專利名稱：一種dmos器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Double-diffused Metal Oxide Semiconductor, DM0S)器件及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)對(duì)元器件的要求越來越高。目前，在芯片集成密度最大化的要求下，芯片的尺寸也在不斷地按比例縮小，相應(yīng)地，在制作平面型DMOS器件的工藝過程中，也遇到了越來越多的挑戰(zhàn)。要想在一個(gè)晶片上做出集成度更高的DMOS器件，就要將構(gòu)成DMOS器件基本組成單元的元胞做小，相應(yīng)地，多晶硅的開窗尺寸就必須要減小。現(xiàn)有技術(shù)中的平面型DMOS器件的制作方法主要包括如圖1所不,在N型娃襯底I上(N sub)生長(zhǎng)一層N型娃外延層2 (N Epi)。如圖2所示，在N型硅半導(dǎo)體外延層2上生長(zhǎng)一層用作絕緣層的柵氧化層3，該氧化層為二氧化硅(SiO2)，然后在該柵氧化層3上生長(zhǎng)一層用作柵極的多晶硅4。利用光刻工藝在所述多晶硅層4上制作一個(gè)多晶硅窗口圖形，然后通過刻蝕多晶硅得到如圖3所示的多晶硅窗口 5。利用多晶硅窗口 5做阻擋，在N型硅半導(dǎo)體外延層2上進(jìn)行離子注入，形成如圖4所示的P型體區(qū)(P Body) 6O在多晶硅窗口 5處采`用光刻工藝制作源區(qū)(SRC)圖形，如圖5所示，利用光刻膠(PR) 7做阻擋，在P型體區(qū)6中進(jìn)行源區(qū)(SRC)的注入，形成源區(qū)(SRC) 8，圖5中有4個(gè)源區(qū)(SRC)8。如圖6所示，利用光刻工藝制作出接觸孔(CONT)層形，再刻蝕出接觸孔9。上述制作DMOS器件工藝流程中，在分別制作體區(qū)(BODY)、源區(qū)(SRC)和接觸孔(CONT)的過程中，都采用了光刻和刻蝕工藝，導(dǎo)致平面型DMOS器件的制作工藝較復(fù)雜。并且，在制作體區(qū)(BODY)、源區(qū)(SRC)和接觸孔(CONT)的過程中，每次使用的光刻技術(shù)都要確保多晶硅窗口處的光刻膠7的位置不能太偏，由于光刻對(duì)準(zhǔn)本身有一定的套準(zhǔn)偏差，多晶硅的窗口至少要保持一定的寬度，并且光刻膠7的寬度也不能太窄，因此以上工藝都限制了多晶硅窗口尺寸的進(jìn)一步減小，導(dǎo)致DMOS器件內(nèi)元胞的集成度較低，進(jìn)而使得DMOS器件的性能較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種DMOS器件及其制作方法，用以簡(jiǎn)化DMOS器件的制作工
藝流程。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種DMOS器件的制作方法包括在生成了 N型硅半導(dǎo)體襯底、N型硅半導(dǎo)體外延層、柵氧化層及多晶硅層之后，在多晶硅層上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層，通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，露出柵氧化層；通過所述凹槽將P型體區(qū)注入N型硅半導(dǎo)體外延層，并對(duì)P型體區(qū)進(jìn)行驅(qū)入；通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種DMOS器件，該DMOS器件采用上述制作方法制作而成。本發(fā)明實(shí)施例，在生成了 N型硅半導(dǎo)體襯底、N型硅半導(dǎo)體外延層、柵氧化層及多晶硅層之后，在多晶硅層上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層，通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，露出柵氧化層；通過所述凹槽將P型體區(qū)注入N型硅半導(dǎo)體外延層，并對(duì)P型體區(qū)進(jìn)行驅(qū)入；通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中，從而在形成N型源區(qū)的過程中避免了采用光刻及刻蝕的過程，簡(jiǎn)化了 DMOS器件的制作流程。