專(zhuān)利名稱(chēng)：新型ic封裝制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種IC封裝技術(shù)，尤其涉及一種新型的IC封裝工藝。
背景技術(shù)：
IC封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接，封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過(guò)芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。目前市場(chǎng)上同類(lèi)IC封裝產(chǎn)品都是用塑料配件單個(gè)手工封裝，封裝精度差，封裝速度慢，防潮性能差，不能滿足需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新型的IC封裝制造工藝，該工藝采用專(zhuān)門(mén)的壓合設(shè)備、壓合材料、分割設(shè)備完全替代了手工封裝過(guò)程，解決了封裝精度差，封裝速度慢等現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是一種新型IC封裝制造工藝，所述的工藝包括以下步驟步驟1，制作IC載板；步驟2，準(zhǔn)備封裝蓋板；步驟3，在封裝蓋板反面上上膠，通過(guò)機(jī)械整體壓合到IC載板上；步驟4，采用士 0. 05mm高精度雕刻機(jī)雕刻成型，步驟5，通過(guò)綁定機(jī)綁定IC載板，步驟6，在封裝蓋板正面覆上50 樹(shù)脂型純膠，步驟7，把封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上，再通過(guò)分割機(jī)切割成型。更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的步驟3中在封裝蓋板反面上膠是指在封裝蓋板反面上樹(shù)脂型純膠，并且在步驟3中進(jìn)行整體壓合時(shí)需要將溫度控制在170-180度，時(shí)間控制在30分鐘。所述的步驟7中，將封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上時(shí)，需要將溫度控制在 175度，時(shí)間控制在30分鐘。所述的步驟1包括以下步驟步驟1-1，底片制作，即進(jìn)行光繪底片制作；步驟1-2，開(kāi)料；步驟1-3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準(zhǔn)孔；步驟1-4，沉銅，即在底片的基材表面和基準(zhǔn)孔上沉上一層化學(xué)薄銅；
4
步驟1-5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；
步驟1-6，圖形轉(zhuǎn)移；
步驟1-7，圖形電鍍；
步驟1-8，退膜；
步驟1-9，半孔加工；
步驟1-10，蝕刻；
步驟1-11，退錫；
步驟1-12，對(duì)底片進(jìn)行第一次測(cè)試；
步驟1-13，阻焊；
步驟1-14，化金；
步驟1-15，對(duì)底片進(jìn)行第二次測(cè)試；
所述的步驟2包括
步驟2-1，蓋板備料；
步驟2-2，蓋板開(kāi)料；
步驟2-3，背膠；
步驟2-4，機(jī)加工；
步驟2-5，清洗；
所述的步驟1-1中在進(jìn)行光繪底片時(shí)須進(jìn)行工藝補(bǔ)償，工藝補(bǔ)償須依據(jù)測(cè)量不同
厚度Cu的側(cè)蝕來(lái)確定，所述的底片為正片。所述的步驟2-1中蓋板的材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。所述的步驟1-6中包括以下子步驟步驟1-6-1，磨板；步驟1-6-2，對(duì)Cu面的處理運(yùn)用化學(xué)微蝕處理；步驟1-6-3，烘干后立即進(jìn)行貼膜；步驟1-6-4，顯影后，用刻度放大鏡測(cè)量線及間隙是否達(dá)到圖紙要求，保證線條光滑無(wú)鋸齒。所述的步驟1-9中，半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。所述的步驟1-10中，蝕刻采用CuCl2溶液進(jìn)行腐蝕，同時(shí)將圖形BGA面朝下以減少側(cè)蝕量。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于1、各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，替代傳統(tǒng)的單體手工封裝，大大提高了封裝速度；2、封裝蓋板采用高精度CNC成型，代替了單體塑料件注塑方式，提高了封裝精度；3、采用晶元分割機(jī)分割整體壓合的產(chǎn)品，提高了封裝精度；4、各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，提高了各部件之間的致密度，亦提高了封裝后的防潮功能。5、本發(fā)明的IC載板制作也是非常嚴(yán)謹(jǐn)，制造出來(lái)的線條精度高，蝕刻后無(wú)殘銅且線條光滑，蓋板不變形，無(wú)嚴(yán)重溢膠，蓋板與主板的結(jié)合力達(dá)到IOKG以上，機(jī)械加工后基板無(wú)分層，半孔無(wú)毛刺，外形邊緣整齊，無(wú)粉塵。


