專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，尤其涉及可以防止由光引起的穩(wěn)定性下降的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
AMOLED (Active Matrix Organic Light-Emitting Diode)面板是指，使電流通過(guò)作為自發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)為0LED)從而發(fā)光 的面板。例如，圖I圖示了使用有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。即，基板上依次形成有柵電極、半導(dǎo)體層、源電極以及漏電極，并且還形成有覆蓋其上部的像素限定膜。此時(shí)，對(duì)于背面發(fā)光的情況，若由像素區(qū)域上部的有機(jī)發(fā)光器件發(fā)光，則光經(jīng)過(guò)透明基板發(fā)射至外部。但是，若這種有機(jī)發(fā)光器件在一定時(shí)間內(nèi)持續(xù)發(fā)光，則隨著時(shí)間的流逝，即使讓相同的電流持續(xù)通過(guò)，也會(huì)導(dǎo)致發(fā)光的量減少或者錯(cuò)誤操作的次數(shù)增加，從而會(huì)發(fā)生穩(wěn)定性下降的問(wèn)題。其原因在于，尤其對(duì)于使用氧化物半導(dǎo)體的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，因有機(jī)發(fā)光器件的自發(fā)光而使得對(duì)水分以及熱量較敏感的氧化物半導(dǎo)體發(fā)生劣化，進(jìn)而導(dǎo)致光穩(wěn)定性下降。因此，需要改善因劣化而導(dǎo)致的氧化物半導(dǎo)體穩(wěn)定性下降的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于，提供有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置通過(guò)防止由光引起的劣化，從而提高氧化物半導(dǎo)體層的器件穩(wěn)定性。本發(fā)明所要解決的另一問(wèn)題在于，提供有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置在像素限定膜的上部還包括具有阻光效果的光阻斷層，從而提高氧化物半導(dǎo)體層的器件穩(wěn)定性。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題并不局限于上述的技術(shù)問(wèn)題，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解由下述技術(shù)延伸的其他未提及的技術(shù)問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括具有像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域的基板；分別形成于所述基板的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上的透明電極；形成于所述透明電極的上部的柵電極；形成于所述柵電極的上部的柵絕緣膜；形成于所述柵絕緣膜的上部的半導(dǎo)體層；一端與所述半導(dǎo)體層連接的、另一端與所述像素區(qū)域的透明電極連接的源/漏電極；覆蓋所述源/漏電極的上部的、形成有開(kāi)口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區(qū)域的像素限定膜；以與所述像素限定膜相同的圖案形成于所述像素限定膜的上部的光阻斷層；以及在所述開(kāi)口部形成于所述透明電極的上部的有機(jī)發(fā)光層。
為了實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括具有像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域的基板；分別形成于所述基板的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上的透明電極；形成于所述透明電極的上部的柵電極；形成于所述柵電極的上部的柵絕緣膜；形成于所述柵絕緣膜的上部的半導(dǎo)體層；一端與所述半導(dǎo)體層連接的、另一端與所述像素區(qū)域的透明電極連接的源/漏電極；覆蓋所述源/漏電極的上部的、形成有開(kāi)口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區(qū)域的第一像素限定膜；以與所述第一像素限定膜相同的圖案形成于所述第一像素限定膜的上部的光阻斷層；形成于所述第一像素限定膜以及光阻斷層的上部的第二像素限定膜；以及在所述開(kāi)口部形成于所述透明電極的上部的有機(jī)發(fā)光層；其中，相比所述第一像素限定膜以及第二像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。
