專(zhuān)利名稱(chēng)：清洗硅片的裝置及使用該裝置清洗硅片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種清洗硅片的裝置及使用該裝置清洗硅片的方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路的集成度迅速提高和元器件尺寸的不斷減小，因此，對(duì)于硅片表面的清潔度的要求也更加嚴(yán)格。硅片生產(chǎn)中的每一道工序都存在著污染的可能，這些污染可能導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生和元器件的失效，據(jù)統(tǒng)計(jì)，在集成電路的生產(chǎn)中，大約有20%的工序和硅片的清洗相關(guān)。在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅片的清洗主要采取兩種方法，一種為物理清洗，一種為化學(xué)清洗，其中，物理清洗更為常用。物理清洗又有三種常用方法。第一種刷洗或擦洗，可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在硅片上的薄膜，但此種清洗方法容易劃傷硅片表面。第二種超聲波清洗，超聲波的聲能傳入溶液，靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是，從有圖形的片子上除去小于I微米顆粒則比較困難。第三種高壓清洗，是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個(gè)大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。由于高壓清洗的優(yōu)勢(shì)，因此，在行業(yè)內(nèi)為硅片的主流清洗方法。然而，本發(fā)明的發(fā)明人在實(shí)際采用常規(guī)高壓清洗設(shè)備進(jìn)行清洗過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，即使花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行沖洗，硅片的正面總有一些殘留物。有鑒于此，實(shí)有必要提出一種新的清洗硅片的裝置及使用該裝置清洗硅片的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問(wèn)題是采用現(xiàn)有的高壓清洗設(shè)備，硅片清洗不干凈。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種清洗硅片的裝置，包括機(jī)械卡盤(pán)；安裝在機(jī)械卡盤(pán)上的卡銷(xiāo)；水槍?zhuān)凰畼屩窝b置，所述水槍支撐裝置用于抬高或降低水槍?zhuān)桓邏核茫龈邏核玫某鏊伺c水槍的末端連接，所述高壓水泵的進(jìn)水端用于輸入硅片清洗過(guò)程中的去離子水；其中，所述高壓水泵的出水端與水槍的末端間設(shè)置有控制其間水流開(kāi)關(guān)的裝置?？蛇x地，控制所述高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置為控制閥?？蛇x地，所述清洗硅片的裝置還包括位置傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于抬高狀態(tài)；速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；
所述位置傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接?？蛇x地，所述清洗硅片的裝置還包括壓力傳感器，用于檢測(cè)高壓水泵是否處于非啟動(dòng)狀態(tài)；速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；所述壓力傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接。本發(fā)明還提供一種使用清洗硅片裝置進(jìn)行硅片清洗的方法，包括將硅片背面朝上放置在機(jī)械卡盤(pán)上，使用卡銷(xiāo)固定硅片；控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)；水槍由待工作位置經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)；所述近點(diǎn)為水槍移動(dòng)過(guò)程中首先經(jīng)過(guò)的機(jī)械卡盤(pán)的邊緣位置，所述遠(yuǎn)點(diǎn)為水槍移動(dòng)過(guò)程中最后到達(dá)的靜電吸盤(pán)的邊緣位置；所述水槍在待工作位置及由近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程為處于抬高狀態(tài)；高壓水泵在水槍處于待工作位置及由近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程為關(guān)閉狀態(tài)；降低 水槍?zhuān)凰畼岄_(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；啟動(dòng)高壓水泵；控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入打開(kāi)狀態(tài)；水槍在近點(diǎn)與遠(yuǎn)點(diǎn)間來(lái)回掃描；掃描完畢后,水槍處于遠(yuǎn)點(diǎn)位置,并升起；水槍開(kāi)始進(jìn)入靜止?fàn)顟B(tài)；關(guān)閉高壓水泵；控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)；水槍由遠(yuǎn)點(diǎn)經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至待工作位置；控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。可選地，先進(jìn)行所述水槍開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，接著進(jìn)行所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入打開(kāi)狀態(tài)步驟，然后進(jìn)行所述啟動(dòng)高壓水泵步驟?？