專利名稱：有機電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光器件由于具有廉價、清潔、可再生等優(yōu)點而得到了廣泛的應(yīng)用。由于機電致發(fā)光器件內(nèi)外折射率的差別，致使在機電致發(fā)光器件內(nèi)部發(fā)出的光只有小部分可以到達外部空氣被我們所利用，而大部分光則被關(guān)閉在機電致發(fā)光器件內(nèi)部，經(jīng)過反復(fù)折射最終被內(nèi)部物質(zhì)吸收而變成熱量。發(fā)光層發(fā)出的光經(jīng)過了各有機層、ITO和玻璃基底的吸收、反射與折射等光耦合的過程。從有機層發(fā)出的光射出機電致發(fā)光器件的外部時，只有約 17%的光能被人所看見。大多數(shù)光子因為襯底與空氣界面處的全反射以及有機層內(nèi)部的橫向波導(dǎo)而損失掉了，致使有機電致發(fā)光器件的出光效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件。
一種有機電致發(fā)光器件，包括基底，所述基底為空心半球形，所述有機電致發(fā)光器件還包括依次形成于所述基底內(nèi)表面的陰極、發(fā)光層及陽極。
在優(yōu)選的實施例中，所述發(fā)光層材料為4，4' -二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1， 10- 二苯基、三(2-苯基吡啶)合銥、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三 (1-苯基-異喹啉)合銥。
在優(yōu)選的實施例中，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述陰極及所述發(fā)光層之間的電子傳輸 層。
在優(yōu)選的實施例中，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料和摻雜在所述電子傳輸材料中的η型摻雜材料,所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3.4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5-二 (1-萘基)-1,3,4- 二唑、4，7- 二苯基-1,10-菲羅啉、1.2.4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物，所述η型摻雜材料為碳酸銫、疊氮化銫、氟化銫、氟化鋰、氧化鋰或碳酸鋰。
在優(yōu)選的實施例中，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述電子傳輸層及所述發(fā)光層之間的空穴阻擋層。
在優(yōu)選的實施例中，所述空穴阻擋層的材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5- 二 (1-萘基)-1,3,4- 二唑、4，7- 二苯基-1,10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物。
在優(yōu)選的實施例中，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述發(fā)光層及所述陽極之間的空穴傳輸層。
在優(yōu)選的實施例中，所述空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和摻雜在空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，所述空穴傳輸材料為4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、N， N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N' _(1-萘基)4州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺及I，3，5-三苯基苯，所述P 型摻雜材料為四氟四氰基對苯醌二甲烷、四氰基對苯醌二甲烷、三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩。
此外，還有必要提供一種的有機電致發(fā)光器件的制備方法。
一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟步驟一、提供空心半球形的基底，并對基底進行前處理；步驟二、在所述基底的內(nèi)表面蒸鍍陰極；步驟三、在所述陰極表面形成發(fā)光層；及步驟四、在所述發(fā)光層表面蒸鍍形成陽極。
在優(yōu)選的實施例中，所述有機電致發(fā)光器件的制備方法還包括步驟在所述發(fā)光層及所述陰極之間依次形成電子傳輸層及空穴阻擋層，在所述發(fā)光層及所述陽極之間形成空穴傳輸層。
上述有機電致發(fā)光器件及其制造方法，基底為空心半球形，發(fā)光層為球面的，可以將由發(fā)光層與空氣折射率的差別導(dǎo)致的全內(nèi)反射損失通過曲面折射射出，還可以將有機層的橫向波導(dǎo)損失捕獲；采用倒置結(jié)構(gòu)，陽極和陰極均為金屬，底端的半透明電極和頂端的反射鏡面形成微腔效應(yīng)，由于光的干涉作用，不僅窄化了發(fā)射光譜，還增強了輻射發(fā)光，因此出光效率大大提高；該制備方法工藝較為簡單。

通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
圖1為一實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖2為一實施例的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖3為實施例一及對比例的有機電致發(fā)光器件的亮度與電壓關(guān)系圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
