專利名稱：用于處理硅襯底的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于處理硅襯底(silicon substrate)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
硅膜用于包含半導(dǎo)體裝置的各種電子裝置中，例如在有機(jī)發(fā)光顯示器裝置或液晶顯示器裝置中用作驅(qū)動裝置的薄膜晶體管(thin-film transistor) 0然而，氧化硅膜自然地形成在硅膜的表面上。形成在硅膜表面上的此氧化硅膜可能影響將由硅膜形成的電子裝置的特性，且可能在制造工藝期間成為例如微粒等污染的來源。因此，有必要移除氧化硅膜。此外，硅膜(且更特定來說，多晶硅膜)是通過使非晶硅膜(amorphous silicon film)結(jié)晶(例如，ELA)而形成。此處，如果多晶硅膜的表面均勻性不夠，那么將使用多晶硅膜制造的電子裝置的特性受到顯著影響。因此，有必要改進(jìn)多晶硅膜的表面均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于處理硅襯底以有效地移除形成在硅膜表面上的氧化硅膜且改進(jìn)硅膜的表面均勻性的方法和設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種處理硅襯底的方法，所述方法包含提供包含硅膜的襯底；在第一時段內(nèi)向襯底表面提供能夠蝕刻氧化硅膜的第一流體；以及在第二時段內(nèi)向襯底表面提供第二流體，所述第二流體能夠蝕刻氧化硅膜，具有與第一流體相比不同的成分，且具有對于氧化硅膜的高蝕刻比，所述第二時段不同于第一時段。第一流體含有臭氧溶液。第二流體含有氟或氟化銨溶液。所述方法進(jìn)一步包含在第三時段內(nèi)到襯底表面的含有水的第三流體，所述第三時段不同于第一時段和第二時段。第三時段安排在第一時段與第二時段之間。所述襯底平行于地面而布置或相對于地面傾斜。第一到第三流體中的至少一者從硅膜表面的第一端循序供應(yīng)到硅膜表面的第二端。第一到第三時段彼此部分重疊。
第一到第三時段經(jīng)安排以具有不同的開始時間。將流體切割空氣提供到襯底表面以移除保留在襯底表面上的第一到第三流體中的至少一者，且將所述流體切割空氣在第四時段內(nèi)提供到襯底表面，所述第四時段不同于第一到第三時段且安排在第一到第三時段中的至少兩者之間。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種硅襯底處理設(shè)備，所述硅襯底處理設(shè)備包含支撐基底，其用于支撐包含硅膜的襯底；流體供應(yīng)單元，其向襯底表面提供用于蝕刻氧化硅膜的流體；水供應(yīng)單元，其將水提供到所述襯底表面；以及控制單元，其連接到流體供應(yīng)單元和水供應(yīng)單元，且控制流體供應(yīng)單元和水供應(yīng)單元以分別在不同時段內(nèi)提供所述用于蝕刻氧化硅膜的流體和水。流體供應(yīng)單元包含第一流體供應(yīng)單元，其向襯底表面提供能夠蝕刻氧化硅膜的第一流體且連接到控制單元；以及第二流體供應(yīng)單元，其向襯底表面提供第二流體且連接到控制單元，所述第二流體能夠蝕刻氧化硅膜，具有與第一流體相比不同的成分，且具有對于氧化硅膜的與第一流體相比較高的蝕刻比。 控制單元控制流體供應(yīng)單元以分別在不同時段內(nèi)提供第一流體和第二流體。第一流體含有臭氧溶液。第二流體含有氟或氟化銨溶液。支撐基底經(jīng)布置以調(diào)整襯底相對于地面的傾斜。所述硅襯底處理設(shè)備進(jìn)一步包含流體切割空氣供應(yīng)單元，其向襯底表面提供流體切割空氣且連接到控制單元，其中控制單元同時接通流體切割空氣供應(yīng)單元和第一流體供應(yīng)單元，或同時接通流體切割空氣供應(yīng)單元和第二流體供應(yīng)單元?？諝夤?yīng)單元包含空氣噴嘴單元，其向襯底表面提供流體切割空氣；空氣驅(qū)動單元，其連接到空氣噴嘴單元并驅(qū)動空氣噴嘴單元；以及空氣罐，其連接到空氣噴嘴單元并向空氣噴嘴單元供應(yīng)流體切割空氣。流體供應(yīng)單元包含流體噴嘴單元，其向襯底表面提供用于蝕刻氧化硅膜的流體； 流體驅(qū)動單元，其連接到流體噴嘴單元并驅(qū)動流體噴嘴單元；以及流體槽，其連接到流體噴嘴單元并向流體噴嘴單元供應(yīng)流體；且水供應(yīng)單元包含水噴嘴單元，其向襯底表面提供水；水驅(qū)動單元，其連接到水噴嘴單元并驅(qū)動水噴嘴單元；以及水槽，其連接到水噴嘴單元并向水噴嘴單元供應(yīng)水。流體噴嘴單元和水噴嘴單元彼此集成且選擇性地向襯底表面提供流體和水，且流體驅(qū)動單元和水驅(qū)動單元彼此集成。流體供應(yīng)單元或水供應(yīng)單元包含噴嘴單元，其包含流體或水在其中流動的第一供應(yīng)管以及布置在第一供應(yīng)管的長度方向上的多個噴嘴；以及槽，其連接到噴嘴單元并向噴嘴單元供應(yīng)流體或水。噴嘴單元進(jìn)一步包含第二供應(yīng)管，其將第一供應(yīng)管的兩個相對端互連。 噴嘴包含循序地形成在來自襯底的方向上的第一開口和第二開口，且第一開口大于第二開口。第一開口具有圓形或橢圓形形狀。由于此類蝕刻劑和水可提供在同一腔室中，所以根據(jù)本發(fā)明的硅襯底處理設(shè)備可更緊湊地配置。


通過參看附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的以上和其它特征及優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中圖1是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖2是繪示圖1所示的控制單元所控制的第一到第三時段的實例的時序圖。圖3是繪示圖1所示的控制單元所控制的第一到第三時段的另一實例的時序圖。圖4是繪示圖1所示的控制單元所控制的第一到第三時段的另一實例的時序圖。圖5是繪示圖1所示的控制單元所控制的第一到第三時段的另一實例的時序圖。圖6是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖7是繪示圖6所示的控制單元所控制的第一到第四時段的實例的時序圖。圖8是繪示圖6所示的控制單元所控制的第一到第四時段的另一實例的時序圖。圖9是繪示圖6所示的控制單元所控制的第一到第四時段的另一實例的時序圖。圖10是繪示圖6所示的控制單元所控制的第一到第四時段的另一實例的時序圖。圖11是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖12是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖13是更詳細(xì)繪示圖12所示的第一流體供應(yīng)單元的實例的分解透視圖。