專利名稱：腔體預(yù)熱方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種腔體預(yù)熱方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件制造過程可分為前段工藝和后段工藝，前段工藝中主要在晶片上形成晶體管、電容或電阻等相應(yīng)器件，后段工藝主要將前段工藝中形成的器件通過金屬相連，即主要形成金屬互連。在前段工藝向后段工藝過渡的過程中，包括如下工藝步驟源/漏形成、氧化層沉積、SAB (Salicide Block,金屬娃化物阻擋層)形成等。其中，SAB工藝過程中需要將晶片放入特定的儀器(例如可以為ENDURA5500機(jī)臺(tái))內(nèi)，并使晶片依次通過儀器上的清洗腔、鈷沉積腔及氮化鈦沉積腔。在對(duì)晶片進(jìn)行上述 SAB工藝之前，首先需要對(duì)該特定儀器上的清洗腔、鈷沉積腔及氮化鈦沉積腔分別進(jìn)行特定時(shí)間段的預(yù)熱(du_y)?，F(xiàn)有工藝中對(duì)ENDURA5500機(jī)臺(tái)上的清洗腔、鈷沉積腔及氮化鈦沉積腔進(jìn)行預(yù)熱的工藝流程主要包括如下步驟首先采用三片晶控片對(duì)該機(jī)臺(tái)上的清洗腔進(jìn)行三次預(yù)熱；之后再采用三片晶控片對(duì)該機(jī)臺(tái)上的鈷沉積腔進(jìn)行三次預(yù)熱；最后對(duì)氮化鈦沉積腔進(jìn)行預(yù)熱，此過程不需要晶控片，而是在氮化鈦沉積腔內(nèi)設(shè)置有特定的金屬圓盤來代替晶控片。各腔體預(yù)熱完畢后，方可采用正常晶片進(jìn)行SAB工藝。但是，依照上述方法對(duì)各腔體進(jìn)行預(yù)熱時(shí)，由于對(duì)各腔體的預(yù)熱順序依次進(jìn)行，因此，在對(duì)清洗腔預(yù)熱時(shí)，鈷沉積腔及氮化鈦沉積腔均處于閑置(idle)狀態(tài)，之后對(duì)鈷沉積腔進(jìn)行預(yù)熱，所述氮化鈦沉積腔仍然處于閑置狀態(tài)，這就使得鈷沉積腔和氮化鈦沉積腔閑置的時(shí)間較長，進(jìn)而不利于工藝流程時(shí)間的縮短，不利于提高產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種腔體預(yù)熱方法，采用該方法對(duì)各腔體進(jìn)行預(yù)熱時(shí)能夠有效地縮短腔體的閑置時(shí)間，進(jìn)而可縮短工藝流程時(shí)間，利于提高產(chǎn)品的產(chǎn)量。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種腔體預(yù)熱方法，該方法包括提供二片晶控片；使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。優(yōu)選的，上述方法中，每一晶控片依次進(jìn)入第一腔體內(nèi)、第二腔體和第三腔體內(nèi)，并在各腔體內(nèi)停留的時(shí)間分別為第一預(yù)設(shè)時(shí)間、第二預(yù)設(shè)時(shí)間和第三預(yù)設(shè)時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為對(duì)第一腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為對(duì)第二腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，每一晶控片由第三腔體內(nèi)出來后觸發(fā)第三腔體進(jìn)行自動(dòng)預(yù)熱。
優(yōu)選的，上述方法中，對(duì)所述第三腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間為第四預(yù)設(shè)時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第二預(yù)設(shè)時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第四預(yù)設(shè)時(shí)間。優(yōu)選的，上述方法中，所述第一腔體、第二腔體和第三腔體分別為清洗腔、鈷沉積腔和氮化鈦沉積腔。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法采用三片晶控片，使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。