請參閱圖1，一實施例的有機電致發(fā)光器件100包括空心半球形的基底10、依次形成于基底10的內(nèi)表面的陰極20、電子傳輸層30、空穴阻擋層40、發(fā)光層50、空穴傳輸層60 及陽極70。
基底10為空心半球形玻璃。本實施方式中，基底10的內(nèi)徑為5mm，厚度為4mm。
陰極20形成于基底10的內(nèi)表面。陰極20為銀(Ag)、鋁(Al)、鈣/銀(Ca/Ag)雙層結(jié)構(gòu)、鋁/銀(Al/Ag)雙層結(jié)構(gòu)或銀/鋁/氟化鋰(Ag/Al/LiF)三層結(jié)構(gòu)。陰極的厚度為 IOnm 30nm。
電子傳輸層30形成于陰極20的表面。電子傳輸層30的材料包括電子傳輸材料和摻雜在電子傳輸材料中的η型摻雜材料。η型摻雜材料的摻雜比例為30wt% 40wt%。 電子傳輸材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen)U, 2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。η型摻雜材料為碳酸銫(Cs2CO3)、疊氮化銫(CsN3)、氟化銫(CsF)、氟化鋰(LiF)、氧化鋰(Li2O)或碳酸鋰 (Li2CO3)。電子傳輸層30的材料優(yōu)選為BPhen:Cs。電子傳輸層30的厚度為30nm 60nm, 優(yōu)選為40nm。
空穴阻擋層40形成于電子傳輸層30的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_ 二(1-萘基)-1，3，4- 二唑(BND) ,4,7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如 TAZ)、 N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)，優(yōu)選為Bphen。空穴阻擋層40的厚度為 2nm 20nm,優(yōu)選為 10nm。
發(fā)光層50形成于空穴阻擋層40表面。發(fā)光層50的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的發(fā)光材料。發(fā)光材料的摻雜比例為5wt% 20wt%。主體材料為4，4'， 4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為TCTA。發(fā)光材料為4，4' -二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，10-二苯基 (BCzVBi)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2(acac))或三(1_苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)，優(yōu)選為三(2_苯基吡啶) 合銥(IHppy)3)。發(fā)光層50的厚度為30nm 60nm,優(yōu)選為40nm。
空穴傳輸層60形成于發(fā)光層50表面?？昭▊鬏攲?0的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料的摻雜比例為2wt% 4wt%?？昭▊鬏敳牧蠟?，4'，4"-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(m-MTDATA)、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(TH))、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N' _(1-萘基)州，& - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺(NPB)或1，3，5-三苯基苯(TDAPB)。P型摻雜材料為四氟四氰基對苯醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基對苯醌二甲烷 (TCNQ)或三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。空穴傳輸層60的材料優(yōu)選為m-MTDATA:F4-TCNQ。空穴傳輸層60的厚度為20nm 80nm，優(yōu)選為40nm。
陽極70形成于空穴傳輸層60表面。陽極70為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、 氧化銀/銀(Ag20/Ag)雙層結(jié)構(gòu)或三氧化鑰/銀(MoO3Ag)雙層結(jié)構(gòu)。陽極70的厚度為 IOOnm 200nm。
該有機電致發(fā)光器件100，基底10為空心半球形，發(fā)光層50為球面的，可以將由發(fā)光層50與空氣折射率的差別導(dǎo)致的全內(nèi)反射損失通過曲面折射射出，還可以將有機層的橫向波導(dǎo)損失捕獲。采用倒置結(jié)構(gòu)，陽極70和陰極20均為金屬，底端的半透明電極和頂端的反射鏡面形成微腔效應(yīng)，由于光的干涉作用，不僅窄化了發(fā)射光譜，還增強了輻射發(fā)光， 因此出光效率大大提高。
可以理解，電子傳輸層30、空穴阻擋層40及空穴傳輸層60均可以省略，也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟
步驟SI 10、提供一個空心半球形的基底10，并對基底10進行前處理。
基底10為空心半球型玻璃。本實施方式中，對基底10前處理為獎基底采用去離子水、丙酮、乙醇等各超聲波清洗15min，以去除基底10表面的有機污染物。