圖14是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖15是更詳細(xì)繪示圖12所示的第一噴嘴單元的實例的分解透視圖。圖16A和16B是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖15所示的噴嘴的仰視圖和截面圖。圖17A和17B是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的圖15所示的噴嘴的仰視圖和截面圖。圖18是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖19是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖20是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖21是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖22是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。圖23是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅襯底處理系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式下文中，將通過參看附圖闡釋本發(fā)明的優(yōu)選實施例來詳細(xì)描述本發(fā)明。圖1是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖。如圖1所示，根據(jù)當(dāng)前實施例的硅襯底處理設(shè)備包含支撐襯底10的支撐基底 (supporting base) 20、第一到第三流體供應(yīng)單元50，和控制單元70。襯底10 (在根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行處理之前)可為特定用于顯示器設(shè)備的各種類型的襯底中的任一者，且可包含基底襯底11、硅膜12和氧化硅膜13?；滓r底11可為玻璃襯底、塑料襯底或金屬襯底。盡管未圖示，但由有機(jī)材料和 /或無機(jī)材料形成的絕緣層可進(jìn)一步布置在基底襯底11的表面上?？赏ㄟ^在基底襯底11的表面上形成非晶硅膜而獲得硅膜12。硅膜12可經(jīng)由稍后的結(jié)晶工藝而變成多晶硅膜。結(jié)晶工藝可為激光結(jié)晶工藝，例如ELA。然而，本發(fā)明不限于此，且可采用各種類型的結(jié)晶工藝中的任一者。通過使硅膜12結(jié)晶獲得的多晶硅膜可用作例如顯示器設(shè)備的薄膜晶體管的有源層。此處，非晶硅膜在圖案化和摻雜之后也可用作薄膜晶體管的有源層。氧化硅膜13形成在硅膜12的表面上。氧化硅膜13是在硅膜12的表面與空氣中的氧或氮組合時形成的天然氧化物膜，其中氧化硅膜13的厚度一般從約5人到約1,000人。襯底10不限于上面如上所述形成硅膜12的基底襯底11，且可為包含硅膜的各種類型的襯底中的任一者，例如包含硅膜的硅晶片。支撐基底20包含用于支撐襯底10的所有單元。盡管支撐基底20繪示為支撐圖1中的襯底10的底部表面的類似于桌子的單元， 但本發(fā)明不限于此，且可應(yīng)用各種結(jié)構(gòu)中的任一者，只要襯底10可被支撐且對準(zhǔn)即可。支撐基底20可經(jīng)布置以可相對于下文描述的第一到第三流體供應(yīng)單元30到50進(jìn)行相對移動。第一到第三流體供應(yīng)單元30到50是用于向襯底10的表面供應(yīng)第一到第三流體的單元，且更特定來說，用于向形成在硅膜12的表面上的氧化硅膜13的表面供應(yīng)第一到第三流體的單元。第一流體供應(yīng)單元30經(jīng)布置以連接到單獨的第一流體槽(fluid reservoir)(未圖示)，且將第一流體施加到襯底10的表面，其中第一流體支撐單元30可經(jīng)布置以可相對于支撐基底20進(jìn)行相對移動。第二流體供應(yīng)單元40經(jīng)布置以連接到單獨的第二流體槽(未圖示)，且將第二流體施加到襯底10的表面，其中第二流體支撐單元40可經(jīng)布置以可相對于支撐基底20進(jìn)行相對移動。第三流體供應(yīng)單元50經(jīng)布置以連接到單獨的第三流體槽(未圖示)，且將第三流體施加到襯底10的表面，其中第三流體支撐單元50可經(jīng)布置以可相對于支撐基底20進(jìn)行相對移動。第一流體含有用于蝕刻形成在硅膜12表面上的氧化硅膜13的溶液。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一流體可含有臭氧溶液。第一流體展示與下文描述的第二流體相比對于氧化硅膜13的較低蝕刻速率，且因此第一流體可用作用于清潔襯底表面上的有機(jī)材料的清潔流體。因此，第一流體可用中性或堿性清潔流體代替。第二流體可蝕刻形成在硅膜12表面上的氧化硅膜13，具有與第一流體相比不同的成分，且含有展示對于氧化硅膜13的較高蝕刻比的溶液。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第二流體可含有氟或氟化銨溶液。因此，第一流體供應(yīng)單元30和第二流體供應(yīng)單元40在本文中也可稱為流體供應(yīng)單元。第三流體是用于稀釋襯底10表面上的第一流體和第二流體的流體。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第三流體可含有水，且所述水可為去離子水(deionized water，DI水)。第三流體可充當(dāng)用于停止蝕刻劑(即，襯底10表面上的第一流體和第二流體)的反應(yīng)的緩沖流體 (buffer fluid)。第三流體供應(yīng)單元50在本文中也可稱為水供應(yīng)單元。
