專利名稱：光刻膠的去除方法及連接孔的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻膠的去除方法及連接孔的制
造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝中，需要通過光刻在半導(dǎo)體基底上形成出光刻膠圖案，預(yù)先定 義出待處理區(qū)域，然后按照光刻膠圖案進(jìn)行刻蝕或離子注入等處理。光刻工藝水平的高低、 質(zhì)量的好壞直接影響刻蝕或離子注入的結(jié)果。 在光刻工藝中，光刻膠首先通過旋涂的方法被均勻的旋涂于半導(dǎo)體基底的表面， 然后通過烘烤(bake)、曝光(e鄧osure)、顯影(develop)等一系列的工藝將掩膜板上的圖 案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體基底表面的光刻膠上，形成光刻膠圖案。生成光刻膠圖案后，對(duì)帶有所述光 刻圖案的半導(dǎo)體基底執(zhí)行刻蝕或離子注入的工藝。在完成刻蝕或離子注入后需要將光刻膠 層去除。 現(xiàn)有去除光刻膠層的方法主要有等離子體灰化和濕法清洗。在公開號(hào)為CN 1779575A，
公開日為2006年5月31日的中國專利申請(qǐng)文件中，公開了一種等離子體灰化去 除光刻膠的方法。在其方法中，將包括02的氣體作為灰化氣體，并設(shè)置電感耦合等離子體 反應(yīng)灰化室內(nèi)部溫度在0至80度，進(jìn)行等離子體灰化處理，去除光刻膠。
然而，上述的去除光刻膠的方法通過電感耦合等離子體反應(yīng)工藝去除光刻膠層， 常常難以將光刻膠去除干凈，在基底表面會(huì)有光刻膠殘留物。特別是雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的溝槽和 /或連接孔的制造工藝中，常常需要用含氟的氣體作為刻蝕氣體，例如CF4、C4F6，用上述氣體 等離子執(zhí)行刻蝕時(shí)，等離子體會(huì)與光刻膠作用，在光刻膠表面形成難以去除的聚合物硬膜， 該聚合物硬膜難以被去除，在去除光刻膠后會(huì)造成殘留物缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光刻膠的去除方法及連接孔的制造方法，本發(fā)明可減少或消除光 刻膠殘留物缺陷。 本發(fā)明提供的一種光刻膠的去除方法，包括 提供具有光刻膠層的基底； 對(duì)所述光刻膠層執(zhí)行等離子預(yù)處理； 去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層；其中， 所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕。 可選的，所述等離子體預(yù)處理工藝中，反應(yīng)氣體包括02。 可選的，所述反應(yīng)氣體還包括CO。 可選的，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，射頻源功率為50W至300W。 可選的，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，偏置功率為零。 可選的，所述等離子體灰化工藝為反應(yīng)離子刻蝕或電感耦合等離子體刻蝕工藝。
可選的，進(jìn)一步包括，去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層之后，對(duì)所述基底 執(zhí)行濕法清洗工藝。
本發(fā)明還提供一種連接孔的制造方法，包括 提供具金屬間介質(zhì)層的基底； 在所述金屬間介質(zhì)層上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層形成連接孔圖案； 刻蝕所述連接孔圖案底部的金屬間介質(zhì)層，形成連接孔； 形成所述連接孔之后，對(duì)所述連接孔圖案執(zhí)行等離子預(yù)處理； 去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層；其中， 所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕工藝。 可選的，所述等離子體預(yù)處理工藝中，反應(yīng)氣體包括02。 可選的，所述反應(yīng)氣體還包括C0。 可選的，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，射頻源功率為50W至300W。
