專利名稱：薄膜太陽電池、組件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體地說涉及薄膜太陽電池、組件及制造方法。
背景技術(shù)：
硅基薄膜電池根據(jù)生長順序可分為PIN和NIP結(jié)構(gòu)，但在應(yīng)用中為了獲得高的轉(zhuǎn)換效率，P層通常作為窗口層，太陽光通過該層進(jìn)入電池。結(jié)構(gòu)為PIN的電池通常生長在高透光的超白玻璃襯底上，利用激光可以較為容易地實現(xiàn)圖形化，從而實現(xiàn)電池的串聯(lián)和并聯(lián)結(jié)構(gòu)，形成組件。但該結(jié)構(gòu)中玻璃界面的反光造成了約8%的入射光損失；另一方面，P// I界面在生長過程中，難以控制生長P層后摻雜劑對I層的沾污。目前主要通過以下技術(shù)來克服P層摻雜劑向I層的滲透影響(1)采用多腔室生長；(2)在單腔室生長的情況下，利用水汽處理來去除雜質(zhì)(例如硼)。但第一種方法增加了設(shè)備成本，第二種方法容易造成殘余沾污，影響了器件性能。相對于PIN，NIP結(jié)構(gòu)的電池對襯底的要求大大較低，不銹鋼、塑料膜和玻璃都可以作為NIP電池的襯底。這種電池結(jié)構(gòu)在制作工藝中可以避免P層摻雜劑對膜層和腔室的沾污，也可以很好地控制P/I界面處摻雜分布狀況，無需復(fù)雜的設(shè)備結(jié)構(gòu)和多余處理工藝。 從相關(guān)文獻(xiàn)報道來看，NIP結(jié)構(gòu)的電池容易得到優(yōu)于PIN的性能，并可以通過對頂電池封裝材料的優(yōu)化選擇來滿足高透光和輕薄化的要求。采用NIP結(jié)構(gòu)能夠很容易將非晶硅電池的電壓控制在0.9V以上，微晶硅電池的電壓控制在0.5V以上。并且易于引入微晶硅替代非晶硅作為頂電池接觸層，減少前電極(透明導(dǎo)電氧化物層)與接觸層的界面電阻，同時減少接觸層對入射光的吸收，提高器件的在可見光波段的量子效率。但由于襯底材料的不透光或難以承受高溫，通常難以利用激光劃線來對膜層進(jìn)行圖形化，使得電池在實現(xiàn)串、并聯(lián)過程中因透明電極和串聯(lián)結(jié)構(gòu)引入的電阻損耗大大高于 NIP結(jié)構(gòu)的電池和組件。因此，目前NIP結(jié)構(gòu)的商用組件效率偏低。綜上所述，目前的NIP結(jié)構(gòu)的薄膜太陽電池存在電阻損耗高和圖形化困難的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種薄膜太陽電池、組件及制造方法，用于解決現(xiàn)有薄膜太陽電池制造技術(shù)存在的電阻損耗高、圖形化困難等缺陷，簡單、高效地制造出高性能太陽薄膜電池。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種薄膜太陽電池，其中，包括襯底100 ；第一透明導(dǎo)電氧化物層410，形成于所述襯底100之上；至少一個NIP結(jié)510，形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410之上；第二透明導(dǎo)電氧化物層610，形成于所述NIP結(jié)510之上；其特征在于，
在所述襯底100和第一透明導(dǎo)電氧化物層410之間形成本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，所述本征半導(dǎo)體黏附層210與所述襯底100相接觸，所述金屬薄膜層310 與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410相接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造薄膜太陽電池的方法，其中，包括以下步驟提供一襯底100，在所述襯底100上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410 ；在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成至少一個NIP結(jié)510 ；在所述NIP結(jié)510上所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610 ；其特征在于，在所述襯底100和第一透明導(dǎo)電氧化物層410之間形成本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，所述本征半導(dǎo)體黏附層210與所述襯底100相接觸，所述金屬薄膜層310 與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410相接觸。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種制造薄膜太陽電池組件的方法，包括以下步驟(a)提供一襯底100，在所述襯底100上形成本征半導(dǎo)體黏附層210 ；(b)在所述本征半導(dǎo)體黏附層210上形成金屬薄膜層310 ；(c)在所述本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，形成第一開口 PO ；(d)在所述金屬薄膜層310上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410填充所述第一開口 PO ；(e)在所述本征半導(dǎo)體黏附層210、金屬薄膜層310和第一透明導(dǎo)電氧化物層410 上，緊鄰所述第一開口 PO形成第二開口 Pl ；(f)在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成至少一個NIP結(jié)510，所述NIP結(jié) 510中的N層510η填充所述第二開口 Pl ；(g)在所述NIP結(jié)510上，形成第三開口 P2，所述第三開口 P2形成于所述第一開口 PO的位置，且所述第三開口 P2的寬度小于所述第一開口 PO ；(h)在所述NIP結(jié)510上形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610，所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610填充所述第三開口 P2 ；(i)在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610上形成第四開口 P3，所述第四開口 P3緊鄰所述第三開口 P2，且位于所述第三開口 P2相對于所述第二開口 Pl的另一側(cè)。