由于三片晶控片按順序依次進(jìn)入各個(gè)腔體內(nèi)，因此，當(dāng)?shù)谝黄Э仄傻谝磺惑w進(jìn)入到第二腔體后，這時(shí)，第二片晶控片即可進(jìn)入第一腔體內(nèi)，即當(dāng)采用第二片晶控片對(duì)第一腔體進(jìn)行預(yù)熱時(shí)，第二腔體并未處于閑置狀態(tài)，同理，當(dāng)?shù)谌Э仄M(jìn)入第一腔體，第二片晶控片進(jìn)入第二腔體，第一片晶控片進(jìn)入第三腔體后，這時(shí)的狀態(tài)為采用第三片晶控片對(duì)第一腔體進(jìn)行預(yù)熱，同時(shí)所述第二腔體和第三腔體均未處于閑 置狀態(tài)，因此，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法可縮短第二腔體和第三腔體處于閑置狀態(tài)的時(shí)間，進(jìn)而可縮短工藝流程時(shí)間，提高產(chǎn)量。除此之外，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法只采用三片晶控片即可完成對(duì)三個(gè)腔體的預(yù)熱，而現(xiàn)有工藝中需要采用六片晶控片對(duì)所述三個(gè)腔體進(jìn)行預(yù)熱，因此，采用本發(fā)明所提供的方法可節(jié)省晶控片的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)省成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種腔體預(yù)熱方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，采用現(xiàn)有工藝對(duì)ENDURA5500機(jī)臺(tái)上的清洗腔、鈷沉積腔及氮化鈦沉積腔進(jìn)行預(yù)熱的工藝過程中，由于在清洗腔完全預(yù)熱完畢后才對(duì)鈷沉積腔進(jìn)行預(yù)熱，在鈷沉積腔完全預(yù)熱完畢后才進(jìn)行氮化鈦沉積腔的預(yù)熱，因此，使得鈷沉積腔和氮化鈦沉積腔處于閑置狀態(tài)的時(shí)間較長，從而不利于工藝流程時(shí)間的縮短，不利于產(chǎn)品產(chǎn)量的提聞。有鑒于此，本發(fā)明提供了一種腔體預(yù)熱方法，該方法包括提供三片晶控片；使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。
本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法中，使三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，從而使得第一片晶控片由第一腔體進(jìn)入第二腔體后，第二片晶控片即可進(jìn)入第一腔體內(nèi)，因此，采用第二片晶控片對(duì)第一腔體進(jìn)行預(yù)熱的同時(shí)，第二腔體也在預(yù)熱，即第二腔體并未處于閑置狀態(tài)；同理，當(dāng)采用第三片晶控片對(duì)第一腔體進(jìn)行預(yù)熱時(shí)，第二腔體和第三腔體均未處于閑置狀態(tài)，因此，縮短了第二腔體和第三腔體處于閑置狀態(tài)的時(shí)間，進(jìn)而縮短了整個(gè)預(yù)熱時(shí)間，從而為提高生產(chǎn)效率、提高產(chǎn)量奠定了基礎(chǔ)。再有，本發(fā)明在對(duì)三個(gè)腔體進(jìn)行預(yù)熱的過程中，只采用了三片晶控片，相比現(xiàn)有技術(shù)來說，節(jié)省了晶控片的數(shù)量，進(jìn)而可節(jié)省成本。下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法。參考圖1，圖I為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種腔體預(yù)熱方法的流程示意圖，該方法具體包括如下步驟
