專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體背面用膜、半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜、用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜用于保護(hù)半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片背面并增強(qiáng)其強(qiáng)度等目的。此外，本發(fā)明涉及采用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法和倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近來(lái)，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中通過(guò)倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件例如半導(dǎo)體芯片安裝(倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類(lèi)倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板。在此類(lèi)半導(dǎo)體器件等中，可以存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見(jiàn)，專(zhuān)利文獻(xiàn)1至10)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專(zhuān)利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專(zhuān)利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035專(zhuān)利文獻(xiàn)4 JP-A-2007-250970專(zhuān)利文獻(xiàn)5 JP-A-2007-158026專(zhuān)利文獻(xiàn)6 JP-A-2004-221169專(zhuān)利文獻(xiàn)7 :JP-A-2004-21^88專(zhuān)利文獻(xiàn)8 JP-A-2004-142430專(zhuān)利文獻(xiàn)9 JP-A-2004-072108專(zhuān)利文獻(xiàn)10 JP-A-2004-063551然而，采用保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片背面的保護(hù)需要將保護(hù)膜粘貼至在切割步驟中得到的半導(dǎo)體芯片背面的額外步驟。結(jié)果，工藝步驟數(shù)量增加，從而生產(chǎn)成本升高。另外，近來(lái)趨于薄型化的趨勢(shì)會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片在拾取半導(dǎo)體芯片步驟中有時(shí)損壞。從而，直至拾取步驟(包含該步驟)，需要增強(qiáng)半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體芯片，以提高其機(jī)械強(qiáng)度。特別地，半導(dǎo)體芯片的薄型化有時(shí)會(huì)在半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生翹曲，從而需要抑制或防止翹曲的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述問(wèn)題進(jìn)行本發(fā)明，其目的在于提供能夠抑制或防止在倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件上發(fā)生翹曲的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，和切割帶集成晶片背面保護(hù)膜。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠在被粘物上倒裝芯片連接半導(dǎo)體元件并抑制翹曲發(fā)生，從而能夠改進(jìn)生產(chǎn)率的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。
為解決上述相關(guān)領(lǐng)域的問(wèn)題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛而深入的研究。結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可通過(guò)控制倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化時(shí)的體積收縮率來(lái)降低倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體上的翹曲發(fā)生，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供一種在倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件背面上形成的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其熱固化時(shí)，在 230C _165°C范圍內(nèi)的體積收縮率為100ppm/°C -400ppm/°C。在倒裝芯片安裝時(shí)，通常不使用包封全部半導(dǎo)體封裝的成型樹(shù)脂(molding resin)，僅采用稱(chēng)作底填料(underfill)的包封樹(shù)脂來(lái)包封被粘物與半導(dǎo)體元件之間的凸塊連接部。從而，裸露半導(dǎo)體元件的背面。例如，在當(dāng)熱固化包封樹(shù)脂時(shí)，由于其固化和收縮而施加應(yīng)力至半導(dǎo)體元件，并由于該應(yīng)力，有時(shí)在半導(dǎo)體元件上會(huì)產(chǎn)生翹曲。特別地，在具有厚度300 μ m以下(進(jìn)一步地，厚度200 μ m以下)的薄型半導(dǎo)體元件中，發(fā)生翹曲變得明顯。在半導(dǎo)體元件背面上形成膜時(shí)，本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜發(fā)揮了保護(hù)倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的功能。此外，本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在包封樹(shù)脂熱固化時(shí)同時(shí)固化和收縮。此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，由于熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化時(shí)，在23°C _165°C范圍內(nèi)的體積收縮率為100ppm/°C以上，因此相對(duì)于作用于半導(dǎo)體元件上的應(yīng)力，所述膜可施加應(yīng)力來(lái)抵消或減輕對(duì)半導(dǎo)體元件的應(yīng)力。從而，可有效抑制或防止再流步驟前半導(dǎo)體元件的翹曲。另外，由于體積收縮率為400ppm/°C以下，所以可獲得與包封材料收縮度(degree of contraction)相對(duì)應(yīng)的適宜收縮度。此外，半導(dǎo)體元件的背面是指與其上形成電路的表面相對(duì)的表面。在前述構(gòu)造中，熱固化后半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有l(wèi)GPa_5GPa的在23°C下的拉伸貯能模量。當(dāng)熱固化后的拉伸貯能模量為IGPa以上時(shí)，可更有效地抑制或防止翹曲。此外， 當(dāng)熱固化后拉伸貯能模量為5GPa以下時(shí)，可抑制或防止向反面的翹曲產(chǎn)生。在前述構(gòu)造中，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有10 μ m-40 μ m的厚度。通過(guò)控制厚度至10 μ m以上，可更有效地抑制或防止翹曲。另外，通過(guò)控制厚度至40 μ m以下， 可抑制或防止向反面翹曲的發(fā)生。此外，通過(guò)控制厚度為40 μ m以下，可薄化由倒裝芯片安裝于被粘物上的半導(dǎo)體元件組成的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包含切割帶和層壓于切割帶上的上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中切割帶包含基材和層壓于基材上的壓敏粘合劑層，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓于切割帶的壓敏粘合劑層上。根據(jù)具有上述構(gòu)造的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，由于切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成形式形成，所以還可提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜用于切割半導(dǎo)體晶片以制備半導(dǎo)體元件的切割步驟或隨后的拾取步驟。即，當(dāng)將切割帶在切割步驟前粘貼至半導(dǎo)體晶片背面時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜也可粘貼至其上，從而不需要單獨(dú)粘貼半導(dǎo)體背面用膜的步驟(半導(dǎo)體背面用膜的粘貼步驟)。從而，可減少工藝步驟數(shù)。另外，由于半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)了半導(dǎo)體晶片背面和通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件的背面，從而可減少或防止切割步驟和隨后的步驟(如拾取步驟)期間半導(dǎo)體元件的損壞。由此，可改進(jìn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種采用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體元件，將半導(dǎo)體元件與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，將半導(dǎo)體元件連接至被粘物上。在前述方法中，由于將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的背面上， 從而不需要單獨(dú)粘貼半導(dǎo)體背面用膜的步驟(半導(dǎo)體背面用膜的粘貼步驟)。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割和通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件的拾取期間，半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)了半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件的背面，從而可防止損壞等。由此，可以改進(jìn)的生產(chǎn)率來(lái)生產(chǎn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。前述倒裝芯片連接步驟優(yōu)選包括將包封樹(shù)脂填充至被粘物與倒裝芯片接合至被粘物上的半導(dǎo)體元件之間的間隙中，然后熱固化包封樹(shù)脂。在當(dāng)熱固化包封樹(shù)脂時(shí)，由于其固化和收縮，將應(yīng)力施加至半導(dǎo)體元件，由于該應(yīng)力，有時(shí)會(huì)在半導(dǎo)體元件上產(chǎn)生翹曲。特別地，在厚度300 μ m以下(進(jìn)一步地，厚度200 μ m 以下)的薄型半導(dǎo)體元件中，發(fā)生翹曲變得明顯。然而，在前述工藝中，由于倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的熱固化時(shí)，在23°C-165°C范圍內(nèi)，表現(xiàn)出100ppm/°C以上的體積收縮率，所以相對(duì)于作用于半導(dǎo)體元件上的應(yīng)力，所述膜可施加應(yīng)力來(lái)抵消或減輕對(duì)半導(dǎo)體元件的應(yīng)力。從而，可有效抑制或防止再流步驟前半導(dǎo)體元件的翹曲。另外，由于體積收縮率為400ppm/°C以下，所以可獲得與包封材料收縮度相對(duì)應(yīng)的適宜收縮度。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，其通過(guò)上述方法生產(chǎn)。根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，由于所述膜在倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的背面上形成，從而所述膜發(fā)揮保護(hù)半導(dǎo)體元件的功能。另外，由于倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜熱在熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的熱固化時(shí)，在 230C _165°C范圍內(nèi)，表現(xiàn)出100ppm/°C -400ppm/°C的體積收縮率，從而可有效防止或抑制再流步驟前半導(dǎo)體元件的翹曲。另外，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成形式形成，從而，還可提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜用于切割半導(dǎo)體晶片以制備半導(dǎo)體元件的切割步驟或隨后的拾取步驟。由此，不需要單獨(dú)粘貼半導(dǎo)體背面用膜的步驟(半導(dǎo)體背面用膜的粘貼步驟)。此外，在后續(xù)切割步驟和拾取步驟中，由于半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體晶片背面或通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件背面，從而可有效保護(hù)半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件，并可抑制或防止半導(dǎo)體元件的損壞。另外，倒裝芯片連接半導(dǎo)體元件至被粘物上時(shí)，可防止半導(dǎo)體元件發(fā)生翹曲。此外，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，由于將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片背面，從而不需要單獨(dú)粘貼半導(dǎo)體背面用膜的步驟。另外，由于在半導(dǎo)體晶片切割和通過(guò)切割形成的半導(dǎo)體元件的拾取期間，半導(dǎo)體背面用膜保護(hù)半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件的背面，從而可防止損壞等。此外，在當(dāng)半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上時(shí)， 可防止半導(dǎo)體元件上發(fā)生翹曲。從而，可以改進(jìn)的生產(chǎn)率來(lái)生產(chǎn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。