步驟S120、在基底10內(nèi)表面蒸鍍陰極20。
陰極20為銀(Ag)、鋁(Al)、鈣/銀(Ca/Ag)雙層結(jié)構(gòu)、鋁/銀(Al/Ag)雙層結(jié)構(gòu)或銀/招/氟化鋰(Ag/Al/LiF)三層結(jié)構(gòu)。陰極的厚度為IOnm 30nm。本實施方式中，蒸鍍在真空鍍膜金屬腔體內(nèi)進行。
步驟S130、在陰極20的表面依次形成電子傳輸層30、空穴阻擋層40、發(fā)光層50及空穴傳輸層60。
本實施方式中，電子傳輸層30、空穴阻擋層40、發(fā)光層50及空穴傳輸層60均在有機真空腔體中蒸鍍形成。
電子傳輸層30形成于陰極20的表面。電子傳輸層30的材料包括電子傳輸材料和摻雜在電子傳輸材料中的η型摻雜材料。η型摻雜材料的摻雜比例為30wt% 40wt%。 電子傳輸材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen)U, 2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。η型摻雜材料為碳酸銫(Cs2CO3)、疊氮化銫(CsN3)、氟化銫(CsF)、 氟化鋰(LiF)、氧化鋰(Li2O)或碳酸鋰 (Li2CO3)。電子傳輸層30的材料優(yōu)選為BPhen:Cs。電子傳輸層30的厚度為30nm 60nm, 優(yōu)選為40nm。
空穴阻擋層40形成于電子傳輸層30的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_ 二(1-萘基)-1，3，4- 二唑(BND) ,4,7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如 TAZ)、 N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)，優(yōu)選為Bphen?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為 2nm 20nm,優(yōu)選為 10nm。
發(fā)光層50形成于空穴阻擋層40表面。發(fā)光層50的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的發(fā)光材料。發(fā)光材料的摻雜比例為5wt% 20wt%。主體材料為4，4'， 4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為TCTA。發(fā)光材料為4，4' -二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，10-二苯基 (BCzVBi)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2(acac))或三(1_苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)，優(yōu)選為三(2_苯基吡啶) 合銥(IHppy)3)。發(fā)光層50的厚度為30nm 60nm,優(yōu)選為40nm。
空穴傳輸層60形成于發(fā)光層50表面。空穴傳輸層60的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在空穴傳輸材料中的P型摻雜材料。P型摻雜材料的摻雜比例為2wt% 4wt%?？昭▊鬏敳牧蠟?，4'，4"-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(m-MTDATA)、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(TH))、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N' _(1-萘基)州，& - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺(NPB)或1，3，5-三苯基苯(TDAPB)。P型摻雜材料為四氟四氰基對苯醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基對苯醌二甲烷 (TCNQ)或三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)?？昭▊鬏攲?0的材料優(yōu)選為m-MTDATA:F4-TCNQ?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm 80nm，優(yōu)選為40nm。
可以理解，電子傳輸層30、空穴阻擋層40及空穴傳輸層60中的至少一種可以省略，此時步驟S130中也可僅僅蒸鍍形成發(fā)光層50或者電子傳輸層30、空穴阻擋層40及空穴傳輸層60中的至少一種和發(fā)光層50。也可根據(jù)需要，形成其他功能層。
步驟S140、在空穴傳輸層60表面形成陽極70。
陽極70為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、氧化銀/銀(Ag20/Ag)雙層結(jié)構(gòu)或三氧化鑰/銀(Mo03/Ag)雙層結(jié)構(gòu)。陽極70的厚度為IOOnm 200nm。
該有機電致發(fā)光器件的制備方法工藝較為簡單，制備的機電致發(fā)光器件100出光效率較高。
以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細(xì)說明。
實施例一