圖1是本發(fā)明所制成產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述如圖1所示，是本發(fā)明所制成產(chǎn)品的層結(jié)構(gòu)示意圖，生產(chǎn)制作的工藝流程如下步驟1，制作IC載板3;步驟2，準(zhǔn)備封裝蓋板2 ；步驟3，在封裝蓋板反面上上50^1樹(shù)脂型純膠，通過(guò)機(jī)械整體壓合到IC載板上； 此壓合步驟中需要將溫度控制在170-180度，時(shí)間控制在30分鐘。步驟4，采用士 0. 05mm高精度雕刻機(jī)雕刻成型，步驟5，通過(guò)綁定機(jī)綁定IC載板3，步驟6，在封裝蓋板2正面覆上50Um樹(shù)脂型純膠，步驟7，把封裝玻璃1通過(guò)機(jī)械整體壓合在封裝蓋板2上，壓合時(shí)需要將溫度控制在175度，時(shí)間控制在30分鐘，再通過(guò)分割機(jī)切割成型。具體來(lái)講，步驟1包括以下步驟步驟1-1，底片制作，即進(jìn)行光繪底片制作；底片制作，即進(jìn)行光繪底片制作；在進(jìn)行光繪底片時(shí)須進(jìn)行工藝補(bǔ)償，工藝補(bǔ)償須依據(jù)測(cè)量不同厚度Cu的側(cè)蝕來(lái)確定，所述的底片為正片，線寬補(bǔ)償公式是損失量(MIL)=基銅(MIL)/1.2，例如35UM基銅其損失量為 35/25. 4*1.2 = IJmiL其損失量為線寬的損失量+補(bǔ)償量(線寬需在客戶要求范圍內(nèi)調(diào)整))。步驟1-2，開(kāi)料；步驟1-3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準(zhǔn)孔；步驟1-4，沉銅，即在底片的基材表面和基準(zhǔn)孔上沉上一層化學(xué)薄銅；步驟1-5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；步驟1-6，圖形轉(zhuǎn)移；步驟1-6中包括以下子步驟步驟1-6-1，磨板；步驟1-6-2，對(duì)Cu面的處理運(yùn)用化學(xué)微蝕處理；步驟1-6-3，烘干后立即進(jìn)行貼膜；步驟1-6-4，顯影后，用刻度放大鏡測(cè)量線及間隙是否達(dá)到圖紙要求，保證線條光滑無(wú)鋸齒；步驟1-7，圖形電鍍；在本步驟中要特別注意階梯電鍍的品質(zhì)問(wèn)題，確保銅面平整，使bonding順利進(jìn)行；步驟1-8，退膜，步驟1-9，半孔加工；半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。步驟1-10，蝕刻；蝕刻采用CuCl2溶液進(jìn)行腐蝕，同時(shí)將圖形BGA面朝下以減少側(cè)蝕量。
步驟1-11，退錫；本步驟中網(wǎng)版可以選用43T的網(wǎng)目，阻焊必須平整否則影響主板與蓋板的結(jié)合力。步驟1-12，對(duì)底片進(jìn)行第一次測(cè)試；步驟1-13，阻焊；步驟1-14，化金；步驟1-15，對(duì)底片進(jìn)行第二次測(cè)試；具體來(lái)說(shuō)步驟2包括步驟2-1，蓋板備料；材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。步驟2-2，蓋板開(kāi)料；步驟2-3，背膠；蓋板背膠必須保證無(wú)氣泡，平整無(wú)垃圾，步驟2-4，機(jī)加工；外形機(jī)加工時(shí)，應(yīng)采用精密數(shù)控銑床，把精度控制好，不能有粉塵和毛刺的產(chǎn)生。步驟2-5，清洗。
權(quán)利要求