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)在娃襯底上生長(zhǎng)了外延層時(shí)的平面型DMOS器件剖面圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)在外延層上生長(zhǎng)了絕緣層和多晶硅時(shí)的平面型DMOS器件剖面圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)具有多晶硅窗口的平面型DMOS器件剖面圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)具有P型體區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)具有源區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖6為現(xiàn)有技術(shù)具有接觸孔的平面型DMOS器件剖面圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的DMOS器件的制作方法的流程圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的硅襯底上生長(zhǎng)了外延層的平面型DMOS器件剖面圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的外延層上生長(zhǎng)了氧化層的平面型DMOS器件剖面圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的生長(zhǎng)了多晶硅的平面型DMOS器件剖面圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅上生長(zhǎng)了第一介質(zhì)層的平面型DMOS器件剖面圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有多晶硅窗口的平面型DMOS器件剖面圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有P型體區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的P型體區(qū)驅(qū)入后的平面型DMOS器件剖面圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有源區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的生長(zhǎng)了氮化硅后的平面型DMOS器件剖面圖；圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有深體區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的在氮化硅上生長(zhǎng)了第二介質(zhì)層的平面型DMOS器件剖面圖；圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的在氮化硅側(cè)壁形成側(cè)墻后的平面型DMOS器件剖面圖；圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的源區(qū)內(nèi)具有P型重?fù)诫s區(qū)的平面型DMOS器件剖面圖；圖21為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有制作出接觸孔的平面型DMOS器件剖面
圖22為本發(fā)明實(shí)施例提供的生長(zhǎng)有用于連接源極的金屬層的平面型DMOS器件剖面圖23為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶背生長(zhǎng)有金屬層的平面型DMOS器件剖面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種DMOS器件及其制作方法，用以簡(jiǎn)化DMOS器件的制作工藝流程，減小DMOS器件多晶硅窗口尺寸，提高DMOS器件片內(nèi)元胞的集成度，進(jìn)而提高DMOS器件的性能。本發(fā)明實(shí)施例多次使用氧化層及氮化硅層刻蝕后形成的側(cè)墻的阻擋作用，采用自對(duì)準(zhǔn)注入方式，實(shí)現(xiàn)了在制作平面型DMOS器件的工藝流程中，省去了在元胞內(nèi)制作體區(qū)、源區(qū)、深體區(qū)和接觸孔的光刻和刻蝕過程，使得在完成同樣平面型DMOS器件結(jié)構(gòu)的前提下，簡(jiǎn)化了制作平面型DMOS器件的工藝流程，提高了芯片內(nèi)元胞的集成度，降低了 DMOS器件的制作成本。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，可以適用于平面型DMOS器件的制作。以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。