步驟SI :提供二片晶控片。所述晶控片并非為正常工藝流程中所用的晶片，而是用來做測(cè)試、預(yù)熱或其他用途的質(zhì)量稍次的晶片，晶控片的形狀、大小與正常的晶片均相同。本步驟中首先提供三片完全相同的晶控片，可分別記為第一片晶控片、第二片晶控片和第三片晶控片。且所述三片晶控片上均沉積有氧化層。步驟S2 :使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。將步驟SI中所提供的第一片晶控片、第二片晶控片和第三片晶控片按順序排列，使第一片晶控片首先進(jìn)入第一腔體內(nèi)，并在第一腔體內(nèi)停留第一預(yù)設(shè)時(shí)間。所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間是人為預(yù)先在ENDURA5500機(jī)臺(tái)內(nèi)的程序內(nèi)設(shè)置好的，該時(shí)間與現(xiàn)有工藝中設(shè)置的時(shí)間相同。第一片晶控片停留在第一腔體內(nèi)的時(shí)間即為對(duì)第一腔體進(jìn)行第一次預(yù)熱的時(shí)間，因此，對(duì)第一腔體進(jìn)行第一次預(yù)熱的時(shí)間為第一預(yù)設(shè)時(shí)間。當(dāng)?shù)谝磺惑w第一次預(yù)熱完畢后，由NDURA5500機(jī)臺(tái)內(nèi)的程序(以下簡(jiǎn)稱程序)控制第一片晶控片由第一腔體進(jìn)入第二腔體，且第一片晶控片在所述程序的控制下在第二腔體內(nèi)停留第二預(yù)設(shè)時(shí)間。所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間也是人為預(yù)先在程序內(nèi)設(shè)置的，該時(shí)間與現(xiàn)有工藝中設(shè)置的時(shí)間相同。第一片晶控片停留在第二腔體內(nèi)的時(shí)間即為對(duì)第二腔體進(jìn)行第一次預(yù)熱的時(shí)間，因此，對(duì)第二腔體進(jìn)行第一次預(yù)熱的時(shí)間為第二預(yù)設(shè)時(shí)間。當(dāng)?shù)谝黄Э仄傻谝磺惑w進(jìn)入第二腔體的同時(shí)，所述程序控制第二片晶控片進(jìn)入第一腔體，所述第二片晶控片在第一腔體內(nèi)停留的時(shí)間也為第一預(yù)設(shè)時(shí)間，且第二片晶控片在第一腔體內(nèi)的時(shí)間為對(duì)第一腔體進(jìn)行第二次預(yù)熱的時(shí)間，因此，對(duì)第一腔體進(jìn)行第二次預(yù)熱的時(shí)間也為第一預(yù)設(shè)時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第二預(yù)設(shè)時(shí)間，因此，當(dāng)?shù)诙惑w第一次預(yù)熱完畢后，第一腔體第二次預(yù)熱還未完成，這時(shí)，所述第一片晶控片在所述程序的控制下由第二腔體進(jìn)入第三腔體，并在第三腔體內(nèi)停留第三預(yù)設(shè)時(shí)間。本實(shí)施例中所述第三預(yù)設(shè)時(shí)間極其短暫，且第一片晶控片在第三腔體內(nèi)停留的過程并非為了對(duì)第三腔體進(jìn)行預(yù)熱，而是為了觸發(fā)第三腔體從而使其實(shí)現(xiàn)自動(dòng)預(yù)熱功能，因此，當(dāng)?shù)谝黄Э仄诔绦虻目刂葡掠傻谌惑w出去后，第三腔體開始自發(fā)的進(jìn)行第一次預(yù)熱，通過程序設(shè)置第三腔體進(jìn)行第一次預(yù)熱的時(shí)間為第四預(yù)設(shè)時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例中所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第四預(yù)設(shè)時(shí)間。當(dāng)?shù)谝磺惑w第二次預(yù)熱完畢后，所述第二片晶控片在程序的控制下由第一腔體進(jìn)入第二腔體，并在第二腔體內(nèi)停留第二預(yù)設(shè)時(shí)間，此過程為對(duì)第二腔體進(jìn)行第二次預(yù)熱的過程。與此同時(shí)，第三片晶控片在程序的控制下進(jìn)入第一腔體，并在第一腔體內(nèi)停留第一預(yù)設(shè)時(shí)間，開始對(duì)第一腔體的第三次預(yù)熱。當(dāng)?shù)诙惑w第二次預(yù)熱完畢后，第一腔體第三次預(yù)熱還未完成，而第三腔體第一次預(yù)熱已經(jīng)完成，此時(shí)，所述第二片晶控片在程序的控制下由第二腔體進(jìn)入第三腔體，并在第三腔體內(nèi)停留第三預(yù)設(shè)時(shí)間，當(dāng)所述第二片晶控片由第三腔體出來后，第三腔體被觸發(fā)從而開始進(jìn)行第二次預(yù)熱過程，且第三腔體進(jìn)行第二次預(yù)熱的時(shí)間也為第四預(yù)設(shè)時(shí)間。當(dāng)?shù)谝磺惑w第三次預(yù)熱完畢后，所述第三片晶控片在程序的控制下由第一腔體進(jìn)入第二腔體，并在第二腔體內(nèi)停留第二預(yù)設(shè)時(shí)間，此過程為對(duì)第二腔體進(jìn)行第三次預(yù)熱的過程。