第一到第三流體供應(yīng)單元30到50提供第一到第三流體，使得第一到第三流體均勻地散布在整個襯底10上，其中第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可相對于支撐襯底10 的支撐基底20進(jìn)行相對移動。換句話說，支撐基底20可在第一到第三流體供應(yīng)單元30到 50固定的同時移動，或第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可在支撐基底20固定的同時移動。在下文描述的本發(fā)明的實施例中，假定第一到第三流體供應(yīng)單元30到50在支撐基底 20固定的同時移動。盡管圖1繪示第一到第三流體供應(yīng)單元30到50為單獨單元，但本發(fā)明不限于此，且第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可經(jīng)由單獨的閥和管道連接到單一噴射噴嘴(ejecting nozzle)，以防止第一到第三流體彼此混合。稍后將給出其詳細(xì)描述。第一到第三流體供應(yīng)單元30到50中的每一者的寬度可對應(yīng)于襯底10的寬度，且因此第一到第三流體可在單一掃描中在襯底10的整個表面上提供。然而，本發(fā)明不限于此，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50中的每一者的寬度可小于襯底10的寬度，使得第一到第三流體可在多次掃描中提供。或者，襯底10可相對于垂直于第一到第三流體供應(yīng)單元 30到50的移動方向的方向傾斜，使得第一到第三流體可在單一掃描中均勻地散布在襯底 10的整個表面上。此外，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可具有各種結(jié)構(gòu)中的任一者，只要可向襯底10表面提供第一到第三流體即可。舉例來說，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50中的至少一者可包含多個噴霧噴嘴 (spraying nozzle)并噴出流體。此外，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50中的至少一者可噴射呈流動的流體形式的流體。此處，流體可直接朝襯底10表面噴射?；蛘?，流體可在相對于襯底10表面形成預(yù)定角的方向上噴射，使得流體可流動并掉落到襯底10表面。第一到第三流體供應(yīng)單元30到50連接到控制單元70，且因此由控制單元70控制第一到第三流體供應(yīng)單元30到50噴射流體的時間。換句話說，根據(jù)本發(fā)明，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50分別以不同的供應(yīng)起始時間(即，在不同時間點)噴射第一到第三流體。第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可經(jīng)設(shè)計使得第一到第三流體供應(yīng)單元30到 50中的每一者的移動不受彼此干擾。因此，控制單元70可容易地改變供應(yīng)第一到第三流體的序列。盡管圖1繪示布置所有第一到第三流體供應(yīng)單元30到50，但本發(fā)明不限于此。盡管未圖示，但可布置第一到第三流體供應(yīng)單元30到50中的至少兩者。圖2繪示用于噴射第一到第三流體的時間的實例。根據(jù)本發(fā)明的實施例，如圖2所示，第三流體3可在第一時段tl與第二時段t2之間的第三時段t3內(nèi)提供到襯底10。換句話說，如圖2所示，第三流體3在提供第一流體1之后且在提供第二流體2之前提供到襯底10。此處，當(dāng)?shù)谌黧w3提供到襯底10時，保持在襯底10表面上的第一流體1可由第三流體3清潔，且因此可避免歸因于第二流體2與剩余的第一流體1混合而不能獲得所要蝕刻比的問題。因此，可準(zhǔn)確地管理蝕刻比，且可在大規(guī)模生產(chǎn)工藝中改進(jìn)質(zhì)量的均勻性。圖2中，第三時段t3的開始時間與第一時段tl的結(jié)束時間相同，且第二時段t2的開始時間與第三時段t3的結(jié)束時間相同。然而，本發(fā)明不限于此。盡管未圖示，但可例如在第三時段t3內(nèi)在第一時段tl中提供第一流體1之后的預(yù)定時間周期內(nèi)提供第三流體 3。此外，可在第二時段t2內(nèi)在第三時段t3中提供第三流體3之后的預(yù)定時間周期內(nèi)提供第二流體2。盡管圖2繪示第一到第三時段tl到t3具有相同時間寬度，但第一到第三時段tl 到t3中的每一者的時間寬度可適當(dāng)?shù)乜紤]第一到第三流體的反應(yīng)而進(jìn)行調(diào)整?？呻S著第一到第三流體供應(yīng)單元30到50的移動速度而調(diào)整第一到第三時段tl到t3中的每一者的時間寬度。如圖2所示，如果首先將第一流體1提供到襯底10，那么圖1所示的氧化硅膜13 表面上的有機(jī)材料可被沖洗，且氧化硅膜13可同時被部分蝕刻。在施加第三流體3之前， 第一流體1保持在襯底10上至少持續(xù)第一時段tl的時間寬度。因此，可通過控制第一時段tl的時間寬度來控制歸因于第一流體1的反應(yīng)。此處，如果存在第一時段tl與第三時段 t3之間的預(yù)定時間周期，那么可考慮所述預(yù)定時間周期來控制歸因于第一流體1的反應(yīng)。接下來，噴射第三流體3以清潔來自襯底10表面的第一流體1，使得第一流體1不再反應(yīng)或第一流體1的反應(yīng)變?nèi)?。接下來，將最?qiáng)蝕刻劑(即，第二流體2、噴射到襯底10以蝕刻氧化硅膜13。通過控制第二流體2保持在襯底10表面上的時間周期，可蝕刻氧化硅膜13且可同時部分蝕刻硅膜12的表面，且因此可改進(jìn)硅膜12表面的平坦度。如上文描述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，將第一流體1、第三流體3和第二流體2以所述次序提供到襯底10，且因此可消除氧化硅膜13且可改進(jìn)硅膜12表面的平坦度。然而，第一到第三流體的提供次序不限于此，且可以各種序列中的任一者提供第一到第三流體。舉例來說，僅第一流體1和第三流體3可在不同時段內(nèi)提供，或僅第二流體2和第三流體3可在不同時段內(nèi)提供。此外，可將第二流體2、第三流體3和第一流體1以所述次序提供到襯底10。然而，可在提供蝕刻劑(即，第一流體1和第二流體2、之前和之后提供第三流體3。 因此，可通過使用第三流體3來控制蝕刻劑(即，第一流體1和第二流體2、的反應(yīng)時間。第一到第三流體供應(yīng)單元30到50根據(jù)圖2所示的時間在圖1中從左向右掃描。 然而，本發(fā)明不限于此，且第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可往復(fù)運(yùn)動并如圖3所示而掃描。換句話說，如圖3所示，在第一時段tl內(nèi)首先提供第一流體1之后，在第三時段t3 內(nèi)提供第三流體3，且接著在第二時段t2的兩倍時間內(nèi)提供第二流體2。接下來，分別在第三時段t3和第一時段tl內(nèi)以所述次序提供第三流體3和第一流體1。此處，第二流體2不必為第二時段t2的兩倍時間，且在第二時段t2內(nèi)提供第二流體2。