專利名稱：有機電致發(fā)光裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光裝置和用于制造該有機電致發(fā)光裝置的方法。
背景技術：
有機電致發(fā)光裝置具有例如自發(fā)射和高速響應的有益特征，并且其被期望用于平板顯示器。特別是，由于這樣的有機電致發(fā)光裝置被報道具有如下雙層結構(層合型)空穴傳輸有機薄膜(空穴傳輸層)被層合在電子傳輸有機薄膜(電子傳輸層)上，因此有機電致發(fā)光裝置作為在IOV或更低的低電壓下發(fā)光的大面積光-發(fā)射裝置是引人注目的。層合型的有機電致發(fā)光裝置具有陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極的基本結構。已經(jīng)進行多方面的嘗試來延長這樣的有機電致發(fā)光裝置的使用壽命。例如，PTL I 及其他文獻公開了有機電致發(fā)光裝置，該裝置包括含有50質量％或更多的主體材料的發(fā)光層和含有5質量％至50質量％或更多的主體材料的空穴傳輸層，其中該發(fā)光層基本上不含有除了該空穴傳輸層中含有的空穴傳輸材料中的主體材料之外的材料。此外，PTL 2及其他文獻公開了有機電致發(fā)光裝置，該裝置包括均含有磷光發(fā)光材料的空穴注入層、空穴傳輸層和發(fā)光層，其中該空穴注入層含有10質量％至90質量％的磷光發(fā)光材料，并且其中該空穴傳輸層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度低于該空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度而高于該發(fā)光層中磷光發(fā)光材料的濃度。另外，PTL 3及其他文獻公開了有機電致發(fā)光裝置，該裝置包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和混合物層，其中該混合物層設置在發(fā)光層和空穴注入層或空穴傳輸層之間。然而，這些有機電致發(fā)光裝置不能達到高的外量子效率，盡管它們的使用壽命得到延長。鑒于此，亟需研發(fā)呈現(xiàn)高外量子效率的有機電致發(fā)光裝置和用于制造該有機電致發(fā)光裝置的方法。引文列表專利文獻PTL I :日本專利申請?zhí)亻_(JP-A)No. 2008-78373PTL 2 :國際公布 No. WO 09/030981PTL 3 JP-A No. 2007-242910

發(fā)明內(nèi)容
技術問題本發(fā)明解決了上述存在的問題并且目的在于達到以下目標。具體地，本發(fā)明的目標在于提供具有高外量子效率的有機電致發(fā)光裝置和用于制造該有機電致發(fā)光裝置的方法。問題的解決方案
用于解決上述存在問題的手段如下?！?>有機電致發(fā)光裝置，包括陽極陰極有機層，所述有機層設置在所述陽極和所述陰極之間， 所述有機層含有空穴注入層、空穴傳輸層和含主體材料的發(fā)光層，其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層每層含有磷光發(fā)光材料，其中所述空穴注入層含有10質量％或更多但小于50質量％的磷光發(fā)光材料，并且其中所述空穴傳輸層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度低于空穴注入層中磷光發(fā)光 材料的濃度，并且所述發(fā)光層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度低于空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度而高于空穴傳輸層中磷光發(fā)光材料的濃度。<2>根據(jù)〈1>的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層進一步含有主體材料。<3>根據(jù)〈2>的有機電致發(fā)光裝置,其中所述發(fā)光層中的磷光發(fā)光材料與主體材料的質量比為所述空穴傳輸層中的磷光發(fā)光材料與主體材料的質量比的I至10倍?！?>根據(jù)〈1>至〈3>中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度從所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間的交界面到所述空穴傳輸層和所述空穴注入層之間的交界面是變化的?！?>根據(jù)〈2>至〈4>中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層中含有的主體材料的濃度從所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間的交界面到所述空穴傳輸層和所述空穴注入層之間的交界面是變化的?！?>根據(jù)〈1>至〈5>中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述磷光發(fā)光材料具有不對稱結構?！?>根據(jù)〈1>至〈6>中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述磷光發(fā)光材料為以下通式⑴表示的化合物(Ll)2-Ir_(L2) I…通式(I)其中LI代表配體并且L2代表不同于LI的配體。〈8>根據(jù)〈1>至〈7>中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述主體材料為以下通式
