專利名稱:多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
多晶硅太陽能電池片的制絨生產(chǎn)一般采用多晶硅片制絨機(jī),多晶硅片制絨機(jī)具有制絨槽、堿池、抽風(fēng),多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu)包括滾輪、上風(fēng)刀,每段傳動(dòng)軸的中部沿周向方向朝外凸起形成滾輪,滾輪的軸向長度不超過多晶硅片的邊長,滾輪的兩端部分別沿周向方向朝外凸起各自形成一圈用于支承多晶硅片的邊沿,傳動(dòng)方式采用的是鏈?zhǔn)絺鲃?dòng),多根傳動(dòng)軸平行排布并轉(zhuǎn)動(dòng),多晶硅片放置在滾輪上并被傳動(dòng),多晶硅片先后經(jīng)過制絨槽、堿池,在制絨槽、堿池之間設(shè)置位于滾輪上方的上風(fēng)刀,用于將多晶硅片表面殘留的化學(xué)藥液吹干,由于上風(fēng)刀吹不到多晶硅片的下表面,故多晶硅片的下表面仍會(huì)繼續(xù)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),多晶硅片與滾輪的接觸面積較小,并且相接觸的地方的藥液也會(huì)相對(duì)少于下表面其它地方的藥液,在多晶硅片離開制絨槽到進(jìn)入堿池的這段時(shí)間內(nèi),下表面上藥液多的地方發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)多于多晶硅片與滾輪接觸處的化學(xué)反應(yīng),多晶硅片下表面會(huì)形成明顯的滾輪印,影響了多晶硅片制成后的外觀合格率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供可避免多晶硅片的下表面形成滾輪印,提高了多晶硅片制成后的外觀合格率的多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu)。為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu),所述傳動(dòng)結(jié)構(gòu)包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的用于傳動(dòng)所述多晶硅片的傳動(dòng)軸、等間距分布在所述傳動(dòng)軸軸向方向上的多個(gè)連接節(jié)、所述風(fēng)干結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述傳動(dòng)軸上方的可向外吹送風(fēng)刀的上風(fēng)口,所述連接節(jié)將所述傳動(dòng)軸分隔為等長的多段節(jié)段,每?jī)蓚€(gè)所述連接節(jié)之間的一段所述傳動(dòng)軸節(jié)段的中部沿周向方向向外凸起形成用于支承所述多晶硅片的滾輪,所述風(fēng)干結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述滾輪的下方的可向外吹送用于干燥所述多晶硅片的下表面的風(fēng)刀的下風(fēng)口。優(yōu)選地,所述傳動(dòng)軸、所述連接節(jié)同軸設(shè)置,所述連接節(jié)的徑向尺寸大于所述滾輪的徑向尺寸,所述滾輪的軸向尺寸大于所述多晶硅片的邊長。優(yōu)選地,所述上風(fēng)口、所述下風(fēng)口為圓形或狹長形。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)每段傳動(dòng)軸的中部沿周向方向朝外凸起形成滾輪,滾輪的軸向長度大于多晶硅片的邊長,硅片的下表面與滾輪的外周面的接觸面積較大,除設(shè)置在滾輪上方的上風(fēng)口之外,在滾輪的下方增設(shè)有向多晶硅片的下表面吹送風(fēng)刀的下風(fēng)口,多晶硅片由制絨槽中出來后,在上風(fēng)口、下風(fēng)口的作用下,表面殘留的化學(xué)藥液很快被吹干,這樣多晶硅片的下表面不會(huì)形成滾輪印,提高了多晶硅片制成后的外觀合格率。