根據(jù)當(dāng)前實施例，以第一流體1、第三流體3、第二流體2、第三流體3和第一流體1 的次序向襯底10提供第一到第三流體。因此，可移除氧化硅膜13且可進(jìn)一步改進(jìn)硅膜12 表面的平坦度。此外，可更有效地清潔襯底10的表面。然而，第一到第三流體的提供序列不限于此，且可以各種序列中的任一者提供第一到第三流體。換句話說，可以第二流體2、第三流體3、第一流體1、第三流體3和第二流體2的次序向襯底提供第一到第三流體?；蛘撸?可以第三流體3、第一流體1、第三流體3、第二流體2、第三流體3、第一流體1和第三流體3 的次序向襯底提供第一到第三流體?；蛘?，可以第三流體3、第二流體2、第三流體3、第一流體1、第三流體3、第二流體2和第三流體3的次序向襯底提供第一到第三流體。在圖4所示的實施例中，第一到第三流體1到3中的每一者是在其它流體中的一者的噴射完成之前以預(yù)訂時間間隔噴射。如上文描述，因為第一到第三時段tl到t3以不同的開始時間彼此重疊，所以第一到第三時段tl到t3的時間寬度可彼此相同。在圖5所示的實施例中，圖4所示的實施例的第一到第三流體供應(yīng)單元30到50 從左向右掃描，且接著從右向左掃描。如上文描述，通過在圖4和5所示的實施例中控制第一到第三時段tl到t3的開始時間和時間寬度，可控制氧化硅膜13的蝕刻比和硅膜12的平坦度。此外，還可改進(jìn)工藝速度。圖6繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備，其是根據(jù)圖1所示的實施例的硅襯底處理設(shè)備，進(jìn)一步包含連接到控制單元70的空氣供應(yīng)單元60。與第一到第三流體供應(yīng)單元30到50相同，空氣供應(yīng)單元60相對于支撐基底20 進(jìn)行相對移動且將流體切割空氣(fluid cutting air)提供到襯底10表面。流體切割空氣是用于移除在先前操作中提供到襯底10且通過使用空氣壓力推動第一到第三流體而保留的第一到第三流體中的至少一者。因此，第一到第三流體不在襯底 10表面上彼此混合，且因此可防止蝕刻劑(即，第一流體和第二流體)的不合需要的濃度變化。因此，可通過使用流體切割空氣精確地控制第一流體和第二流體的蝕刻速度，且可容易控制第三流體3的緩沖。盡管圖6繪示僅布置一個空氣供應(yīng)單元60，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)機(jī)制設(shè)計條件，可布置各種數(shù)目的空氣供應(yīng)單元60中的任一者，使得第一到第三流體中的至少兩者不彼此混合。此外，空氣供應(yīng)單元60的操作不干擾第一到第三流體供應(yīng)單元30到50的操作， 且因此可保證空氣供應(yīng)單元60的操作序列的自由度。如圖7所示，在第四時段t4內(nèi)將流體切割空氣4提供到襯底10表面，所述第四時段t4不同于第一到第三時段tl到t3，其中第四時段t4安排在第一到第三時段tl到t3中的至少兩者之間。圖7中，第四時段t4安排在第一時段tl與第三時段t3之間以及第三時段t3與第二時段t2之間。然而，本發(fā)明不限于此，且第四時段t4可僅安排在第一時段tl 與第三時段t3之間或第三時段t3與第二時段t2之間。此外，第四時段t4的開始時間不必為第一時段tl的結(jié)束時間或第三時段t3的結(jié)束時間，且第四時段t4可在第一時段tl 或第三時段t3之后的預(yù)定時間開始。圖7繪示將用于提供流體切割空氣4的第四時段t4施加到圖2所示的實施例。盡管未圖示，但用于提供流體切割空氣4的時段t4也可施加到圖3所示的實施例。在此情況下，第四時段t4可安排在第一到第三時段tl到t3中的至少兩者之間。圖8繪示將用于提供流體切割空氣4和4'的第四時段t4'施加到圖4所示的實施例。在此情況下，第四時段t4安排在第一時段tl與第三時段t3之間，而第四時段t4' 安排在第三時段t3與第二時段t2之間。根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計條件，可僅安排第四時段t4和第四時段t4'中的一者。圖9繪示第四時段t4和t4'分別安排在第一時段tl與第三時段t3之間以及第三時段t3與第二時段t2之間(圖5所示)。在圖9所示的實施例中，在供應(yīng)第一流體1之后，以所述次序連續(xù)供應(yīng)流體切割空氣4'、第三流體3、流體切割空氣4'和第二流體2。接下來，以相反次序供應(yīng)第一流體1、流體切割空氣4'、第三流體3、流體切割空氣4'和第二流體2。圖10繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于供應(yīng)流體切割空氣4"和4'的時間。 首先，在第一時段tl結(jié)束之后，第四時段t4"和第三時段t3開始。此外，在第三時段t3結(jié)束之后，第四時段t4'和第二時段t2開始。當(dāng)?shù)谝坏降谌黧w供應(yīng)單元30到50以及空氣供應(yīng)單元60返回時，所述序列可顛倒。圖9和10繪示其中第一到第三流體供應(yīng)單元30到50以及空氣供應(yīng)單元60往復(fù)運(yùn)動的實例。然而，所述實施例也可應(yīng)用于其中第一到第三流體供應(yīng)單元30到50以及空氣供應(yīng)單元60在單一方向上移動的情況。上文描述的時序圖繪示在其期間將第一到第三流體1到3以及流體切割空氣4供應(yīng)到襯底10的時間周期。因此，在圖4和5中，由于第一到第三流體1到3循序接觸襯底 10，所以第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可在實際操作中同時接通，使得將第一到第三流體1到3循序提供到襯底10。此外，在圖8到10中，供應(yīng)流體切割空氣4、4'和4"的空氣供應(yīng)單元60可與第一流體供應(yīng)單元30和/或第二流體供應(yīng)單元40和/或第三流體供應(yīng)單元50同時接通，使得可將流體切割空氣4、4'和4"供應(yīng)到襯底10。在上文描述的實施例中，襯底10平行于地面而布置。然而，本發(fā)明不限于此。如圖11所示，單獨的傾斜單元(tilting unit) 21可布置在支撐基底20處，且因此襯底10可相對于地面傾斜。傾斜單元21可旋轉(zhuǎn)支撐基底20，使得如圖11所示襯底10垂直于地面而布置?；蛘?，盡管未圖示，但傾斜單元21可旋轉(zhuǎn)支撐基底20，使得襯底10相對于地面傾斜且相對于地面形成銳角。盡管支撐基底20具有如上所述的類似于桌子的形狀，但本發(fā)明不限于此，且支撐基底20可具有各種形狀中的任一者，只要襯底10可傾斜和固定即可。在圖11所示的實施例中，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50可噴射第一到第三流體，使得第一到第三流體從襯底10上方流動到襯底10表面，且更特定來說，流動到氧化硅膜13表面。