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在所述薄膜太陽電池組件的正極一端只形成第二開口 P1。本發(fā)明采用了本征半導(dǎo)體黏附層和高反光金屬薄膜層的組合結(jié)構(gòu)，使得NIP電池易于利用激光劃線的圖形化來實現(xiàn)組件的串、并聯(lián)結(jié)構(gòu)，同時兼顧了電池在背電極處高反光特性，使得NIP電池效能的特點得以保留，激光圖形化能有效減少組件的電阻損耗，從而得到高性能的NIP硅基薄膜組件。本發(fā)明利用玻璃襯底生長NIP電池結(jié)構(gòu)，在NIP電池生長前通過預(yù)沉積一層作為本征半導(dǎo)體黏附層的窄帶隙本征薄膜和一層高反光的金屬薄膜層，使得該結(jié)構(gòu)電池的背電極具有了高反光的特性，同時可以利用激光從背電極進(jìn)行劃線來解決圖形化的問題，從而有效減少NIP結(jié)構(gòu)電池在連成組件時的電阻損耗，提高光電轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明的薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)對玻璃的不平整度和缺陷的容忍度也可以大大提高， 一方面可以使用更為廉價的玻璃作為襯底，另一方面利用鋼化玻璃或熱增強(qiáng)玻璃等(含有大量表面微缺陷)作為襯底的組件功率和成品率將得到明顯提升。


通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯圖1為根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜太陽電池組件的方法的一個具體實施方式
的流程圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜太陽電池組件的方法的另一個具體實施方式
的流程圖；圖3-11 (b)為根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜太陽電池組件的方法的實施例的不同階段的示意性截面圖；圖12(a)_13(b)為根據(jù)本發(fā)明的薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)的實施例的不同階段的示意性截面圖；圖14為根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜太陽電池的方法的一個具體實施方式
的流程圖；附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。
具體實施例方式下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之 “上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。應(yīng)當(dāng)注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本發(fā)明省略了對公知組件和處理技術(shù)及工藝的描述以避免不必要地限制本發(fā)明。參考圖1，圖1本發(fā)明的形成薄膜太陽電池的方法的一個具體實施方式
的流程圖。在步驟SlOl中，提供一襯底100，在襯底100上形成本征半導(dǎo)體黏附層210。本發(fā)明中采用玻璃作為襯底100，尤其是可以選用缺陷玻璃、不銹鋼、塑料等材料作為襯底100，大大減小了制造薄膜太陽電池的成本。形成本征半導(dǎo)體黏附層210的材料為非晶硅，厚度為50nm。上述本征半導(dǎo)體黏附層210還可以為非晶鍺、非晶氧化硅及非晶硅鍺，并且上述本征半導(dǎo)體黏附層210也可以為非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅和非晶硅鍺中至少兩項的組合。上述本征半導(dǎo)體黏附層210的厚度不限于50nm，其厚度范圍為20nm 2000nm。上述本征半導(dǎo)體黏附層210可采用化學(xué)氣相沉積，濺鍍和/或其他合適的方法形成。
在步驟S102中，在所述本征半導(dǎo)體黏附層210上形成金屬薄膜層310。形成金屬薄膜層310的材料為高反光金屬，上述高反光金屬層為銀和鋁組成的雙層薄膜，其厚度為lOOnm。上述金屬薄膜層310還可以為銀、鋁、金等材料形成的單層薄膜， 或者其組合構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。該金屬薄膜層310的厚度范圍為20nm 800nm。上述金屬薄膜層310采用化學(xué)氣相沉積的方法形成?？蛇x的，上述金屬薄膜層310還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)技術(shù)和濺鍍技術(shù)(Sputter Deposition System)形成。如圖3所示，圖中100為襯底100，210為本征半導(dǎo)體黏附層210，310為金屬薄膜層 310。在步驟S103中，在所述本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，形成第一開口 P0。如圖4所示?？刹捎眉す獯怪被蛘叱梢欢ń嵌葻g所述本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，并停止于襯底100上表面。另外，還可以采用化學(xué)刻蝕的方法形成所述第一開口 P0，例如可采用氫氟酸試劑等。通常采用光纖激光器對所述本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310進(jìn)行燒蝕劃線。本發(fā)明中，采用YAG激光器來實現(xiàn)這一應(yīng)用。YAG激光器輸出的激光一般為小于400W 的連續(xù)激光，能夠克服工作介質(zhì)有時會使輸出功率、光斑大小和光束質(zhì)量發(fā)生波動的限制， 能夠有效避免激光參數(shù)隨時間變化而造成的產(chǎn)品性能的不穩(wěn)定。每一個第一開口 PO為激光兩次劃線制成。即第一開口 PO由平行、相鄰且不交叉的兩個開口組成。可選的，還可以采用紅光、綠光等激光器來進(jìn)行燒蝕。在步驟S104中，在所述金屬薄膜層310上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410填充所述第一開口 P0。如圖5所示。在沉積第一透明導(dǎo)電氧化物層410時，第一透明導(dǎo)電氧化物材料會填充第一開口 P0，使第一開口 PO中填滿第一透明導(dǎo)電氧化物材料。