可選的，所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，偏置功率為零。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn) 在反應(yīng)離子刻蝕工藝中，通過化學(xué)反應(yīng)和物理離子轟擊雙重作用，對(duì)光刻膠層表 面的硬膜進(jìn)行刻蝕；此外，反應(yīng)離子刻蝕工藝的等離子體的能量相對(duì)于電感耦合等離子工 藝的中的等離子體能量要高；因而，通過反應(yīng)離子刻蝕工藝進(jìn)行預(yù)處理，可有效的去除光刻 膠層表面的硬膜，避免后續(xù)的灰化工藝去除光刻膠不完全，產(chǎn)生殘留物缺陷產(chǎn)生；即通過執(zhí) 行所述的等離子體預(yù)處理，可去除光刻膠層表面的聚合物硬膜，再接著執(zhí)行灰化工藝，可減 少或消除基底表面的光刻膠殘留物缺陷，將光刻膠層去除干凈


圖1為具有抗反射層和金屬間介質(zhì)層的基底的剖面示意圖； 圖2為在圖1所示的結(jié)構(gòu)上形成抗反射層和光刻膠層的剖面示意圖； 圖3為在圖2所示的光刻膠層中形成連接孔圖案后的示意圖； 圖4為刻蝕圖3所示的連接孔圖案下面的抗反射層之后的剖面示意圖； 圖5為刻蝕所述金屬間介質(zhì)層形成連接孔之后的剖面示意圖； 圖6為去除圖5所示的結(jié)構(gòu)中的抗反射層和光刻膠層之后的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。 其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
本發(fā)明提供一種光刻膠的去除方法，包括提供具有光刻膠層的基底，接著，對(duì)所述
4光刻膠層執(zhí)行等離子體預(yù)處理，然后，對(duì)已經(jīng)執(zhí)行所述等離子體預(yù)處理的光刻膠層執(zhí)行等
離子體灰化工藝，去除所述光刻膠層，其中，所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕。 在反應(yīng)離子刻蝕工藝中，通過化學(xué)反應(yīng)和物理離子轟擊雙重作用，對(duì)光刻膠層表
面的硬膜進(jìn)行刻蝕。而且，反應(yīng)離子刻蝕工藝的等離子體的能量相對(duì)于電感耦合等離子工
藝的中的等離子體能量要高。因而，通過反應(yīng)離子刻蝕工藝進(jìn)行預(yù)處理，可有效的去除光刻
膠層表面的硬膜，避免后續(xù)的灰化工藝去除光刻膠不完全，產(chǎn)生殘留物缺陷產(chǎn)生。 即通過執(zhí)行所述的等離子體預(yù)處理，可去除光刻膠層表面的聚合物硬膜，再接著
執(zhí)行灰化工藝，可減少或消除基底表面的光刻膠殘留物缺陷，將光刻膠層去除干凈。 此外，由于反應(yīng)離子刻蝕工藝的雙重作用以及高能量的等離子體，刻蝕能量較強(qiáng)，
因而，在執(zhí)行等離子體預(yù)處理時(shí)，可設(shè)置射頻源功率為50W至300W，該功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于利用反 應(yīng)離子刻蝕工藝對(duì)其它介質(zhì)層刻蝕時(shí)的功率(例如2400w)，以減小等離子體能量，從而減 小或避免對(duì)光刻膠下面的基底的刻蝕。有利于保護(hù)下層的基底。 此外，也可以設(shè)置反應(yīng)離子刻蝕工藝中偏置功率為零，同樣是為了減小或避免對(duì) 光刻膠層下面的基底的刻蝕，保護(hù)基底。這里不再詳細(xì)描述。 此外，上述的反應(yīng)離子刻蝕工藝中，刻蝕氣體可以是02，由于02的等離子體具有去 除聚合物的作用，通過反應(yīng)離子刻蝕工藝的工藝腔室電離02，形成的氧氣等離子體，相對(duì)于 用電感耦合等離子體工藝腔形成的等離子體，具有更高的能量，故而具有更強(qiáng)的刻蝕作用。 本反應(yīng)離子刻蝕工藝中的氧氣等離子體具有更高的去除光刻膠層表面的聚合物硬膜的能 力。 此外，所述的反應(yīng)離子刻蝕工藝中，反應(yīng)氣體中還可以包括CO。由于光刻膠表面的 聚合物硬膜與02反應(yīng)中，可能會(huì)產(chǎn)生副產(chǎn)物氟基副產(chǎn)物，而氟基副產(chǎn)物會(huì)與基底可能與基 底材質(zhì)反應(yīng)，引起基底材質(zhì)被腐蝕，CO在反應(yīng)離子刻蝕工藝腔中被電離后，等離子體可以與 該氟基副產(chǎn)物發(fā)生反應(yīng)，從而消耗該副產(chǎn)物，可避免對(duì)基底的腐蝕。 此外，所述的等離子體灰化工藝可以是反應(yīng)離子刻蝕工藝，也可以是電感耦合等 離子體刻蝕工藝。 若等離子體灰化工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝，則本步驟的灰化工藝可以與上述的等
離子體預(yù)處理工藝在同一工藝腔中原位執(zhí)行，可避免基底頻繁被傳送，避免被外界環(huán)境污
染，還可以節(jié)省工藝時(shí)間，提高效率。原位執(zhí)行時(shí)，可以調(diào)整等離子體灰化時(shí)的工藝參數(shù)，避
免對(duì)去除聚合物硬膜的光刻膠過度刻蝕，引起基底的損傷，這里不再贅述。 若等離子體灰化工藝為電感耦合等離子體刻蝕工藝時(shí)，需要在與等離子體預(yù)處理