因此，在此情況下，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50不必相對于支撐基底20 進(jìn)行相對移動。同時，在當(dāng)前實施例中，提供流體切割空氣4的空氣供應(yīng)單元60可相對于支撐基底20進(jìn)行相對移動，且可移除襯底10表面上的第一到第三流體中的至少一者。如圖11所示，在襯底10的表面相對于地面傾斜的情況下，第一到第三流體的通量可得到控制，使得第一到第三流體均勻地散布在整個襯底10表面上。如上文描述的硅襯底處理設(shè)備可布置在單一腔室中，且因此可緊湊地配置整個硅襯底處理設(shè)備。如圖1所示的硅襯底處理設(shè)備可規(guī)定為如圖12所示。圖12是繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的硅襯底處理設(shè)備的配置的示意圖，且圖13是更詳細(xì)繪示圖12所示的第一流體供應(yīng)單元30的實例的分解透視圖。第一流體供應(yīng)單元30包含第一噴嘴單元31和第一驅(qū)動單元32。第二流體供應(yīng)單元40包含第二噴嘴單元41和第二驅(qū)動單元42。第三流體供應(yīng)單元50包含第三噴嘴單元 51和第三驅(qū)動單元52。第一噴嘴單元31和第二噴嘴單元41構(gòu)成權(quán)利要求書中所述的流體噴嘴單元，而第一驅(qū)動單元32和第二驅(qū)動單元42構(gòu)成權(quán)利要求書中所述的流體驅(qū)動單元。此外，第三噴嘴單元51和第三驅(qū)動單元52分別構(gòu)成權(quán)利要求書中所述的水噴嘴單元和水驅(qū)動單元。第一到第三驅(qū)動單元32到52分別包含第一到第三驅(qū)動塊33到53以及第一到第三導(dǎo)引件(guide) 34到M。第一到第三導(dǎo)引件34到M經(jīng)布置以在沿襯底10表面的方向上延伸。第一到第三驅(qū)動塊33到53分別經(jīng)布置以在單一方向上移動或沿著第一到第三導(dǎo)引件34到M往復(fù)運(yùn)動。此處，第一到第三驅(qū)動塊33到53以及第一到第三導(dǎo)引件34到M 可包含線性馬達(dá)單元。第一到第三驅(qū)動塊33到53可經(jīng)設(shè)計以不僅沿第一到第三導(dǎo)引件34到M移動， 而且間歇地將第一到第三流體供應(yīng)到第一到第三噴嘴單元31到51。此處，由控制單元70 操作的打開/關(guān)閉側(cè)可布置在第一到第三驅(qū)動塊33到53中，使得可選擇性地阻擋來自第一到第三槽35到55的第一到第三流體的供應(yīng)。此外，可進(jìn)一步布置用于將第一到第三流體穩(wěn)定地供應(yīng)到第一到第三噴嘴單元31到51的泵單元(pump unit)。圖12繪示第一到第三驅(qū)動塊33到53分別沿單獨導(dǎo)引件移動。然而，本發(fā)明不限于此，且如圖14所示，所有第一到第三驅(qū)動塊33到53均可連接到導(dǎo)引件(例如，第二導(dǎo)引件44)且沿第二導(dǎo)引件44移動。因此，可進(jìn)一步解決硅襯底處理設(shè)備的空間限制。所述實施例可應(yīng)用于下文描述的所有實施例。如圖13所示，第一噴嘴單元31可形成為第一噴嘴塊311和第二噴嘴塊312(彼此組合)，其中兩塊之間形成空間以在其中容納第一流體。多個穿透孔(penetration hole) 314形成在第一噴嘴塊311和第二噴嘴塊312中，且噴嘴313形成在第一流體的排放方向上。噴嘴313可為單一線性開口或以恒定間隔形成的多個孔。噴嘴313可形成為面朝襯底10表面。然而，本發(fā)明不限于此，且噴嘴313可經(jīng)形成使得可在相對于襯底10表面形成預(yù)定角的方向上噴射流體，使得所述流體可流動并掉落到襯底10表面。第一連接單元36的第一端連接到第一噴嘴單元31的穿透孔314，而第一連接單元 36的第二端連接到第一驅(qū)動塊33和第一驅(qū)動塊33的打開/關(guān)閉側(cè)。第一連接單元36可布置為連接管。盡管圖13繪示第一噴嘴單元31，但第二噴嘴單元41和第三噴嘴單元51可經(jīng)形成以具有相同結(jié)構(gòu)，且因此將省略對其的詳細(xì)描述。第一到第三槽35到55分別儲存第一到第三流體且可分別連接到第一到第三驅(qū)動塊33到53。然而，本發(fā)明不限于此，且第一到第三槽35到55可經(jīng)由控制單元70連接到第一到第三驅(qū)動塊33到53，或可經(jīng)由單獨的閥和/或管而連接到第一到第三驅(qū)動塊33到 53。同時，盡管未圖示，但第一到第三噴嘴單元31到51的寬度對應(yīng)于襯底10的寬度， 且因此第一到第三流體可在單一掃描中提供在整個襯底10表面上。然而，本發(fā)明不限于此，且第一到第三噴嘴單元31到51中的每一者的寬度可小于襯底10的寬度，使得可在多次掃描中提供第一到第三流體。或者，襯底10可相對于垂直于第一到第三噴嘴單元31到 51的移動方向的方向傾斜，使得第一到第三流體可在單一掃描中均勻地散布在整個襯底 10表面上。第一到第三驅(qū)動單元32到52連接到控制單元70，且因此控制單元70控制用于噴射第一到第三流體的時間。換句話說，根據(jù)本發(fā)明，第一到第三驅(qū)動單元32到52分別在不同時段內(nèi)噴射第一到第三流體。盡管圖12中未清楚展示，但第一到第三驅(qū)動單元32到52可經(jīng)設(shè)計以不干擾彼此的移動。因此，控制單元70可容易改變供應(yīng)第一到第三流體的序列。同時，第一噴嘴單元31不限于圖13所示的結(jié)構(gòu)，且可為用于在其中噴射流體的單兀。圖15是更詳細(xì)繪示第一噴嘴單元30的實例的分解透視圖。根據(jù)圖15所示的實施例的第一噴嘴單元30包含第一供應(yīng)管301和第二供應(yīng)管 302，第二供應(yīng)管302將第一供應(yīng)管301的兩個相對端互連。第一塊303連接到第一供應(yīng)管301的兩個相對端。此外，第二供應(yīng)管302經(jīng)布置以具有對應(yīng)于第一供應(yīng)管301的長度的長度，且第二塊304連接到第二供應(yīng)管302的兩個相對端。第三供應(yīng)管將連接到第一供應(yīng)管301的兩個相對端的第一塊303與連接到第二供應(yīng)管302的兩個相對端的第二塊304互連，因此將第一供應(yīng)管301與第二供應(yīng)管302互連。 此外，第四供應(yīng)管307連接到第二塊304中的一者以供應(yīng)流體。第四供應(yīng)管307還可連接到第一塊303中的一者。在圖12中，第四供應(yīng)管307可連接到第一驅(qū)動塊33且連接到外部槽(未圖示)。