為了實(shí)現(xiàn)所述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法包括在基板上部的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上形成透明電極；在所述晶體管區(qū)域的透明電極上部形成柵電極；在所述晶體管區(qū)域的上部形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上部形成源/漏電極，所述源/漏電極的一端與所述半導(dǎo)體層連接、另一端與所述像素區(qū)域上的透明電極連接；形成像素限定膜，所述像素限定膜覆蓋所述源/漏電極的上部；在所述像素限定膜形成開(kāi)口部以使所述像素區(qū)域上的透明電極向外部露出；在所述像素限定膜的上部以與所述像素限定膜相同的圖案形成光阻斷層；以及在所述開(kāi)口部的所述透明電極的上部形成有機(jī)發(fā)光層。為了解決所述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法包括在基板的上部的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上形成透明電極；在所述晶體管區(qū)域的透明電極上部形成柵電極；在所述晶體管區(qū)域的上部形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上部形成源/漏電極，所述源/漏電極的一端與所述半導(dǎo)體層連接、另一端與所述像素區(qū)域上的透明電極連接；形成第一像素限定膜，所述第一像素限定膜覆蓋所述源/漏電極的上部；在所述第一像素限定膜形成開(kāi)口部以使所述像素區(qū)域上的透明電極向外部露出；在所述第一像素限定膜的上部以與所述第一像素限定膜相同的圖案形成光阻斷層；在所述第一像素限定膜以及光阻斷層的上部形成第二像素限定膜；以及在所述開(kāi)口部的所述透明電極的上部形成有機(jī)發(fā)光層；其中，所述形成光阻斷層的步驟中形成所述光阻斷層以相比所述像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。對(duì)于其他實(shí)施例的具體說(shuō)明，請(qǐng)參見(jiàn)具體實(shí)施方式
以及附圖。


圖I是現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖；圖3至圖9是依次顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的不意圖；圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中像素限定膜和光阻斷層的形成過(guò)程的流程圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖；圖12至圖14是依次顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖；圖15是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中像素限定膜和光阻斷層的形成過(guò)程的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10 :基板12:透明電極18 :半導(dǎo)體層24 :源/漏電極26,30 :像素限定膜28 :光阻斷層
具體實(shí)施方式
參照附圖和后述的詳細(xì)實(shí)施例，可了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征以及實(shí)現(xiàn)該優(yōu)點(diǎn)和特征的方法。然而，本發(fā)明并不局限于下面所公開(kāi)的實(shí)施例，而是將會(huì)以多種不同的形態(tài)實(shí)施。本說(shuō)明書(shū)中實(shí)施例的目的僅在于，使本發(fā)明所公開(kāi)的內(nèi)容更加完整，使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完整地理解本發(fā)明的范圍。本發(fā)明所要保護(hù)的范圍應(yīng)由權(quán)利要求的范圍所決定。為了便于說(shuō)明，可能放大顯示附圖中組成要素的尺寸以及相對(duì)尺寸。在說(shuō)明書(shū)全文中，相同的附圖標(biāo)記代表相同的組成要素，“和/或”包括所提及的每一個(gè)技術(shù)特征以及所有一個(gè)以上的技術(shù)特征的組合。說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于說(shuō)明實(shí)施例，并不用于對(duì)本發(fā)明加以限制。在本說(shuō)明書(shū)中，若沒(méi)有特別的說(shuō)明，單數(shù)術(shù)語(yǔ)包括多數(shù)的含義。在說(shuō)明書(shū)中使用的“包括(comprises) ”和/或“組成(made of) ”中提及的組成要素、步驟、動(dòng)作和/或器件并不排除存在或增加另外的一個(gè)以上的組成要素、步驟、動(dòng)作和/或器件。雖然第一、第二等術(shù)語(yǔ)用于說(shuō)明多種組成要素，但所述組成要素不限于所述術(shù)語(yǔ)。使用所述術(shù)語(yǔ)的目的僅在于區(qū)別一個(gè)組成要素與另一個(gè)組成要素。從而，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的前提下，下面提及的第一組成要素還可以是第二組成要素。在說(shuō)明書(shū)中描述的實(shí)施例，將參照如平面圖以及截面圖等本發(fā)明的理想簡(jiǎn)要圖進(jìn)行說(shuō)明。因此，示意圖的形態(tài)可能根據(jù)制造技術(shù)和/或允許的誤差等而發(fā)生變化。所以，本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于所圖示的特定形態(tài)，還包括根據(jù)制造工序而產(chǎn)生的形態(tài)變化。因而，附圖中示出的區(qū)域具有概略屬性，附圖中示出的區(qū)域形狀僅用于示出器件區(qū)域的特定形態(tài)，并不用于對(duì)發(fā)明的范圍加以限制。沒(méi)有其他定義時(shí)，在說(shuō)明書(shū)中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)或科學(xué)術(shù)語(yǔ))，可用作與本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的通常理解相同的含義。并且，針對(duì)與通常使用的詞典的定義相同的術(shù)語(yǔ)，除本發(fā)明明確定義的以外，不應(yīng)解釋成理想或過(guò)于形式的含義。