(2)表不的化合物
權利要求
1.有機電致發(fā)光裝置，包含 陽極， 陰極， 有機層，所述有機層設置在所述陽極和所述陰極之間， 所述有機層含有空穴注入層、空穴傳輸層和含主體材料的發(fā)光層， 其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層各層含有磷光發(fā)光材料， 其中所述空穴注入層含有10質量％或更多但小于50質量％的磷光發(fā)光材料，并且其中所述空穴傳輸層中含有的所述磷光發(fā)光材料的濃度低于所述空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度，并且所述發(fā)光層中含有的所述磷光發(fā)光材料的濃度低于所述空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度且高于所述空穴傳輸層中磷光發(fā)光材料的濃度。
2.根據(jù)權利要求I的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層進一步含有所述主體材料。
3.根據(jù)權利要求2的有機電致發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光層中的所述磷光發(fā)光材料與所述主體材料的質量比為所述空穴傳輸層中的所述磷光發(fā)光材料與所述主體材料的質量比的I至10倍。
4.根據(jù)權利要求I至3中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層中含有的所述磷光發(fā)光材料的濃度從所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間的交界面到所述空穴傳輸層和所述空穴注入層之間的交界面是變化的。
5.根據(jù)權利要求2至4中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸層含有的所述主體材料的濃度從所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間的交界面到所述空穴傳輸層和所述空穴注入層之間的交界面是變化的。
6.根據(jù)權利要求I至5的中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述磷光發(fā)光材料具有不對稱結構。
7.根據(jù)權利要求I至6中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述磷光發(fā)光材料為以下通式⑴表示的化合物 (Ll)2-Ir-(L2)1 …通式(I) 其中LI代表配體并且L2代表不同于LI的配體。
8.根據(jù)權利要求I至7中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述主體材料為以下通式(2)表不的化合物
9.根據(jù)權利要求I至8中任一項的有機電致發(fā)光裝置，其中所述空穴注入層進一步含有芳基胺衍生物，并且所述芳基胺衍生物的電離電位為4. SeV至5. 8eV,而且其中所述芳基胺衍生物的電離電位與所述空穴注入層中含有的磷光發(fā)光材料的電離電位之間的差在±0. 2eV的范圍內(nèi)。
10.用于制造根據(jù)權利要求I至9中任一項的所述有機電致發(fā)光裝置的有機電致發(fā)光裝置生產(chǎn)方法，所述方法包含 通過涂布形成所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層。
11.根據(jù)權利要求10的所述有機電致發(fā)光裝置生產(chǎn)方法，其中所述磷光發(fā)光材料能夠溶解于用于涂布的溶劑。
全文摘要
有機電致發(fā)光裝置，包括陽極、陰極和設置在陽極和陰極之間的有機層，該有機層含有空穴注入層、空穴傳輸層和含主體材料的發(fā)光層；其中空穴注入層、空穴傳輸層和發(fā)光層每層含有磷光發(fā)光材料；其中空穴注入層含有10質量%或更多且低于50質量%的磷光發(fā)光材料；并且其中空穴傳輸層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度低于空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度，以及發(fā)光層中含有的磷光發(fā)光材料的濃度低于空穴注入層中磷光發(fā)光材料的濃度且高于空穴傳輸層中磷光發(fā)光材料的濃度。
文檔編號H01L51/50GK102893423SQ20118002353
公開日2013年1月23日 申請日期2011年3月9日 優(yōu)先權日2010年3月12日
發(fā)明者林直之 申請人:富士膠片株式會社