上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410采用二氧化硅材料，用化學(xué)氣相沉積的方法沉積而成?？蛇x的，上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410的材料還可以為氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)，以及近幾年受到矚目的氧化鋅(SiO)摻雜其他元素(如B、Ga、Al 等)等材料?？蛇x的，形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD) 技術(shù)禾口Sl鍵技術(shù)(Sputter Deposition System)。在步驟S105中，在所述本征半導(dǎo)體黏附層210、金屬薄膜層310和第一透明導(dǎo)電氧化物層410上，緊鄰所述第一開口 PO形成第二開口 Pl。如圖6所示?？刹捎眉す獯怪被蛘叱梢欢ń嵌葻g所述本征半導(dǎo)體黏附層210、金屬薄膜層 310和第一透明導(dǎo)電氧化物層410，并停止于襯底100上表面。另外，還可以采用化學(xué)刻蝕的方法形成所述第二開口 P1，例如可采用氫氟酸試劑等。值得注意的是，在形成薄膜太陽電池組件正極的一端，也可以只形成第二開口 P1。 如圖6所示，要在電池組件的右側(cè)形成正極，左側(cè)形成負(fù)極。即可在第一開口 PO和電池右側(cè)邊緣之間用激光垂直燒蝕本征半導(dǎo)體黏附層210、金屬薄膜層310和第一透明導(dǎo)電氧化物層410，并停止于襯底100的上表面，形成一個與其他第二開口 Pl平行的第二開口 Pl。用激光垂直燒蝕本征半導(dǎo)體黏附層210、金屬薄膜層310和第一透明導(dǎo)電氧化物層410，并停止于襯底100的上表面。所述第二開口 Pl平行于第一開口 P0，且位于第一開口 PO左側(cè)，其右側(cè)邊緣與第一開口 PO左側(cè)邊緣相連但不相交。上述激光燒蝕采用YAG激光器來完成?？蛇x的，波長范圍從紅外到紫外的光纖激光器都可以采用。優(yōu)選的，采用波長532nm的綠光激光器。在步驟S106中，在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成至少一個NIP結(jié)510，所述NIP結(jié)510中的N層510η填充所述第二開口(Pl)。如圖7(a)所示，在第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成了一個NIP結(jié)510。在第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成NIP結(jié)510時，所述形成N層510η的材料對第二開口 Pl進(jìn)行填充，使得第二開口 Pl中充滿形成N層510η的材料。在NIP電池中，N層510η顯得特別重要，因為本征層(I層)510i長在N層510η 上，所以N層510η的特性會直接影響本征層510i的特性，進(jìn)而影響整個電池的性能。上述 N層510η采用摻磷元素的材料來制備?？蛇x的，可以摻雜其它III族元素的材料。在非晶硅太陽能電池中，由于載流子的短壽命和低遷移率，使光生載流子的擴(kuò)散長度大大低于電池的厚度，光生載流子只有漂移運(yùn)動而無擴(kuò)散運(yùn)動。因此，大多數(shù)光生載流子必須在電池內(nèi)部電場的驅(qū)動下才能被電極收集，否則會因復(fù)合而湮滅。作為有源區(qū)，本征層510i肩負(fù)著光生載流子的產(chǎn)生與收集，因此非晶硅太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率強(qiáng)烈地依賴于其本征層510i的質(zhì)量。本征層510i的主要作用有兩個，一是作為入射光的吸收層，要吸收盡可能多的光，產(chǎn)生更多的電子空穴對。這樣就要求本征層510i有良好的光學(xué)吸收性能，當(dāng)然，還與陷光結(jié)構(gòu)和本征層510i厚度有關(guān)；第二是作為光生載流子的運(yùn)輸路徑，要有良好的輸運(yùn)特性，盡可能低的缺陷態(tài)密度，盡量長的擴(kuò)散長度等。本征層510i可以采用純硅烷制備，也可以采用氫稀釋的硅烷來制備。經(jīng)實驗證明，采用氫稀釋的硅烷制備的本征層510i穩(wěn)定性更好，因此優(yōu)選采用氫稀釋的硅烷來制備本征層510ioP層510p的主要作用是與N層510η—起建立內(nèi)電場。作為一個電極，要有較大的電導(dǎo)率，以增加本征層510i上的內(nèi)建電勢。另外，還要具有較小的激活能，這樣可以和本征層510i形成較高的勢壘，增大電壓。上述P層510p采用摻硼元素的材料來制備?？蛇x的，P層510p的材料可以是非晶硅摻雜其它V族元素的材料制成。也可以采用寬帶隙高電導(dǎo)的微晶薄膜。所述NIP結(jié)510可以采用化學(xué)氣相沉積的方法制備。還可以采用增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法來制備。圖7(b)是形成兩個NIP結(jié)的情況。如圖7(b)所示，在第一透明導(dǎo)電氧化物層410 上順序沉積形成NIP結(jié)510和NIP結(jié)520。在第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成NIP結(jié)510 和NIP結(jié)520時，所述形成NIP結(jié)510的N層510η的材料對第二開口 Pl進(jìn)行填充，使得第二開口 Pl中充滿形成NIP結(jié)510的N層510η的材料。