工藝不同的工藝腔中執(zhí)行。這里不再贅述。 此外，執(zhí)行完所述的等離子體灰化處理之后，還可以進(jìn)一步執(zhí)行濕法清洗工藝，以 進(jìn)一步去除基底表面的殘留物。這里不再贅述。 下面結(jié)合雙鑲嵌工藝中連接孔的制造方法對(duì)本發(fā)明的光刻膠的去除方法進(jìn)行詳
細(xì)描述。需要說明的是，下述步驟的描述不應(yīng)該作為對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制，
在不背離權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的教導(dǎo)可以
對(duì)下述的實(shí)施例的步驟的添加、去除、等同替換或者順序的改變。 圖1至6為與本發(fā)明的連接孔的制造方法相關(guān)的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 如圖1所示，提供半導(dǎo)體基底IOO，所述半導(dǎo)體基底100上具有刻蝕停止層102和金屬間介質(zhì)層104。 所述半導(dǎo)體基底100中可以包括半導(dǎo)體襯底(未示出)和位于該半導(dǎo)體襯底上的 半導(dǎo)體器件(未示出)，也可以包括連接所述半導(dǎo)體器件的金屬互連線(未示出)。
所述半導(dǎo)體襯底的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅等材質(zhì)，也可以是硅鍺化合 物，還可以具有絕緣層上硅(Silicon On Insulator, SOI)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)。所述金 屬互連線可以是銅或鋁或鋁銅合金。 所述半導(dǎo)體器件可以是金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS)或互補(bǔ)型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管(CMOS)，該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有柵極、源極和漏極。所述半導(dǎo)體器件 也可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)、閃存(Flash)、電荷耦合器件 (CCD)、二極管等。所述半導(dǎo)體器件還可以是邏輯器件。 所述刻蝕停止層102為氮化硅、碳化硅或含氮的碳化硅(NDC)中的一種。形成所 述刻蝕停止層102的方法可以是化學(xué)氣相沉積或原子層沉積。 該刻蝕停止層102作為在金屬間介質(zhì)層104中刻蝕連接孔的刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)層，避 免在刻蝕連接孔時(shí)，直接刻蝕至下層的金屬互連線，對(duì)金屬互連線造成損傷；此外，若金屬 互連線材質(zhì)為銅，該刻蝕停止層102可以作為阻擋層，阻止銅向所述金屬間介質(zhì)層104中擴(kuò)散。 所述金屬間介質(zhì)層104為低介電常數(shù)材料(介電常數(shù)小于3的介質(zhì)材料一般認(rèn) 為是低介電常數(shù)材料)，可以是氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、黑鉆石(Black Diamond,BDTM)中的一種。所述金屬間介質(zhì)層104為金屬互連線之間的絕緣層，絕緣隔離不 同層的金屬互連線。本實(shí)施例中所述介質(zhì)層為BDTM。形成所述金屬間介質(zhì)層104的方法為 化學(xué)氣相沉積或原子層沉積。 如圖2所示，在所述金屬間介質(zhì)層104上旋涂抗反射層106和光刻膠層108，所述 光刻膠層108用于形成連接孔的圖案。接著，如圖3所示，執(zhí)行光刻工藝，圖形化所述光刻 膠層108，在所述光刻膠層108中形成連接孔圖案108a。所述連接孔圖案108a的底部露出 抗反射層106。 然后，如圖4所示，執(zhí)行初刻蝕工藝，刻蝕去除所述連接孔圖案108a底部的抗反射 層106，形成開口 106a。 對(duì)所述連接孔圖案108a底部的抗反射層106的刻蝕可以一步進(jìn)行，也可以分為兩 步進(jìn)行。選用的刻蝕氣體可以是C;Fe、02、Ar。 然后，執(zhí)行主刻蝕工藝，刻蝕去除所述開口 106a底部的金屬間介質(zhì)層104，直至所 述刻蝕停止層102表面露出時(shí)為止，形成連接孔104a，如圖5所示。 所述主刻蝕工藝為等離子體刻蝕，產(chǎn)生等離子體的刻蝕氣體為含氟的氣體和惰性 氣體。 本實(shí)施例中，所述含氟的氣體可以是CF4、(;Fe、CHF3、(;F8中的一種或組合。所述刻 蝕氣體還可以包括02所述惰性氣體為Ar和He。 具體的，所述刻蝕氣體可以為C4F6、 CHF3、 02、 Ar的混合氣體，其中，C4F6的流量為5 至20sccm，CHF3的流量為5至50sccm，02的流量為5至20sccm，Ar的流量為50至500sccm， 產(chǎn)生等離子體的環(huán)境的壓力為10至lOOmTorr，射頻源功率為500至3000W。