參見圖7，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種DMOS器件的制作方法，包括步驟S101、在生成了 N型硅半導(dǎo)體襯底、N型硅半導(dǎo)體外延層、柵氧化層及多晶硅層之后，在多晶硅層上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層，通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，露出柵氧化層；S102、通過所述凹槽將P型體區(qū)注入N型硅半導(dǎo)體外延層，并對(duì)P型體區(qū)進(jìn)行驅(qū)A ；S103、通過所述 凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中。較佳地，通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中之后，該方法還包括生長(zhǎng)氮化娃層,該 氮化娃層在所述凹槽的多晶娃層和第一介質(zhì)層的側(cè)壁形成第一側(cè)墻；通過形成有第一側(cè)墻的凹槽，注入深體區(qū)。較佳地，注入深體區(qū)之后，該方法還包括積淀第二介質(zhì)層，該第二介質(zhì)層在凹槽的第一側(cè)墻上形成第二側(cè)墻；對(duì)第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，保留在凹槽的第一側(cè)墻上形成的第二側(cè)墻；通過形成有第二側(cè)墻的凹槽，在N型源區(qū)中注入P型重?fù)诫s；將所述第二側(cè)墻腐蝕掉。較佳地，將所述第二側(cè)墻腐蝕掉之后，該方法還包括對(duì)氮化硅層進(jìn)行刻蝕，保留所述第一側(cè)墻，露出N型源區(qū)和P型重?fù)诫s。較佳地，露出N型源區(qū)和P型重?fù)诫s之后，該方法還包括生長(zhǎng)第一金屬層，使得DMOS器件的源極和柵極的電性鏈接；通過生長(zhǎng)第二金屬層，形成DMOS器件的漏極。下面結(jié)合DMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖給出具體的制作流程介紹。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種平面型DMOS器件的制作方法，具體包括參見圖8,在N型娃半導(dǎo)體襯底(N sub)10上生長(zhǎng)一層N型娃半導(dǎo)體外延層(NEpi)11。參見圖9，采用熱氧化方法在所述N型硅半導(dǎo)體外延層(N Epi) 11上生長(zhǎng)一層厚度為1500埃(A )的初始氧化層12，該初始氧化層12為二氧化硅(SiO2)。采用氫氟酸(HF溶液)剝除掉初始氧化層12，目的是為了保證硅片表面的清潔，此時(shí)的DMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖如圖8所示。參見圖10，采用熱氧化的方式在表面非常干凈的外延層11上生長(zhǎng)一層厚度在500 IOOOA范圍內(nèi)的柵氧化層13，該柵氧化層的材料為二氧化硅(Si02)，然后將此時(shí)的DMOS器件放置在溫度為625°C的爐管中，生長(zhǎng)一層厚度為6000A的多晶硅(POLY)層14，該多晶硅層14用于制作DMOS器件的柵極，此時(shí)的DMOS器件的剖面圖如圖10所示。參見圖11，將圖10所示的DMOS器件放置的在爐管中或者化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposition, CVD)機(jī)臺(tái)中淀積一層厚度為2000A的介質(zhì)層(LPTEOS) 15,該介質(zhì)層作為第一介質(zhì)層15,且該介質(zhì)層的材料為Si02。淀積該第一介質(zhì)層15的目的是 為了后續(xù)在刻蝕氮化硅層時(shí)，保證N型源區(qū)(NSRC)表面的氮化硅刻蝕掉的同時(shí)，多晶硅層表面不露出來，即使得多晶硅(POLY) 14與N型源區(qū)絕緣，此時(shí)的DMOS器件結(jié)構(gòu)的剖面圖如圖11所示。參見圖12，利用傳統(tǒng)的光刻方法在第一介質(zhì)層15上刻出體區(qū)(BODY)的窗口圖形，然后采用含氟(F)的氣體對(duì)第一介質(zhì)層15上的體區(qū)窗口圖形進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕出一個(gè)以第一介質(zhì)層15為臺(tái)階的窗口，然后采用含氯(Cl)的氣體對(duì)第一介質(zhì)層15下面的多晶硅(POLY) 14層進(jìn)行刻蝕，最后刻蝕出如圖12所示的以第一介質(zhì)層15和多晶硅層14為臺(tái)階的窗口(即所述的凹槽)20。