根據(jù)需要，還可以第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成多個NIP結(jié)。當(dāng)形成多個NIP 結(jié)時，沉積于第一透明導(dǎo)電氧化物層上的NIP結(jié)的N層510η材料對第二開口 Pl進(jìn)行填充。在步驟S107中，在所述NIP結(jié)510上，形成第三開口 Ρ2，所述第三開口 Ρ2形成于所述第一開口 PO的位置，且所述第三開口 Ρ2的寬度小于所述第一開口 Po?？刹捎眉す獯怪被蛘叱梢欢ń嵌葻gNIP結(jié)510，停止于第一透明導(dǎo)電氧化物層 410的上表面。另外，還可以采用化學(xué)刻蝕的方法形成所述第三開口 Ρ2，例如可采用氫氟酸試劑等。如前所述，第一開口 PO由平行、相鄰且不交叉的兩個開口組成。用激光在第一開口 PO中的左側(cè)開口位置垂直燒蝕NIP結(jié)510，停止于第一透明導(dǎo)電氧化物層410的上表面， 形成第三開口 Ρ2。上述激光采用波長為1064nm的紅外激光器。優(yōu)選的，還可以采用波長為355nm的紫外激光器、波長為532nm的綠光激光器等。實驗表明，采用波長為355nm的紫外激光器或者波長為532nm的綠光激光器對NIP 結(jié)510進(jìn)行燒蝕，電池中的少子壽命比率相對于采用紅外激光器進(jìn)行燒蝕要高，也就是說， 激光損傷更小。圖8(b)為激光垂直燒蝕兩個NIP結(jié)510和520的情況。可選的，如果形成了多個 NIP結(jié)，激光需垂直燒蝕多個NIP結(jié)，并停止于第一透明導(dǎo)電氧化物層410的上表面。在步驟S108中，在所述NIP結(jié)510上形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610，所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610填充所述第三開口 P2。如圖9(a)所示。在所述NIP結(jié)510上形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610的同時，形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610的材料對第三開口 P2進(jìn)行填充，使得第三開口 P2中充滿形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610的材料。上述第二透明導(dǎo)電氧化物層610采用氧化鋅材料沉積而成?？蛇x的，第二透明導(dǎo)電氧化物層610還可采用二氧化硅、氧化錫、氧化鋅組合形成的復(fù)合透明導(dǎo)電膜代替氧化銦銻或單層透明導(dǎo)電膜。復(fù)合膜具有阻擋離子污染、增大入射光吸收和抗等離子還原反應(yīng)的效果。可選的，還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)技術(shù)和濺鍍技術(shù)(Sputter Deposition System)形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610。圖9 (b)所示為兩個NIP結(jié)的情況。在步驟S109中，在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610上形成第四開口 P3，所述第四開口 P3緊鄰所述第三開口 P2，且位于所述第三開口 P2相對于所述第二開口 Pl的另一側(cè)。 如圖10(a)所示?？刹捎眉す獯怪被蛘叱梢欢ń嵌葻g第二透明導(dǎo)電氧化物層610，停止于NIP結(jié) 510中P層510p的上表面，形成第四開口 P3。另外，還可以采用化學(xué)刻蝕的方法形成所述第三開口 P2，例如可采用氫氟酸試劑等。用激光在第一開口 PO中的右側(cè)開口位置垂直燒蝕第二透明導(dǎo)電氧化物層610，停止于NIP結(jié)510中P層510p的上表面，形成第四開口 P3。當(dāng)電池中包括多個NIP結(jié)時，激光燒蝕停留在最上方的NIP結(jié)的P層上表面。如圖10(b)所示。
參考圖2，圖2本發(fā)明的形成薄膜太陽電池的方法的另一個具體實施方式
的流程圖。包括步驟S201 S210。其中，步驟S201 S209與圖1中所示實施例相似或者相同。 基于圖1所示實施例，本實施例還包括步驟S210。步驟S210，在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層610上形成封裝層710。封裝層710可以覆蓋于整塊電池表面?？蛇x的，所述封裝層710也可以只覆蓋薄膜電池的兩端，即形成正、 負(fù)極的兩端。如圖11(a)所示。上述封裝層710采用乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜粘合平板玻璃制成?？蛇x的， 封裝層材料還可以為減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃材料；硅膠、樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜以及平整具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜材料等。封裝層710和第二透明導(dǎo)電氧化物層610中間還可采用聚乙烯醇縮丁醛(PVB)膜進(jìn)行粘合。乙烯-醋酸乙烯共聚物簡稱EVA，一般醋酸乙烯(VA)含量在5% 40%。與聚乙烯相比，EVA由于在分子鏈中引入了醋酸乙烯單體，從而降低了高結(jié)晶度，提高了柔韌性、抗沖擊性、填料相溶性和熱密封性能，被廣泛應(yīng)用于發(fā)泡鞋料、功能性棚膜、包裝膜、熱熔膠、 電線電纜及玩具等領(lǐng)域。一般來說，EVA的性能主要取決于分子鏈上醋酸乙烯的含量。聚乙烯醇縮丁醛(Polyvinyl butyral)簡稱PVB。PVB膜是半透明的薄膜，由聚乙烯醇縮丁醛樹脂經(jīng)增塑劑塑化擠壓成型的一種高分子材料。外觀為半透明薄膜，無雜質(zhì)，表面平整，有一定的粗糙度和良好的柔軟性，對無機(jī)玻璃有很好的粘結(jié)力、具有透明、耐熱、耐寒、耐濕、機(jī)械強(qiáng)度高等特性，是當(dāng)前世界上制造夾層、安全玻璃用的最佳粘合材料，同時在建筑幕墻、招罩棚、櫥窗、銀行柜臺、監(jiān)獄探視窗、煉鋼爐屏幕及各種防彈玻璃等建筑領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用。另外，所述封裝層710還可以采用直接鍍膜的方式形成。如在第二透明導(dǎo)電氧化物層610上鍍二氧化硅、三氧化二鋁等單層或多層材料。使用直接鍍膜的方式形成封裝層結(jié)構(gòu)簡單、容易實現(xiàn)，具有大規(guī)模應(yīng)用的前景。圖11(b)所示電池為具有兩個NIP結(jié)510和520的情況。圖12(a)_13(b)為根據(jù)本發(fā)明的薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)的實施例的不同階段的示意性截面圖。如12(a)和12(b)為單NIP結(jié)的薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)。