執(zhí)行時(shí)，將所述含有光刻膠圖案108a的半導(dǎo)體襯底100置于刻蝕腔室中，向所述刻蝕腔室中通入C4F6、CHF3、02、Ar等刻蝕氣體，打開射頻源，使所述的刻蝕氣體電離，產(chǎn)生等 離子體，產(chǎn)生的等離子體在偏壓的作用下，轟擊所述開口 106a底部的介質(zhì)層104，去除所述 開口 106a底部的介質(zhì)層。 通過含氟的氣體例如C4F6、CHF3作為刻蝕氣體， 一方面對(duì)所述金屬間介質(zhì)層104進(jìn) 行刻蝕，另一方面，在刻蝕的同時(shí)，產(chǎn)生聚合物并附著在金屬間介質(zhì)層104中刻蝕出的連接 孔104a的側(cè)壁，保護(hù)所述連接孔104a側(cè)壁不受刻蝕損傷，有利于后續(xù)形成側(cè)壁輪廓較好的 連接孔，其中，在含氟的刻蝕氣體中，碳氟的比例越大，產(chǎn)生的聚合物越多。然而，上述含氟 的刻蝕氣體也在光刻膠層108表面形成聚合物硬膜。
在另外的實(shí)施例中，所述主刻蝕也可分為兩步。 執(zhí)行完上述的主刻蝕工藝之后，需要執(zhí)行過刻蝕工藝。通過過刻蝕工藝使得連接
孔108a底部的金屬間介質(zhì)層完全被去除，不會(huì)有殘留物。 完成過刻蝕工藝后，需要去除所述光刻膠層108和抗反射層106。 本實(shí)施例中，首先對(duì)所述光刻膠層108執(zhí)行等離子體預(yù)處理，其中，所述等離子體
預(yù)處理工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝。反應(yīng)離子刻蝕工藝中反應(yīng)氣體為02。 在所述的反應(yīng)離子刻蝕工藝中，通過化學(xué)反應(yīng)和物理離子轟擊雙重作用，對(duì)光刻
膠層表面的硬膜執(zhí)行刻蝕。而且，反應(yīng)離子刻蝕工藝的等離子體的能量相對(duì)于電感耦合等
離子工藝的中的等離子體能量要高，可有效的去除光刻膠層表面的聚合物硬膜，避免后續(xù)
的灰化工藝去除光刻膠不完全，產(chǎn)生殘留缺陷。 其中，所述聚合物硬膜是由于在上述的主刻蝕以及過刻蝕工藝中，含氟氣體例如 CF4、C4F6的等離子體與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成的。該聚合物難以被去除，成為硬度較 大的膜層并覆蓋于光刻膠層108表面。通過執(zhí)行所述的等離子體預(yù)處理，可去除光刻膠層 108表面的聚合物硬膜，再接著執(zhí)行灰化工藝，可減少或消除基底表面的光刻膠殘留物缺 陷，將光刻膠層去除干凈。 由于反應(yīng)離子刻蝕工藝具有化學(xué)反應(yīng)和等離子體轟擊的雙重作用，以及等離子 體能量較高等特點(diǎn)，因而刻蝕能力較強(qiáng)。在執(zhí)行等離子體預(yù)處理時(shí)，可設(shè)置射頻源功率為 50W至300W，該功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于利用反應(yīng)離子刻蝕工藝對(duì)其它介質(zhì)層刻蝕時(shí)的功率(例如 2400w)，以減小等離子體能量，從而減小或避免對(duì)光刻膠下面的金屬間介質(zhì)層104的刻蝕。 有利于保護(hù)形成的連接孔104a的輪廓。本實(shí)施例中，可設(shè)置反應(yīng)離子刻蝕的射頻源功率為 IOOW。此外射頻源頻率為27MHz，反應(yīng)腔室壓力為200mT。 另外，本實(shí)施例也可設(shè)置偏置功率為零，同樣是為了減小或避免對(duì)連接孔104a側(cè) 壁的刻蝕。 本實(shí)施例中，刻蝕氣體可以是02，02的流量可以是2000sccm。此外，所述的反應(yīng)離 子刻蝕工藝中，反應(yīng)氣體中還可以包括CO。由于光刻膠表面的聚合物硬膜與02反應(yīng)中，可能 會(huì)產(chǎn)生副產(chǎn)物氟基副產(chǎn)物，而氟基副產(chǎn)物可能與金屬間介質(zhì)層104材質(zhì)反應(yīng)，引起金屬間 介質(zhì)層104被腐蝕。CO在反應(yīng)離子刻蝕工藝腔中被電離后，等離子體可以與該氟基副產(chǎn)物 發(fā)生反應(yīng)，從而消耗該副產(chǎn)物，可避免對(duì)基底的腐蝕。其中，所述CO的瀏覽可以是200sccm。
執(zhí)行完上述的等離子體預(yù)處理之后，接著對(duì)所述光刻膠層108和抗反射層106執(zhí) 行等離子體灰化處理，去除所述光刻膠層108a和106a，如圖6所示。 其中，所述的等離子體灰化工藝可以是反應(yīng)離子刻蝕工藝，也可以是電感耦合等離子體刻蝕工藝。 若等離子體灰化工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝，則本步驟的灰化工藝可以與上述的等