圖1為顯示本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的截面示意圖。
圖2A-2D為顯示采用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一 個(gè)實(shí)施方案的截面示意圖。
附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明
1半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜
2半導(dǎo)體背面用膜
3切割帶
31基材
32壓敏粘合劑層
33與半導(dǎo)體晶片粘貼部相對(duì)應(yīng)的部分
4半導(dǎo)體晶片
5半導(dǎo)體芯片
51在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)壬闲纬傻耐箟K
6被粘物
61粘合至被粘物6的連接墊(connection pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實(shí)施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案。圖1是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個(gè)實(shí)施方案的截面示意圖。另外，在本說(shuō)明書(shū)的圖中，未給出對(duì)說(shuō)明不必要的部分，和存在通過(guò)放大、縮小等顯示的部分，以使得易于說(shuō)明。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(以下有時(shí)也稱(chēng)作“切割帶集成半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)具有包括以下的構(gòu)造包含在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3，和在壓敏粘合劑層 32上形成的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2 (以下有時(shí)稱(chēng)作“半導(dǎo)體背面用膜”或“半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)。同樣如圖1所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可設(shè)計(jì)為使得僅在與半導(dǎo)體晶片粘貼部相對(duì)應(yīng)的部分33上形成半導(dǎo)體背面用膜2 ；然而，半導(dǎo)體背面用膜可在壓敏粘合劑層32的全部表面上形成，或半導(dǎo)體背面用膜可在比與半導(dǎo)體晶片粘貼部相對(duì)應(yīng)的部分33大，但比壓敏粘合劑層32的全部表面小的部分上形成。此外，半導(dǎo)體背面用膜 2的表面(粘貼至晶片背面的表面)可采用隔離膜等保護(hù)，直至所述膜粘貼至晶片背面。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜2具有膜形狀。半導(dǎo)體背面用膜2在作為產(chǎn)品的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的實(shí)施方案中，通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，并在將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片后熱固化(細(xì)節(jié)描述于下文中)。根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用膜2具有如下性質(zhì)在熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的熱固化時(shí)，在23°C _165°C范圍內(nèi)，體積收縮率為100ppm/°C -400ppm/°C。 在體積收縮率為100ppm/°C以上的情況下，即使倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件薄時(shí)(例如厚度為300 μ m以下，進(jìn)一步地厚度為200 μ m以下)，也可有效抑制或防止翹曲。在倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體元件倒裝芯片接合至被粘物上后，僅采用包封材料(如稱(chēng)作底填料的包封樹(shù)脂)來(lái)包封被粘物與半導(dǎo)體元件之間的連接部分。進(jìn)一步地，將包封樹(shù)脂熱固化，但由于此時(shí)包封材料的固化和收縮，使得應(yīng)力作用于半導(dǎo)體元件，從而可能發(fā)生翹曲。然而，根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用膜2與包封材料一起，在包封材料熱固化時(shí)固化和收縮。此時(shí)，由于體積收縮率為100ppm/°C以上，從而變得可從半導(dǎo)體背面用膜2向半導(dǎo)體元件施加應(yīng)力，因此可抵消或減輕源自包封材料固化和收縮的應(yīng)力。結(jié)果， 可抑制或防止半導(dǎo)體元件產(chǎn)生翹曲。另外，由于體積收縮率為400ppm/°C以下，所以可獲得與包封材料收縮度相對(duì)應(yīng)的適宜收縮度。上述半導(dǎo)體背面用膜2的體積收縮率優(yōu)選為 150ppm/°C _350ppm/°C，更優(yōu)選 200ppm/°C -350ppm/°C。此處，盡管半導(dǎo)體背面用膜2可以是單層或?qū)訅憾鄠€(gè)層的層壓膜，但在半導(dǎo)體背面用膜為層壓膜的情況下，作為層壓膜整體的體積收縮率可以為100ppm/°C -400ppm/°C。 前述半導(dǎo)體背面用膜的體積收縮率可通過(guò)適宜地設(shè)定熱固性樹(shù)脂的種類(lèi)和含量等來(lái)控制。 例如，其可通過(guò)線性熱膨脹系數(shù)不同的熱固性樹(shù)脂的共混量來(lái)控制。此外，半導(dǎo)體背面用膜的體積收縮率可根據(jù)實(shí)施例中描述的方法測(cè)量。半導(dǎo)體背面用膜至少由熱固性樹(shù)脂形成，但優(yōu)選至少由熱固性樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂形成。當(dāng)膜至少由熱固性樹(shù)脂形成時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜可有效地表現(xiàn)出作為粘合劑層的功能。熱塑性樹(shù)脂的實(shí)例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、 飽和聚酯樹(shù)脂如PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂或氟化樹(shù)脂。所述熱塑性樹(shù)脂可單獨(dú)或兩種以上組合采用。這些熱塑性樹(shù)脂中，特別優(yōu)選包含少量離子雜質(zhì)，具有高耐熱性并能夠保證半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂。對(duì)丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂沒(méi)有特別限制，其實(shí)例包括含有一種或兩種以上具有30個(gè)以下碳原子，優(yōu)選4-18個(gè)碳原子，更優(yōu)選6-10個(gè)碳原子，特別是8或9個(gè)碳原子的直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂具有還包括甲基丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的寬泛含義。烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，對(duì)形成丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的其它單體(除烷基為具有30個(gè)以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒(méi)有特別限制，其實(shí)例包括含羧基單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體，如馬來(lái)酸酐和衣康酸酐；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基的單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸硫代丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸單體，如2-羥乙基丙烯?；姿狨?。就此而言，(甲基)丙烯酸表示丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯?；硎颈；?或甲基丙烯?；?，等等，其適用于整篇說(shuō)明書(shū)。此外，除環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂以外，熱固性樹(shù)脂的實(shí)例還包括氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂和熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂。熱固性樹(shù)脂可單獨(dú)或兩種以上組合使用。作為熱固性樹(shù)脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子雜質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂是適宜的。此外，酚醛樹(shù)脂適宜用作環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑。對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂沒(méi)有特別限制，可使用例如雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂，如雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、氫化雙酚 A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚AF型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、芴型環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四苯酚乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹(shù)脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹(shù)脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂。作為環(huán)氧樹(shù)脂，在上述列舉的那些中，優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂和四苯酚乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂具有與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂的高反應(yīng)性，并且耐熱性等優(yōu)異。此外，上述酚醛樹(shù)脂起到環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的作用，其實(shí)例包括酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂，例如苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂；甲階型酚醛樹(shù)脂；和聚氧苯乙烯如聚對(duì)氧苯乙烯。所述酚醛樹(shù)脂可單獨(dú)或兩種以上組合使用。這些酚醛樹(shù)脂中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù)脂和苯酚芳烷基樹(shù)脂。