如圖12(a)所示，該薄膜太陽電池包括襯底100 ；第一透明導(dǎo)電氧化物層410，形成于所述襯底100之上；NIP結(jié)510，形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410之上；第二透明導(dǎo)電氧化物層610，形成于所述NIP結(jié)510之上；其特征在于，在所述襯底100和第一透明導(dǎo)電氧化物層410之間形成本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，所述本征半導(dǎo)體黏附層210與所述襯底100相接觸，所述金屬薄膜層310與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410相接觸。上述襯底100為普通玻璃?？蛇x的，還可以采用缺陷玻璃、不銹鋼、塑料等材料作為襯底100。形成本征半導(dǎo)體黏附層210的材料為非晶硅，厚度為50nm。上述本征半導(dǎo)體黏附層210還可以為非晶鍺、非晶氧化硅及非晶硅鍺，并且上述本征半導(dǎo)體黏附層210也可以為非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅和非晶硅鍺中至少兩項的組合。上述本征半導(dǎo)體黏附層210的厚度不限于50nm，其厚度范圍為20nm 2000nm。形成金屬薄膜層310的材料為高反光金屬。上述高反光金屬層為銀和鋁組成的雙層薄膜，其厚度為lOOnm。可選的，上述金屬薄膜層310還可以為銀、鋁、金等材料形成的單層薄膜，或者其組合構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。該金屬薄膜層310的厚度范圍為20nm 800nm。上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410采用二氧化硅材料，用化學(xué)氣相沉積的方法沉積而成?？蛇x的，上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410的材料還可以為氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)，以及近幾年受到矚目的氧化鋅(SiO)摻雜其他元素(如B、Ga、Al 等)等材料。上述NIP結(jié)510中N層510η采用摻磷元素的材料來制備。上述NIP結(jié)510中的非晶硅本征吸收層510i采用本領(lǐng)域人員熟知的常規(guī)材料即可?？蛇x的，可以摻雜其它III族元素的材料。上述NIP結(jié)510中P層510p的主要作用是與N層510η—起建立內(nèi)電場。作為一個電極，要有較大的電導(dǎo)率，以增加本征層510i上的內(nèi)建電勢。另外，還要具有較小的激活能，這樣可以和本征層510i形成較高的勢壘，增大電壓。上述P層510p采用摻硼元素的材料來制備?？蛇x的，P層510p的材料可以是非晶硅摻雜其它V族元素的材料制成。也可以采用寬帶隙高電導(dǎo)的微晶薄膜。上述第二透明導(dǎo)電氧化物層610采用氧化鋅材料沉積而成?？蛇x的，第二透明導(dǎo)電氧化物層610還可采用二氧化硅、氧化錫、氧化鋅組合形成的復(fù)合透明導(dǎo)電膜代替氧化銦銻或單層透明導(dǎo)電膜。復(fù)合膜具有阻擋離子污染、增大入射光吸收和抗等離子還原反應(yīng)的效果。如圖12(b)所示，在第二透明導(dǎo)電氧化物層610上有封裝層710。上述封裝層710采用乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜粘合平板玻璃制成。可選的，封裝層710的材料還可以為減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃材料；硅膠、 樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜以及平整具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜材料等。封裝層710和第二透明導(dǎo)電氧化物層610中間還可采用聚乙烯醇縮丁醛(PVB)膜進(jìn)行粘合。在非晶硅太陽薄膜電池里，NIP結(jié)可以為多個，如圖13(a)和13(b)所示。圖13(a)中薄膜太陽電池包括襯底100 ；第一透明導(dǎo)電氧化物層410，形成于所述襯底100之上；NIP結(jié)510和520，順序形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410之上；第二透明導(dǎo)電氧化物層610，形成于所述NIP結(jié)520之上；其特征在于，在所述襯底100和第一透明導(dǎo)電氧化物層410之間形成本征半導(dǎo)體黏附層210和金屬薄膜層310，所述本征半導(dǎo)體黏附層210與所述襯底100相接觸，所述金屬薄膜層310與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層410 相接觸。其中，NIP結(jié)510包括順序沉積于第一透明導(dǎo)電氧化物層410之上的N層510η、本征層510i和P層510p組成。NIP結(jié)520包括順序沉積于NIP結(jié)510之上N層520η、本征層520i和P層520p組成。
圖13(b)中薄膜太陽電池在圖13(a)中薄膜太陽電池的基礎(chǔ)上增加了封裝層710。 封裝層710形成于第二透明導(dǎo)電氧化物層610之上。雙NIP結(jié)電池的各層的可選材料均與單NIP結(jié)電池相同或者相似。本領(lǐng)域人員當(dāng)能根據(jù)本說明書中單NIP結(jié)薄膜太陽電池的介紹獲知雙NIP結(jié)或者多NIP結(jié)薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)以及材料，在此不再贅述。圖14為根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜太陽電池的方法的一個具體實施方式
