專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭示涉及一種有機(jī)電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光元件(Organic Electroluminescent Device)因?yàn)榫哂休p薄、自發(fā)光、低消耗功率、不需背光源、無視角限制及高反應(yīng)速率等特點(diǎn)，因此已逐漸被視為平面顯示器或者是照明產(chǎn)業(yè)的明日之星。有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率取決于下式
「ι7 X ^Jexciton 乂 material ^ V outcoupline”Power efflaency ---其中，ηPower efficiency為有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率，Y為載子再結(jié)合率，nexciton 為激發(fā)子生成率，nmatCTial為材料的量子效率，n。ut。。upling為光取出效率，ν為元件操作電壓。由上式可知，光取出效率是影響有機(jī)電致發(fā)光元件發(fā)光效率的關(guān)鍵因素之一。然而，在有機(jī)電致發(fā)光元件中，由于各層之間折射率的落差，使得有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)所發(fā)出的光線大部分(約80%)都因?yàn)槿瓷涠鴵p失，只有少部分(約20%)能夠取出來應(yīng)用。因此，如何提升光取出效率，讓有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率能夠更進(jìn)一步地提升，已經(jīng)成為相關(guān)產(chǎn)業(yè)迫切需要解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一技術(shù)方式是在提供一種有機(jī)電致發(fā)光元件，用以解決以上先前技術(shù)所提到的困難。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，一種有機(jī)電致發(fā)光元件包含光學(xué)基板、透明電極、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)與背電極。光學(xué)基板包含基材與多個(gè)散射粒子。散射粒子混合于基材中。透明電極直接設(shè)置于光學(xué)基板上。有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于透明電極上。背電極設(shè)置于有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)上。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的基材的材質(zhì)為聚合物。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的基材的折射率大于約1. 5。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的散射粒子的折射率大于約1. 4。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的散射粒子的平均粒徑為約0.8 Ιμπι。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板具有霧度、反射率與全光穿透率， 且此光學(xué)基板的霧度、反射率與全光穿透率滿足15%< HazeXRX (R+T) <35%其中，Haze為光學(xué)基板之霧度，R為光學(xué)基板之反射率，T為光學(xué)基板的全光穿透率。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板還包含至少一外阻擋層。此外阻擋層至少設(shè)置于基材背對(duì)透明電極的外表面。
在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的外阻擋層更延伸至基材的至少一側(cè)表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的外阻擋層更延伸至基材的相對(duì)兩側(cè)表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的外阻擋層包含無機(jī)原子層。此無機(jī)原子層至少設(shè)置于基材的外表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的外阻擋層包含至少一無機(jī)層與至少一有機(jī)層。無機(jī)層至少設(shè)置于基材的外表面。有機(jī)層設(shè)置于無機(jī)層背對(duì)基材的外表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板還包含至少一內(nèi)阻擋層。此內(nèi)阻擋層至少設(shè)置于基材面對(duì)透明電極的內(nèi)表面。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，一種有機(jī)電致發(fā)光元件包含光學(xué)基板、透明電極、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)與背電極。光學(xué)基板具有霧度、反射率與全光穿透率，且此光學(xué)基板的霧度、反射率與全光穿透率滿足15HazeXRX (R+T) < 35%其中，Haze為光學(xué)基板的霧度，R為光學(xué)基板的反射率，T為光學(xué)基板的全光穿透率。透明電極直接設(shè)置于光學(xué)基板上。有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于透明電極上。背電極設(shè)置于有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)上。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板包含高分子基材與多個(gè)散射粒子。散射粒子混合于高分子基材中。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的高分子基材的折射率大于約1. 5。