這是因?yàn)槟軌蚋倪M(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的混合比優(yōu)選為使得例如酚醛樹(shù)脂中的羥基相對(duì)于每當(dāng)量環(huán)氧樹(shù)脂組分中的環(huán)氧基為0.5當(dāng)量-2.0當(dāng)量。更優(yōu)選0.8當(dāng)量-1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比在該范圍外時(shí)，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹(shù)脂固化產(chǎn)品的特性趨于劣化?；诎雽?dǎo)體背面用膜的全部樹(shù)脂組分，熱固性樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為5重量％ -90重量％，更優(yōu)選10重量％ -85重量％，進(jìn)一步優(yōu)選15重量％ -80重量％。通過(guò)控制含量為5 重量％以上，可容易地使得熱固化收縮度為2體積％以上。此外，在包封樹(shù)脂熱固化時(shí)，可充分熱固化半導(dǎo)體背面用膜，從而可牢固粘貼并固定至半導(dǎo)體元件的背面，以不表現(xiàn)出剝離的生產(chǎn)倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。另一方面，通過(guò)控制含量為90重量％以下，可抑制封裝 (PKG 倒裝芯片型半導(dǎo)體器件)的翹曲。對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂用熱固化促進(jìn)催化劑沒(méi)有特別限制，可由已知的熱固化促進(jìn)催化劑適宜地選擇并使用。所述熱固化促進(jìn)催化劑可單獨(dú)使用，或兩種以上組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，可使用例如胺類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、磷類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、咪唑類(lèi)固化促進(jìn)催化劑、硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類(lèi)固化促進(jìn)催化劑。半導(dǎo)體背面用膜由包含環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物，或包含環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成是適宜的。由于這些樹(shù)脂中離子雜質(zhì)較少且耐熱性高，因此能夠保證半導(dǎo)體元件的可靠性。半導(dǎo)體背面用膜2對(duì)半導(dǎo)體晶片背面(非電路形成面)具有粘合性(緊密粘合性)是重要的。半導(dǎo)體背面用膜2可例如由包含環(huán)氧樹(shù)脂作為熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成?；陬A(yù)先將半導(dǎo)體背面用膜2交聯(lián)至一定程度的目的，優(yōu)選在制備時(shí)添加能夠與聚合物的分子鏈末端官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可增強(qiáng)高溫下的粘合性和改進(jìn)耐熱性。半導(dǎo)體背面用膜對(duì)半導(dǎo)體晶片的粘合力(23°C，180°剝離角，300mm/min剝離速率)優(yōu)選落入0. 5N/20mm-15N/20mm,更優(yōu)選0. 7N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)。通過(guò)控制粘合力為0. 5N/20mm以上，可使所述膜粘貼至具有優(yōu)異粘合性的半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件上， 并可防止發(fā)生浮起等。此外，在半導(dǎo)體晶片切割時(shí)，還可防止發(fā)生芯片飛散。另一方面，通過(guò)控制粘合力為15N/20mm以下，可容易地使膜從切割帶上剝離。對(duì)交聯(lián)劑沒(méi)有特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑、環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑、三聚氰胺類(lèi)交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類(lèi)交聯(lián)劑，而且還可提及脲類(lèi)交聯(lián)劑、金屬醇鹽類(lèi)交聯(lián)劑、金屬螯合物類(lèi)交聯(lián)劑、金屬鹽類(lèi)交聯(lián)劑、碳二亞胺類(lèi)交聯(lián)劑、噁唑啉類(lèi)交聯(lián)劑、氮丙啶類(lèi)交聯(lián)劑和胺類(lèi)交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑或環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑是適宜的。所述交聯(lián)劑可單獨(dú)或以?xún)煞N以上組合使用。異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族聚異氰酸酯，如1，2-亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族聚異氰酸酯，例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化亞甲苯基二異氰酸酯和氫化亞二甲苯基二異氰酸酯；和芳香族聚異氰酸酯，如2，4-亞甲苯基二異氰酸酯、2，6-亞甲苯基二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯和亞二甲苯基二異氰酸酯。另外，還可使用三羥甲基丙烷/亞甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE HL”，由 Nippon Polyurethane Industry Co. ,Ltd.制造]等。 此外，環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括N，N，N’，N’ -四縮水甘油基間亞二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚以及分子中具有兩個(gè)或多個(gè)環(huán)氧基的環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂。對(duì)交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限制，可根據(jù)交聯(lián)度適宜地選擇。具體地，優(yōu)選基于 100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的聚合物)，交聯(lián)劑的使用量通常為7重量份以下(例如0. 05-7重量份)。當(dāng)基于100重量份聚合物組分，交聯(lián)劑的量大于7重量份時(shí)，粘合力下降，從而該情況不是優(yōu)選的?；诟倪M(jìn)內(nèi)聚力的觀點(diǎn)，基于100重量份聚合物組分，交聯(lián)劑的量?jī)?yōu)選0. 05重量份以上。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，還可通過(guò)用電子束或紫外光等照射實(shí)施交聯(lián)處理。半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選是著色的。從而，可表現(xiàn)出優(yōu)異的激光標(biāo)識(shí)性和優(yōu)異的外觀性，且變得可以使半導(dǎo)體器件具有增值的外觀性。如上所述，由于半導(dǎo)體背面用彩色膜具有優(yōu)異的標(biāo)識(shí)性，可利用各種標(biāo)識(shí)法如印刷法和激光標(biāo)識(shí)法，通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜實(shí)施標(biāo)識(shí)， 以賦予各種信息如文字信息和圖形信息至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。特別地，通過(guò)控制著色的顏色，變得可以觀察通過(guò)優(yōu)良可見(jiàn)度地標(biāo)識(shí)而賦予的信息(例如文字信息和圖形信息)。另外，當(dāng)著色半導(dǎo)體背面用膜時(shí)，可容易地彼此區(qū)分切割帶和半導(dǎo)體背面用膜，從而可增強(qiáng)加工性等。此外，例如作為半導(dǎo)體器件，可以通過(guò)使用不同的顏色將其產(chǎn)物分類(lèi)。在著色半導(dǎo)體背面用膜的情況下(所述膜既非無(wú)色也非透明的情況)，對(duì)通過(guò)著色顯示的顏色沒(méi)有特別限制，但優(yōu)選例如暗色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是特別適宜的。在本實(shí)施方案中，暗色主要是指在LW顏色空間中定義的L*為60以下(0-60)， 優(yōu)選50以下(0-50)，更優(yōu)選40以下(0-40)的暗色。此外，黑色主要是指在LW顏色空間中定義的L*為35以下(0_35)，優(yōu)選30以下(0-30)，更優(yōu)選25以下(0-25)的黑色系顏色。就此而言，在黑色中，在LW顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*值適宜地選擇。例如a*和b*均在優(yōu)選-10至10，更優(yōu)選_5 至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3(特別優(yōu)選0或約0)的范圍內(nèi)。在本實(shí)施方案中，在LW顏色空間中定義的I^alnb*可通過(guò)采用色差儀 (商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差儀)測(cè)量來(lái)確定。LW顏色空間為由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)在 1976 年建議的顏色空間，是指稱(chēng)作CIE 1976(LW)顏色空間的顏色空間。此外，LW顏色空間定義于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (Japanese Industrial Standards)JIS Z8729 中。在半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為此類(lèi)著色劑，可適當(dāng)使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適宜的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨(dú)使用或以?xún)煞N以上的組合使用。 在這點(diǎn)上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽(yáng)離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)使用染料作為著色劑時(shí)，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^(guò)溶解于半導(dǎo)體背面用膜中而均勻或幾乎均勻分散的狀態(tài)，從而可容易地生產(chǎn)具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當(dāng)使用染料作為著色劑時(shí)，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度，并可增強(qiáng)標(biāo)識(shí)性和外觀性。對(duì)黑色著色劑沒(méi)有特別限制，可例如適宜地選自無(wú)機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外， 黑色著色劑可以是其中混合了青色著色劑(藍(lán)-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色著色劑的著色劑混合物。所述黑色著色劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。當(dāng)然， 黑色著色劑可與除黑色以外其它顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實(shí)例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(如偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻絡(luò)合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機(jī)黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，還可使用黑色染料，如C. I溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料，如C. I.顏料黑1、7等。作為這類(lèi)黑色著色劑，例如可商購(gòu)獲得商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black 803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名 “Oil Black 5970”、商品名 “Oil Black 5906”和商品名 “Oil Black 5905” 等(由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)。