的流程圖。在步驟S301中，提供一襯底100，在襯底100上形成本征半導(dǎo)體黏附層210。本發(fā)明中采用玻璃作為襯底100，尤其是可以選用缺陷玻璃、不銹鋼、塑料等材料作為襯底100，大大減小了制造薄膜太陽電池的成本。形成本征半導(dǎo)體黏附層210的材料為非晶硅，厚度為50nm。上述本征半導(dǎo)體黏附層210還可以為非晶鍺、非晶氧化硅及非晶硅鍺，并且上述本征半導(dǎo)體黏附層210也可以為非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅和非晶硅鍺中至少兩項的組合。上述本征半導(dǎo)體黏附層210的厚度不限于50nm，其厚度范圍為20nm 2000nm。上述本征半導(dǎo)體黏附層210可采用化學(xué)氣相沉積，濺鍍和/或其他合適的方法形成。在步驟S302中，在本征半導(dǎo)體黏附層210上形成金屬薄膜層310。形成金屬薄膜層310的材料為高反光金屬，上述高反光金屬層為銀和鋁組成的雙層薄膜，其厚度為lOOnm。上述金屬薄膜層310還可以為銀、鋁、金等材料形成的單層薄膜， 或者其組合構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜。該金屬薄膜層310的厚度范圍為20nm 800nm。上述金屬薄膜層310采用化學(xué)氣相沉積的方法形成。可選的，上述金屬薄膜層310還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)技術(shù)和濺鍍技術(shù)(Sputter Deposition System)形成。在步驟S303中，在金屬薄膜層310上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410。上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410采用二氧化硅材料，用化學(xué)氣相沉積的方法沉積而成?？蛇x的，上述第一透明導(dǎo)電氧化物層410的材料還可以為氧化錫(SnO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)，以及近幾年受到矚目的氧化鋅(SiO)摻雜其他元素(如B、Ga、Al 等)等材料。可選的，形成第一透明導(dǎo)電氧化物層410還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD) 技術(shù)禾口Sl鍵技術(shù)(Sputter Deposition System)。在步驟S304中，在第一透明導(dǎo)電氧化物層410上形成NIP結(jié)510。上述N層510η采用摻磷元素的材料來制備?？蛇x的，可以摻雜其它III族元素的材料。作為有源區(qū)，本征層510i肩負(fù)著光生載流子的產(chǎn)生與收集，因此非晶硅太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率強(qiáng)烈地依賴于其本征層510i的質(zhì)量。本征層510i可以采用純硅烷制備，也可以采用氫稀釋的硅烷來制備。經(jīng)實驗證明，采用氫稀釋的硅烷制備的本征層510i穩(wěn)定性更好，因此優(yōu)選采用氫稀釋的硅烷來制備本征層510ioP層510p的主要作用是與N層510η—起建立內(nèi)電場。上述P層510ρ采用摻硼元素的材料來制備?？蛇x的，P層510p的材料可以是非晶硅摻雜其它V族元素的材料制成。也可以采用寬帶隙高電導(dǎo)的微晶薄膜，采用微晶材料可以有效減少P層的光吸收損失。所述NIP結(jié)510可以采用化學(xué)氣相沉積的方法制備。還可以采用增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法來制備?？蛇x的，還可以形成多個NIP結(jié)510，形成NIP結(jié)510的方法與上述單結(jié)情況相同， 在此不再贅述。在步驟S305中，在NIP結(jié)510上形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610。上述第二透明導(dǎo)電氧化物層610采用氧化鋅材料沉積而成。可選的，第二透明導(dǎo)電氧化物層610還可采用二氧化硅、氧化錫、氧化鋅組合形成的復(fù)合透明導(dǎo)電膜代替氧化銦銻或單層透明導(dǎo)電膜。復(fù)合膜具有阻擋離子污染、增大入射光吸收和抗等離子還原反應(yīng)的效果?？蛇x的，還可以采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)技術(shù)和濺鍍技術(shù)(Sputter Deposition System)形成第二透明導(dǎo)電氧化物層610。在步驟S306中，在第二透明導(dǎo)電氧化物層610上形成封裝層710。封裝層710采用乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜粘合平板玻璃制成?？蛇x的，封裝層材料還可以為減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃材料；硅膠、樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜以及平整具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜材料等。封裝層710和第二透明導(dǎo)電氧化物層610中間還可采用聚乙烯醇縮丁醛(PVB)膜進(jìn)行粘合。另外，所述封裝層710還可以采用直接鍍膜的方式形成。如在第二透明導(dǎo)電氧化物層610上鍍二氧化硅、三氧化二鋁等單層或多層材料。使用直接鍍膜的方式形成封裝層結(jié)構(gòu)簡單、容易實現(xiàn)，具有大規(guī)模應(yīng)用的前景。本發(fā)明利用玻璃襯底生長NIP電池結(jié)構(gòu)，在NIP電池生長前通過預(yù)沉積一層作為本征半導(dǎo)體黏附層的窄帶隙本征薄膜和一層高反光的金屬薄膜層，使得該結(jié)構(gòu)電池的背電極具有了高反光的特性，同時可以利用激光從背電極進(jìn)行劃線來解決圖形化的問題，從而有效減少NIP結(jié)構(gòu)電池在連成組件時的電阻損耗，提高光電轉(zhuǎn)換效率。由于采用了本征半導(dǎo)體黏附層和高反光金屬薄膜層的組合結(jié)構(gòu)，使得NIP電池易于利用激光劃線的圖形化來實現(xiàn)組件的串、并聯(lián)結(jié)構(gòu)，同時兼顧了電池在背電極處高反光特性，使得NIP電池效能的特點得以保留，激光圖形化能有效減少組件的電阻損耗，從而得到高性能的NIP硅基薄膜組件。從文獻(xiàn)來看，采用NIP結(jié)構(gòu)能夠很容易實現(xiàn)非晶硅電池電壓控制在0. 9V，微晶硅電池電壓在0. 5V以上；并且易于引入微晶硅替代非晶硅作為頂電池接觸層，能夠減少第二透明氧化物前電極與接觸層的界面電阻，同時減少了接觸層的對入射光的吸收，提高器件的在可見光波段的量子效率。由于采用激光劃線，組件的損耗基本不會增加。此外，有選擇地選用高透光前板和膜層，將能夠把入射光反射有效控制在8% (3. 