專利名稱：一種光刻膠去除方法及半導(dǎo)體生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種離子注入工藝之后的光刻膠去除方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及更多的功能，半導(dǎo)體晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向發(fā)展。CMOS器件的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米階段，柵極寬度變得越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得較以往更短。這就使得半導(dǎo)體器件的發(fā)展產(chǎn)生了兩個(gè)新的要求:低摻雜濃度控制和超淺結(jié)。離子注入克服了化學(xué)擴(kuò)散工藝的限制，同時(shí)也提供了額外的優(yōu)勢(shì)。離子注入過(guò)程中沒(méi)有側(cè)向擴(kuò)散，工藝在接近室溫下進(jìn)行，雜質(zhì)原子被置于晶圓表面的下面，同時(shí)使得寬范圍內(nèi)的摻雜成為可能，有了離子注入，可以對(duì)晶圓內(nèi)摻雜的位置和數(shù)量進(jìn)行更好的控制。另夕卜，光刻膠與通常的二氧化硅層一樣可以作為摻雜的掩膜。基于這些優(yōu)點(diǎn)，先進(jìn)電路的主要摻雜步驟都采用離子注入來(lái)完成。圖1是現(xiàn)有的實(shí)現(xiàn)離子注入的各步驟器件剖面圖。如圖所示，在半導(dǎo)體襯底10上形成氧化層11后，在氧化層11上涂布一層光刻膠層12，然后對(duì)光刻膠層12進(jìn)行圖形化工藝，將需要進(jìn)行離子注入的襯底區(qū)域上方的光刻膠刻蝕掉。然后以剩余光刻膠層為掩模進(jìn)行離子注入。在這個(gè)過(guò)程中，由于會(huì)有一部分具有一定的轟擊能量的雜質(zhì)離子注入到光刻膠12中，與表層的光刻膠反應(yīng)而在光刻膠12的表層形成一層硬質(zhì)表層13。隨后，需要將上述具有硬質(zhì)表層13的光刻膠12除去。以往的做法是先通過(guò)等離子體干法刻蝕去除大部分光刻膠，然后在配合濕法刻蝕對(duì)殘余光刻膠進(jìn)行清除。但是在去除光刻膠12的過(guò)程中，由于硬質(zhì)表層13的存在，要求干法刻蝕工藝中的等離子具有比較高的轟擊能量，并加長(zhǎng)時(shí)間的清洗液清洗以徹底去除殘留物。當(dāng)器件特征尺寸進(jìn)入65nm以下工藝節(jié)點(diǎn)之后，氧化層11變得越來(lái)越薄。等離子能量控制不當(dāng)?shù)脑挊O易破壞襯底10中的硅，導(dǎo)致器件損壞，并且干法刻蝕很容易在器件表面形成輻射損傷。而如果不進(jìn)行干法刻蝕工藝，單純使用濕法清洗去除硬質(zhì)表層13的光刻膠12，雖然能減少對(duì)硅表面破壞的機(jī)會(huì)，但是當(dāng)離子注入能量較高而使形成的硬質(zhì)表層13較厚時(shí)，單純的濕法清洗難以完全去除光刻膠和硬質(zhì)表層，從而在襯底10表面留下光刻膠殘留物14。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠的去除方法以及一種半導(dǎo)體制作方法，該光刻膠去除方法能夠徹底地去除光刻膠并避免在去膠過(guò)程中對(duì)襯底形成損壞，同時(shí)該半導(dǎo)體制作方法能夠保證在離子注入工藝后，光刻膠層被有效的去除，從而減少因光刻膠殘留物引起的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的損壞。根據(jù)本發(fā)明的目的提出的一種光刻膠去除方法，包括步驟:I)軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗；
2)干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠；3)濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠?？蛇x的，所述去離子水的溫度為55°C -65°C。可選的，所述軟化工藝的持續(xù)時(shí)間為9-10分鐘。可選的，所述干法去膠工藝使用的等離子體由微波、射頻和臭氧源共同作用產(chǎn)生?？蛇x的，所述濕法去膠工藝使用的清洗液為硫酸和氧化劑溶液。