下面，參考圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括具有像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域的基板10 ;分別形成于所述基板10的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上的透明電極12 ;形成于所述透明電極12的上部的柵電極14 ;形成于所述柵電極14的上部的柵絕緣膜16 ;形成于所述柵絕緣膜16上部的半導(dǎo)體層18 ;—端與所述半導(dǎo)體層18連接的、另一端與所述像素區(qū)域的透明電極12連接的源/漏電極24 ;覆蓋所述源/漏電極24的上部的、形成有開(kāi)口部0以使所述透明電極12向外部露出從而限定所述像素區(qū)域的像素限定膜26 ;以與所述像素限定膜26相同的圖案形成于所述像素限定膜26的上部的光阻斷層28 ;以及形成于所述透明電極12的上部的有機(jī)發(fā)光層。首先，基板10可以由以SiO2為主成分的透明的玻璃材質(zhì)形成?；?0并不限于此，還可以由透明的塑料材質(zhì)形成。尤其，在從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光通過(guò)基板10向外部射出的背面發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，為了不阻斷光，可能需要以透明的材質(zhì)形成基板10，但是正面發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置并不限于此。形成基板10的塑料材質(zhì)可以是絕緣性有機(jī)物，具體可以是選自聚醚砜(polyethersulphone,簡(jiǎn)稱(chēng)為 PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,簡(jiǎn)稱(chēng)為 PAR)、聚醚酰亞胺(polyetherimide,簡(jiǎn)稱(chēng)為 PEI)、聚鄰苯二甲酸酉旨(polyethylene napthalate,簡(jiǎn)稱(chēng)為PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,簡(jiǎn)稱(chēng)為PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,簡(jiǎn)稱(chēng)為PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetatepropionate,簡(jiǎn)稱(chēng)為CAP)的有機(jī)物。 構(gòu)成本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的基板10可以劃分為像素區(qū)域P，設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層，從而發(fā)光；晶體管區(qū)域T，控制流向所述像素區(qū)域P的電壓；以及電容區(qū)域C，在幀信號(hào)之間防止電壓下降并且穩(wěn)定地維持電壓。基板10上還可以形成有緩沖層(未圖示)，所述緩沖層用于平坦化基板10、阻斷雜質(zhì)的滲透。緩沖層可以是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者氮氧化硅膜(SiOxNy)的單層或其多層結(jié)構(gòu)。緩沖層可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)法或者物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)法形成?；?0上部的像素區(qū)域P形成有透明電極12。若有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置為與本實(shí)施例相同的背面發(fā)光型，則光經(jīng)由電極12和基板10而發(fā)出，因此可以由透明的材質(zhì)、SP由透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成透明電極12。更優(yōu)選地,可以由包括選自IT0(Indium Tin Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、碳納米管(Carbon Nano Tube)、導(dǎo)電性聚合物(ConductivePolymer)以及納米線(Nanowire)的一種以上物質(zhì)的混合材質(zhì)形成所述透明導(dǎo)電性物質(zhì)。通過(guò)半導(dǎo)體層18施加至源/漏電極24的電壓傳輸至透明電極12，從而使得位于透明電極12上部的有機(jī)發(fā)光層自行發(fā)光。位于晶體管區(qū)域T以及電容區(qū)域C的透明電極12的上部可以形成柵電極14。柵電極14施加有柵電壓，柵電極14可以是鋁(Al)或者如鋁-釹(Al-Nd)等鋁合金單層結(jié)構(gòu)；也可以是在鉻(Cr)或者鑰(Mo)合金上層疊鋁合金的多層結(jié)構(gòu)。柵電極14的上部設(shè)置有柵絕緣膜16。與如上所述的緩沖層相同，柵絕緣膜16可以是氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiOxNy)或者是它們的多層結(jié)構(gòu)。柵絕緣膜16可以由與緩沖層相同的材質(zhì)形成，也可以由與緩沖層不同的材質(zhì)形成。如下所述，柵絕緣膜16涂布于基板10的全面，并且在將要形成有有機(jī)發(fā)光層的像素區(qū)域P的一部分上形成開(kāi)口部0，其中所述開(kāi)口部0向外部露出透明電極12。柵絕緣膜16的上部形成有半導(dǎo)體層18。