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的散射粒子的折射率大于約1. 4。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的散射粒子的平均粒徑為約0.8 Ιμπι。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板還包含至少一外阻擋層。此外阻擋層至少設(shè)置于高分子基材背對(duì)透明電極的外表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的外阻擋層更延伸至高分子基材的至少一側(cè)表面。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板還包含至少一內(nèi)阻擋層。此內(nèi)阻擋層至少設(shè)置于高分子基材面對(duì)透明電極的內(nèi)表面。本發(fā)明利用光學(xué)基板來取代原本的玻璃基板，此光學(xué)基板因?yàn)榛旌嫌猩⑸淞Ｗ樱?因此能夠破壞全反射，讓光取出效率提高。


圖1示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光元件的剖面示意圖。圖2示出依照本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的HazeXRX (R+T)對(duì)功率增益的曲線圖。圖3示出依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)基板的剖面示意圖。圖4示出依照本發(fā)明再一實(shí)施方式的光學(xué)基板的剖面示意圖。圖5示出依照本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)基板的剖面示意圖。圖6示出依照本發(fā)明再一實(shí)施方式的光學(xué)基板的剖面示意圖。圖7示出依照本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)基板的剖面示意圖。圖8示出比較例1的有機(jī)電致發(fā)光元件的剖面示意圖。
圖9示出比較例2的有機(jī)電致發(fā)光元件的剖面示意圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下100 有機(jī)電致發(fā)光元件110:光學(xué)基板111 基材112:外表面113:側(cè)表面114:內(nèi)表面115:散射粒子120:透明電極130 有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)140:背電極150 外阻擋層152 無機(jī)層154 有機(jī)層160:內(nèi)阻擋層162 無機(jī)層164 有機(jī)層170:玻璃基板
具體實(shí)施例方式以下將以附圖揭示本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化附圖起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式示出之。圖1示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光元件100的剖面示意圖。如圖所示，一種有機(jī)電致發(fā)光元件100包含光學(xué)基板110、透明電極120、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130與背電極140。光學(xué)基板110包含基材111與多個(gè)散射粒子115。散射粒子115混合于基材 111中。透明電極120直接設(shè)置于光學(xué)基板110上。有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130設(shè)置于透明電極120上。背電極140設(shè)置于有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130上。傳統(tǒng)上，透明電極120、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130與背電極140大多會(huì)設(shè)置在玻璃基板上。然而，由于折射率的落差，有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130所發(fā)出的光線會(huì)在透明電極120與玻璃基板的交界處，以及玻璃基板與空氣的交界處產(chǎn)生全反射，并因此而產(chǎn)生光損失。在部分實(shí)例中，因?yàn)檫@兩處全反射而導(dǎo)致的光損失甚至高達(dá)60%。因此，本實(shí)施方式是利用光學(xué)基板110來取代原本的玻璃基板，此光學(xué)基板110因?yàn)榛旌嫌猩⑸淞Ｗ?15，因此能夠破壞全反射，讓光取出效率提高。在本實(shí)施方式中，上述的光學(xué)基板110的基材111可為高分子基材。亦即，上述的基材111的材質(zhì)可為聚合物，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate ；PET)、聚 2，6_ 萘二酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate ；PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate PC)、聚酰亞胺(Polyimide ；PI)、聚硅氧(Silicone)或上述的任意組
口 O此外，由于一般透明電極120的折射率大約達(dá)2. 0，因此上述的基材111的折射率一般會(huì)盡量靠近2.0，以降低全反射發(fā)生的機(jī)率。在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，上述的基材 111的折射率大于約1.5。另外，上述的基材111的全光穿透率大于約80%，且其厚度為約0. 1 1mm。應(yīng)了解到，以上所舉的基材111的材質(zhì)、光學(xué)特性與尺寸等細(xì)節(jié)均僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇基材111的實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中，上述的散射粒子115的材質(zhì)可為二氧化鈦、氧化鋅、氧化釔、鋱釔鋁石榴石、氧化鋁、二氧化硅、一氧化硅、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋯或上述的任意組合。