本發(fā)明還提供了一種包含本發(fā)明所述光刻膠去除方法的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法，其包括步驟:I)提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上線后形成氧化側(cè)和光刻膠層；2)對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖形化工藝，在光刻膠表面形成用以進(jìn)行離子注入工藝的圖形；3)離子注入工藝，以上述圖形化工藝之后的光刻膠為掩模進(jìn)行離子注入，使部分半導(dǎo)體襯底形成雜志區(qū)；4)光刻膠去除工藝，所述光刻膠去除工藝包括:4.1、軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗；4.2、干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠；4.3、濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠；5)柵氧制作工藝，在去除完光刻膠之后的氧化層上，繼續(xù)制作新的氧化層，以形成柵氧；以及6)柵極制作工藝，在柵氧上制作多晶硅層，形成柵極。上述的光刻膠去除方法以及半導(dǎo)體制作方法中，由于在干法去膠工藝之前加入了去離子水軟化工藝，使得原本因離子注入的高能離子引起的光刻膠硬質(zhì)層被軟化，然后利用干法去膠和濕法去膠的結(jié)合，有效的去除光刻膠層，于現(xiàn)有技術(shù)比較起來(lái)，具有如下的技術(shù)效果:第一，軟化之后的光刻膠，使用干法去膠所需的等離子體能量減少，從而降低因過(guò)高能量的等離子轟擊對(duì)半導(dǎo)體襯底的形成的損壞。第二，軟化之后的光刻膠，在進(jìn)行濕法去膠工藝時(shí)，更容易與清洗液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，因而可以提高去膠效率，大大減少光刻膠殘留物，從而保證了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的有關(guān)本發(fā)明附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有的實(shí)現(xiàn)離子注入的各步驟器件剖面圖；圖2是本發(fā)明的光刻膠去除方法所針對(duì)的器件剖面示意圖；圖3是本發(fā)明的光刻膠去除方法流程示意圖4是運(yùn)用本發(fā)明的光刻膠去除方法與現(xiàn)有的去除方法的效果比較圖；圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)中所述的，光刻膠在離子注入工藝之后，由于表面與高能離子發(fā)生反應(yīng)，生成了一層硬質(zhì)層。該硬質(zhì)層為光刻膠的去膠工藝帶來(lái)了困難。現(xiàn)有的去膠工藝中，等離子體干法去膠工藝能夠去除部分硬質(zhì)層，但是所使用的等離子體能量較大，當(dāng)面對(duì)65nm以下工藝時(shí)，很容易將作為緩沖層的氧化層損壞，進(jìn)而損壞硅襯底表面。而濕法去膠工藝則很難有效的去除該硬質(zhì)層，導(dǎo)致光刻膠殘留缺陷的產(chǎn)生，影響器件質(zhì)量。因此本發(fā)明提出了一種在半導(dǎo)體器件制作過(guò)程中，以光刻膠為掩模進(jìn)行離子注入工藝之后，光刻膠掩模的去除方法。請(qǐng)參見(jiàn)圖2，圖2是本發(fā)明的光刻膠去除方法所針對(duì)的器件剖面示意圖。如圖所示，本發(fā)明涉及的光刻膠去除方法針對(duì)的是一已經(jīng)經(jīng)過(guò)離子注入工藝的半導(dǎo)體襯底100，在該半導(dǎo)體襯底100上設(shè)有氧化層110和光刻膠120。所述半導(dǎo)體襯底100可以是整體半導(dǎo)體襯底，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe);或者混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦、磷化銦、砷化銦或銻化鎵；也可以是絕緣層上有半導(dǎo)體的襯底，例如絕緣體上硅(SOI);還可以包括合金半導(dǎo)體，例如GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、GaInAsP或其組合。應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然在此描述了可以形成半導(dǎo)體襯底100材料的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體襯底的任何材料均落入本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。所述氧化層110在離子注入過(guò)程中起緩沖作用，以防止離子注入時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體襯底100表面造成損傷。該氧化層110可以選用適當(dāng)?shù)牟牧侠缪趸?Si02)或氮氧化硅(SiON)。