專利名稱：具有導(dǎo)電線路的絕緣本體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種絕緣本體，尤其是一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體。背景技術(shù)：
由于科技的快速發(fā)展和社會整體生活水平的提高，琳瑯滿目的消費電子產(chǎn)品越來越重視信號的接收/傳送質(zhì)量要求，且使用者對于電子產(chǎn)品要求輕、薄、短、小等特性，再加上高度整合的特性要求，以達到小型化、多功能的操作目的。請參閱中國臺灣專利公告第M373574號所揭示的一種模塊化天線裝置。尤請參考第五圖至第五C圖，第五圖為模塊化天線裝置I的立體示意圖；第五A圖為模塊化天線裝置的另一視角的立體示意圖；第五B圖為模塊化天線裝置與電路板組設(shè)在一起的立體分解圖；第五C圖則為模塊化天線裝置與電路板組設(shè)在一起的另一視角的立體分解圖。其中，模塊化天線裝置的外殼部件系以雷射直接成型所制作，系先以模制成型該塑料外殼，并于該塑料外殼上以雷射形成一活化區(qū)域，再將金屬材料沉積于該活化區(qū)域以形成金屬化天線圖案鍍層，進而成型上述之雷射直接成型(LDS)外殼部件，換言之，該外殼部件之塑料外殼系由一種無法直接將金屬材料沉積于其上的部件，而本前案使用雷射將該塑料外殼的一預(yù)定區(qū)域改質(zhì)形成一活化區(qū)域，再利用一金屬沉積技術(shù)使導(dǎo)電金屬材料得以直接附著于該塑料外殼之活化區(qū)域上，以形成可接收無線信號的金屬化天線圖案鍍層。另一方面，該金屬化天線圖案鍍層外側(cè)上方更設(shè)有一保護層，以避免外露之金屬化天線圖案鍍層的刮傷磨耗。然而，在小型薄形化要求近乎苛刻的今天，市場需求仍在不斷地推動技術(shù)革新?；谝陨纤龅默F(xiàn)有技術(shù)，確實有必要提供一種改進的技術(shù)方案，以滿足上述需求。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其包括:步驟一:成型一具有第一表面的絕緣基材；步驟二:加工前述第一表面上的一預(yù)定區(qū)域，使該預(yù)定區(qū)域具備金屬沉積的能力；步驟三:利用金屬沉積工藝形成吸附并凸出于第一表面的導(dǎo)電鍍層；步驟四:將導(dǎo)電鍍層熱壓嵌入絕緣基材；步驟五:于第一表面上設(shè)置遮覆導(dǎo)電鍍層的保護層。本發(fā)明還提供了一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體，其包括具有第一表面的絕緣基材、沉積形成并凸出于第一表面的導(dǎo)電鍍層以及設(shè)置于第一表面上并遮覆導(dǎo)電鍍層的保護層，所述導(dǎo)電鍍層沉積形成后經(jīng)熱壓進一步嵌入絕緣基材。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明絕緣本體不僅保留了金屬沉積工藝微細線加工的特性，同時利用熱壓整平工藝使導(dǎo)電鍍層嵌入絕緣基材形成進一步薄形化的結(jié)構(gòu)，而且嵌入時導(dǎo)電鍍層與絕緣基材側(cè)面接觸面積的增加也進一步提高了附著力。此外，由于導(dǎo)電鍍層與第一表面斷差的縮小甚至消失，保護層也隨之需要更少的材料來填補。

圖1為本發(fā)明混合有合金氧化物之絕緣基材成型后的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明在預(yù)定區(qū)域激光后顯露出合金氧化物之剖面示意圖。
圖3為本發(fā)明以合金氧化物為核心沉積金屬鍍層后的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明將金屬鍍層熱壓至與第一表面平行的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明在金屬鍍層及第一表面遮覆保護層后的剖面示意圖。
具體實施方式
請參閱I圖至圖5，本發(fā)明提供了一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體100 (實施例系設(shè)于一絕緣殼體上的天線裝置)，其包括具有第一表面101的絕緣基材10、沉積形成并凸出于第一表面101上的導(dǎo)電鍍層20以及設(shè)置于第一表面101上并遮覆導(dǎo)電鍍層20的保護層30。本發(fā)明所述本體100的具體制作方法如下(因本發(fā)明主要涉及橫截面結(jié)構(gòu)的變化，故圖式均為剖面)。請參閱圖1，首先，成型所述具有第一表面101的絕緣基材10，絕緣基材10在成型時混合有合金氧化物50。當(dāng)然，此種情形下本體100中混合合金氧化物50的含量并未改變其絕緣的特性。然后，請再參圖2，使用激光鐳射加工所述第一表面101上的一個預(yù)定區(qū)域1011(如通過控制鐳射運行路線、遮蓋非鐳射區(qū)域等等)，使合金氧化物50裸露于第一表面101上，即使該預(yù)定區(qū)域1011具備以合金氧化物為核心沉積金屬的能力；請參閱圖3，接著利用金屬沉積工藝，如電鍍或化學(xué)鍍工藝，形成吸附并凸出于第一表面101的導(dǎo)電鍍層20 ;請參閱圖4，再然后將導(dǎo)電鍍層20以熱壓整平的工藝嵌入至與絕緣基材10之第一表面101平齊的位置；最后，請參閱圖5，通過烤漆的方式于第一表面101上設(shè)置遮覆導(dǎo)電鍍層20的保護層30。