半導(dǎo)體層18使得電流選擇性地通過(guò)源/漏電極24，從而可以控制向與其連接的透明電極12傳輸?shù)碾娏?。半?dǎo)體層18可以由硅(Si)、即非晶硅(a-Si)組成；或者根據(jù)所需的電流量，還可以由多晶硅(P-Si)組成。除此之外，半導(dǎo)體層18還可以由鍺(Ge)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)等組成，但并不限于此。尤其，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體層18可以是由氧化物組成的氧化物半導(dǎo)體層18。例如，氧化物半導(dǎo)體層18可以包括選自Zn、In、Ga、Sn、Hf以及其組合物等物質(zhì)的氧化物。即，可以使用如 ZnO、InZnO, InGaO, InSnO, ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaZnSnO 或者 GaInZnO 等的混合氧化物。相比非晶娃，這種氧化物半導(dǎo)體層18的電荷有效遷移率(effective mobility)大到2倍至100倍左右、開(kāi)(ON)/關(guān)(OFF)電流比在105至108，因此這種氧化物半導(dǎo)體層具有優(yōu)異的半導(dǎo)體特性。并且,氧化物半導(dǎo)體層18的帶隙(band gap)約為3. OeV至3. 5eV,因此對(duì)可視光不產(chǎn)生泄露光電流。從而可以防止氧化物薄膜晶體管的瞬間殘像，并且不需要額外地在氧化物薄膜晶體管的下部形成光阻斷膜。為了提高氧化物半導(dǎo)體18的特性，可以進(jìn)一步包括元素周期表中的III族、IV族、V族或者過(guò)渡元素。并且，雖然這種氧化物半導(dǎo)體層18大部分是非晶態(tài)，但是具有高的電荷 有效遷移率(effective mobility),同時(shí)可以繼續(xù)適用現(xiàn)有的非晶娃制造工序，因此可以適用于大面積顯示裝置。只是，由于可能會(huì)因有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光而引發(fā)劣化，因此如同下述，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置在像素限定膜26的上部還包括附加的光阻斷層28，從而防止因自發(fā)光引起的劣化、可以改善氧化物半導(dǎo)體18的器件穩(wěn)定性。半導(dǎo)體層18的上部還可以形成有附加的絕緣膜20。半導(dǎo)體層18的上部形成有源/漏電極24。源/漏電極24的一端通過(guò)形成于所述絕緣膜20的接觸孔，與所述半導(dǎo)體層18接觸；源/漏電極24的另一端通過(guò)接觸孔，與像素區(qū)域P的透明電極12連接。如上所述，半導(dǎo)體層18轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體狀態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體層18起到將驅(qū)動(dòng)電壓施加至透明電極12的作用。所述源/漏電極24可以由選自鑰(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鑰鎢(MoW)、鋁(Al)、鋁-釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、銅(Cu)、鑰合金(Mo alloy)、鋁合金(Al alloy)以及銅合金(Cu alloy)的某一種物質(zhì)形成。像素限定膜26覆蓋所述源/漏電極24的上部，從而保護(hù)其免受內(nèi)部組成要素的影響。像素限定膜26具有開(kāi)口部0，以使所述透明電極12的中間部或者透明電極12的整體向外部露出，從而在像素區(qū)域P限定像素。若由有機(jī)物形成像素限定膜26時(shí)，具體可以由如光敏聚酰亞胺(PSPI)類(lèi)、丙烯酰基(Acryl)類(lèi)、娃氧燒(Siloxane)類(lèi)以及酹醒清漆(Novolak)類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成；若由無(wú)機(jī)物形成像素限定膜26時(shí)，可以由如氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)等物質(zhì)形成。與現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置不同，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，像素限定膜26的上部設(shè)置有光阻斷層28，所述光阻斷層28以與像素限定膜26相同的圖案形成有開(kāi)口部O。如上所述，半導(dǎo)體層18，尤其是由氧化物形成的半導(dǎo)體層18因有機(jī)發(fā)光層而發(fā)生劣化，導(dǎo)致器件的穩(wěn)定性下降，就會(huì)對(duì)品質(zhì)產(chǎn)生負(fù)面影響。因此根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置在像素限定膜26的上部還形成有光阻斷層28，從而起到阻斷了從外部入射的光或者通過(guò)有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光、并且防止半導(dǎo)體層18被劣化的作用。