除黑色著色劑以外的著色劑實(shí)例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。 青色著色劑的實(shí)例包括青色染料，如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性藍(lán)6和45 ； 青色顏料，如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.甕藍(lán) 4、60 ；和 C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實(shí)例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對(duì)、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實(shí)例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實(shí)例包括黃色染料，如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料，如 C. I.顏料橙 31、43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨(dú)或兩種以上組合使用。就此而言，在使用兩種以上著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的情況下，對(duì)這些著色劑的混合比(或共混比)沒(méi)有特別限制，可根據(jù)各著色劑的種類(lèi)和目標(biāo)顏色等適宜地選擇。在著色半導(dǎo)體背面用膜2的情況下，對(duì)著色形式?jīng)]有特別限制。半導(dǎo)體背面用膜可以是例如添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可為至少層壓至少由熱固性樹(shù)脂組分形成的樹(shù)脂層與著色劑層的層壓膜。就此而言，在半導(dǎo)體背面用膜2為樹(shù)脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，以層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選具有樹(shù)脂層/著色劑層/樹(shù)脂層的層壓形式。在此情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩個(gè)樹(shù)脂層可以是具有相同組成的樹(shù)脂層， 或可以是具有不同組成的樹(shù)脂層。向半導(dǎo)體背面用膜2內(nèi)，根據(jù)需要可適宜地共混其它添加劑。其它添加劑的實(shí)例除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可以是任意的無(wú)機(jī)填料和有機(jī)填料，但無(wú)機(jī)填料是適宜的。通過(guò)共混填料如無(wú)機(jī)填料，可實(shí)現(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜導(dǎo)電性、改進(jìn)導(dǎo)熱性和控制彈性模量等。就此而言， 半導(dǎo)體背面用膜2可以是導(dǎo)電性或非導(dǎo)電性的。無(wú)機(jī)填料的實(shí)例包括由以下組成的各種無(wú)機(jī)粉末二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷如碳化硅和氮化硅、金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀和焊料以及碳等。填料可單獨(dú)或兩種以上組合使用。特別地，填料適宜地為二氧化硅，更適宜地為熔融二氧化硅。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1 μ m-80 μ m范圍內(nèi)。無(wú)機(jī)填料的平均粒徑可通過(guò)激光衍射型粒度分布測(cè)量設(shè)備測(cè)量。填料(特別是無(wú)機(jī)填料)的共混量基于100重量份有機(jī)樹(shù)脂組分，優(yōu)選為80重量份以下(0重量份-80重量份)，更優(yōu)選0重量份-70重量份。阻燃劑的實(shí)例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹(shù)脂。阻燃劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。離子捕捉劑的實(shí)例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕捉劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2例如可通過(guò)利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹(shù)脂例如環(huán)氧樹(shù)脂和如果需要的熱塑性樹(shù)脂如丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂以及任選的溶劑和其它添加劑混合從而制備樹(shù)脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)例如，能夠通過(guò)以下方法形成包括將樹(shù)脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；或者包括將樹(shù)脂組合物施涂至適當(dāng)?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹(shù)脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等等。在這點(diǎn)上，樹(shù)脂組合物可為溶液或分散液。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，在將半導(dǎo)體背面用膜應(yīng)用至半導(dǎo)體晶片之前的階段，該膜處于熱固性樹(shù)脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)下。在此情況下，將其應(yīng)用至半導(dǎo)體晶片后(具體地，通常在當(dāng)?shù)寡b芯片接合步驟中固化包封材料時(shí))，將半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹(shù)脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜包含熱固性樹(shù)脂時(shí)，該膜也處于熱固性樹(shù)脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)下，從而對(duì)半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)沒(méi)有特別限制，但例如適宜地選自50重量％以下(0-50重量％)，優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％ )和特別優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％)的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)可通過(guò)以下測(cè)量方法測(cè)量。<凝膠分?jǐn)?shù)測(cè)量法>從半導(dǎo)體背面用膜2取樣約0. Ig樣品，并精確稱(chēng)重(樣品重量)，將樣品包裹于網(wǎng)型片中后，將其在室溫下浸入約50mL甲苯中1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶物(網(wǎng)型片內(nèi)的內(nèi)含物)，并在130°C下干燥約2小時(shí)，稱(chēng)重干燥后的溶劑不溶物(浸漬和干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達(dá)式(a)計(jì)算凝膠分?jǐn)?shù)(重量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％)=[(浸漬和干燥后的重量)/(樣品重量)]X100 (a)半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)能夠通過(guò)樹(shù)脂組分的種類(lèi)和含量、交聯(lián)劑的種類(lèi)和含量以及除此以外的加熱溫度和加熱時(shí)間等來(lái)控制。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由包含熱固性樹(shù)脂如環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地表現(xiàn)出對(duì)半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片切割步驟中使用切割水，半導(dǎo)體背面用膜吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當(dāng)在仍維持此類(lèi)高水分含量下進(jìn)行倒裝芯片接合時(shí)，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體晶片或其加工體(半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，通過(guò)構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜為將具有高透濕性的芯材設(shè)置于其各表面上的構(gòu)造，水蒸氣擴(kuò)散，由此變得可以避免此類(lèi)問(wèn)題。基于此觀點(diǎn)，可采用其中在芯材的一個(gè)或兩個(gè)表面上形成半導(dǎo)體背面用膜2的多層結(jié)構(gòu)作為半導(dǎo)體背面用膜。芯材的實(shí)例包括膜(如聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜等)、采用玻璃纖維或塑料無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂基板、硅基板和玻璃基板。對(duì)半導(dǎo)體背面用膜2的厚度(在層壓膜的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限制，但優(yōu)選10 μ m-40 μ m,更優(yōu)選20 μ m-30 μ m。通過(guò)控制半導(dǎo)體背面用膜2的厚度為10 μ m以上， 可有效抑制或防止翹曲。另外，通過(guò)控制厚度為40 μ m以下，可進(jìn)一步抑制或防止向反面翹曲的發(fā)生。此外，通過(guò)控制厚度為40 μ m以下，變得可以薄化由倒裝芯片安裝至被粘物上的半導(dǎo)體元件組成的半導(dǎo)體器件。未固化狀態(tài)下，半導(dǎo)體背面用膜2在23°C下的拉伸貯能彈性模量?jī)?yōu)選為Kffa以上 (例如lGPa-50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地，3GPa以上是適宜的。當(dāng)拉伸貯能彈性模量為IGPa以上時(shí)，在將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶的壓敏粘合劑層32剝離之后將半導(dǎo)體背面用膜2放置在支承體上并進(jìn)行輸送等時(shí)，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。就此而言，支承體例如為載帶中的頂帶和底帶等。此處，半導(dǎo)體背面用膜2可為單層或?qū)訅憾鄠€(gè)層的層壓膜。在層壓膜的情況下，作為處于未固化狀態(tài)下的整體層壓膜，拉伸貯能彈性模量充分地為IGPa以上(例如 lGPa-50GPa)。此外，未固化狀態(tài)下的半導(dǎo)體背面用膜的拉伸貯能彈性模量(23°C )可通過(guò)適宜地設(shè)定樹(shù)脂組分(熱塑性樹(shù)脂和/或熱固性樹(shù)脂)的種類(lèi)和含量，或填料如二氧化硅填料的種類(lèi)和含量來(lái)控制。在半導(dǎo)體背面用膜2為層壓多個(gè)層的層壓膜情況下(在半導(dǎo)體背面用膜具有層壓層形式的情況下)，作為層壓層形式，例如可示例由晶片粘合劑層和激光標(biāo)識(shí)層構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合劑層與激光標(biāo)識(shí)層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補(bǔ)強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。就此而言， 晶片粘合劑層為對(duì)晶片表現(xiàn)出優(yōu)異的緊密粘合性(粘合性)并與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)識(shí)層為表現(xiàn)出優(yōu)異的激光標(biāo)識(shí)性的層，和在半導(dǎo)體芯片背面上激光標(biāo)識(shí)時(shí)使用的層。拉伸貯能彈性模量通過(guò)如下測(cè)定制備不層壓至切割帶3上的處于未固化狀態(tài)下的半導(dǎo)體背面用膜2，并使用由Geometries Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備 "Solid Analyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(23°C )下，在氮?dú)鈿夥罩校跇悠穼挾?0mm、樣品長(zhǎng)度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將該測(cè)量的彈性模量作為所得拉伸貯能彈性模量的值。