特別的，在后期制作柵氧過(guò)程中，如果柵氧層以該氧化層110為基礎(chǔ)，則該氧化層110還可以為氧化鉿、氧化鉿娃、氮氧化鉿娃、氧化鑭、氧化錯(cuò)、氧化錯(cuò)娃、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等具有高介電常數(shù)的材料，以減少柵氧層的漏電流增加其可靠性。該氧化層110的厚度在Inm-1Onm之間。所述光刻膠120可以是正膠材料，例如酚醛樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸酯、聚丁烯I砜等材料，也可以是負(fù)膠材料，例如聚異戊二烯、α氰乙基丙烯酸等，在本發(fā)明中優(yōu)選為正膠。該光刻膠120經(jīng)圖形化工藝后，形成了適合離子注入的圖案121，離子130通過(guò)這些圖案121注入到襯底100中，形成埋區(qū)。同時(shí)，在離子注入的過(guò)程中，該光刻膠120表面在高能離子的作用下發(fā)生變異，形成硬質(zhì)層122。請(qǐng)參見(jiàn)圖3，圖3是本發(fā)明的光刻膠去除方法流程示意圖。如圖所示，該光刻膠去除方法包括步驟:Sll:軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗。所采用的去離子水(DI Water)預(yù)先在加熱池中進(jìn)行加熱，將去離子水的溫度加熱到55°C _65°C，優(yōu)選為60°C。然后利用該加熱之后的去離子水對(duì)半導(dǎo)體襯底100上的光刻膠120進(jìn)行快速的沖洗(Quick Dump Rinse)。整個(gè)軟化工藝過(guò)程持續(xù)9到11分鐘，優(yōu)選為10分鐘。軟化工藝后，由于原先光刻膠120表面的硬質(zhì)層122中，一些大分子鍵被破壞，使得該硬質(zhì)層122被軟化。
S12:干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠120進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠。該干法去膠所使用的等離子體由微波、射頻和臭氧源共同作用下產(chǎn)生的，其去膠原理如下:CxHy (光刻膠)+O2 (等離子能)一CO (氣體)+CO2 (氣體)+H2O經(jīng)過(guò)軟化工藝結(jié)束后，由于硬質(zhì)層122中的一些大分子鍵被破壞，所以其硬度明顯降低，使得在進(jìn)行干法去膠工藝時(shí)，使用的等離子以體能量降低，減少了對(duì)襯底100造成損害的概率。干法去膠工藝主要去除的是表面硬質(zhì)層以及部分光刻膠層S13:濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠。該濕法去膠工藝所使用的清洗液為硫酸(H2SO4)和氧化劑的混合液(SPM)。由于上述干法去膠工藝之后，表面硬質(zhì)層被清除，因此清洗液能夠直接與剩余光刻膠發(fā)生反應(yīng)，將剩余光刻膠徹底清除。以上例舉的干法去膠工藝和濕法去膠工藝，僅是各種常規(guī)手段中的一種，應(yīng)當(dāng)注意的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合，挑選不同的干法去膠工藝和濕法去膠工藝。本發(fā)明的去除光刻膠的工藝，由于在現(xiàn)有的干法去膠工藝和濕法去膠工藝的基礎(chǔ)上，增加了軟化工藝，解決了原本由硬質(zhì)層帶來(lái)的工藝缺陷，使得光刻膠去除的更加徹底，請(qǐng)參見(jiàn)圖4，圖4是運(yùn)用本發(fā)明的光刻膠去除方法與現(xiàn)有的去除方法的效果比較圖。如圖所示，其中橫坐標(biāo)表示處理半導(dǎo)體產(chǎn)品的批次，縱坐標(biāo)表示半導(dǎo)體產(chǎn)品表面的光刻膠殘留物數(shù)量。從圖中可以看出，運(yùn)用本發(fā)明的光刻膠去除方法進(jìn)行處理過(guò)的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次10-14，比現(xiàn)有技術(shù)下的半導(dǎo)體產(chǎn)品批次1-9，光刻膠殘留物的數(shù)量減少至原來(lái)的10% -20%左右，大大提高了半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。下面，再說(shuō)明本發(fā)明的光刻膠去除方法在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的運(yùn)用。請(qǐng)參見(jiàn)圖5，圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法的流程示意圖。需要指出的是，這里的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法僅是指半導(dǎo)體生產(chǎn)`工藝中涉及離子注入工藝的一個(gè)環(huán)節(jié)部分，而不是整個(gè)半導(dǎo)體制程，其它的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，皆是作為本領(lǐng)域習(xí)知的常規(guī)技術(shù)手段，在本發(fā)明中將不作展開(kāi)。