如上文所描述，當(dāng)?shù)谝还?yīng)管301的兩個相對端經(jīng)由第二供應(yīng)管302彼此連接時， 可以相對均勻性在長度方向上將流體供應(yīng)到整個第一供應(yīng)管301，且因此可減小通過噴嘴 310噴射的流體量的偏差。噴嘴310布置在第一供應(yīng)管301下方。圖16A和16B繪示根據(jù)本發(fā)明的實施例的噴嘴310。噴嘴310包含第一開口 3101和第二開口 3102，其以所述次序布置在朝襯底(10， 參看圖12)的方向上。此處，相對接近襯底10布置的第一開口 3101大于第二開口 3102。 第一開口 3101和第二開口 3102兩者具有圓形形狀，且傾斜預(yù)定角的傾斜表面3103布置在第一開口 3101與第二開口 3102之間。因此，噴嘴310噴射的流體在正經(jīng)由第二開口 3102 從第一開口 3101噴射流體時朝外散布，且因此流體可均勻地施加到較寬區(qū)域。噴嘴310分別與形成在第一供應(yīng)管301中的噴射孔308組合。圖17A和17B繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的噴嘴310'。噴嘴310'也包含第一開口 310Γ和第二開口 3102'，其以所述次序布置在朝襯底(10，參看圖12)的方向上，且相對接近襯底10布置的第一開口 3101'大于第二開口 3102'。此處，第二開口 3102'具有實質(zhì)圓形形狀，而第一開口 3101'具有包含第二開口 3102'的橢圓形形狀。因此，噴嘴310'噴射的流體在正經(jīng)由第二開口 3102'從第一開口 3101'噴射流體時在第一開口 3101'加寬的方向上散布得更寬，且因此流體均勻地噴射到較寬區(qū)域。第一開口 3101'的較長徑向方向可與襯底10的寬度方向相同，所述寬度方向垂直于襯底10的延伸方向(圖12中)。因此，可經(jīng)由第一開口 310Γ均勻地將流體噴射經(jīng)過襯底10的寬度。盡管將參看圖15到17b描述第一噴嘴單元31，但第二噴嘴單元41和第三噴嘴單元51可經(jīng)形成為具有相同結(jié)構(gòu)，且因此將省略對其的詳細(xì)描述。此外，上文參看圖13描述的第一噴嘴單元31和上文參看圖15到17b描述的第一噴嘴單元31可同樣適用于下文描述的所有實施例。
圖18是更詳細(xì)繪示圖6所示的實施例的圖。參看圖18，空氣供應(yīng)單元60是用于將流體切割空氣供應(yīng)到襯底10表面的單元，且包含第四噴嘴單元61和第四驅(qū)動單元62。第四噴嘴單元61和第四驅(qū)動單元62對應(yīng)于權(quán)利要求書中的空氣噴嘴單元和空氣驅(qū)動單元。第四驅(qū)動單元62包含第四導(dǎo)引件64和第四驅(qū)動塊63。第四導(dǎo)引件64平行于第一到第三導(dǎo)引件34到M沿第一到第三導(dǎo)引件34到M 延伸。第四驅(qū)動塊63可沿第四導(dǎo)引件64移動，且與上文描述的第一到第三驅(qū)動塊33到 53 一樣，第四驅(qū)動塊63和第四導(dǎo)引件64可構(gòu)成線性馬達(dá)單元。第四驅(qū)動塊63連接到空氣罐(air tank)65并經(jīng)由第四噴嘴單元61提供流體切割空氣。此處，第四驅(qū)動塊63可包含第四驅(qū)動塊63內(nèi)部或外部的空氣泵。此外，第四驅(qū)動塊63連接到控制單元70且根據(jù)控制單元70的操作控制流體切割空氣的噴射。用于控制流體切割空氣的流動的打開/關(guān)閉側(cè)可布置在第四驅(qū)動塊63中，且所述打開/關(guān)閉側(cè)可由控制單元70操作。第四噴嘴單元61布置為適于噴射流體切割空氣的噴射噴嘴，且更優(yōu)選地，適于噴射流體切割氣簾的噴射噴嘴。盡管圖18繪示僅布置一個空氣供應(yīng)單元60，但可根據(jù)機(jī)制設(shè)計條件布置各種數(shù)目的空氣供應(yīng)單元60中的任一者，使得第一到第三流體中的至少兩者不彼此混合。此外， 空氣供應(yīng)單元60的操作不干擾第一到第三流體供應(yīng)單元30到50的操作，且因此可保證空氣供應(yīng)單元60的操作序列的自由度。用于供應(yīng)流體切割空氣的空氣供應(yīng)單元60的第四驅(qū)動單元62可與如圖18所示的第一到第三流體供應(yīng)單元30到50分離布置。然而，本發(fā)明不限于此，且第四驅(qū)動單元62 可與第一到第三驅(qū)動單元32到52中的至少一者集成。此處，所述集成可指示為，可用如圖 14所示的第二導(dǎo)引件44來更換第四導(dǎo)引件62。圖19繪示單獨的第四噴嘴單元61'和61"分別連接到第二驅(qū)動塊43'和第三驅(qū)動塊53'。在圖19中，第四噴嘴單元61'和61"分別布置在第二噴嘴單元41和第三噴嘴單元51前方。然而，本發(fā)明不限于此。盡管未圖示，但第四噴嘴單元61'和61"可選擇性地分別布置在第二噴嘴單元41和第三噴嘴單元51后方。或者，第四噴嘴單元61'和61" 可分別布置在第二噴嘴單元41和第三噴嘴單元51前方和后方。此外，盡管圖19繪示第四噴嘴單元61'和61"僅安裝在第二驅(qū)動塊43'和第三驅(qū)動塊53'上，但本發(fā)明不限于此， 且第四噴嘴單元61'和61〃也可安裝在第一驅(qū)動塊33上。在其中安裝第四噴嘴單元61'和61"的結(jié)構(gòu)中，第二驅(qū)動塊43'和第三驅(qū)動塊 53'內(nèi)部可分割為若干部分，且所述部分中的一者充當(dāng)?shù)谒尿?qū)動塊。因此，連接到第四噴嘴單元61'和61"的打開/關(guān)閉側(cè)(未圖示)和/或加壓泵(未圖示)可進(jìn)一步安裝在第二驅(qū)動塊43'和第三驅(qū)動塊53'中。此外，第二驅(qū)動塊43'和第三驅(qū)動塊53'有必要連接到空氣罐65。圖8到11所示的時序圖可適用于圖19所示的實施例。圖20是繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備的示意圖。參看圖20，布置單一流體供應(yīng)單元30。流體供應(yīng)單元30是用于將第一到第三流體選擇性地提供到襯底10表面的單元，且包含第一噴嘴單元31和第一驅(qū)動單元32。此外， 第一驅(qū)動單元32包含第一驅(qū)動塊33和第一導(dǎo)引件34。其詳細(xì)描述如上文所給出。第一到第三打開/關(guān)閉側(cè)36到56可插入在第一到第三槽35到55與第一驅(qū)動塊 33之間，并將其互連。第一到第三打開/關(guān)閉側(cè)36到56可以電子方式連接到控制單元70 且由控制單元70控制。如上文所描述，可通過借助使用單一流體供應(yīng)單元30選擇性地提供第一到第三流體來更緊湊地配置硅襯底處理設(shè)備。