根據(jù)本實(shí)施例的光阻斷層28可以由與像素限定膜26相同的材料形成；還可以由與像素限定膜26不同的材料形成，但此時(shí)該材料需要滿(mǎn)足像素限定膜26所具有的介電特性、耐熱性以及耐化學(xué)性等性質(zhì)。即，若相比像素限定膜26，形成于像素限定膜26上部的光阻斷層28的介電率更高，則會(huì)對(duì)有機(jī)發(fā)光層的電特性產(chǎn)生影響，因此會(huì)引發(fā)不良。因此，根據(jù)本實(shí)施例，由介電率在3. 0以下的物質(zhì)形成光阻斷層28，以去除可能會(huì)施加至鄰近有機(jī)發(fā)光層的電學(xué)影響，從而可以防止發(fā)生不良。并且，可以由具有耐熱性、即使用能夠防止由排氣(out-gassing)引發(fā)的劣化的物質(zhì)形成光阻斷層28 ;可以由具有耐化學(xué)性、即由不受在工序過(guò)程中使用的如蝕刻液等化學(xué)藥劑影響的物質(zhì)形成光阻斷層28。 若由有色物質(zhì)形成光阻斷層28，則可以通過(guò)有效地阻斷光以保護(hù)半導(dǎo)體層18。即，由于有色物質(zhì)主要反射相應(yīng)波長(zhǎng)區(qū)域的光，因此光阻斷層28還可以具有選擇性地阻斷光的效果。例如，可以由光阻斷效果優(yōu)異的藍(lán)色系列(400nm)物質(zhì)組成光阻斷層28，從而可以主要阻斷相應(yīng)波長(zhǎng)區(qū)域(350nm至450nm)的光。除此之外，還可以形成以多種顏色的染料或者顏料上色的光阻斷層28。并且，越接近明度低的顏色的物質(zhì)、即越接近黑色的物質(zhì)，光阻斷效果越優(yōu)異，因此基于孟賽爾(munsell)表色系，光阻斷層28的明度低的較佳，優(yōu)選為3以下時(shí)光阻斷效果優(yōu)異。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，通過(guò)在像素限定膜26的上部進(jìn)一步形成光阻斷層28，從而使其具有附加的光阻斷效果，由此可以防止因半導(dǎo)體層18發(fā)生劣化而弓I發(fā)的穩(wěn)定性降低的現(xiàn)象。透明電極12的上部形成有有機(jī)發(fā)光層(未圖示)，所述有機(jī)發(fā)光層根據(jù)所施加的電流自發(fā)光。此時(shí)，如圖2所示，相比所述像素限定膜26，所述光阻斷層28可以形成為其端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部0中心的方向縮進(jìn)，從而最小化因光阻斷層28與有機(jī)發(fā)光層直接接觸而產(chǎn)生的影響。即，相比光阻斷層28，像素限定膜26更加向開(kāi)口部0的中心側(cè)突出，因此形成直徑相對(duì)小的開(kāi)口部O。從而，形成于透明電極12上部的有機(jī)發(fā)光層與光阻斷層隔開(kāi)，從而不會(huì)與其直接接觸。下面，參考圖3至圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法。圖3至圖9是依次顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖，圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中像素限定膜和光阻斷層的形成過(guò)程的流程圖。如圖3所示，在基板10上形成透明電極12。如上所述，在基板10上劃分出像素區(qū)域P、晶體管區(qū)域T以及電容區(qū)域C，在每個(gè)區(qū)域分別層疊有不同的組成要素，從而分別形成像素部、晶體管部以及電容部。然后，如圖4所示，在晶體管區(qū)域T和電容區(qū)域C的上部形成柵電極14。形成于晶體管區(qū)域T的柵電極14通過(guò)所施加的柵電壓，控制晶體管的驅(qū)動(dòng)；形成于電容區(qū)域C的柵電極14起到如下作用在對(duì)所述晶體管施加?xùn)烹妷旱钠陂g，維持電壓以防止發(fā)生電壓下降。然后，如圖5所示，向基板10的全區(qū)域形成柵絕緣膜16以保護(hù)柵電極14，并且在晶體管區(qū)域T的柵絕緣膜16的上部形成半導(dǎo)體層18。如上所述，半導(dǎo)體層18可以由氧化物形成，如 ZnO、InZnO, InGaO, InSnO, ZnSnO, GaSnO, GaZnO, GaZnSnO 或者 GaInZnO 等。
然后，如圖6所示，在基板10上形成絕緣膜20，在電容區(qū)域C的上部形成相對(duì)電極22，從而維持穩(wěn)定的電壓，其中所述絕緣膜20保護(hù)半導(dǎo)體層18免受外部的影響，所述相對(duì)電極22與所述的柵電極14相對(duì)。然后，如圖7所示，形成開(kāi)口部0，以使位于像素區(qū)域P底部的透明電極12向外部露出。形成開(kāi)口部0時(shí)，可以使用一般的圖案化工序、即濕法蝕刻或者干法蝕刻等。另外，形成源/漏電極24，其中所述源/漏電極24的一端通過(guò)接觸孔與晶體管區(qū)域T的半導(dǎo)體層18連接、另一端通過(guò)接觸孔與像素區(qū)域P連接。由于源/漏電極24的另一端與像素區(qū)域P的端部連接、并且不與開(kāi)口部0重疊，因此不會(huì)對(duì)像素部產(chǎn)生影響。然后，如圖8所示，基板10形成有像素限定膜26。如上所述，像素限定膜26形成于除開(kāi)口部0之外的全區(qū)域以保護(hù)內(nèi)部的組成要素，其中所述開(kāi)口部0形成為使透明電極12的一部分或者整體向外部露出。圖8示出了從電容區(qū)域C向像素區(qū)域P側(cè)呈逐漸向下部的圓形(rounding)，然而并不限于此。如上所述，只要像素限定膜26相比光阻斷層28具有直徑更小的開(kāi)口部0的構(gòu)成即可。然后，如圖9所示，在像素限定膜26的上部形成光阻斷層28。光阻斷層28具有相比像素限定膜26縮進(jìn)的構(gòu)成以不與有機(jī)發(fā)光層直接接觸，可以由與像素限定膜26相同的材質(zhì)形成，其中將其形成為以有色染料或者顏料著色，從而起到阻斷光的功能。然后，如圖10所示，依次示出了形成像素限定膜26以及光阻斷層28的過(guò)程。即，在基板10的全面涂覆像素限定膜26的材料(SllO)。涂覆的像素限定膜26通過(guò)前烘(softbake)工序發(fā)生硬化，從而形成固態(tài)膜。然后，為了形成開(kāi)口部0以使透明電極12向外部露出，可以實(shí)施利用光刻膠的一般的圖案化工序(Photo Lithography),尤其是當(dāng)像素限定膜26由光敏材料形成時(shí),還可以不使用光刻膠而直接對(duì)像素限定膜26進(jìn)行曝光以及顯影，以形成開(kāi)口部0(S120)。