如圖5所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法包括步驟:S21:提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上線后形成氧化層和光刻膠層。具體形成所述氧化層的工藝包括爐管氧化、快速熱退火氧化或原位水蒸氣產(chǎn)生氧化等方法。具體形成光刻膠的工藝主要為靜態(tài)滴注+旋涂工藝。S22:對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖形化工藝，在光刻膠表面形成用以進(jìn)行離子注入工藝的圖形。具體為:將光刻膠置于曝光設(shè)備下，用一表面具有預(yù)設(shè)圖形的掩模進(jìn)行掩模曝光，使掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，然后利用顯影液去除曝光區(qū)域的光刻膠，形成用以離子注入工藝的光刻膠圖形。S23:離子注入工藝，以上述圖形化工藝之后的光刻膠為掩模進(jìn)行離子注入，使部分半導(dǎo)體襯底形成埋層區(qū)。具體為沒(méi)有光刻膠覆蓋的襯底區(qū)域進(jìn)行N離子注入，注入的N型離子為銻離子，注入離子的劑量為1\1015/(^2，能量為大約401(^。離子注入完成后，在該部分襯底區(qū)域形成埋層區(qū)，同時(shí)光刻膠表面在高能離子的作用下發(fā)生變異，形成硬質(zhì)層。S24:去除氧化層工藝,采用緩沖氧化物刻蝕技術(shù)(Buffered Oxide Etch, B0E)將覆蓋在埋層區(qū)上的氧化層去除。具體的BOE工藝為:以氫氟酸(49% ) +水+氟化銨混合液進(jìn)行清洗，其中氟化銨作為緩沖劑，其比例可以視刻蝕速率進(jìn)行調(diào)解。S25:光刻膠去除工藝，將剩余的光刻膠去除所述光刻膠去除工藝，具體包括:軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗(Hot Quick DumpRinse, HQDR)。具體為:先將去離子水(DI Water)在加熱池中進(jìn)行加熱，加熱溫度為550C _65°C，優(yōu)選為60°C。然后利用該加熱之后的去離子水對(duì)半導(dǎo)體襯底上的光刻膠進(jìn)行快速的沖洗。整個(gè)軟化工藝過(guò)程持續(xù)9到11分鐘，優(yōu)選為10分鐘。該步驟可以與步驟24相結(jié)合，即在BOE去除氧化層之后，可以不更化清洗機(jī)臺(tái)，通過(guò)更化清洗液，將原先的BOE清洗液更換成去離子水清洗液直接進(jìn)行軟化工藝；或者設(shè)計(jì)的機(jī)臺(tái)包括多個(gè)清洗槽，通過(guò)傳送裝置比如機(jī)械手臂或傳送履帶以流水化作業(yè)的方式先后進(jìn)行BOE工藝和HQDR工藝。干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠。具體為:將微波和射頻作用于臭氧源，形成高能02等離子體，然后用該高能02等離子體對(duì)光刻膠表面進(jìn)行轟擊，去除光刻膠表面的硬質(zhì)層和部分光刻膠。濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠。具體為:使用硫酸(H2SO4)和氧化劑的混合液(SPM)對(duì)剩余光刻膠層進(jìn)行清洗。由于上述干法去膠工藝之后，表面硬質(zhì)層被清除，因此清洗液能夠直接與剩余光刻膠發(fā)生反應(yīng)，將剩余光刻膠徹底清除。S26:柵氧制作工藝，在去除完光刻膠之后的氧化層上，繼續(xù)制作新的氧化層，以形成柵氧。該柵氧制作工藝可以參考上述氧化層的制作工藝，此處不再贅述。更進(jìn)一步的，當(dāng)柵氧層的材質(zhì)與上述氧化層的材質(zhì)相同時(shí)，可以直接以上述氧化層為基礎(chǔ)進(jìn)行柵氧的制作。S27:柵極制作工藝，在柵氧上制作多晶硅層，形成柵極。具體的形成多晶硅柵層的方法為化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法。上述的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法中，涉及到的離子注入工藝為制作襯底埋層時(shí)需要使用到的離子注入工藝。應(yīng)當(dāng)理解的是，在其他需要使用到離子注入工藝的場(chǎng)合下，本發(fā)明的光刻膠去除方法也能運(yùn)用。比如在進(jìn)行源區(qū)或漏區(qū)進(jìn)行N型或P型離子摻雜時(shí)，或者對(duì)柵極進(jìn)行雜質(zhì)摻雜以減少柵極電阻率時(shí)以及其他一些需要進(jìn)行雜質(zhì)摻雜的場(chǎng)合。