蛇x地，先進(jìn)行所述水槍開(kāi)始進(jìn)入靜止?fàn)顟B(tài)步驟，接著進(jìn)行所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)步驟，然后所述關(guān)閉高壓水泵步驟?？蛇x地，所述清洗硅片的裝置還包括位置傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于抬高狀態(tài)；速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；所述位置傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接；所述清洗硅片的方法中，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到位置傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為是時(shí)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)?？蛇x地，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到位置傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為否時(shí)進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。可選地，所述清洗硅片的裝置還包括壓力傳感器，用于檢測(cè)高壓水泵是否處于非啟動(dòng)狀態(tài)；速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；所述壓力傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接；所述清洗硅片的方法中，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到壓力傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為是時(shí)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)?？蛇x地，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到壓力傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為否時(shí)進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明采用控制裝置，在水槍從待工作位置經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程中及水槍由機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至待工作位置過(guò)程中，控制水槍的出水端的水流關(guān)閉。由于上述兩個(gè)過(guò)程非常短暫，大約幾秒，不會(huì)因?yàn)槎虝旱乃麝P(guān)閉影響噴頭的自潔功能，并避免了可能污染晶片的污染源，達(dá)到了清洗干凈的目的。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的清洗硅片的裝置的示意圖；圖2是采用現(xiàn)有技術(shù)的清洗硅片裝置沖洗完后的硅片殘留物分布示意
圖3與圖4是圖1中的雜質(zhì)的SEM測(cè)試結(jié)果圖；圖5是圖4中的雜質(zhì)的EDS測(cè)試結(jié)果圖；圖6是本實(shí)施例一提供的清洗硅片的裝置示意圖；圖7是使用圖6的清洗硅片的裝置進(jìn)行清洗過(guò)程的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中清洗硅片的裝置1，包括機(jī)械卡盤(pán)11;安裝在機(jī)械卡盤(pán)11上的三個(gè)卡銷(xiāo)12 ;水槍13 ；水槍支撐裝置14，所述水槍支撐裝置14用于抬高或降低水槍13 ；高壓水泵15，所述高壓水泵15的出水端與水槍13的末端連接，所述高壓水泵15的進(jìn)水端用于輸入硅片清洗過(guò)程中的去離子水。以下結(jié)合現(xiàn)有的硅片清洗裝置對(duì)使用該裝置清洗硅片的過(guò)程進(jìn)行介紹。首先，對(duì)硅片正面沖洗完畢后，將硅片背面朝上放置在機(jī)械卡盤(pán)11上，使用卡銷(xiāo)12固定娃片。此過(guò)程中，水槍13處于待工作位置Pl，且處于抬高狀態(tài)，高壓水泵15處于關(guān)閉狀態(tài)，但為了防止水槍13的噴頭(JET nozzle)污染，該噴頭內(nèi)一直有低壓水流出。接著，水槍由待工作位置Pl經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3移至遠(yuǎn)點(diǎn)P2 ;所述近點(diǎn)P3為水槍13移動(dòng)過(guò)程中首先經(jīng)過(guò)的機(jī)械卡盤(pán)11的邊緣位置，所述遠(yuǎn)點(diǎn)P3為水槍13移動(dòng)過(guò)程中最后到達(dá)的靜電吸盤(pán)11的邊緣位置；所述水槍13在由近點(diǎn)P3移至遠(yuǎn)點(diǎn)P2過(guò)程為處于抬高狀態(tài)；高壓水泵在水槍13由近點(diǎn)P3移至遠(yuǎn)點(diǎn)P2過(guò)程為關(guān)閉狀態(tài)。再接著，水槍支撐裝置14降低水槍13的位置，以開(kāi)始準(zhǔn)備進(jìn)入工作狀態(tài)。然后，啟動(dòng)高壓水泵15。之后，水槍13在近點(diǎn)P3與遠(yuǎn)點(diǎn)P2間來(lái)回掃描進(jìn)行沖洗。掃描完畢后，水槍13處于近點(diǎn)P3位置，并升起(抬高)。接著，關(guān)閉聞壓水栗15。高壓水泵15關(guān)閉后，水槍內(nèi)開(kāi)始流出低壓水流，水槍13由機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3移至待工作位置Pl ;以等待沖洗下一片硅片。正如背景技術(shù)所述，采用圖1所示的高壓清洗設(shè)備，即使長(zhǎng)時(shí)間沖洗，硅片正面還是存在一些殘留物。本發(fā)明人對(duì)該殘留物做了統(tǒng)計(jì)，分布圖如圖2所示，并對(duì)殘留物進(jìn)行了掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)試，如圖3與圖4所示，大部分為微米級(jí)的顆粒。本發(fā)明人進(jìn)一步對(duì)圖4中的雜質(zhì)進(jìn)行了 X射線能譜儀(EDS)測(cè)試，以對(duì)該殘留物的成分進(jìn)行定性定量分析，其結(jié)果如圖5所示，主要成分是硅、氧與碳。然而，硅片表面易氧化，因而在硅片表面檢測(cè)出硅元素與氧元素的原因很容易理解，但碳的引入原因尚不清楚。