顯影工序之后還可以實(shí)施堅(jiān)膜(hard bake)工序。然后，在已形成的像素限定膜26的上部形成光阻斷層28(S130)。將以染料或者顏料等上色的物質(zhì)涂覆于像素限定膜26的上部之后，可以實(shí)施與上述的圖案化過(guò)程相同的圖案化過(guò)程。并且在涂覆之后，除了通過(guò)曝光和顯影工序形成光阻斷層28之外，還可以以噴墨打印具有光阻斷效果的染料或者顏料，從而以直接在像素限定膜26的上部被圖案化的形態(tài)形成光阻斷層28。如此，以打印方法形成光阻斷層28時(shí)可以解決如著色劑等殘?jiān)鼏?wèn)題。然后，在通過(guò)如上所述的圖案化而露出的像素區(qū)域P的開(kāi)口部0上形成有機(jī)發(fā)光層(S140)。下面，參考圖11說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的簡(jiǎn)要截面圖。 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括具有像素區(qū)域P以及晶體管區(qū)域T的基板10 ;分別形成于所述基板10的像素區(qū)域P以及晶體管區(qū)域T上的透明電極12 ;形成于所述透明電極12的上部的柵電極14 ;形成于所述柵電極14的上部的柵絕緣膜16 ;形成于所述柵絕緣膜16的上部的半導(dǎo)體層18 ;—端與所述半導(dǎo)體層18連接的、另一端與所述像素區(qū)域P的透明電極連接的源/漏電極24 ;覆蓋所述源/漏電極24的上部的、形成有開(kāi)口部0以使所述透明電極12向外部露出從而限定所述像素區(qū)域P的第一像素限定膜26 ;以與所述第一像素限定膜26相同的圖案形成于所述第一像素限定膜26的上部的光阻斷層28 ;形成于所述第一像素限定膜26以及光阻斷層28的上部的第二像素限定膜30 ；以及形成于所述透明電極12的上部的有機(jī)發(fā)光層；其中，相比所述第一像素限定膜26以及第二像素限定膜30，所述光阻斷層28的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部O的中心的方向縮進(jìn)。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置與根據(jù)前述實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置之間基本構(gòu)成相同，因而在此省略重復(fù)說(shuō)明。除此之外，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置在光阻斷層28的上部還包括第二像素限定膜30。第一像素限定膜26和第二像素限定膜30可以由相同的物質(zhì)形成，如上所述，可以由光敏聚酰亞胺類(lèi)、丙烯?；?lèi)、硅氧烷類(lèi)以及酚醛清漆類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成，除此之外還可以由如氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)等無(wú)機(jī)物質(zhì)形成。第一像素限定膜26和第二像素限定膜30之間具有光阻斷層28，光阻斷層28的材料與上述的實(shí)施例相同。相比所述第一像素限定膜26和第二像素限定膜30，所述光阻斷層28的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部0的中心的方向縮進(jìn)。從而將所述光阻斷層28形成為未與位于透明電極12的上部的有機(jī)發(fā)光層直接接觸。下面，參考圖12至圖15說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法。圖12至圖14是依次顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖，圖15是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中像素限定膜和光阻斷層的形成過(guò)程的示意圖。如圖12所示，在源/漏電極24的上部形成第一像素限定膜26。之前的步驟與前述的實(shí)施例相同，因此省略重復(fù)說(shuō)明。由于相比前述的實(shí)施例，本實(shí)施例形成兩層像素限定膜，因此本實(shí)施例可以將第一像素限定膜26和第二像素限定膜30形成為相比前述的實(shí)施例的厚度更薄。然后，如圖13所示，在第一像素限定膜26的上部還形成光阻斷層28。由于形成兩層像素限定膜，因此也可以將光阻斷層28形成為相比前述的實(shí)施例中所說(shuō)明的光阻斷層28的厚度更薄，以免厚度過(guò)厚。此時(shí)為了能夠最大化光阻斷效果，可以由介電率在3.0以下、耐熱性以及耐化學(xué)性?xún)?yōu)異的黑色物質(zhì)形成光阻斷層28。如上所述，相比第一像素限定膜26，光阻斷層28向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部0的方向縮進(jìn)一定間隔。從而，光阻斷層28未與有機(jī)發(fā)光層直接接觸，因此不會(huì)降低電特性。然后，如圖14所示，在光阻斷層28的上部再次形成第二像素限定膜30。相同地，使第二像素限定膜30相比下部的光阻斷層28更加向開(kāi)口部0側(cè)突出，以使光阻斷層28不會(huì)在開(kāi)口部0處露出在外。如圖15所示，涂覆第一像素限定膜(S210)，通過(guò)實(shí)施曝光以及顯影工序形成開(kāi)口部(S220)，在其上部形成光阻斷層(S230)。如上所述，可以將光阻斷層28形成為具有開(kāi)口部，其中通過(guò)光刻工序在全面涂覆光阻斷層28的材料之后實(shí)施圖案化工序以形成開(kāi)口部，除此之外還可以噴墨打印光阻斷染料，從而可以實(shí)施直接圖案化。形成光阻斷層28之后，在其上部再次形成第二像素限定膜30。