熱固化后半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選具有l(wèi)GPa_5GPa的在23°C下的拉伸貯能模量，更優(yōu)選1. 5GPa-4. 5GPa,進(jìn)一步優(yōu)選2. OGPa-4. OGPa0當(dāng)熱固化后的拉伸貯能模量為IGPa以上時(shí)，可有效抑制或防止翹曲。此外，當(dāng)熱固化后的拉伸貯能模量為5GPa以下時(shí)，可進(jìn)一步抑制或防止向反面翹曲的發(fā)生。此處，盡管半導(dǎo)體背面用膜2可以為單層，或可為層壓多個(gè)層的層壓膜，但在層壓膜的情況下，作為層壓膜整體熱固化后的在23°C下的拉伸貯能模量可落入lGPa-5GPa范圍內(nèi)。此外，前述熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能模量可通過(guò)適宜地設(shè)定樹(shù)脂組分(熱塑性樹(shù)脂和/或熱固性樹(shù)脂)的種類(lèi)和含量和填料如二氧化硅填料的種類(lèi)和含量等來(lái)控制。此外，熱固化后的在23°C下的拉伸貯能模量通過(guò)如下測(cè)定制備不層壓至切割帶 3上的半導(dǎo)體背面用熱固化膜2，并使用由Geometries Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(23°C )下，在氮?dú)鈿夥罩校跇悠穼挾?0mm、樣品長(zhǎng)度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將其作為得到的拉伸貯能模量值。優(yōu)選地，在其至少一個(gè)表面上采用隔離膜(剝離襯墊)保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜2(圖中未顯示)。例如，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，可以在半導(dǎo)體背面用膜的至少一個(gè)表面上設(shè)置隔離膜。另一方面，在未集成有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜中，可在半導(dǎo)體背面用膜的一個(gè)或兩個(gè)表面上設(shè)置隔離膜。隔離膜具有作為保護(hù)半導(dǎo)體背面保護(hù)膜的保護(hù)材料的功能直至半導(dǎo)體背面保護(hù)膜實(shí)際使用。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，所述隔離體可進(jìn)一步用作將半導(dǎo)體背面用膜2轉(zhuǎn)移至切割帶基材的壓敏粘合劑層32上時(shí)的支承基材。當(dāng)將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上時(shí)，剝離隔離膜。作為隔離膜，還可使用聚乙烯或聚丙烯膜以及表面涂覆有脫模劑如氟類(lèi)脫模劑或丙烯酸長(zhǎng)鏈烷基酯類(lèi)脫模劑的塑料膜(如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或紙等。所述隔離膜可采用常規(guī)已知方法形成。此外，對(duì)隔離膜的厚度等沒(méi)有特別限制。在半導(dǎo)體背面用膜2未層壓有切割帶3的情況下，可將半導(dǎo)體背面用膜2與其兩側(cè)上具有剝離層的一個(gè)隔離膜一起卷繞至輥中，在所述輥中采用在其兩側(cè)上具有剝離層的隔離膜保護(hù)膜2 ；或可將膜2在其至少一個(gè)表面上采用具有剝離層的隔離膜保護(hù)。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2中的對(duì)于可見(jiàn)光的透光率(可見(jiàn)光透過(guò)率，波長(zhǎng) 400nm-800nm)沒(méi)有特別限定，但例如優(yōu)選在20 %以下(0_20 % )，更優(yōu)選10 %以下 (0-10%)，特別優(yōu)選5%以下(0-5%)范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2具有可見(jiàn)光透過(guò)率為大于20%時(shí)，存在光的透射可能不利地影響半導(dǎo)體元件的擔(dān)憂。可見(jiàn)光透過(guò)率(％)能夠通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的樹(shù)脂組分的種類(lèi)和含量、著色劑(例如顏料或染料)的種類(lèi)和含量以及無(wú)機(jī)填料的含量等來(lái)控制。半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )可如下測(cè)定。即，制備本身具有厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2。然后，將半導(dǎo)體背面用膜2用波長(zhǎng)為400至SOOnm 的可見(jiàn)光[設(shè)備由Shimadzu Corporation制造的可見(jiàn)光產(chǎn)生設(shè)備[商品名〃 ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"]在規(guī)定強(qiáng)度下照射，并測(cè)量透過(guò)的可見(jiàn)光的強(qiáng)度。此外，可基于可見(jiàn)光透過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2前后的強(qiáng)度變化來(lái)確定可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )。就此而言，也可以從厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率波長(zhǎng)400至SOOnm)的值推導(dǎo)出厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見(jiàn)光透過(guò)率波長(zhǎng)400至SOOnm)。在本發(fā)明中，在厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的情況下測(cè)定可見(jiàn)光透過(guò)率(％ )，但根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜不限于厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較低吸濕度的半導(dǎo)體背面用膜。具體地， 吸濕度優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過(guò)調(diào)整吸濕度至1重量％以下，可增強(qiáng)激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中，可抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2與半導(dǎo)體元件之間空隙的產(chǎn)生。吸濕度為由使半導(dǎo)體背面用膜2在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時(shí)前后的重量變化計(jì)算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成的情況下，吸濕度是指當(dāng)使熱固化后的膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置 168小時(shí)時(shí)獲得的值。此外，吸濕度例如可通過(guò)改變無(wú)機(jī)填料的添加量來(lái)調(diào)整。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較小比例的揮發(fā)性物質(zhì)的半導(dǎo)體背面用膜2。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。熱處理的條件例如為，加熱溫度為250°C，加熱時(shí)間為1 小時(shí)。通過(guò)將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率可例如通過(guò)添加在無(wú)鉛焊料再流時(shí)能夠減少裂紋產(chǎn)生的無(wú)機(jī)物質(zhì)來(lái)調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹(shù)脂組分的樹(shù)脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)將熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C和加熱時(shí)間為1小時(shí)的條件下加熱時(shí)獲得的值。(切割帶)切割帶3包括基材31和形成于基材31上的壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3充分具有層壓基材31和壓敏粘合劑層32的構(gòu)造。基材(支承基材)可用作壓敏粘合劑層等用支承材料?；?1優(yōu)選具有放射線透過(guò)性(radiation ray-transmitting property)。作為基材31，例如，可使用合適的薄型材料，例如紙類(lèi)基材如紙；纖維類(lèi)基材如織物、無(wú)紡布、 氈和網(wǎng)；金屬類(lèi)基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類(lèi)基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料類(lèi)材料與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適宜使用塑料基材如塑料膜和片。此類(lèi)塑料材料的原料實(shí)例包括烯烴類(lèi)樹(shù)脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺類(lèi)樹(shù)脂如聚酰胺(尼龍) 和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類(lèi)樹(shù)脂；硅酮樹(shù)脂；和氟化樹(shù)脂。另外，基材31的材料包括聚合物如前述樹(shù)脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用或者需要時(shí)可在進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過(guò)拉伸處理等賦予熱收縮性的樹(shù)脂片，在切割后通過(guò)基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2 之間的粘合面積，從而可便于半導(dǎo)體芯片的回收。為了提高與鄰接層的緊密粘合性和保持性等，可在基材31的表面上實(shí)施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì)的涂布處理。作為基材31，可適當(dāng)選擇和使用相同種類(lèi)或不同種類(lèi)的材料，需要時(shí)，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的厚度為約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層?；?1可為單層或其兩層以上的多層。基材31的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限定，可依賴(lài)于強(qiáng)度、 屈撓性及預(yù)期的使用目的等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為ΙΟΟΟμπι以下(例如Ιμπι至 1000 μ m)，優(yōu)選10 μ m至500 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m,特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m, 但不限于此。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)等的范圍內(nèi)，基材31可包含多種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層32由壓敏粘合劑形成，并具有壓敏粘合性。沒(méi)有特別限定，壓敏粘合劑可適宜地選自已知壓敏粘合劑。具體地，作為壓敏粘合劑，例如，具有上述特性的那些可適宜地選自已知的壓敏粘合劑，如丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑、橡膠類(lèi)壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類(lèi)壓敏粘合劑、硅酮類(lèi)壓敏粘合劑、聚酯類(lèi)壓敏粘合劑、聚酰胺類(lèi)壓敏粘合劑、聚氨酯類(lèi)壓敏粘合劑、氟類(lèi)壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類(lèi)壓敏粘合劑，和通過(guò)向上述壓敏粘合劑中引入熔點(diǎn)不大于200°C的熱熔融性樹(shù)脂制備的蠕變特性改進(jìn)的壓敏粘合劑(例如參見(jiàn) JP-A 56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040，其在此引入作為參考)，并用于此處。作為壓敏粘合劑，也可使用照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)或熱膨脹性壓敏粘合劑。本文中，可單獨(dú)或組合使用一種以上這類(lèi)壓敏粘合劑。作為壓敏粘合劑，本文優(yōu)選使用丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑和橡膠類(lèi)壓敏粘合劑，更優(yōu)選丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑。丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑的實(shí)例包括含有一種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類(lèi)聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑。丙烯酸類(lèi)壓敏粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯包括例如(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、 (甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、 (甲基)丙烯酸二十烷酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選具有4-18個(gè)碳原子的烷基的那些。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可以是線形或支化的?；诟倪M(jìn)其內(nèi)聚力、耐熱性和交聯(lián)性的目的，若期望，丙烯酸類(lèi)聚合物可包含對(duì)應(yīng)于可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的任意其它單體組分(可共聚合單體組分)對(duì)應(yīng)的單元?？晒簿酆蠁误w組分包括例如含羧基單體，如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸；含酸酐基單體，如馬來(lái)酸酐、衣康酸酐；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基) 丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基的單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基單體，如2-羥乙基丙烯?；姿狨?；(N-取代的)酰胺單體，如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨烷基酯單體，如(甲基)丙烯酸氨乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨乙酯、 (甲基)丙烯酸叔丁基氨乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯單體，如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯類(lèi)單體，如丙烯腈、甲基丙烯腈；含環(huán)氧基的丙烯酸類(lèi)單體，如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯單體，如苯乙烯、α-甲基苯乙烯；乙烯基酯單體，如醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯；烯烴單體，如異戊二烯、丁二烯、異丁烯；乙烯基醚單體，如乙烯基醚；含氮單體，如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基碳酰胺、N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來(lái)酰亞胺單體，如N-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、N-異丙基馬來(lái)酰亞胺、N-月桂基馬來(lái)酰亞胺、N-苯基馬來(lái)酰亞胺；衣康酰亞胺單體，如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺；琥珀酰亞胺單體，如N-(甲基)丙烯酰氧基亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧雜六亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?8-氧雜八亞辛基琥珀酰亞胺；二醇類(lèi)丙烯酸酯單體，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、 甲氧基丙二醇(甲基)丙烯酸酯；具有雜環(huán)、鹵素原子或硅原子等的丙烯酸酯類(lèi)單體，例如四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、硅酮(甲基)丙烯酸酯；多官能單體， 例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等?？蓡为?dú)或組合使用一種以上這些可共聚合單體組分。可用于本發(fā)明的照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)(組合物)包括例如內(nèi)部型照射固化型壓敏粘合劑，其包括作為基礎(chǔ)聚合物的在聚合物側(cè)鏈、主鏈或主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物；和通過(guò)在壓敏粘合劑中引入U(xiǎn)V固化型單體組分或低聚物組分制備的照射固化型壓敏粘合劑。此處還可使用熱膨脹壓敏粘合劑，其包括例如含有壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別是熱膨脹微球)的那些。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層32可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。對(duì)交聯(lián)劑沒(méi)有特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑、環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑、三聚氰胺類(lèi)交聯(lián)劑和過(guò)氧化物類(lèi)交聯(lián)劑，而且還可提及脲類(lèi)交聯(lián)劑、金屬醇鹽類(lèi)交聯(lián)劑、金屬螯合物類(lèi)交聯(lián)劑、金屬鹽類(lèi)交聯(lián)劑、碳二亞胺類(lèi)交聯(lián)劑、噁唑啉類(lèi)交聯(lián)劑、氮丙啶類(lèi)交聯(lián)劑和胺類(lèi)交聯(lián)劑等，異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑和環(huán)氧類(lèi)交聯(lián)劑是適宜的。交聯(lián)劑可單獨(dú)或兩種以上組合使用。此外，對(duì)交聯(lián)劑的使用量沒(méi)有特別限制。異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族聚異氰酸酯，例如1，2-亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族聚異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族聚異氰酸酯，例如2，4-亞甲苯基二異氰酸酯、2，6-亞甲苯基二異氰酸酯、4，4’ - 二苯甲烷二異氰酸酯和亞二甲苯基二異氰酸酯。另外，還可使用三羥甲基丙烷/亞甲苯基二異氰酸酯三聚體的加合物[商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體的加合物[商品名 “COLONATE HL，，，由 Nippon Polyurethane Industry Co. , Ltd.制造] 等。另外，環(huán)氧基交聯(lián)劑的實(shí)例包括N，N，N’，N’ -四縮水甘油基間亞二甲苯基二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油基、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、 聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S- 二縮水甘油醚以及分子中具有兩個(gè)或多個(gè)環(huán)氧基的環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂。本發(fā)明中代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，壓敏粘合劑層可以通過(guò)用電子束或紫外線照射來(lái)交聯(lián)。壓敏粘合劑層32可例如采用廣泛使用的方法形成，所述方法包括將壓敏粘合劑和任選的溶劑以及其它添加劑混合，然后將混合物成形為片狀層。特別地，例如可提及包括在基材31上施涂包含壓敏粘合劑和任選的溶劑以及其它添加劑的混合物的方法；或包括在適宜的隔離膜(如剝離紙)上施涂前述混合物，以形成壓敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移 (轉(zhuǎn)換)至基材31上的方法等。沒(méi)有特別限定，壓敏粘合劑層32的厚度可為例如5 μ m-300 μ m(優(yōu)選 5 μ m-200 μ m,更優(yōu)選5 μ m-100 μ m,甚至更優(yōu)選7 μ m-50 μ m)左右。當(dāng)壓敏粘合劑層32的厚度落入該范圍內(nèi)時(shí)，所述層可表現(xiàn)出適宜的壓敏粘合力。壓敏粘合劑層32可以是單層或多層。切割帶3的壓敏粘合劑層32對(duì)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2的粘合力(23°C，180 度剝離角，30mm/min 剝離速率)優(yōu)選在 0. 02N/20mm-10N/20mm，更優(yōu)選 0. 05N/20mm-5N/20mm 范圍內(nèi)。當(dāng)粘合力為至少0. 02N/20mm時(shí)，可防止半導(dǎo)體芯片在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)飛散出。 另一方面，當(dāng)粘合力為至多10N/20mm時(shí)，則其便于拾取半導(dǎo)體芯片時(shí)半導(dǎo)體芯片的剝離， 并防止壓敏粘合劑殘留。此外，在本發(fā)明中，可使倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌膿舸┯捎谠谄湔澈蠒r(shí)和剝離時(shí)靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過(guò)靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過(guò)適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn)行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32 和半導(dǎo)體背面用膜2的方法，或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進(jìn)熱傳導(dǎo)性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實(shí)例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐?、針形、薄片形金屬粉末；金屬氧化物如氧化鋁；無(wú)定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選為非導(dǎo)電性的。此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過(guò)隔離膜保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜2和切割帶的層壓體的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式下的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在這點(diǎn)上， 處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式下的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可由基材31、在基材31的一個(gè)表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導(dǎo)體背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(背面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導(dǎo)體背面用膜厚度和包含基材31和壓敏粘合劑層32的切割帶厚度的總厚度)可例如選自8μπι-1，500μπι，優(yōu)選 20 μ m-850 μ m,更優(yōu)選 31 μ m-500 μ m,特另Ij優(yōu)選 47 μ m-330 μ m 的范圍。就此而言，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，通過(guò)控制半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶3中壓敏粘合劑層32厚度之比，或半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)之比，可改進(jìn)切割步驟的切割性和拾取步驟的拾取性等，且半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可有效地用于半導(dǎo)體晶片切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)在使用示于圖1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1為實(shí)例的同時(shí)描述根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法。首先，通過(guò)常規(guī)已知的成膜法形成基材31。 所述成膜法的實(shí)例包括壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31，并在其上干燥(任選地，在加熱下交聯(lián))，以形成壓敏粘合劑層32。