請?zhí)貏e注意上述制作方法中的熱壓步驟，由于將導(dǎo)電鍍層20進一步嵌入絕緣基材10形成了更加薄形化的結(jié)構(gòu)。同時，也可以通過修改相關(guān)參數(shù)提高導(dǎo)電鍍層20側(cè)面成型時的粗糙度，進而在導(dǎo)電鍍層20熱壓進絕緣基材10時，由于接觸面積和粗糙度的雙重增加提高了導(dǎo)電鍍層20在絕緣基材10上的附著力。此外，原先的導(dǎo)電鍍層與第一表面之間存在較大的斷差，使得烤漆保護層需 要先鋪設(shè)多層烤漆填平，而本發(fā)明嵌入工序的設(shè)計使得烤漆的用料得到了減少，甚至在導(dǎo)電鍍層與第一表面平齊的時候僅需直接鋪設(shè)一層保護層即可。綜上所述，前面描述的是本發(fā)明的較佳實施例，當(dāng)然并不限于此。例如:上述實施例中的絕緣基材內(nèi)預(yù)先混合有合金氧化物，之后再通過激光使其裸露進而便于后續(xù)加工；在其它一些情況下，合金氧化物也可以不在絕緣基體內(nèi)混合，而在成型后通過擠壓、熱融等方式植入預(yù)定區(qū)域即可。又如本實施例中的保護層系通過烤漆工藝制成；在其它一些情況下，保護層亦可以通過途布、貼合或者卡扣等方式實現(xiàn)。甚至后面的導(dǎo)電鍍層也可以不嵌入到平齊的位置，此同樣可以實現(xiàn)薄形等功效。即凡是依本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于: 步驟一:成型一具有第一表面的絕緣基材； 步驟二:加工前述第一表面上的一預(yù)定區(qū)域，使該預(yù)定區(qū)域具備金屬沉積的能力； 步驟三:利用金屬沉積工藝形成吸附并凸出于第一表面的導(dǎo)電鍍層； 步驟四:將導(dǎo)電鍍層熱壓嵌入絕緣基材； 步驟五:于第一表面上設(shè)置遮覆導(dǎo)電鍍層的保護層。
2.如權(quán)利要求1所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于:所述步驟一的絕緣基材成型時混合有合金氧化物，所述步驟二對預(yù)定區(qū)域的加工通過激光使合金氧化物裸露于第一表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于:所述步驟二對預(yù)定區(qū)域的加工系將合金氧化物植入預(yù)定區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于:所述步驟四系將導(dǎo)電鍍層熱壓嵌入至與絕緣基材第一表面平齊的位置。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于:所述步驟三的金屬沉積工藝為電鍍或化學(xué)鍍。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體的制作方法，其特征在于:所述步驟五的保護層系通過途布、烤漆、貼合或者卡扣方式遮覆導(dǎo)電鍍層。
7.一種具有導(dǎo)電線路的絕緣本體，其包括具有第一表面的絕緣基材、沉積形成并凸出于第一表面的導(dǎo)電鍍層以及設(shè)置于第一表面上并遮覆導(dǎo)電鍍層的保護層，其特征在于:所述導(dǎo)電鍍層沉積形成后經(jīng)熱壓進一步嵌入絕緣基材。
8.如權(quán)利要求7所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體，其特征在于:所述導(dǎo)電鍍層熱壓嵌入至與第一表面大致平齊的位置。
9.如權(quán)利要求8所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體，其特征在于:所述絕緣基材中混合有合金氧化物。
10.如權(quán)利要求7至9中任一項所述的具有導(dǎo)電線路的絕緣本體，其特征在于:所述保護層系通過烤漆的方式遮覆于導(dǎo)電鍍層和第一表面上。
全文摘要
一種具有導(dǎo)電線路的本體，其包括具有第一表面的絕緣基材；導(dǎo)電鍍層，系沉積形成并凸出于第一表面，且經(jīng)過熱壓嵌入絕緣基材；保護層，設(shè)置于第一表面上并遮覆導(dǎo)電鍍層。本發(fā)明絕緣本體不僅保留了金屬沉積工藝微細線加工的特性，同時利用熱壓整平工藝使導(dǎo)電鍍層嵌入絕緣基材形成進一步薄形化的結(jié)構(gòu)，而且嵌入時導(dǎo)電鍍層與絕緣基材側(cè)面接觸面積的增加也進一步提高了附著力。
文檔編號H01Q1/40GK103165978SQ20111040517
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者胡沛華, 王裕民 申請人:富士康(昆山)電腦接插件有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司