第二像素限定膜30可以通過(guò)與第一像素限定膜26相同的過(guò)程形成(S240、S250)。然后，在已形成的開(kāi)口部0形成有機(jī)發(fā)光層(S260)。 按照如上所述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，通過(guò)防止由自發(fā)光或者外部光引發(fā)的劣化，從而可以提高氧化物半導(dǎo)體層的器件穩(wěn)定性。以上，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，然而，本發(fā)明并不限于所述實(shí)施例，本發(fā)明能夠以多種不同的形態(tài)實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)?shù)弥诓恍薷谋景l(fā)明的技術(shù)思想或者必要特征的情況下，能夠以其他具體形態(tài)實(shí)施。因此，應(yīng)理解為，在本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的實(shí)施例僅是各個(gè)面的示例性的實(shí)施例，而不是用于對(duì)本發(fā)明加以限制。權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括 基板，具有像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域； 透明電極，分別形成于所述基板的所述像素區(qū)域以及所述晶體管區(qū)域上； 柵電極，形成于所述透明電極的上部； 柵絕緣膜，形成于所述柵電極的上部； 半導(dǎo)體層，形成于所述柵絕緣膜的上部； 源/漏電極，一端與所述半導(dǎo)體層連接，另一端與所述像素區(qū)域的透明電極連接； 像素限定膜，覆蓋所述源/漏電極的上部，形成有開(kāi)口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區(qū)域； 光阻斷層，形成于所述像素限定膜的上部；以及 有機(jī)發(fā)光層，在所述開(kāi)口部形成于所述透明電極的上部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 相比所述像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述有機(jī)發(fā)光層與光阻斷層之間相互間隔，從而互不接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定膜由光敏聚酰亞胺類(lèi)、丙烯?；?lèi)、硅氧烷類(lèi)以及酚醛清漆類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層由介電率在3. O以下的物質(zhì)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層由有色物質(zhì)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 基于孟賽爾表色系，所述光阻斷層的明度在3以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層由黑色物質(zhì)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層阻斷波長(zhǎng)為350nm至450nm的光。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述半導(dǎo)體層是由氧化物組成的氧化物半導(dǎo)體層。
11.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括 基板，具有像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域； 透明電極，分別形成于所述基板的所述像素區(qū)域以及所述晶體管區(qū)域上； 柵電極，形成于所述透明電極的上部； 柵絕緣膜，形成于所述柵電極的上部； 半導(dǎo)體層，形成于所述柵絕緣膜的上部； 源/漏電極，一端與所述半導(dǎo)體層連接，另一端與所述像素區(qū)域的透明電極連接； 第一像素限定膜，覆蓋所述源/漏電極的上部，形成有開(kāi)口部以使所述透明電極向外部露出從而限定所述像素區(qū)域；光阻斷層，形成于所述第一像素限定膜的上部； 第二像素限定膜，形成于所述第一像素限定膜以及所述光阻斷層的上部；以及 有機(jī)發(fā)光層，在所述開(kāi)口部形成于所述透明電極的上部； 其中，相比所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由光敏聚酰亞胺類(lèi)、丙烯酰基類(lèi)、硅氧烷類(lèi)以及酚醛清漆類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由相同的物質(zhì)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層由介電率在3. O以下的物質(zhì)形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 基于孟賽爾表色系，所述光阻斷層的明度在3以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層由黑色物質(zhì)形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光阻斷層阻斷波長(zhǎng)為350nm至450nm的光。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中， 所述半導(dǎo)體層是由氧化物組成的氧化物半導(dǎo)體層。