本發(fā)明人對(duì)圖1所示的殘留物分布圖進(jìn)行了分析，發(fā)現(xiàn)該殘留物的分布密集區(qū)域大約各自成120度夾角，正好與機(jī)械卡盤(pán)11上的三個(gè)成120度設(shè)置的卡銷(xiāo)12的位置相對(duì)應(yīng)；然而，卡銷(xiāo)12上的與硅片接觸部位在清洗過(guò)程中為保持清潔狀態(tài)，且該殘留物的成分并不與卡銷(xiāo)12的材質(zhì)鋁合金有關(guān)。本發(fā)明人仔細(xì)分析了清洗過(guò)程，認(rèn)為造成殘留物的原因?yàn)楝F(xiàn)有的清洗硅片的流程為先將硅片翻轉(zhuǎn)，使得硅片背面朝上，然后被夾持在機(jī)械卡盤(pán)上，使用高壓去離子水清洗硅片背面，然后再用靜電吸盤(pán)吸住硅片背面，使用高壓去離子水清洗硅片正面。使用高壓去離子水清洗硅片背面過(guò)程中，水槍在機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3與遠(yuǎn)點(diǎn)P2間來(lái)回掃描，此時(shí)高壓水流不會(huì)打到卡銷(xiāo)12上，然而，機(jī)械卡盤(pán)11經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期使用，卡銷(xiāo)12在反復(fù)夾持硅片過(guò)程中，雖然其上的與硅片接觸部位保持清潔，但其它部位很容易被未清洗硅片上的雜質(zhì)污染，而水槍13從待工作位置Pl經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3移至遠(yuǎn)點(diǎn)P2過(guò)程中，水槍13的噴頭噴出的低壓水沖擊卡銷(xiāo)12，可能將卡銷(xiāo)12上的污染物部分打落，該打落的原子會(huì)濺射到硅片的正面，從而存留下來(lái)形成了殘留物。此外，掃描完畢后，水槍13由所述機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3移至待工作位置Pl過(guò)程中，水槍13的噴頭噴出的低壓水也沖擊卡銷(xiāo)12，也可能將卡銷(xiāo)12上的污染物部分打落而形成硅片正面的殘留物。該殘留物在之后的硅片正面清洗過(guò)程中如果沒(méi)有被完全清除，就形成了圖1中的殘留物。為此，本發(fā)明人提出采用控制裝置，將水槍13從待工作位置Pl經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)11的近點(diǎn)P3移至遠(yuǎn)點(diǎn)P2過(guò)程中及水槍13由近點(diǎn)P3移至待工作位置Pl過(guò)程中，水槍13的出水端的水流關(guān)閉。由于上述兩個(gè)過(guò)程非常短暫，大約3秒左右，不會(huì)因?yàn)槎虝旱乃麝P(guān)閉影響噴頭的自潔功能，并避免了可能污染晶片的污染源，達(dá)到了清洗干凈的目的。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。由于重在說(shuō)明本發(fā)明的原理，因此，未按比例制圖。實(shí)施例一
如圖6所示，本實(shí)施例一提供了一種新的清洗硅片的裝置2，該裝置2包括機(jī)械卡盤(pán)21;安裝在機(jī)械卡盤(pán)21上的卡銷(xiāo)22 ；水槍23 ；水槍支撐裝置24，所述水槍支撐裝置24用于抬高或降低水槍23 ；高壓水泵25，所述高壓水泵25的出水端與水槍23的末端連接，所述高壓水泵25的進(jìn)水端用于輸入硅片清洗過(guò)程中的去離子水；其中，所述高壓水泵25的出水端與水槍23的末端間設(shè)置控制其間水流開(kāi)關(guān)的裝置，在本實(shí)施例一中，控制所述高壓水泵25的出水端與水槍23的末端間的水流開(kāi)關(guān)的裝置為控制閥26。進(jìn)一步地，所述清洗硅片的裝置2還包括位置傳感器(未圖示)，用于檢測(cè)水槍23是否處于抬高狀態(tài)；速度傳感器(未圖示)，用于檢測(cè)水槍23是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；所述位置傳感器與所述速度傳感器分別與控制閥26電連接。以下詳細(xì)描述采用本實(shí)施例一還提供的清洗硅片裝置2進(jìn)行硅片清洗的方法，該方法流程圖如圖7所示。在清洗過(guò)程中，水槍運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、水槍位置狀態(tài)、高壓水泵開(kāi)關(guān)狀態(tài)及控制閥的開(kāi)關(guān)狀態(tài)間的相互關(guān)系見(jiàn)表I所示。
權(quán)利要求
1.一種清洗硅片的裝置，包括 機(jī)械卡盤(pán)； 安裝在機(jī)械卡盤(pán)上的卡銷(xiāo)； 水槍?zhuān)? 水槍支撐裝置，所述水槍支撐裝置用于抬高或降低水槍?zhuān)? 高壓水泵，所述高壓水泵的出水端與水槍的末端連接，所述高壓水泵的進(jìn)水端用于輸入硅片清洗過(guò)程中的去離子水； 其特征在于，所述高壓水泵的出水端與水槍的末端間設(shè)置有控制其間水流開(kāi)關(guān)的裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置為控制閥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括 位置傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于抬高狀態(tài)； 速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)； 所述位置傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括 壓力傳感器，用于檢測(cè)高壓水泵是否處于非啟動(dòng)狀態(tài)； 速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)； 所述壓力傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接。