同時(shí)，除了離子注入后的光刻膠變異外，在注入干法刻蝕工藝或者灰化工藝中，都會(huì)引起光刻膠的變異從而在表面生成難以去除的硬質(zhì)層。在這些場(chǎng)合下，本發(fā)明的光刻膠去除方法依然能夠有效的去除光刻膠，使光刻膠殘余物大大減少，從而提升半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。綜上所述，本發(fā)明的光刻膠去除方法以及運(yùn)用該光刻膠去除方法進(jìn)行的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法中，通過(guò)對(duì)光刻膠表面硬質(zhì)層進(jìn)行軟化工藝，使原本因離子注入等工藝引起的光刻膠硬質(zhì)層得到軟化，從而是光刻膠的去除易化，同時(shí)可以保證在去除光刻膠的過(guò)程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品形成損害，大大提高了半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種光刻膠去除方法，該方法是在離子注入工藝之后，對(duì)表面形成硬質(zhì)層的光刻膠進(jìn)行去除，其特征在于包括步驟: 1)軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗； 2)干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠； 3)濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻膠去除方法，其特征在于:所述去離子水的溫度為55℃ -65℃。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻膠去除方法，其特征在于:所述軟化工藝的持續(xù)時(shí)間為9-10分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻膠去除方法，其特征在于:所述干法去膠工藝使用的等離子體由微波、射頻和臭氧源共同作用產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求1所述的光刻膠去除方法，其特征在于:所述濕法去膠工藝使用的清洗液為硫酸和氧化劑溶液。
6.一種半導(dǎo)體生產(chǎn)方法，其特征在于包括步驟: 1)提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底上線后形成氧化層和光刻膠層； 2)對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖形化工藝，在光刻膠表面形成用以進(jìn)行離子注入工藝的圖形； 3)離子注入工藝，以上述圖形化工藝之后的光刻膠為掩模進(jìn)行離子注入，使部分半導(dǎo)體襯底形成埋層區(qū)； 4)去除氧化層工藝，采用緩沖氧化物刻蝕技術(shù)將覆蓋在埋層區(qū)上的氧化層去除； 5)光刻膠去除工藝，所述光刻膠去除工藝包括: .5.1、軟化工藝，利用去離子水對(duì)光刻膠表面的硬質(zhì)層進(jìn)行快速?zèng)_洗； .5.2、干法去膠工藝，利用等離子體對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊，以去除軟化之后的硬質(zhì)層和部分光刻膠； .5.3、濕法去膠工藝，利用清洗液去除剩余光刻膠； 6)柵氧制作工藝，在去除完光刻膠之后的氧化層上，繼續(xù)制作新的氧化層，以形成柵氧；以及 7)柵極制作工藝，在柵氧上制作多晶硅層，形成柵極。
全文摘要
一種光刻膠去除方法和半導(dǎo)體生產(chǎn)方法，該光刻膠去除方法是在離子注入工藝之后，對(duì)表面形成硬質(zhì)層的光刻膠進(jìn)行去除，包括步驟軟化工藝；干法去膠工藝和濕法去膠工藝，通過(guò)對(duì)光刻膠表面硬質(zhì)層進(jìn)行軟化工藝，使原本因離子注入等工藝引起的光刻膠硬質(zhì)層得到軟化，從而是光刻膠的去除易化，同時(shí)可以保證在去除光刻膠的過(guò)程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品形成損害，大大提高了半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率。本發(fā)明還提供了一種包含本發(fā)明所述光刻膠去除方法的半導(dǎo)體生產(chǎn)方法。
文檔編號(hào)H01L21/027GK103107066SQ20111035496
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
發(fā)明者陳亞威, 楊鑫, 簡(jiǎn)志宏 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司