將內(nèi)徑為5mm、厚度為4mm的半球形玻璃基底，依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗IOmin,清洗干凈后，放入真空鍍膜金屬腔體中，蒸鍍一層20nm厚的Ag。然后將半球玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen:Cs，Cs的摻雜比例為 30wt% )40nm、空穴阻擋層(Bphen) 10nm、發(fā)光層(TCTA:1r (ppy) 3, Ir (ppy) 3在混合物中的摻雜比例為IOwt % )40nm、空穴傳輸層(m-MTDATA:F4_TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為4wt% )40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陽極(Al) 200nm，最后得到所需要的高效綠光電致發(fā)光器件。
對比例1:將內(nèi)徑為5mm、厚度為4mm的半球形玻璃基底，依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗IOmin,清洗干凈后,放入磁控派射真空腔體中，派鍍一層150nm厚的陽極 ITO0然后將ITO半球玻璃放入有機真空腔體中，依次蒸鍍空穴傳輸層(m-MTDATA:F4-TCNQ， F4-TCNQ的摻雜比例為4wt % ) 40nm、電子阻擋層(TAPC) 5nm、發(fā)光層(TCTA:1r (ppy) 3， Ir(ppy)3在混合物中的摻雜比例為IOwt % )40nm、空穴阻擋 層(Bphen) 10nm、電子傳輸層 (Bphen:Cs, Cs在混合物中的摻雜比例為30wt% ) 40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陰極(Ag) 150nm，最后得到所需要的綠光電致發(fā)光器件。
對比例2
取一 4mm厚的平面玻璃基板作為對比，依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗 IOmin,清洗干凈后，放入真空蒸鍍金屬腔體中蒸鍍一層20nm厚的Ag,然后將玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen:Cs，Cs的摻雜比例為30wt% )40nm、 空穴阻擋層(Bphen) 10nm、發(fā)光層(TCTA:1r (ppy) 3, Ir (ppy) 3在混合物中的摻雜比例為IOwt % ) 40nm、空穴傳輸層(m-MTDATA: F4-TCNQ, F4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為 4wt% )40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陽極(Al) 200nm，最后得到所需要的綠光電致發(fā)光器件。
本發(fā)明實施例及對比例中所用到的制備與測試儀器為高真空熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) (沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強< 10_4Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學(xué)，型號ST-86LA)。
請參閱圖3，圖3所示為實施例1與對比例I和對比例2制備的有機電致發(fā)光器件的亮度-電壓曲線對比圖。從圖3可以看出在相同電壓下，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的亮度比對比例I制備的有機電致發(fā)光器件的亮度要高，比對比例2制備的有機電致發(fā)光器件的亮度要高得多。
實施例二
將內(nèi)徑為5mm、厚度為4mm的半球形玻璃基底，依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗10 15min，清洗干凈后，放入真空鍍膜金屬腔體中，蒸鍍陰極，陰極為層疊的20nm厚的Al和IOnm厚的Ag。然后將半球玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen:Cs, Cs的摻雜比例為35wt % )40nm、空穴阻擋層(Bphen) 10nm、 發(fā)光層(TCTA:1r (ppy)3, Ir (ppy) 3在混合物中的摻雜比例為5wt % )40nm、空穴傳輸層 (m-MTDATA: F4-TCNQ, F4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為2wt% ) 40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陽極，陽極為層疊的5nm厚的MoO3和IOOnm厚的Ag，最后得到所需要的高效綠光電致發(fā)光器件。
實施例三
將內(nèi)徑為5mm、厚度為4mm的半球形玻璃基底,依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗15min，清洗干凈后，放入真空鍍膜金屬腔體中，蒸鍍一層陰極，陰極為依次層疊的 IOnm厚的Ag、IOnm厚的Al及Inm厚的LiF。然后將半球玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen:Cs, Cs的摻雜比例為40wt% )40nm、空穴阻擋層(Bphen) 10nm、 發(fā)光層(TCTA:1r (ppy)3, Ir (ppy) 3在混合物中的摻雜比例為15wt% )40nm、空穴傳輸層 (m-MTDATA: F4-TCNQ, F4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為3wt% ) 40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陽極(Pt) lOOnm，最后得到所需要的高效綠光電致發(fā)光器件。
實施例四