當(dāng)?shù)诙惑w第三次預(yù)熱完畢后，第三腔體第二次預(yù)熱已經(jīng)完成，所述第三片晶控片在程序的控制下由第二腔體進(jìn)入第三腔體，并在第三腔體內(nèi)停留第三預(yù)設(shè)時(shí)間，待所述第三片晶控片從第三腔體出來后，所述第三腔體被觸發(fā)開始進(jìn)行第三次預(yù)熱過程，所述第三腔體進(jìn)行第三次預(yù)熱過程的時(shí)間為第四預(yù)設(shè)時(shí)間。待第三腔體第三次預(yù)熱完畢后，這三個(gè)腔體的預(yù)熱過程結(jié)束，后續(xù)可以使正常的晶片依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體，并在各腔體內(nèi)進(jìn)行相應(yīng)的工藝過程。由上可知，當(dāng)?shù)谝磺惑w進(jìn)行第二次預(yù)熱時(shí)，第二腔體在進(jìn)行第一次預(yù)熱，而現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)第一腔體進(jìn)行第二次預(yù)熱時(shí)，第二腔體處于閑置狀態(tài)；且當(dāng)?shù)谝磺惑w進(jìn)行第三次預(yù)熱時(shí)，第二腔體在進(jìn)行第二次預(yù)熱，第三腔體在進(jìn)行第一次預(yù)熱，而現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)第一腔體進(jìn)行第三次預(yù)熱時(shí)，第二腔體和第三腔體均處于閑置狀態(tài)，因此，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法，能夠有效地減少第二腔體和第三腔體處于閑置狀態(tài)的時(shí)間，進(jìn)而可縮短工藝流程，提聞生廣效率，提聞廣量。除此之外，本發(fā)明中只采用三片晶控片即可實(shí)現(xiàn)對(duì)三個(gè)腔體的預(yù)熱，相比現(xiàn)有技術(shù)來說，減少了晶控片的使用數(shù)量，節(jié)約了生產(chǎn)成本。再有，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法，使每一晶控片在第三腔體內(nèi)停留較短的時(shí)間就出來，從而可觸發(fā)所述第三腔體進(jìn)行自動(dòng)預(yù)熱，而現(xiàn)有技術(shù)中需要通過手動(dòng)來實(shí)現(xiàn)對(duì)第三腔體的預(yù)熱功能，因此，本發(fā)明所提供的方法可節(jié)省人力。本發(fā)明實(shí)施例中的第一腔體、第二腔體和第三腔體分別為清洗腔、鈷沉積腔和氮化鈦沉積腔，即當(dāng)晶控片在清洗腔內(nèi)時(shí)，對(duì)清洗腔進(jìn)行預(yù)熱的同時(shí)，也對(duì)晶控片進(jìn)行了清洗；當(dāng)晶控片在鈷沉積腔內(nèi)時(shí)，對(duì)鈷沉積腔進(jìn)行預(yù)熱的同時(shí)，也在晶控片上沉積了鈷金屬層；雖然氮化鈦沉積腔可使處于其內(nèi)的晶控片上沉積氮化鈦層，但考慮到晶控片在氮化鈦沉積腔(即第三腔體)內(nèi)的時(shí)間較短，因此，可以近似認(rèn)為由氮化鈦沉積腔出來的晶控片，其上沒有沉積氮化鈦層。因此，本發(fā)明實(shí)施例中所提供的三片晶控片在使用完畢后，其上均沉積了鈷金屬層，為了使得所述晶控片能夠被重新利用，需要將其置于相應(yīng)的酸槽溶液內(nèi)進(jìn)行清洗，清洗完之后所述晶控片又可被利用，從而可節(jié)約生產(chǎn)成本。需要說明的是，每一晶控片在第一腔體內(nèi)停留的時(shí)間均為第一預(yù)設(shè)時(shí)間，在第二腔體內(nèi)停留的時(shí)間均為第二預(yù)設(shè)時(shí)間，在第三腔體內(nèi)停留的時(shí)間均為第三預(yù)設(shè)時(shí)間，且每一晶控片在第一腔體內(nèi)時(shí)即是第一腔體預(yù)熱的過程，每一晶控片在第二腔體內(nèi)時(shí)即是第二腔體預(yù)熱的過程，每一晶控片由第三腔體出來后均會(huì)觸發(fā)第三腔體進(jìn)行自動(dòng)預(yù)熱，第三腔體每次預(yù)熱的時(shí)間均為人為預(yù)先設(shè)置在程序內(nèi)部的第四預(yù)設(shè)時(shí)間。