圖21繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備，其進(jìn)一步包含連接到控制單元70的空氣供應(yīng)單元60?？諝夤?yīng)單元60的詳細(xì)描述與上文參看圖18給出的描述相同。圖22繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的硅襯底處理設(shè)備，其中空氣供應(yīng)單元60' 和60"的第四驅(qū)動單元與流體供應(yīng)單元30的第一驅(qū)動單元集成。詳細(xì)來說，空氣供應(yīng)單元60'和60〃的第四驅(qū)動塊63'和63〃與第一驅(qū)動塊33 集成，且第一導(dǎo)引件34用作空氣供應(yīng)單元60'和60"的導(dǎo)引件。此外，第四噴嘴61'和 61"安裝在與第一驅(qū)動塊33集成的第四驅(qū)動塊63'和63"中的每一者上。不必將單獨的移動單元布置到第四驅(qū)動塊63'和63"以沿第一導(dǎo)引件34移動，且僅其中第四噴嘴61' 和61"由控制單元70控制的配置就已足夠。盡管圖22繪示第四驅(qū)動塊63'和63〃以及第四噴嘴單元61'和61〃布置在第一驅(qū)動塊33和第一噴嘴單元31前方和后方，但本發(fā)明不限于此。第四驅(qū)動塊63'和63" 以及第四噴嘴單元61'和61"可布置在第一驅(qū)動塊33和第一噴嘴單元31前方或后方。圖23是繪示包含如上文描述的硅襯底處理設(shè)備的系統(tǒng)100的圖。系統(tǒng)100包含第一到第六腔室110到160，其中第三腔室130成為其中布置用于蝕刻形成在硅膜上的氧化硅膜的設(shè)備的主腔室。系統(tǒng)100可具有雙平臺(double stage)結(jié)構(gòu)，其中第一腔室110和第二腔室120彼此連接以形成上部平臺，且第四到第六腔室140到 160彼此連接以形成下部平臺(在第三腔室130周圍)。雙平臺結(jié)構(gòu)可減小系統(tǒng)100的總體積，且因此系統(tǒng)100可安裝在相對窄的空間中。第一腔室110和第二腔室120可形成為單一腔室而非兩個個別單元，而第四到第六腔室160可形成為單一腔室。因此，第一腔室110和第二腔室120在廣義意義上構(gòu)成裝載單元，第三腔室130構(gòu)成蝕刻單元，且第四到第六腔室140到160在廣義意義上構(gòu)成卸載單元。入口(inlet) 111形成在第一腔室110中，使得穿過所述入口 111引入襯底10。出口(outlet) 161形成在第六腔室160中，使得在處理之后從所述出口 161噴射襯底10。多個支撐輥(supporting roller) 101布置在第一腔室110、第二腔室120和第四到第六腔室 140到160中以轉(zhuǎn)移襯底10。盡管未圖示，但支撐輥也可布置在第三腔室130中。第一腔室110構(gòu)成襯底10被載入到的裝載腔室。第二腔室120成為預(yù)先加濕腔室(pre-humidifying chamber)，包含加濕噴嘴單元121，且預(yù)先加濕襯底10表面。如上文描述的根據(jù)本發(fā)明的硅襯底處理設(shè)備安裝在第三腔室130中，其中第一到第四位置調(diào)整單元131到134布置在第三腔室130底部以調(diào)整襯底10的位置。
15
第一位置調(diào)整單元131經(jīng)布置以支撐向下移動的支撐基底20，且可通過第二位置調(diào)整單元132在垂直方向上彈性移動，且因此可維持支撐基底20的水平狀態(tài)。具有多個銷(pin)的形狀的第四位置調(diào)整單元134布置在第三位置調(diào)整單元133 上以用于向上推動由第一位置調(diào)整單元131支撐的支撐基底20，使得第四位置調(diào)整單元 Π4直接支撐襯底10。多個驅(qū)動輥(driving roller)可安裝在支撐基底20上以轉(zhuǎn)移襯底 10，且第四位置調(diào)整單元134可插入在驅(qū)動輥之間。當(dāng)由第二腔室120預(yù)先加濕的襯底10被轉(zhuǎn)移到第三腔室130時，支撐基底20支撐襯底10。此處，支撐基底20向下移動且安置在第一位置調(diào)整單元131上，接下來，已受到來自第二位置調(diào)整單元132的彈力的第一位置調(diào)整單元131維持支撐基底20的水平狀態(tài)。接下來，當(dāng)?shù)谌恢谜{(diào)整單元133向上移動時，第四位置調(diào)整單元134經(jīng)過支撐基底20且向上推動襯底10。此處，襯底10可僅由支撐基底20支撐而不使用第四位置調(diào)整單元 134。接下來，第一到第三流體供應(yīng)單元30到50執(zhí)行上文描述的處理。盡管空氣供應(yīng)單元60未圖示，但空氣供應(yīng)單元60也可執(zhí)行上文描述的處理。在通過使用第一到第三流體處理襯底10表面之后，將襯底10轉(zhuǎn)移到第四腔室 140。第四腔室140是漂洗區(qū)(rinsing zone)。流體切割氣簾供應(yīng)單元141布置在第四腔室140的入口處，而多個漂洗噴嘴單元142布置在流體切割氣簾供應(yīng)單元141后方，用于漂洗襯底10表面。氣簾供應(yīng)單元141是用于通過使用空氣壓力移除剩余在襯底10表面上的第一到第三流體中的至少一者的單元。接下來，將襯底10轉(zhuǎn)移到第五腔室150，其中第五腔室150為干燥區(qū)。氣刀(air knife)供應(yīng)單元151布置在第五腔室150中以干燥襯底10的前表面和后表面。第六腔室160是卸載單元，其中經(jīng)由出口 161噴射的襯底10通過轉(zhuǎn)移機(jī)械手 (transferring robot)(未圖示)運(yùn)載至Ij夕卜部。所述系統(tǒng)可作為個別設(shè)備操作，其在系統(tǒng)100中不包含轉(zhuǎn)移機(jī)械手的操作。系統(tǒng)100是采用根據(jù)本發(fā)明的硅襯底處理設(shè)備的實例，且根據(jù)本發(fā)明的硅襯底處理設(shè)備可應(yīng)用于各種類型的系統(tǒng)。雖然已參考本發(fā)明的示范性實施例特定繪示和描述本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將了解，可在不脫離如所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下在其中作出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1.