參見圖13，以第一介質(zhì)層15和多晶硅H(POLY)形成的窗口 20做屏蔽，對(duì)窗口 20下的N型硅外延層(N Epi)ll進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)方式的離子注入，注入的離子可以為正三價(jià)離子，如B3+，此時(shí)在外延層(N Epi)ll上通過自對(duì)準(zhǔn)方式注入的離子形成的區(qū)域?yàn)槿鐖D13所示的DMOS器件的體區(qū)(BODY) 21，該體區(qū)(BODY) 21為p型體區(qū)(P BODY)。只有在窗口 20的外延層(N Epi) 11區(qū)域才可以注入離子，其余外延層部分被第一介質(zhì)層15以及多晶硅(POLY) 14阻擋。所述外延層中離子的注入深度，即P型體區(qū)的深度，可以根據(jù)P型體區(qū)的結(jié)深而決定，注入離子的深度可以在I μ m左右。將圖13所示的具有P型體區(qū)21的DMOS器件放置在溫度約為1100°C的爐管中，進(jìn)行P型體區(qū)中離子的進(jìn)一步驅(qū)入，使得在P型體區(qū)(BODY) 21中注入的離子分布均勻，參見圖14，形成新的P型體區(qū)(BODY) 22。參見圖15，利用第一介質(zhì)層15和多晶硅(POLY) 14形成的窗口 20做屏蔽，在P型體區(qū)(BODY) 22中進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)方式的離子注入，該離子可以為正五價(jià)的雜質(zhì)離子，如P5+。此時(shí)在P型體區(qū)(BODY) 22中注入的離子形成的區(qū)域?yàn)镈MOS器件的N型源區(qū)(N SRC) 23。同理，由于第一介質(zhì)層15以及多晶硅(POLY) 14的阻擋，只有在窗口 20的外延層區(qū)域可以注入離子，此次注入離子的深度，即N型源區(qū)23的深度，根據(jù)N型源區(qū)23的結(jié)深而決定，深度約在Iym左右。參見圖16，將圖15所示的DMOS器件放置在爐管中生長(zhǎng)一層厚度約1500A的氮化娃(Si3N4)層16,氮化娃層16生長(zhǎng)的過程中與多晶娃(POLY)層14和第一介質(zhì)層15的側(cè)壁形成了如圖16所示的側(cè)墻(SPACER)(即所述的第一側(cè)墻)24，其中該側(cè)墻24的水平方向的尺寸(側(cè)墻厚度)等于生長(zhǎng)的該氮化硅層16的厚度(1500A),該側(cè)墻24的垂直方向的尺寸(側(cè)墻高度)等于多晶硅(POLY) 14、第一介質(zhì)層15以及氮化硅層16的厚度的總和，約9500A。此時(shí)形成的DMOS器件結(jié)構(gòu)的剖面圖如圖16所示。參見圖17，利用側(cè)墻24，采用自對(duì)準(zhǔn)方式對(duì)P型體區(qū)22進(jìn)行離子注入，在P型體區(qū)22和外延層11之間形成如圖17所示的深體區(qū)(DEEP BODY) 25，離子注入的深度約在I μ m左右，即深體區(qū)25的深度為Iym左右，此步驟形成深體區(qū)25的目的是為了提高非嵌位感性開關(guān)(Unclamped Inductive Switching, UIS)的能力。參見圖18，將圖17所示的DMOS器件放置在爐管中或者CVD機(jī)臺(tái)中淀積一層厚度約2000A的介質(zhì)層(TEOS)，此介質(zhì)層(TEOS)的制備工藝和第一介質(zhì)層15的制備工藝一致，所形成的介質(zhì)層(TEOS)為DMOS器件的第二介質(zhì)層17，此時(shí)的DMOS器件結(jié)構(gòu)的剖面圖如圖18所示。利用第二介質(zhì)層17在氮 化硅16的側(cè)壁形成的側(cè)墻(第二側(cè)墻)26，采用自對(duì)準(zhǔn)方式在DMOS器件的N型源區(qū)(SRC) 23中注入P型重?fù)诫s(P+)離子，形成如圖19所示的P型重?fù)诫s區(qū)域27。該P(yáng)型重?fù)诫s離子的濃度要高于N型源區(qū)23中的N型源(N SRC)的濃度，目的是要使得此次所注入的P型重?fù)诫s區(qū)域27的導(dǎo)電類型由原來的N型變成P型，該P(yáng)型重?fù)诫s區(qū)域27的作用是使得原來的N型源區(qū)23變成兩個(gè)源區(qū)。另外，也可以先將氮化硅層16之上的第二介質(zhì)層17刻蝕掉，僅保留第二側(cè)墻26，然后再采用自對(duì)準(zhǔn)方式在DMOS器件的N型源區(qū)23中注入P型重?fù)诫s(P+)離子，形成P型重?fù)诫s區(qū)域27。將圖19所示的DMOS器件放置在氫氟酸液中腐蝕掉氮化硅16，形成如圖20所示的DMOS器件結(jié)構(gòu)。