此外，上述的散射粒子115的折射率大于約1. 4或約1. 5，且其平均粒徑為約0. 08 5μπι或約0. 8 1 μ m。同樣地，以上所舉的散射粒子115的材質(zhì)、光學(xué)特性與尺寸等細(xì)節(jié)均僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇散射粒子115的實(shí)施方式。在制造上，制造者可先將散射粒子115混合于液態(tài)的基材111內(nèi)，其濃度可為約 1 10wt%。然后，制造者可將基材111與散射粒子115的混合物涂布于載板上固化，即可獲得圖1所示出的光學(xué)基板110。在實(shí)作時(shí)，制造者可調(diào)整基材111與散射粒子115的各項(xiàng)參數(shù)，使得光學(xué)基板110 的霧度、反射率與全光穿透率滿足15HazeXRX (R+T) < 35%其中，Haze為光學(xué)基板110的霧度，R為光學(xué)基板110的反射率，T為光學(xué)基板110
的全光穿透率。圖2示出依照本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的HazeXRX (R+T)對(duì)功率增益的曲線圖。在圖2 中，功率增益為無因次的相對(duì)值，其代表在其他條件都相同的情況下，應(yīng)用光學(xué)基板110的有機(jī)電致發(fā)光元件100相對(duì)于應(yīng)用玻璃基板的有機(jī)電致發(fā)光元件的功率增益。 代表散射粒子115材質(zhì)為二氧化硅的實(shí)施例。▲代表散射粒子115材質(zhì)為二氧化鈦的實(shí)施例。■代表散射粒子115材質(zhì)為氧化鋯的實(shí)施例。由圖2可以清楚地看出來，當(dāng)HazeXRX (R+T)的數(shù)值范圍落在15% 35%時(shí)，功率增益大部分都可以達(dá)到1.5以上。應(yīng)了解到，在本實(shí)施方式中，光學(xué)基板110的霧度的定義如下Haze = [T-T0]/T其中，Haze為光學(xué)基板110的霧度，T為光學(xué)基板110的全光穿透率，T0為與光學(xué)基板110的法線偏離士5°范圍內(nèi)的部分光穿透率。圖3示出依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的光學(xué)基板110的剖面示意圖。在本實(shí)施方式中，光學(xué)基板110尚可包含至少一外阻擋層150。此外阻擋層150至少設(shè)置于基材111背對(duì)透明電極的外表面112，用以抵抗水氧侵入有機(jī)電致發(fā)光元件。圖4示出依照本發(fā)明再一實(shí)施方式的光學(xué)基板110的剖面示意圖。如圖所示，上述的外阻擋層150除了可以設(shè)置在基材111的外表面112外，還可以延伸至基材111的至少一側(cè)表面113。此外，雖然圖4將外阻擋層150示出為僅延伸至基材111的一側(cè)表面113， 但此并不限制本發(fā)明。在本發(fā)明另一部分的實(shí)施方式中，外阻擋層150也可以延伸至基材111的相對(duì)兩側(cè)表面113 (如圖5所示出)。在上述各實(shí)施方式中，外阻擋層150可為單一無機(jī)原子層。此無機(jī)原子層可應(yīng)用原子層沉積的方式制作。亦即，制造者可將無機(jī)物質(zhì)(例如金屬氧化物、氧化鋁、二氧化硅、氮化硅)以單原子膜的形式鍍?cè)诨?11表面，作為外阻擋層150。圖6示出依照本發(fā)明再一實(shí)施方式的光學(xué)基板110的剖面示意圖。本實(shí)施方式與上述實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于本實(shí)施方式的外阻擋層150包含至少一無機(jī)層152與至少一有機(jī)層154，兩者交替層疊于基材111的外表面112。舉最靠近基材111的一對(duì)無機(jī)層152 與有機(jī)層1 為例，無機(jī)層152至少設(shè)置于基材111的外表面112，而有機(jī)層IM則設(shè)置于無機(jī)層152背對(duì)基材111的外表面。在本實(shí)施方式中，因?yàn)榭紤]到無機(jī)原子層不易制造，因此制造者可選擇先以一般的方式鍍上一層無機(jī)層152，然后再于無機(jī)層152上鍍上一層有機(jī)層巧4以平坦化光學(xué)基板 110。上述的無機(jī)層152可為任何能夠抵擋水氧入侵的材料，例如金屬氧化物、氧化鋁、二氧化硅、氮化硅…等，而上述的有機(jī)層巧4則可為任何能夠平坦化光學(xué)基板110的材料，例如高分子材料、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate) ；PMMA)…等。圖7示出依照本發(fā)明又一實(shí)施方式的光學(xué)基板110的剖面示意圖。在本實(shí)施方式中，光學(xué)基板110尚可包含至少一內(nèi)阻擋層160。此內(nèi)阻擋層160至少設(shè)置于基材111面對(duì)透明電極的內(nèi)表面114，用以抵抗水氧侵入有機(jī)電致發(fā)光元件。同樣地，本實(shí)施方式的內(nèi)阻擋層160包含至少一無機(jī)層162與至少一有機(jī)層164， 兩者交替層疊于基材111的內(nèi)表面114。舉最靠近基材111的一對(duì)無機(jī)層162與有機(jī)層164 為例，無機(jī)層162至少設(shè)置于基材111的內(nèi)表面114，而有機(jī)層164則設(shè)置于無機(jī)層162背對(duì)基材111的內(nèi)表面。上述的無機(jī)層162可為任何能夠抵擋水氧入侵的材料，例如金屬氧化物、氧化鋁、二氧化硅、氮化硅…等，而上述的有機(jī)層164則可為任何能夠平坦化光學(xué)基板 110的材料，例如高分子材料、聚甲基丙烯酸甲酯(poly (methyl methacrylate) ；PMMA)…寸。應(yīng)了解到，雖然圖7將內(nèi)阻擋層160示出為無機(jī)層162與有機(jī)層164的疊層，但實(shí)際上制造者也可以視情況需要將內(nèi)阻擋層160制作成單一無機(jī)原子層。此外，雖然圖7將光學(xué)基板110示出成同時(shí)具有內(nèi)阻擋層160與外阻擋層150，但實(shí)際上光學(xué)基板110也可以僅具有內(nèi)阻擋層160。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇內(nèi)阻擋層160的實(shí)施方式?；氐綀D1。