1.一種新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的工藝包括以下步驟 步驟1，制作IC載板；步驟2，準(zhǔn)備封裝蓋板；步驟3，在封裝蓋板反面上上膠，通過(guò)機(jī)械整體壓合到IC載板上； 步驟4，采用士0. 05mm高精度雕刻機(jī)雕刻成型， 步驟5，通過(guò)綁定機(jī)綁定IC載板， 步驟6，在封裝蓋板正面覆上50Um樹(shù)脂型純膠，步驟7，把封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上，再通過(guò)分割機(jī)切割成型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟3中在封裝蓋板反面上膠是指在封裝蓋板反面上50Um樹(shù)脂型純膠，并且在步驟3中進(jìn)行整體壓合時(shí)需要將溫度控制在170-180度，時(shí)間控制在30分鐘。
3 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟7中，將封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上時(shí)，需要將溫度控制在170-180度，時(shí)間控制在30分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟1包括以下步驟步驟1-1，底片制作，即進(jìn)行光繪底片制作； 步驟1-2，開(kāi)料；步驟1-3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準(zhǔn)孔；步驟1-4，沉銅，即在底片的基材表面和基準(zhǔn)孔上沉上一層化學(xué)薄銅；步驟1-5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；步驟1-6，圖形轉(zhuǎn)移；步驟1-7，圖形電鍍；步驟1-8，退膜，步驟1-9，半孔加工；步驟1-10，蝕刻；步驟1-11，退錫；步驟1-12，對(duì)底片進(jìn)行第一次測(cè)試； 步驟1-13，阻焊； 步驟1-14，化金；步驟1-15，對(duì)底片進(jìn)行第二次測(cè)試。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟2包括 步驟2-1，蓋板備料；步驟2-2，蓋板開(kāi)料； 步驟2-3，背膠； 步驟2-4，機(jī)加工； 步驟2-5，清洗。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟1-1中在進(jìn)行光繪底片時(shí)須進(jìn)行工藝補(bǔ)償，工藝補(bǔ)償依據(jù)測(cè)量不同厚度Cu的側(cè)蝕來(lái)確定，所述的底片為正片。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC封裝載板的制造工藝，其特征在于所述的步驟2-1中蓋板的材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟1-6中包括以下子步驟步驟1-6-1，磨板；步驟1-6-2，對(duì)Cu面的處理運(yùn)用化學(xué)微蝕處理；步驟1-6-3，烘干后立即進(jìn)行貼膜；步驟1-6-4，顯影后，用刻度放大鏡測(cè)量線及間隙是否達(dá)到圖紙要求，保證線條光滑無(wú)鋸齒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟1-9中，半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于所述的步驟1-10中， 蝕刻采用CuCl2溶液進(jìn)行腐蝕，同時(shí)將圖形BGA面朝下以減少側(cè)蝕量。
全文摘要
一種新型IC封裝制造工藝包括以下步驟制作IC載板；準(zhǔn)備封裝蓋板；在封裝蓋板反面上上膠，通過(guò)機(jī)械整體壓合到IC載板上；采用±0.05mm高精度雕刻機(jī)雕刻成型，通過(guò)綁定機(jī)綁定IC載板，在封裝蓋板正面覆上50Um樹(shù)脂型純膠，把封裝玻璃通過(guò)機(jī)械整體壓合在蓋板上，再通過(guò)分割機(jī)切割成型。本發(fā)明有益效果在于各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，替代傳統(tǒng)的單體手工封裝，大大提高了封裝速度；封裝蓋板采用高精度CNC成型，代替了單體塑料件注塑方式，提高了封裝精度；采用晶元分割機(jī)分割整體壓合的產(chǎn)品，提高了封裝精度；各部件之間采用樹(shù)脂型的純膠進(jìn)行整體壓合，提高了各部件之間的致密度，亦提高了封裝后的防潮功能。
文檔編號(hào)H01L21/48GK102254838SQ201110225548
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月8日
發(fā)明者陳勝華 申請(qǐng)人:慈溪市永旭豐泰電子科技有限公司