將內(nèi)徑為5mm、厚度為4mm的半球形玻璃基底，依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗lOmin，清洗干凈 后，放入真空鍍膜金屬腔體中，蒸鍍一層陰極，陰極為層疊的IOnm厚的Ca和IOnm厚的Ag。然后將半球玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen: Cs, Cs的摻雜比例為40wt % ) 40nm、空穴阻擋層(Bphen) 10nm、 發(fā)光層(TCTA:1r (ppy)3, Ir (ppy) 3在混合物中的摻雜比例為20wt % )40nm、空穴傳輸層 (m-MTDATA: F4-TCNQ, F4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為4wt% ) 40nm，然后將基板移入金屬腔體，繼續(xù)蒸鍍陽極Au IOOnm,最后得到所需要的高效綠光電致發(fā)光器件。
實施例五
將內(nèi)徑為5_、厚度為4_的半球形玻璃基底,依次用純凈水、丙酮、乙醇等各超聲清洗10 15min，清洗干凈后，放入真空鍍膜金屬腔體中，蒸鍍一層20nm厚的Al。然后將半球玻璃基板放入有機真空腔體中，依次蒸鍍電子傳輸層(Bphen:Cs, Cs在混合物中的摻雜比例為 35wt% )40nm、空穴阻擋層(Bphen) 10nm、發(fā)光層(TCTA:1r (ppy) 3, Ir (ppy) 3 在混合物中的摻雜比例為15wt% )40nm、空穴傳輸層(m-MTDATA:F4_TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ在混合物中的摻雜比例為4wt% )40nm,然后將基板移入金屬腔體,繼續(xù)蒸鍍陽極Ag 150nm,最后得到所需要的高效綠光電致發(fā)光器件。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括基底，其特征在于，所述基底為空心半球形，所述有機電致發(fā)光器件還包括依次形成于所述基底內(nèi)表面的陰極、發(fā)光層及陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光層材料為4， 4' - _. (9-乙基-3-昨卩坐乙稀基)-1，10- _苯基、二(2_苯基卩比淀)合依、_2-甲基_ _. 苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(1-苯基-異喹啉)合銥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述陰極及所述發(fā)光層之間的電子傳輸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料和摻雜在所述電子傳輸材料中的η型摻雜材料，所述電子傳輸材料為 2_(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5_ 二(1_萘基)_1，.3.4-二唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物，所述η型摻雜材料為碳酸銫、疊氮化銫、氟化銫、氟化鋰、氧化鋰或碳酸鋰。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述電子傳輸層及所述發(fā)光層之間的空穴阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述空穴阻擋層的材料為 2_(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5_ 二(1_萘基)_1，3.4-二唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述發(fā)光層及所述陽極之間的空穴傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和摻雜在空穴傳輸材料中的P型摻雜材料，所述空穴傳輸材料為4，4,，4"-三 (3-甲基苯基苯胺)三苯胺、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N' -(1-萘基)-N，N' - 二苯基_4，4'-聯(lián)苯二胺及1，3，5_三苯基苯，所述P型摻雜材料為四氟四氰基對苯醌二甲烷、四氰基對苯醌二甲燒、三氧化鑰、三氧化鶴或五氧化二fL。
9.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟步驟一、提供空心半球形的基底，并對基底進行前處理；步驟二、在所述基底的內(nèi)表面蒸鍍陰極；步驟三、在所述陰極表面形成發(fā)光層；及步驟四、在所述發(fā)光層表面蒸鍍形成陽極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于所述有機電致發(fā)光器件的制備方法還包括步驟在所述發(fā)光層及所述陰極之間依次形成電子傳輸層及空穴阻擋層，在所述發(fā)光層及所述陽極之間形成空穴傳輸層。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光器件，包括空心半球形的基底及依次形成于所述基底內(nèi)表面的陰極、發(fā)光層和陽極。該有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。此外，還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
文檔編號H01L51/54GK103022368SQ20111030011
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者周明杰, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司