對(duì)覆蓋于第一介質(zhì)層(TEOS) 15上的氮化娃層16進(jìn)行干法刻蝕,參見圖21,在多晶硅(POLY) 14和第一介質(zhì)層15的側(cè)壁留有氮化硅材質(zhì)的側(cè)墻(即所述的第一側(cè)墻)28，同時(shí)將多晶硅(POLY) 14和第一介質(zhì)層15窗口之間的硅襯底表面露出來，即將N型源區(qū)23的接觸孔29露出來。此時(shí)，在沒有經(jīng)過傳統(tǒng)器件制作工藝的光刻步驟的情況下，本發(fā)明實(shí)施例就已經(jīng)把需要的源極接觸孔29的位置做好了，簡(jiǎn)化了工藝流程。此時(shí)的DMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖如圖21所示。其中，一個(gè)側(cè)墻28、一個(gè)源極(即N型源區(qū))23和一個(gè)作為柵極的多晶硅14，即構(gòu)成一個(gè)DMOS器件基本組成單元的元胞，多晶硅的窗口尺寸決定了元胞的大小，決定了元胞在芯片上的密度，從而決定了元胞的集成度。參見圖21，由于源區(qū)之間的深體區(qū)注入?yún)^(qū)域的水平寬度很小，在不考慮該源區(qū)之間深體區(qū)注入?yún)^(qū)域的水平寬度的情況下，本發(fā)明多晶硅的窗口尺寸至少為2*氮化硅側(cè)墻28的水平厚度+2*第二介質(zhì)層17的側(cè)墻的水平厚度，其中氮化硅側(cè)墻28的水平厚度即為氮化硅層的厚度1500A (O. 15 μ m)，第二介質(zhì)層17側(cè)墻的水平厚度為第二介質(zhì)層17的厚度2000A (O. 2 μ m)。因此，本發(fā)明多晶硅的窗口尺寸為2*0. 15ym+2*0. 2μ = O. 7 μ m。傳統(tǒng)制作工藝多晶娃的窗口尺寸考慮到光刻工藝中光刻機(jī)的分辨率(O. 5μηι)和套準(zhǔn)精度(O. 15μπι)，如果源區(qū)的最小寬度為0.5μπι，則多晶硅的窗口尺寸至少為2*0. 5 μ m+2^0. 15 μ m+0. 5 = 0. 7 μ m =1. 8 μ m。本發(fā)明DMOS器件的制作方法得到的多晶硅開窗尺寸至少減小了1. Ιμπι，并且多晶硅窗口所用的面積也相應(yīng)減小。元胞密度定義為多晶硅開窗尺寸+多晶硅線條寬度，對(duì)于分辨率為O. 5μπι光刻機(jī)，多晶硅線條寬度最小值為O. 5μπι。所以，本發(fā)明優(yōu)化后的元胞密度為O. 7μπι+0. 5μπι =1. 2μπι，傳統(tǒng)制作工藝得到的元胞密度為1.8ym+0. 5ym= 2. 3 μ m，可以得到，本發(fā)明器件制作工藝優(yōu)化后的元胞密度提高率為47. 8% ((2. 3-1. 2)/2. 3 = 47. 8% )。參見圖22，采用濺射的方式在整個(gè)MOS器件上生長(zhǎng)一層厚度約3 4μπι的金屬層(第一金屬層)18，然后利用刻蝕的方法，將分別接觸柵極和接觸源極的金屬層分開，使得源極和柵極保持絕緣，以便進(jìn)行源極和柵極的電性鏈接，該金屬18的材料可以為鋁硅銅(AlSiCu)合金，此時(shí)制作好的DMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖如圖22所示。參見圖23，將DMOS器件的背部的硅晶片減薄到300 μ m厚，然后采用濺射或者蒸鍍的方式在所述減薄后的DMOS器件的背面先后生長(zhǎng)三層不同材料的金屬層(第二金屬層)，作為DMOS器件的晶背19，所述三層金屬層的材料分別可以為鈦(Ti)、鎳(Ni)、銀(Ag)，其中，最先鍍到DMOS器件背面的金屬層的材料為Ti，其次為Ni，最后為Ag。此時(shí)形成的晶背19即為DMOS器件的漏極，最終制作好的DMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖如圖23所示。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種DMOS器件及其制作方法，在DMOS器件的制作過程中，多次使用了氧化層/氮化硅層刻蝕后形成的側(cè)墻(SPACER)的阻擋作用，實(shí)現(xiàn)了體區(qū)(BODY)、源區(qū)(SRC)和深體區(qū)(DEEP BODY)的自對(duì)準(zhǔn)注入，同時(shí)也省去在元胞內(nèi)進(jìn)行接觸孔的光刻和刻蝕的步驟，使得在完成同樣器件結(jié)構(gòu)的前提下，省去了在元胞內(nèi)制作體區(qū)(BODY)、源區(qū)(SRC)和深體區(qū)(DEEP BODY)的光刻和刻蝕過程，簡(jiǎn)化了制作DMOS器件的工藝流程，降低了芯片的制作成本。同時(shí)，本發(fā)明平面型DMOS器件制作工藝減小了單個(gè)元胞的尺寸，優(yōu)化后的元胞密度提高率為47. 