[0009]附圖1為本實(shí)用新型的傳動(dòng)軸的結(jié)構(gòu)示意圖;附圖2為本實(shí)用新型的下風(fēng)口的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖來進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)。參見圖1所示,傳動(dòng)軸1可不斷轉(zhuǎn)動(dòng),在實(shí)際中,設(shè)置多排等高的平行的傳動(dòng)軸,轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)帶動(dòng)多晶硅片前進(jìn),在傳動(dòng)軸1的軸向方向上均勻設(shè)置有連接節(jié)如2,連接節(jié)如2將傳動(dòng)軸1分隔開為多個(gè)等長的傳動(dòng)軸節(jié)段如5,每個(gè)傳動(dòng)軸節(jié)段如5的中部沿周向方向朝外凸起形成滾輪如3,滾輪如3的軸向長度大于多晶硅片的邊長,這樣滾輪如3與多晶硅片之間發(fā)生的是長線接觸,改變了傳統(tǒng)的通過兩端的邊沿與多晶硅片發(fā)生短線段接觸進(jìn)而支承并傳動(dòng)多晶硅片的方式,在長線接觸的方式下,多晶硅片的重量均勻分布的滾輪如3上,連接節(jié)如2的徑向尺寸大于滾輪如2的徑向尺寸,多個(gè)連接節(jié)如2的徑向尺寸相同,確保了多個(gè)滾輪如3傳動(dòng)的平穩(wěn)性。參見圖2所示,在滾輪如3的下方設(shè)置下風(fēng)口如4,下風(fēng)口如4與水平面呈30度角設(shè)置,迎著多晶硅片傳動(dòng)的方向朝外吹送風(fēng)刀,多晶硅片由制絨槽出來后,在下風(fēng)口如4吹出的風(fēng)刀作用下,下表面很快風(fēng)干,增設(shè)下風(fēng)口如4后,下風(fēng)口如4以及在滾輪如3的上方設(shè)置的上風(fēng)口配合作用,可以在多晶硅片進(jìn)入堿池前將其整個(gè)外表面風(fēng)干,下風(fēng)口如4的形狀為圓形或狹長形,狹長形的下風(fēng)口吹出的風(fēng)刀強(qiáng)勁,在本實(shí)施例中,將下風(fēng)口如4設(shè)置為圓形,吹出的風(fēng)刀均勻,起到了很好的風(fēng)干效果,避免了多晶硅片的下表面形成滾輪印, 提高了多晶硅片制成后的外觀合格率。
權(quán)利要求1.多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu),所述傳動(dòng)結(jié)構(gòu)包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的用于傳動(dòng)所述多晶硅片的傳動(dòng)軸、等間距分布在所述傳動(dòng)軸軸向方向上的多個(gè)連接節(jié)、所述風(fēng)干結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述傳動(dòng)軸上方的可向外吹送風(fēng)刀的上風(fēng)口,其特征在于所述連接節(jié)將所述傳動(dòng)軸分隔為等長的多段節(jié)段,每?jī)蓚€(gè)所述連接節(jié)之間的一段所述傳動(dòng)軸節(jié)段的中部沿周向方向向外凸起形成用于支承所述多晶硅片的滾輪,所述風(fēng)干結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述滾輪的下方的可向外吹送用于干燥所述多晶硅片的下表面的風(fēng)刀的下風(fēng)口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu),其特征在于所述傳動(dòng)軸、所述連接節(jié)同軸設(shè)置,所述連接節(jié)的徑向尺寸大于所述滾輪的徑向尺寸,所述滾輪的軸向尺寸大于所述多晶硅片的邊長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu),其特征在于所述上風(fēng)口、所述下風(fēng)口為圓形或狹長形。
專利摘要本實(shí)用新型公開了多晶硅片制絨機(jī)的傳動(dòng)與風(fēng)干結(jié)構(gòu),傳動(dòng)結(jié)構(gòu)包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的傳動(dòng)軸,沿傳動(dòng)軸的軸向方向等間距得設(shè)置徑向尺寸相同的連接節(jié),每?jī)蓚€(gè)連接節(jié)之間的連接軸節(jié)段的中部沿周向方向凸起形成軸向長度大于多晶硅片的邊長的滾輪,在滾輪下方設(shè)置圓形或狹長形的下風(fēng)口,多晶硅片與滾輪之間發(fā)生的是線接觸,且多晶硅片由制絨槽出來之后,下表面在下風(fēng)口吹出的風(fēng)刀的作用下會(huì)很快風(fēng)干,避免了滾輪印的形成,提高了多晶硅片制成后的外觀合格率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202217695SQ20112033573
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者莫毓東, 蔣劍波, 趙春慶, 陸佳佳 申請(qǐng)人:昊誠光電(太倉)有限公司