5.一種使用權(quán)利要求1所述的裝置清洗硅片的方法，其特征在于，包括 將硅片背面朝上放置在機(jī)械卡盤(pán)上，使用卡銷(xiāo)固定硅片； 控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)； 水槍由待工作位置經(jīng)過(guò)所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)；所述近點(diǎn)為水槍移動(dòng)過(guò)程中首先經(jīng)過(guò)的機(jī)械卡盤(pán)的邊緣位置，所述遠(yuǎn)點(diǎn)為水槍移動(dòng)過(guò)程中最后到達(dá)的靜電吸盤(pán)的邊緣位置；所述水槍在待工作位置及由近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程為處于抬高狀態(tài)；高壓水泵在水槍處于待工作位置及由近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程為關(guān)閉狀態(tài)； 降低水槍?zhuān)? 水槍開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)； 啟動(dòng)高壓水泵； 控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入打開(kāi)狀態(tài)； 水槍在近點(diǎn)與遠(yuǎn)點(diǎn)間來(lái)回掃描； 掃描完畢后，水槍處于近點(diǎn)位置，并升起； 水槍開(kāi)始進(jìn)入靜止?fàn)顟B(tài)； 關(guān)閉聞壓水栗； 控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)； 水槍由所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至待工作位置； 控制高壓水泵的出水 端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗硅片方法，其特征在于，先進(jìn)行所述水槍開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，接著進(jìn)行所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入打開(kāi)狀態(tài)步驟，然后進(jìn)行所述啟動(dòng)高壓水泵步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，先進(jìn)行所述水槍開(kāi)始進(jìn)入靜止?fàn)顟B(tài)步驟，接著進(jìn)行所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)步驟，然后進(jìn)行所述關(guān)閉高壓水泵步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗硅片方法，其特征在于，所述清洗硅片的裝置還包括 位置傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于抬高狀態(tài)； 速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)； 所述位置傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接； 所述清洗硅片的方法中，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到位置傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為是時(shí)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗硅片方法，其特征在于，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到位置傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為否時(shí)進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗硅片方法，其特征在于，所述清洗硅片的裝置還包括 壓力傳感器，用于檢測(cè)高壓水泵是否處于非啟動(dòng)狀態(tài)； 速度傳感器，用于檢測(cè)水槍是否開(kāi)始進(jìn)入運(yùn)動(dòng)狀態(tài)； 所述壓力傳感器與所述速度傳感器分別與所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置電連接； 所述清洗硅片的方法中，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到壓力傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為是時(shí)進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的清洗硅片方法，其特征在于，所述控制高壓水泵的出水端與水槍的末端間水流開(kāi)關(guān)的裝置獲取到壓力傳感器與速度傳感器的檢測(cè)結(jié)果都為否時(shí)進(jìn)入開(kāi)啟狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種清洗硅片的裝置，其采用控制裝置控制水流的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，使得在清洗硅片開(kāi)始前水槍從待工作位置經(jīng)過(guò)機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至遠(yuǎn)點(diǎn)過(guò)程中，及清洗完畢后水槍從所述機(jī)械卡盤(pán)的近點(diǎn)移至待工作位置過(guò)程中，保持水槍的出水端的水流關(guān)閉。本發(fā)明同時(shí)提供了使用該裝置清洗硅片的方法。由于上述兩個(gè)過(guò)程非常短暫，不會(huì)因?yàn)槎虝旱乃麝P(guān)閉影響噴頭的自潔功能，并避免了可能污染晶片的污染源，達(dá)到了清洗干凈的目的。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103065994SQ201110319308
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者彭利 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司