8%，提高了芯片內(nèi)元胞集成度，降低了芯片的制作成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā) 明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體DMOS器件的制作方法，其特征在于，該方法包括 在生成了 N型硅半導(dǎo)體襯底、N型硅半導(dǎo)體外延層、柵氧化層及多晶硅層之后，在多晶硅層上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層，通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，露出柵氧化層； 通過所述凹槽將P型體區(qū)注入N型硅半導(dǎo)體外延層，并對(duì)P型體區(qū)進(jìn)行驅(qū)入； 通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，包括 通過光刻，在第一介質(zhì)層上確定需要形成的凹槽的區(qū)域； 采用含氟的氣體對(duì)所述區(qū)域的第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，使得第一介質(zhì)層上形成凹槽，露出多晶娃層； 采用含氯的氣體對(duì)露出的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，使得多晶硅層上形成凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中之后，該方法還包括 生長(zhǎng)氮化硅層，該氮化硅層在所述凹槽的多晶硅層和第一介質(zhì)層的側(cè)壁形成第一側(cè) 通過形成有第一側(cè)墻的凹槽，注入深體區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻的厚度，為氮化硅層的厚度； 所述第一側(cè)墻的高度，為第一介質(zhì)層的厚度、多晶硅層的厚度以及氮化硅層的厚度的總和。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，注入深體區(qū)之后，該方法還包括 積淀第二介質(zhì)層，該第二介質(zhì)層在凹槽的第一側(cè)墻上形成第二側(cè)墻； 對(duì)第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，保留在凹槽的第一側(cè)墻上形成的第二側(cè)墻； 通過形成有第二側(cè)墻的凹槽，在N型源區(qū)中注入P型重?fù)诫s，形成P型重?fù)诫s區(qū)； 將所述第二側(cè)墻腐蝕掉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述P型重?fù)诫s的濃度，大于N型源區(qū)中的N型源的濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，將所述第二側(cè)墻腐蝕掉之后，該方法還包括 對(duì)氮化硅層進(jìn)行刻蝕，保留所述第一側(cè)墻，露出N型源區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，露出N型源區(qū)和P型重?fù)诫s區(qū)之后，該方法還包括 生長(zhǎng)第一金屬層，使得DMOS器件的源極和柵極的電性鏈接； 通過生長(zhǎng)第二金屬層，形成DMOS器件的漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為2000A。
10.一種雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體DMOS器件，其特征在于，該DMOS器件采用權(quán)利要求1-9任一權(quán)項(xiàng)所述方法制作而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種DMOS器件及其制作方法，用以減少DMOS器件的制作過程中的光刻和刻蝕過程，簡(jiǎn)化DMOS器件的制作工藝流程。所述方法包括在生成了N型硅半導(dǎo)體襯底、N型硅半導(dǎo)體外延層、柵氧化層及多晶硅層之后，在多晶硅層上生長(zhǎng)第一介質(zhì)層，通過光刻及刻蝕將多晶硅層和第一介質(zhì)層形成凹槽，露出柵氧化層；通過所述凹槽將P型體區(qū)注入N型硅半導(dǎo)體外延層，并對(duì)P型體區(qū)進(jìn)行驅(qū)入；通過所述凹槽將N型源區(qū)注入P型體區(qū)中。
文檔編號(hào)H01L21/027GK103050405SQ20111031258
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者馬萬里, 趙文魁 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司