涂覆體系包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)等。壓敏粘合劑組合物可直接施涂至基材31，以在基材31上形成壓敏粘合劑層32 ；或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面進(jìn)行了潤(rùn)滑處理的剝離紙等上，以在其上形成壓敏粘合劑層32，并將壓敏粘合劑層32轉(zhuǎn)移至基材31上。由此，形成具有形成于基材31上的壓敏粘合劑層32的切割帶3。另一方面，涂布層可通過(guò)以下形成將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離紙上以在干燥后具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進(jìn)一步將其干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理和干燥)。通過(guò)將該涂布層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。就此而言，半導(dǎo)體背面用膜2也能夠通過(guò)以下在壓敏粘合劑層32上形成在壓敏粘合劑層32上直接施涂用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料，接著在規(guī)定條件下干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要，進(jìn)行熱處理和干燥)。 因此，能夠獲得根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2形成時(shí)進(jìn)行熱固化的情況下，重要的是熱固化實(shí)施至實(shí)現(xiàn)部分固化的程度，但優(yōu)選不進(jìn)行熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1能夠在包括倒裝芯片連接步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時(shí)適當(dāng)使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時(shí)使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的條件或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，可將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于將半導(dǎo)體芯片固定至被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。與半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中類(lèi)似，半導(dǎo)體背面用膜2還可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(通過(guò)倒裝芯片接合法處于將半導(dǎo)體芯片采用倒裝芯片接合法固定至被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)中。(半導(dǎo)體晶片)對(duì)半導(dǎo)體晶片沒(méi)有特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并可在各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適宜地選擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適宜地使用硅晶片。(半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法將參考圖2A-2D描述。圖2A-2D為顯示在使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況下，生產(chǎn)半導(dǎo)體器件方法的截面示意圖。根據(jù)半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，可采用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。具體地，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上的步驟，切割半導(dǎo)體晶片的步驟，拾取通過(guò)切割得到的半導(dǎo)體元件的步驟，和在被粘物上倒裝芯片接合半導(dǎo)體元件的步驟。此外，當(dāng)采用半導(dǎo)體背面用膜2時(shí)，還可根據(jù)采用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。例如，將半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至切割帶上并與之集成，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，并可采用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。在此情況下，采用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括構(gòu)成采用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法的步驟，和與之結(jié)合的以使得半導(dǎo)體背面用膜能夠與切割帶的壓敏粘合劑層相接觸的方式粘貼半導(dǎo)體背面用膜和切割帶的額外步驟?？蛇x地，可通過(guò)將半導(dǎo)體背面用膜2直接粘貼至半導(dǎo)體晶片上來(lái)使用半導(dǎo)體背面用膜2，而無(wú)需與切割帶集成。在此情況下，代替在采用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法中將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上的步驟，以使得半導(dǎo)體背面用膜與切割帶的壓敏粘合劑層接觸的方式，采用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的步驟，和隨后的將切割帶粘貼到至其粘貼有半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體背面用膜的步驟。在其另一應(yīng)用實(shí)施方案中，可將半導(dǎo)體背面用膜2直接粘貼至通過(guò)將半導(dǎo)體晶片切割成獨(dú)立半導(dǎo)體芯片制備的半導(dǎo)體芯片。在此情況下，采用半導(dǎo)體背面用膜2的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法包括例如至少以下步驟將切割帶粘貼至半導(dǎo)體晶片的步驟，切割半導(dǎo)體晶片的步驟、拾取通過(guò)切割得到的半導(dǎo)體元件的步驟、將半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上的步驟和將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體元件的步驟。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將任選地在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜 2上設(shè)置的隔離膜適當(dāng)剝離并將半導(dǎo)體晶片4粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2上以通過(guò)粘合和保持來(lái)固定(安裝步驟)。在此情況下，半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。此外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對(duì)的面(也稱(chēng)為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法不特別限制， 但優(yōu)選通過(guò)壓接的方法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時(shí)進(jìn)行。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個(gè)體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片 4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，本步驟可采取例如形成到達(dá)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)的稱(chēng)作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設(shè)備沒(méi)有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。進(jìn)一步地，由于將半導(dǎo)體晶片4通過(guò)具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。就此而言，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物形成時(shí)，即使當(dāng)將其通過(guò)切割切斷時(shí)，也抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜的粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可更加方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1擴(kuò)展(expanding)的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動(dòng)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1向下通過(guò)切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支持半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過(guò)彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為收集粘合并固定于半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示， 實(shí)施半導(dǎo)體芯片5的拾取，以與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3上剝離半導(dǎo)體芯片5。對(duì)拾取方法沒(méi)有特別限制，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動(dòng)各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點(diǎn)上，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用半導(dǎo)體背面用膜2保護(hù)。(倒裝芯片連接步驟)如圖2D所示，將拾取的半導(dǎo)體芯片5根據(jù)倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定在被粘物如基板上。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱(chēng)為正面、電路圖案形成面或電極形成面)可面向被粘物6的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6上。例如，當(dāng)在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)壬闲纬傻耐箟K51與粘貼至被粘物6的連接墊的接合導(dǎo)電性材料61 (例如焊料)接觸時(shí)，使導(dǎo)電性材料61熔融，從而保證半導(dǎo)體芯片5與被粘物6 之間的電連接，由此將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6 (倒裝芯片接合步驟)。在此情況下，半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間形成間隙，間隙距離可以通常為約30 μ m-300 μ m左右。在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)至被粘物6之后，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的界面以及間隙洗凈，然后通過(guò)用包封材料(例如包封樹(shù)脂)填充間隙來(lái)密封兩者。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜](méi)有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實(shí)例包括環(huán)氧基板、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊的材料和導(dǎo)電性材料沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括焊料(合金)如錫-鉛類(lèi)金屬材料、錫-銀類(lèi)金屬材料、錫-銀-銅類(lèi)金屬材料、錫-鋅類(lèi)金屬材料和錫-鋅-鉍類(lèi)金屬材料，以及金類(lèi)金屬材料和銅類(lèi)金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融，以連接半導(dǎo)體芯片5電路面?zhèn)鹊耐箟K和被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時(shí)的溫度通常為約^KTC (例如 2500C -3000C )。