且第三腔體內(nèi)有自帶的金屬圓盤，當(dāng)所述第三腔體在進(jìn)行預(yù)熱時(shí)，將在所述金屬圓盤上沉積氮化鈦層。還應(yīng)注意之所以需要對(duì)每一腔體進(jìn)行三次預(yù)熱過程，主要是為了加長腔體被預(yù)熱的時(shí)間，使得每一腔體被預(yù)熱的時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)要求；但是如果只采用一個(gè)晶控片依次對(duì)每一腔體進(jìn)行預(yù)熱，且通過程序設(shè)置使每一腔體進(jìn)行預(yù)熱的時(shí)間足夠長(達(dá)到預(yù)設(shè)要求)，這一方面不能縮短第二腔體和第三腔體處于閑置狀態(tài)的時(shí)間，另一方面當(dāng)晶控片被使用后，由于其上已經(jīng)沉積了較厚的鈷金屬層(或者還包括了氮化鈦層)，因此，很難對(duì)其進(jìn)行回收利用，進(jìn)而提高了生產(chǎn)成本。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要 素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種腔體預(yù)熱方法，其特征在于，包括 提供二片晶控片； 使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，每一晶控片依次進(jìn)入第一腔體內(nèi)、第二腔體和第三腔體內(nèi)，并在各腔體內(nèi)停留的時(shí)間分別為第一預(yù)設(shè)時(shí)間、第二預(yù)設(shè)時(shí)間和第三預(yù)設(shè)時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為對(duì)第一腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為對(duì)第二腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，每一晶控片由第三腔體內(nèi)出來后觸發(fā)第三腔體進(jìn)行自動(dòng)預(yù)熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)所述第三腔體進(jìn)行一次預(yù)熱的時(shí)間為第四預(yù)設(shè)時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第二預(yù)設(shè)時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間大于第四預(yù)設(shè)時(shí)間。
9.根據(jù)權(quán)利要求I 8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一腔體、第二腔體和第三腔體分別為清洗腔、鈷沉積腔和氮化鈦沉積腔。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種腔體預(yù)熱方法，該方法包括提供三片晶控片；使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體內(nèi)，對(duì)所述第一腔體、第二腔體和第三腔體各進(jìn)行三次預(yù)熱。本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法，由于采用三片晶控片，并使所述三片晶控片按順序依次進(jìn)入第一腔體、第二腔體和第三腔體，因此，當(dāng)?shù)诙Э仄M(jìn)入第一腔體時(shí)，第二腔體并未處于閑置狀態(tài)，當(dāng)?shù)谌Э仄M(jìn)入第一腔體時(shí)，第二腔體和第三腔體均未處于閑置狀態(tài)，因此，本發(fā)明所提供的腔體預(yù)熱方法可減少第二腔體和第三腔體處于閑置狀態(tài)的時(shí)間，進(jìn)而可縮短工藝流程時(shí)間，提高產(chǎn)量。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102810456SQ20111014823
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者陶晟, 劉長安, 趙強(qiáng) 申請(qǐng)人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司