圖1所示出的透明電極120在實(shí)作上可作為陽極用，其材質(zhì)可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或上述的任意組合。應(yīng)了解到，以上所舉的透明電極120 的材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇透明電極120的材質(zhì)。在本實(shí)施方式中，上述的有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130可包含空穴傳輸層(Hole Transporting Layer 、有機(jī)發(fā)光層(Organic Emitting Layer ;EL)、電子 7I專輸層 (Electron Transporting Layer ；ETL)與電子注人層(Electron Injection Layer ； EIL)，四者依序堆疊于透明電極120上。上述的空穴傳輸層例如可為N，N' -二苯基-N，N'-雙(1-萘基)_(1，1'-聯(lián)苯)-4，4' -二胺(N，N' -diphenyl-N, N' -bis(l-naphthyl)-(l, 1' -biphenyl)-4,4' -diamine ;NPB)。有機(jī)發(fā)光層例如可為N，N' - 二苯基-N，N'-雙(1-萘基)_(1，1'-聯(lián)苯)-4，4' -二胺(N，N' -diphenyl-N, N' -bis(l-naphthyl)-(l, 1' -biphenyl)-4, 4 ‘ -diamine ;NPB)摻雜紅螢烯(Rubrene ； 5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene ；5,6,11,12-四苯基并四苯)或 9，10-二萘基蒽 (9,10-dinaphthylanthracene ；ADN)才參雜四;^丁基二蔡嵌苯(Tetra(t-butyl)perylene ； TBP)。電子傳輸層例如可為 4，7-二苯基鄰啡啉(4，7-diphenyl-l，10-phenanthroline ； Bphen)。電子注入層例如可為氟化鋰。圖1所示出的背電極140在實(shí)作上可作為陰極用，其材質(zhì)可為金屬(例如鋁、 銀)。應(yīng)了解到，以上所舉的背電極140的材質(zhì)僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，應(yīng)視實(shí)際需要，彈性選擇背電極140的材質(zhì)。實(shí)施例以下將揭示本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，藉此說明上述實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光元件100，確實(shí)能夠具有較好的發(fā)光效率。應(yīng)了解到，在以下敘述中，已經(jīng)在上述實(shí)施方式中提到的參數(shù)將不再重復(fù)贅述，僅就需進(jìn)一步界定者加以補(bǔ)充，合先敘明。在以下實(shí)施例與比較例中，實(shí)施例1是依照上述實(shí)施方式所制造的有機(jī)電致發(fā)光元件100，其剖面示意圖如圖1所示。具體而言，實(shí)施例1的光學(xué)基板110的霧度為94. 4%, 全光穿透率為70%，反射率為30%。透明電極120的材質(zhì)為銦錫氧化物，透明電極120的厚度為150nm。有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130包含空穴傳輸層、黃色有機(jī)發(fā)光層、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層、 電子傳輸層與電子注入層，五者依序堆疊于透明電極120上，其中空穴傳輸層的材質(zhì)為N， N' - 二苯基-N，N'-雙(1-萘基)_(1，1'-聯(lián)苯)-4，4' -二胺(N，N' -diphenyl-N, N' -bis(l-naphthyl)-(l, 1 ‘ -biphenyl)-4,4 ‘ -diamine ;NPB)，空穴傳輸層的厚度為45nm，黃色有機(jī)發(fā)光層的材質(zhì)為N，N' - 二苯基-N，N'-雙(1_萘基)_(1，Γ -聯(lián)苯)-4，4' -二胺(N，N' -diphenyl-N, N ‘ -bis (1-naphthyl) - (1，Γ -biphenyl)-4， 4' -diamine ；NPB)慘雜 Iwt%的紅蠻j；希(Rubrene ；5，6，11，12-Tetraphenylnaphthacene ； 5,6,11,12-四苯基并四苯)，黃色有機(jī)發(fā)光層的厚度為4nm，藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層的材質(zhì)為 9，10-二萘基蒽(9，10-dinaphthylanthracene ；ADN)摻雜 3wt % 的四叔丁基二萘嵌苯 (Tetra(t-butyl)perylene ；TBP)，藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層的厚度為lOnm，電子傳輸層的材質(zhì)為 4，7-二苯基鄰啡啉 G，7-diphenyl-l，10-phenanthroline ；Bphen)，電子傳輸層的厚度為 30nm,電子注入層的材質(zhì)為氟化鋰，電子注入層的厚度為0. 5nm。背電極140的材質(zhì)為鋁，背電極140的厚度為80nm。圖8示出比較例1的有機(jī)電致發(fā)光元件的剖面示意圖。如圖所示，比較例1是以玻璃基板170取代光學(xué)基板110，而透明電極120、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130與背電極140的材質(zhì)與尺寸參數(shù)則與實(shí)施例1完全相同。圖9示出比較例2的有機(jī)電致發(fā)光元件的剖面示意圖。如圖所示，比較例2是以光學(xué)基板110與玻璃基板170的疊層作為基板承載透明電極120、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130與背電極140，而透明電極120、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)130與背電極140的材質(zhì)與尺寸參數(shù)則與實(shí)施例1完全相同。