一種處理硅襯底的方法，包括 提供包含硅膜的襯底；在第一時段內(nèi)向所述襯底的表面提供能夠蝕刻氧化硅膜的第一流體；以及在第二時段內(nèi)向所述襯底的所述表面提供第二流體，所述第二流體能夠蝕刻所述氧化硅膜，具有與所述第一流體相比不同的成分，且具有對于所述氧化硅膜的高蝕刻比，所述第二時段不同于所述第一時段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一流體含有臭氧溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理硅襯底的方法，其中所述第二流體含有氟或氟化銨溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的處理硅襯底的方法，進(jìn)一步包括在第三時段內(nèi)到所述襯底的所述表面的含有水的第三流體，所述第三時段不同于所述第一時段和所述第二時段。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第三時段被安排在所述第一時段與所述第二時段之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述襯底被平行于地面而布置或相對于所述地面傾斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一流體到所述第三流體中的至少一者從所述硅膜的表面的第一端循序供應(yīng)到所述硅膜的所述表面的第二端。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一時段到所述第三時段彼此部分重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中所述第一時段到所述第三時段被安排為具有不同的開始時間。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理硅襯底的方法，其中流體切割空氣被提供到所述襯底的所述表面以移除保留在所述襯底的所述表面上的所述第一流體到所述第三流體中的至少一者，且所述流體切割空氣在第四時段內(nèi)被提供到所述襯底的所述表面，所述第四時段不同于所述第一時段到所述第三時段且被安排在所述第一時段到所述第三時段中的至少兩者之間。
11.一種硅襯底處理設(shè)備，包括支撐基底，用于支撐包含硅膜的襯底；流體供應(yīng)單元，向所述襯底的表面提供用于蝕刻氧化硅膜的流體； 水供應(yīng)單元，將水提供到所述襯底的所述表面；以及控制單元，連接到所述流體供應(yīng)單元和所述水供應(yīng)單元，且控制所述流體供應(yīng)單元和所述水供應(yīng)單元以分別在不同時段內(nèi)提供用于蝕刻所述氧化硅膜的所述流體和所述水。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述流體供應(yīng)單元包括第一流體供應(yīng)單元，向所述襯底的表面提供能夠蝕刻所述氧化硅膜的第一流體且連接到所述控制單元；以及第二流體供應(yīng)單元，向所述襯底的所述表面提供第二流體且連接到所述控制單元，所述第二流體能夠蝕刻所述氧化硅膜，具有與所述第一流體相比不同的成分，且具有對于所述氧化硅膜的與所述第一流體相比較高的蝕刻比。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述控制單元控制所述流體供應(yīng)單元以分別在不同時段內(nèi)提供所述第一流體和所述第二流體。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述第一流體含有臭氧溶液。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述第二流體含有氟或氟化銨溶液。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述支撐基底經(jīng)布置以調(diào)整所述襯底相對于地面的傾斜。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硅襯底處理設(shè)備，進(jìn)一步包括流體切割空氣供應(yīng)單元，所述流體切割空氣供應(yīng)單元向所述襯底的所述表面提供流體切割空氣且連接到所述控制單元，其中所述控制單元同時接通所述流體切割空氣供應(yīng)單元和所述第一流體供應(yīng)單元，或同時接通所述流體切割空氣供應(yīng)單元和所述第二流體供應(yīng)單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述空氣供應(yīng)單元包括 空氣噴嘴單元，向所述襯底的所述表面提供所述流體切割空氣；空氣驅(qū)動單元，連接到所述空氣噴嘴單元并驅(qū)動所述空氣噴嘴單元；以及空氣罐，連接到所述空氣噴嘴單元并向所述空氣噴嘴單元供應(yīng)所述流體切割空氣。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述流體供應(yīng)單元包括流體噴嘴單元，向所述襯底的所述表面提供用于所述蝕刻氧化硅膜的所述流體； 流體驅(qū)動單元，連接到所述流體噴嘴單元并驅(qū)動所述流體噴嘴單元；以及流體槽，連接到所述流體噴嘴單元并向所述流體噴嘴單元供應(yīng)所述流體；且所述水供應(yīng)單元包括水噴嘴單元，向所述襯底的所述表面提供所述水；水驅(qū)動單元，連接到所述水噴嘴單元并驅(qū)動所述水噴嘴單元；以及水槽，連接到所述水噴嘴單元并向所述水噴嘴單元供應(yīng)所述水。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的硅襯底處理設(shè)備，其中所述流體噴嘴單元和所述水噴嘴單元彼此集成且選擇性地向所述襯底的所述表面提供所述流體和所述水，且所述流體驅(qū)動單元和所述水驅(qū)動單元彼此集成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于處理硅襯底以有效地移除形成在硅膜表面上的氧化硅膜且改進(jìn)硅膜的表面均勻性的方法和設(shè)備。所述方法包括提供包含硅膜的襯底；在第一時段內(nèi)向襯底表面提供能夠蝕刻氧化硅膜的第一流體；在第二時段內(nèi)向襯底表面提供含有水的第二流體，所述第二時段不同于第一時段；以及在第三時段內(nèi)向襯底表面提供第三流體，所述第三流體能夠蝕刻氧化硅膜，具有與第一流體相比不同的成分，且具有相對于氧化硅膜的高蝕刻比，所述第三時段不同于第一時段和第二時段。
文檔編號H01L21/02GK102446707SQ20111030333
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者安吉秀, 張承逸 申請人:株式會社Mm科技