包括形成導(dǎo)電材料層及電介質(zhì)材料層，使得所述導(dǎo)電材料層通過所述電介質(zhì)材料層彼此電隔離；在所述導(dǎo)電材料層中的每一者中形成若干腔；及在所述腔中的每一者中形成存儲器元件。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料層中的每一者在所述電介質(zhì)材料層中的兩個電介質(zhì)材料層之間，且所述導(dǎo)電材料層中的至少一者在所述導(dǎo)電材料層中的兩個導(dǎo)電材料層之間。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述存儲器元件包括多晶硅。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述存儲器元件包括電介質(zhì)材料。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中形成所述腔包含在所述導(dǎo)電材料層中形成初始腔；及擴大所述初始腔的大小以在所述導(dǎo)電材料層中的每一者中形成所述腔。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其進一步包括穿過所述導(dǎo)電材料層及所述電介質(zhì)材料層形成開口以形成所述初始腔。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中當(dāng)形成所述開口時在所述電介質(zhì)材料層中的每一者中形成第二腔，且當(dāng)擴大所述初始腔的所述大小時所述第二腔的大小保持大致不變。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述第二腔中的每一者及所述初始腔中的每一者具有大致相同的直徑。
全文摘要
一些實施例包含一種存儲器裝置及形成所述存儲器裝置的方法。一個此種存儲器裝置包含存儲器單元的第一群組，所述第一群組的所述存儲器單元中的每一者形成于位于所述存儲器裝置的一個裝置層級中的第一控制柵極的腔中。所述存儲器裝置還包含存儲器單元的第二群組，所述第二群組的所述存儲器單元中的每一者形成于位于所述存儲器裝置的另一裝置層級中的第二控制柵極的腔中。本發(fā)明還描述額外設(shè)備及方法。
文檔編號H01L27/115GK103038882SQ201180037212
公開日2013年4月10日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者山·D·唐, 約翰·K·查胡瑞 申請人:美光科技公司