2mm超白浮法玻璃的反射率)以內(nèi)，襯底的材料也可以換作透光性一般的廉價玻璃，由于采用了本征半導(dǎo)體黏附層技術(shù)，Pl劃線只需要形成開口，降低了玻璃表面殘留物的控制要求，而PIN電池Pl劃線后在玻璃表面殘留透明電極材料將導(dǎo)致嚴(yán)重短路，對比而言，本專利結(jié)構(gòu)對玻璃的不平整度和缺陷的容忍度也可以大大提高，一方面可以使用更為廉價的玻璃作為襯底，另一方面利用鋼化玻璃或熱增強(qiáng)玻璃等(含有大量表面微缺陷)作為襯底的組件功率和成品率將得到明顯提升。 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化涵括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，顯然“包括” 一詞不排除其他模塊或步驟，單數(shù)不排除復(fù)數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽電池，包括 襯底(100)；第一透明導(dǎo)電氧化物層010)，形成于所述襯底(100)之上； 至少一個NIP結(jié)(510)，形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)之上； 第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)，形成于所述NIP結(jié)(510)之上； 其特征在于，在所述襯底(100)和第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)之間形成本征半導(dǎo)體黏附層(210) 和金屬薄膜層(310)，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)與所述襯底(100)相接觸，所述金屬薄膜層(310)與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層G10)相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，襯底(100)材料包括缺陷玻璃、不銹鋼、塑料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)材料包括非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅、非晶硅鍺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)的厚度范圍為20 2000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，所述金屬薄膜層(310)為銀、鋁、金中的一層或者多層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，所述金屬薄膜層(310)的厚度范圍為 20 800nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽電池，其中，還包括封裝層(710)，所述封裝層(710) 形成于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽電池，其中，采用EVA或PVB膜將所述封裝層(710) 粘合于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上，或采用鍍膜方式將所述封裝層(710)直接鍍于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽電池，其中，所述封裝層(710)包括平板玻璃、減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃或硅膠、樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜等平整或具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜或三氧化二鋁、二氧化硅等鍍膜。
10.一種制造薄膜太陽電池的方法，其中，包括以下步驟提供一襯底(100)，在所述襯底(100)上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層G10)； 在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)上形成至少一個NIP結(jié)(510)； 在所述NIP結(jié)(510)上所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)； 其特征在于，在所述襯底(100)和第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)之間形成本征半導(dǎo)體黏附層(210) 和金屬薄膜層(310)，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)與所述襯底(100)相接觸，所述金屬薄膜層(310)與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層G10)相接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，襯底(100)材料包括缺陷玻璃、不銹鋼、塑料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)材料包括非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅、非晶硅鍺。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層O10)的厚度范圍為(20 2000nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述金屬薄膜層(310)為銀、鋁、金中的一層或者多層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述金屬薄膜層(310)的厚度范圍為20 800nmo