離子體預(yù)處理工藝在同一工藝腔中原位執(zhí)行，可所述半導(dǎo)體基底100表面避免被外界環(huán)境
污染。原位執(zhí)行時(shí)，可以調(diào)整等離子體灰化時(shí)的工藝參數(shù)，避免對(duì)去除聚合物硬膜之后的光
刻膠層108過度刻蝕，引起下面金屬間介質(zhì)層104損傷，這里不再贅述。 若等離子體灰化工藝為電感耦合等離子體刻蝕工藝時(shí)，需要在與等離子體預(yù)處理
工藝在不同的工藝腔中執(zhí)行。 此外，還可以對(duì)已經(jīng)完成等離子體灰化的基底100執(zhí)行濕法清洗工藝，這里不再 贅述。 進(jìn)一步的，可以在金屬間介質(zhì)層104中形成溝槽。這里不再贅述。 本發(fā)明的連接孔的刻蝕方法也可以適用于先形成溝槽后形成連接孔的雙鑲嵌結(jié)
構(gòu)制造工藝中的連接孔的制造，這里不再贅述。 本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保 護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
8
權(quán)利要求
一種光刻膠的去除方法，其特征在于，包括提供具有光刻膠層的基底；對(duì)所述光刻膠層執(zhí)行等離子預(yù)處理；去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層；其中，所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于所述等離子體預(yù)處理工藝中， 反應(yīng)氣體包括02。
3. 如權(quán)利要求2所述的光刻膠的去除方法，其特征在于所述反應(yīng)氣體還包括C0。
4. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，射 頻源功率為50W至300W。
5. 如權(quán)利要求4所述的光刻膠的去除方法，其特征在于所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，偏置功率為零。
6. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于所述等離子體灰化工藝為反應(yīng)離子刻蝕或電感耦合等離子體刻蝕工藝。
7. 如權(quán)利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，去除已經(jīng)執(zhí)行等 離子體預(yù)處理的光刻膠層之后，對(duì)所述基底執(zhí)行濕法清洗工藝。
8. —種連接孔的制造方法，其特征在于，包括 提供具金屬間介質(zhì)層的基底； 在所述金屬間介質(zhì)層上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層形成連接孔圖案； 刻蝕所述連接孔圖案底部的金屬間介質(zhì)層，形成連接孔； 形成所述連接孔之后，對(duì)所述連接孔圖案執(zhí)行等離子預(yù)處理； 去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層；其中， 所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕工藝。
9. 如權(quán)利要求8所述的連接孔的制造方法，其特征在于，所述等離子體預(yù)處理工藝中， 反應(yīng)氣體包括02。
10. 如權(quán)利要求9所述的連接孔的制造方法，其特征在于所述反應(yīng)氣體還包括C0。
11. 如權(quán)利要求8所述的連接孔的制造方法所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，射頻源功率為 50W至300W。
12. 如權(quán)利要求ll所述的連接孔的制造方法，其特征在于所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，偏置功率為零。
全文摘要
一種光刻膠的去除方法，包括提供具有光刻膠層的基底；對(duì)所述光刻膠層執(zhí)行等離子預(yù)處理；去除已經(jīng)執(zhí)行等離子體預(yù)處理的光刻膠層；其中，所述等離子體預(yù)處理為反應(yīng)離子刻蝕工藝。本發(fā)明還提供一種連接孔的制造方法。本發(fā)明可減少或消除光刻膠殘留物缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101762993SQ200810208070
公開日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者張海洋, 沈滿華, 陳海華, 韓寶東 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司