19.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上部的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上形成透明電極； 在所述晶體管區(qū)域的透明電極上部形成柵電極； 在所述晶體管區(qū)域的上部形成半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層的上部形成源/漏電極，所述源/漏電極的一端與所述半導(dǎo)體層連接、另一端與所述像素區(qū)域上的透明電極連接； 形成像素限定膜，所述像素限定膜覆蓋所述源/漏電極的上部； 在所述像素限定膜形成開(kāi)口部以使所述像素區(qū)域上的透明電極向外部露出； 在所述像素限定膜的上部形成光阻斷層；以及 在所述開(kāi)口部的所述透明電極的上部形成有機(jī)發(fā)光層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述在像素限定膜形成開(kāi)口部的步驟包括 對(duì)所述像素限定膜的開(kāi)口部進(jìn)行曝光以及顯影。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述形成光阻斷層的步驟中， 將所述光阻斷層形成為，相比所述像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述像素限定膜由光敏聚酰亞胺類(lèi)、丙烯?；?lèi)、硅氧烷類(lèi)以及酚醛清漆類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述光阻斷層由介電率在3. O以下的物質(zhì)形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述光阻斷層由黑色物質(zhì)形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述光阻斷層阻斷波長(zhǎng)為350nm至450nm的光。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述形成光阻斷層的步驟為 通過(guò)在所述基板上的預(yù)定的區(qū)域噴墨打印光阻斷物質(zhì)而形成所述光阻斷層。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)體層是由氧化物組成的氧化物半導(dǎo)體層。
28.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板的上部的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上形成透明電極； 在所述晶體管區(qū)域的透明電極的上部形成柵電極； 在所述晶體管區(qū)域的上部形成半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層的上部形成源/漏電極，所述源/漏電極的一端與所述半導(dǎo)體層連接、另一端與所述像素區(qū)域上的透明電極連接； 形成第一像素限定膜，所述第一像素限定膜覆蓋所述源/漏電極的上部； 在所述第一像素限定膜形成開(kāi)口部以使所述像素區(qū)域上的透明電極向外部露出； 在所述第一像素限定膜的上部形成光阻斷層； 在所述第一像素限定膜以及所述光阻斷層的上部形成第二像素限定膜；以及 在所述開(kāi)口部的所述透明電極的上部形成有機(jī)發(fā)光層； 其中，所述形成光阻斷層的步驟中， 將所述光阻斷層形成為，相比所述像素限定膜，所述光阻斷層的端部向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口部的中心的方向縮進(jìn)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述在像素限定膜形成開(kāi)口部的步驟包括 對(duì)所述像素限定膜的開(kāi)口部進(jìn)行曝光以及顯影。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述形成光阻斷層的步驟為 通過(guò)在所述基板上的預(yù)定的區(qū)域噴墨打印光阻斷物質(zhì)而形成所述光阻斷層。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由光敏聚酰亞胺類(lèi)、丙烯?；?lèi)、硅氧烷類(lèi)以及酚醛清漆類(lèi)中的一種以上物質(zhì)形成。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由相同的物質(zhì)形成。
33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體層是由氧化物組成的氧化物半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括基板，包括像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域；透明電極，形成于所述基板的像素區(qū)域以及晶體管區(qū)域上；柵電極，形成于所述透明電極的上部；柵絕緣膜，形成于所述柵電極的上部；半導(dǎo)體層，形成于所述柵絕緣膜的上部；源/漏電極，一端與所述半導(dǎo)體層連接，另一端與所述像素區(qū)域的透明電極連接；像素限定膜，覆蓋所述源/漏電極的上部，形成有開(kāi)口部以向外部露出所述透明電極，從而限定所述像素區(qū)域；光阻斷層，以與所述像素限定膜相同的圖案形成于所述像素限定膜的上部；以及有機(jī)發(fā)光層，在所述開(kāi)口部形成于所述透明電極的上部。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102646695SQ20111046131
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月18日
發(fā)明者樸容佑 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社