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，還包括封裝層(710)，所述封裝層(710)形成于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，采用EVA或PVB膜將所述封裝層(710)粘合于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上，或采用鍍膜方式將所述封裝層(710)直接鍍于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述封裝層(710)包括平板玻璃、減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃或硅膠、樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜等平整或具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜或三氧化二鋁、二氧化硅等鍍膜。
19.一種制造薄膜太陽電池組件的方法，其中，包括以下步驟(a)提供一襯底(100)，在所述襯底(100)上形成本征半導(dǎo)體黏附層O10)；(b)在所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)上形成金屬薄膜層(310)；(c)在所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)和金屬薄膜層(310)，形成第一開口(PO)；(d)在所述金屬薄膜層(310)上形成第一透明導(dǎo)電氧化物層G10)，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)填充所述第一開口(PO)；(e)在所述本征半導(dǎo)體黏附層010)、金屬薄膜層(310)和第一透明導(dǎo)電氧化物層 (410)上，緊鄰所述第一開口(PO)形成第二開口(Pl)；(f)在所述第一透明導(dǎo)電氧化物層(410)上形成至少一個NIP結(jié)(510)，所述NIP結(jié) (510)中的N層510η填充所述第二開口(Pl)；(g)在所述NIP結(jié)(510)上，形成第三開口(P2)，所述第三開口(P2)形成于所述第一開口(PO)的位置，且所述第三開口(P2)的寬度小于所述第一開口(PO)；(h)在所述NIP結(jié)(510)上形成第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)，所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)填充所述第三開口(P2)；(i)在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)上形成第四開口(P3)，所述第四開口(P3)緊鄰所述第三開口(P2)，且位于所述第三開口(P2)相對于所述第二開口(Pl)的另一側(cè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，在所述薄膜太陽電池組件的正極一端只形成第二開口(Pl)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的方法，其中，形成所述第一開口(P0)、所述第二開口 (Pl)、所述第三開口(P》和所述第四開口(P； )的方法包括激光燒蝕或化學(xué)刻蝕。
22.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的方法，其中，所述第一開口(P0)、所述第二開口(Pl)、 所述第三開口(P》和所述第四開口(P； )與薄膜太陽電池垂直或成一定角度設(shè)置。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第四開口(P3)的寬度和小于所述第一開口 (PO)的寬度。
24.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的方法，其中，所述襯底(100)的材料包括缺陷玻璃、不銹鋼、塑料。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層(210)材料包括非晶硅、非晶鍺、非晶氧化硅、非晶硅鍺。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述本征半導(dǎo)體黏附層O10)的厚度范圍為 20 2000nm。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述金屬薄膜層(310)為銀、鋁、金中的一層或者多層。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述金屬薄膜層(310)的厚度范圍為20 800nmo
29.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的方法，其中，所述步驟(i)之后還包括步驟 (j)在所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)上形成封裝層(710)。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的方法，其中，采用EVA或PVB膜將所述封裝層(710)粘合于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上，或采用鍍膜方式將所述封裝層(710)直接鍍于所述第二透明導(dǎo)電氧化物層(610)之上。
31.根據(jù)權(quán)利要求四所述的方法，其中，所述封裝層(710)包括平板玻璃、減反射膜玻璃、絨面玻璃等玻璃或硅膠、樹脂、聚乙烯類、含氟薄膜等平整或具有絨面結(jié)構(gòu)的透光塑料膜或三氧化二鋁、二氧化硅等鍍膜。
全文摘要
本發(fā)明提供薄膜太陽電池、組件及制造方法。本發(fā)明的薄膜太陽電池包括襯底；第一透明導(dǎo)電氧化物層，形成于所述襯底之上；至少一個NIP結(jié)，形成于所述第一透明導(dǎo)電氧化物層之上；第二透明導(dǎo)電氧化物層，形成于所述NIP結(jié)之上；其特征在于，在所述襯底和第一透明導(dǎo)電氧化物層之間形成本征半導(dǎo)體黏附層和金屬薄膜層，所述本征半導(dǎo)體黏附層與所述襯底相接觸，所述金屬薄膜層與所述第一透明導(dǎo)電氧化物層相接觸。本發(fā)明還提供一種制造該電池的方法以及一種制造薄膜太陽電池組件的方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)在制造NIP結(jié)構(gòu)電池組件中的高損耗、圖形化難的問題。
文檔編號H01L31/075GK102254967SQ201110183088
公開日2011年11月23日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者丁建, 周曦, 方曉玲, 朱鑫, 李貴君, 楊立友, 牛新偉, 王明華, 程冰, 郁操 申請人:浙江正泰太陽能科技有限公司