以下表一列出了實(shí)施例1、比較例1與比較例2在相同電流密度下的發(fā)光亮度表一實(shí)施例1與比較例1 2的發(fā)光亮度操作電流密度 (mA/cm2)發(fā)光亮度 (cd/m2)發(fā)光顏色 (CIE 1931(x,y))實(shí)施例1203300(0.42,0.41)比較例1201920(0.40，0.42)比較例2202688(0.40, 0.42)由以上表一可以看得出來，實(shí)施例1的發(fā)光亮度確實(shí)較比較例1與比較例2高，分別高出了 71. 875% (功率增益1.71875)及22. 768% (功率增益1. 22768)。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，包含 一光學(xué)基板，包含一基材；以及多個(gè)散射粒子，混合于該基材中； 一透明電極，直接設(shè)置于該光學(xué)基板上； 一有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透明電極上；以及一背電極，設(shè)置于該有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該基材的材質(zhì)為聚合物。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該基材的折射率大于約1.5。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該些散射粒子的折射率大于約1.4。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該些散射粒子的平均粒徑為約0.8 1 μ m0
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板具有一霧度、一反射率與一全光穿透率，且該光學(xué)基板的該霧度、該反射率與該全光穿透率滿足15HazeXRX (R+T) < 35%其中，Haze為該光學(xué)基板的該霧度，R為該光學(xué)基板的該反射率，T為該光學(xué)基板的該全光穿透率。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板還包含 至少一外阻擋層，至少設(shè)置于該基材背對(duì)該透明電極的一外表面。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該外阻擋層更延伸至該基材的至少一側(cè)表面。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該外阻擋層更延伸至該基材的相對(duì)兩側(cè)表面。
10.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該外阻擋層包含 一無機(jī)原子層，至少設(shè)置于該基材的該外表面。
11.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該外阻擋層包含 至少一無機(jī)層，至少設(shè)置于該基材的該外表面；以及至少一有機(jī)層，設(shè)置于該無機(jī)層背對(duì)該基材的一外表面。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板還包含 至少一內(nèi)阻擋層，至少設(shè)置于該基材面對(duì)該透明電極的一內(nèi)表面。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，包含一光學(xué)基板，該光學(xué)基板具有一霧度、一反射率與一全光穿透率，且該光學(xué)基板的該霧度、該反射率與該全光穿透率滿足 15%< HazeXRX (R+T) < 35%其中，Haze為該光學(xué)基板的該霧度，R為該光學(xué)基板的該反射率，T為該光學(xué)基板的該全光穿透率；一透明電極，直接設(shè)置于該光學(xué)基板上； 一有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透明電極上；以及一背電極，設(shè)置于該有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板包含 一高分子基材；以及多個(gè)散射粒子，混合于該高分子基材中。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該高分子基材的折射率大于約1.5。
16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該些散射粒子的折射率大于約1.4。
17.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該些散射粒子的平均粒徑為約 0. 8 1 μ m0
18.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板還包含 至少一外阻擋層，至少設(shè)置于該高分子基材背對(duì)該透明電極的一外表面。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該外阻擋層更延伸至該高分子基材的至少一側(cè)表面。
20.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該光學(xué)基板還包含 至少一內(nèi)阻擋層，至少設(shè)置于該高分子基材面對(duì)該透明電極的一內(nèi)表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其包含光學(xué)基板、透明電極、有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)與背電極。光學(xué)基板包含基材與多個(gè)散射粒子。散射粒子混合于基材中。透明電極直接設(shè)置于光學(xué)基板上。有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于透明電極上。背電極設(shè)置于有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)上。本發(fā)明能夠提高發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102386339SQ201110370318
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者李孟庭, 林俊良 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司