通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂等形成半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠耐受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對(duì)面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時(shí)使用的洗滌液沒(méi)有特別限定，其實(shí)例包括有機(jī)洗滌液和水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對(duì)洗滌液的耐溶劑性，并且對(duì)這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過(guò)任何常規(guī)方法而無(wú)需任何特別的洗滌液實(shí)現(xiàn)該洗滌。接著，進(jìn)行包封步驟以包封倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。包封步驟使用包封樹(shù)脂進(jìn)行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹(shù)脂的熱固化(再流)通常在175°C下進(jìn)行60秒至90秒。在本發(fā)明中，固化不限于此，例如可在165 至185°C的溫度下進(jìn)行幾分鐘。在此步驟的熱處理中，不僅包封樹(shù)脂而且半導(dǎo)體背面用膜2 的熱固化同時(shí)實(shí)施。從而，將包封樹(shù)脂和半導(dǎo)體背面用膜2固化，并隨著熱固化的進(jìn)行而收縮。結(jié)果，可通過(guò)半導(dǎo)體背面用膜2的固化和收縮抵消或減輕源自包封樹(shù)脂固化和收縮的施加于半導(dǎo)體芯片5的應(yīng)力。此外，通過(guò)該步驟，可將半導(dǎo)體背面用膜2完全或幾乎完全熱固化，并可以?xún)?yōu)異的粘合性粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。另外，由于根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜2即使當(dāng)所述膜處于未固化狀態(tài)下，也可與包封材料一起在包封步驟中熱固化，從而無(wú)需添加新的熱固化半導(dǎo)體背面用膜2的步驟。對(duì)包封材料沒(méi)有特別限制，只要所述材料為具有絕緣性的樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)，并可從已知的包封材料如包封樹(shù)脂中適宜地選擇和使用即可。包封樹(shù)脂優(yōu)選為具有彈性的絕緣樹(shù)脂。包封樹(shù)脂的實(shí)例包括含有環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物。作為環(huán)氧樹(shù)脂，可提及上述列舉的環(huán)氧樹(shù)脂。此外，由包含環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物組成的包封樹(shù)脂除了環(huán)氧樹(shù)脂之外還可包含除了環(huán)氧樹(shù)脂之外的熱固性樹(shù)脂(如酚醛樹(shù)脂)或熱塑性樹(shù)脂。此外，也可利用酚醛樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂用固化劑，作為此類(lèi)酚醛樹(shù)脂，可提及以上示例的酚醛樹(shù)脂。根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2制造的半導(dǎo)體器件 (倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面，因此，可以以?xún)?yōu)良的可見(jiàn)度實(shí)施激光標(biāo)識(shí)。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識(shí)方法是激光標(biāo)識(shí)法時(shí)，激光標(biāo)識(shí)也能夠以?xún)?yōu)良的對(duì)比度實(shí)施，并可以觀察通過(guò)具有良好可見(jiàn)度的激光標(biāo)識(shí)實(shí)施的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識(shí)時(shí)，可利用已知激光標(biāo)識(shí)設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒(méi)有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是適宜的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒(méi)有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和￥￥04激光器是適宜的。半導(dǎo)體背面用膜2的激光標(biāo)識(shí)后，可根據(jù)需要實(shí)施熱處理(激光標(biāo)識(shí)后實(shí)施的再流步驟)。對(duì)熱處理的條件沒(méi)有特別限制，但可根據(jù)JEDEC Solid State TechnologyAssociation(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施。例如，可在210_270°C溫度(上限)范圍內(nèi)實(shí)施5-50秒時(shí)間。通過(guò)該步驟，可將半導(dǎo)體封裝安裝至基板(如母板)上。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過(guò)倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過(guò)模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用這些半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動(dòng)電話”和“PHS”，小型計(jì)算機(jī)[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)”，所謂的“Net Book (商標(biāo))，，和所謂的“可穿戴計(jì)算機(jī)”等]，具有“移動(dòng)電話”和計(jì)算機(jī)集成形式的小型電子器件，所謂的 "Digital Camera (商標(biāo))”，所謂的“數(shù)碼攝像機(jī)”，小型電視機(jī)，小尺寸游戲機(jī)，小型數(shù)字音頻播放機(jī)，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書(shū)”的電子器件終端和移動(dòng)電子器件(可攜帶電子器件)如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說(shuō)，也可提及除了移動(dòng)器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)”、薄型電視機(jī)、 用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤(pán)記錄機(jī)(hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等)、投影儀和微型機(jī)等。另外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件沒(méi)有特別限制，其實(shí)例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲(chǔ)器”、硬盤(pán)等)的構(gòu)件。實(shí)施例以下將詳細(xì)地說(shuō)明性描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例，除非其超出本發(fā)明的主旨。此外，除非另外說(shuō)明，在各實(shí)施例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)。(實(shí)施例1)<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類(lèi)聚合物(商品名“PARACR0N W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 117份環(huán)氧樹(shù)脂(商品名“ΕΡΙΚ0ΤΕ 1004”，由JER Co.，Ltd.制造)、117份酚醛樹(shù)脂(商品名 "MIREX XLC-4L”，由 Mitsui Chemical, Inc.制造)、83 份球形二氧化硅(商品名“S0-25R，，， 由 Admatechs Company Limited 制造)、4 份染料(商品名 “Oil Black BS，，，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和1. 7份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”， Shikoku Chemicals Corporation制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有23. 6重量％固體濃度的粘合劑組合物溶液。將該樹(shù)脂組合物溶液涂布至作為剝離襯墊(隔離體)已經(jīng)進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為38 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)為20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。(實(shí)施例2-16和對(duì)比例1和2)在實(shí)施例2-16和對(duì)比例1和2中，除了將各共混量變?yōu)楸?所示以外，采用與實(shí)施例1相同的方式制備倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。在表1中，空白表示0重量份。各得到的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的厚度示于表2。表權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的背面，其中熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其熱固化時(shí)，在23°c-165°c范圍內(nèi)的體積收縮率為 100ppm/°C -400ppm/°C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中熱固化后的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能模量在lGPa-5GPa范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有10μπι-40μπι范圍內(nèi)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有10μπι-40μπι范圍內(nèi)的厚度。
5.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶和層壓于所述切割帶上的根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述切割帶包括基材和層壓于所述基材上的壓敏粘合劑層，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓于所述切割帶的所述壓敏粘合劑層上。
6.一種使用根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述半導(dǎo)體元件連接至被粘物上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其中所述倒裝芯片連接包括將包封樹(shù)脂填充至所述被粘物與倒裝芯片接合至所述被粘物上的半導(dǎo)體元件之間的間隙中，然后熱固化所述包封樹(shù)脂。
8.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，其通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜、半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜、用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法和倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。本發(fā)明涉及一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其在倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件背面上形成，其中熱固化前的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在其熱固化時(shí)，在23℃-165℃范圍內(nèi)的體積收縮率為100ppm/℃-400ppm/℃。
文檔編號(hào)H01L21/68GK102376611SQ201110217098
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者志賀豪士, 河本裕介, 淺井文輝, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社